JP2676231B2 - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止装置

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JP2676231B2 JP63224212A JP22421288A JP2676231B2 JP 2676231 B2 JP2676231 B2 JP 2676231B2 JP 63224212 A JP63224212 A JP 63224212A JP 22421288 A JP22421288 A JP 22421288A JP 2676231 B2 JP2676231 B2 JP 2676231B2
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末吉 田中
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/1742Mounting of moulds; Mould supports
    • B29C45/1744Mould support platens

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランスファ成形プレスを用いて樹脂成形
する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種半導体装置の樹脂封止装置は第2図(上
下2つの型板のうち下側の型板を示す)に示すように構
成されている。これを同図に基づいて説明すると、同図
において、符号1で示すものはベース2上に多数のサポ
ートピン3を介して設けられヒータ4を内蔵する熱盤、
5はこの熱盤1上に保持されパーティング面5aに開口す
るキャビティ6を有するチェイスブロック、7はこのチ
ェイスブロック5の外側に配設されかつ前記熱盤1と前
記ベース2との間に介装され側方に開口する取付溝7aを
有するスペーサブロックである。このスペーサブロック
7の内側には、前記キャビティ6内を進退するエジェク
ターピン(図示せず)を有するエジュクター機構8が収
納されている。なお、前記チェイスブロック5の上方に
は上側の型板(図示せず)が配設されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いては、型締時にポット(図示せず)内の樹脂タブレッ
ト(図入せず)をプランジャー(図示せず)によって加
圧し、予めチェイスブロック5に装着されたリードフレ
ーム(図示せず)上の半導体素子(図示せず)を樹脂封
止することができる。
なお、樹脂封止時には、ヒータ4によってチェイスブ
ロック5を樹脂成形温度に加熱する必要がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来の半導体装置の樹脂封止装置において
は、熱盤1に熱伝導率の小さい金属材料が使用されてい
るため、樹脂成形時にチェイスブロック5が不均一に加
熱されて反り変形していた。すなわち、ヒータ4は熱盤
1の複数箇所に内蔵されるものであり、このため加熱時
にはチェスブロック5の下端面全体が均一に加熱されな
いからである。この結果、両パーティング面5a(一方の
み図示)に間隙が形成されてしまい、チェスブロック5
上のリードフレーム(図示せず)に樹脂ばかりが発生す
るという問題があった。
そこで、熱盤1に熱伝導率が大きい、例えば銅合金等
の軟質の金属材料を使用することが考えられが、この場
合サポートピン3が軟らかい熱盤1に食い込んでこれを
破損するという不都合があった。また、例えば銅合金等
の金属材料からなる熱盤1は剛性が低いことから、前述
同様反り変形して両パーティング5a(図示せず)に間隙
が形成され、リードフレーム(図示せず)に樹脂ばかり
が発生するという不都合もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、樹
脂成形時に熱盤の破損発生やリードフレームにおける樹
脂ばりの発生を防止することができる半導体装置の樹脂
封止装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の樹脂封止装置は、ベース
上にサポートピンを介して支持されかつヒータを内蔵す
る熱盤と、この熱盤上に保持されキャビティを有するチ
ェイスブロックとを備え、前記熱盤のチェイスブロック
直下を前記サポートピンによって支持している半導体装
置の樹脂封止装置であって、前記熱盤は、銅合金製熱盤
を含み、前記銅合金製熱盤と前記サポートピンとの間の
該銅合金製熱盤の全面に、少なくとも前記サポートピン
との当接面部分が前記銅合金製熱盤よりも硬質となるよ
うに形成され、かつ該銅合金製熱盤よりも高い剛性を持
つように構成されたバッキングプレートを介在させて設
けたことを特徴とする。
〔作用〕
この発明の半導体装置において、熱盤として、熱伝導
率の大きな銅合金で形成したものを用い、チェイスブロ
ックに対する加熱の均一性を向上させることができ、こ
れによりこのチェイスブロックの反り変形を阻止でき
る。さらに、銅合金製熱盤よりも剛性の高いバッキング
プレートを銅合金製熱盤とサポートピンとの間の熱盤の
全面に介在させることにより、銅合金製熱盤を反り変形
させる力がサポートピンから熱盤に加わるのを防止する
ことができる。また、熱盤よりも硬質なパッキングプレ
ートの存在によって、この熱盤に対してのサポートピン
との当接面すなわちサポートピンによる熱盤の支持部で
の食い込みにより損傷を防止することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細
に説明する。
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置を示
す断面図で、同図において第2図と同一の部材について
は同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図にお
いて、符号11で示すものは前記チェイスブロック5の下
端面に対接する上端面をもつ熱盤で、前記ヒータ4を内
蔵し、全体が熱伝導率が大きい、例えば銅合金等の軟質
の金属材料によって形成されている。12は前記熱盤11の
剛性より高い剛性をもち、熱盤11よりも硬質な材料から
なるバッキングプレートで、前記熱盤1と前記サポート
ピン3との間に介装されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置にお
いては、熱伝導率が大きい熱盤11を使用したから、樹脂
成形(封止)時にチェイスブロック5を均一に加熱する
ことができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時にチェイ
スブロック5の反り変形を阻止することができるから、
チェイスブロック5の各パーティング面5a(一方のみ図
示)を互いに密着させることができる。
また、本発明においては、バッキングプレート12を熱
盤11とサポートピン3との間に介装したから、熱盤11に
対するサポートピン3の食い込みや熱盤11の反り変形を
阻止することができる。
なお、本実施例においては、熱盤11を一つの部材によ
って形成してなるものを示したが、本発明はこれに限定
されず、熱盤11が分割形成してなるものでも実施例と同
様の効果を奏する。この場合には、チェイスブロック5
の下端面に対接する一方の熱盤(図示せず)に例えば銅
合金等の金属材料を使用する。そして、他方の熱盤(図
示せず)にヒータ4を内蔵し、このヒータ4を熱伝導率
が大きい材料によって囲繞すれば、熱盤11からチェイス
ブロック5にヒータ熱を一層効果的に伝達することがで
きる。
また、本実施例においては、チェイスブロック5が二
個であるものに適用する例を示したが、本発明はこれに
限定適用されるものではないことは勿論である。
〔発明の効果〕
この発明の半導体装置の樹脂封止装置によれば、熱盤
は、銅合金製熱盤を含み、銅合金製熱盤とサポートピン
との間の前記銅合金製熱盤の全面に、少なくともサポー
トピンとの当接面部分が銅合金製熱盤よりも硬質となる
ように形成され、かつ銅合金製熱盤よりも高い剛性を持
つように構成されたバッキングプレートを介在させて設
けたので、熱伝導率が大きい銅合金製熱盤により樹脂成
形(封止)時にチェイスブロック全体を均一に加熱する
ことができ、チェイスブロックの反り変形を防止するこ
とができる。さらに、熱盤が銅合金製であるにもかかわ
らず熱盤よりも剛性の高いバッキングプレートによって
銅合金製熱盤の反り変形を阻止することができる。した
がって、樹脂封止時にチェイスブロックの各パーティン
グを互いに密着させることができるから、リードフレー
ムにおける樹脂ばりの発生を防止することができるとい
う効果がある。また、サポートピンと熱盤との間に介装
したバッキングプレートによって、銅合金製熱盤に対す
るサポートピンの食い込みを阻止できるから、銅合金製
熱盤の破損発生を防止することができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置を示す
断面図、第2図は従来の半導体装置の樹脂封止装置を示
す断面図である。 2……ベース、3……サポートピン、4……ヒータ、5
……チェイスブロック、11……熱盤、12……バッキング
プレート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−241109(JP,A) 特開 昭62−26827(JP,A) 実開 昭61−92056(JP,U)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベース上にサポートピンを介して支持され
    かつヒータを内蔵する熱盤と、この熱盤上に保持されキ
    ャビティを有するチェイスブロックとを備え、前記熱盤
    のチェイスブロック直下を前記サポートピンによって支
    持している半導体装置の樹脂封止装置において、 前記熱盤は、銅合金製熱盤を含み、 前記銅合金製熱盤と前記サポートピンとの間の前記銅合
    金製熱盤の全面に、少なくとも前記サポートピンとの当
    接面部分が前記銅合金製熱盤よりも硬質となるように形
    成され、かつ前記銅合金製熱盤よりも高い剛性を持つよ
    うに構成されたバッキングプレートを介在させて設けた
    ことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
JP63224212A 1988-09-07 1988-09-07 半導体装置の樹脂封止装置 Expired - Lifetime JP2676231B2 (ja)

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JPS61241109A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 Hitachi Ltd モ−ルド金型
JPS6226827A (ja) * 1985-07-27 1987-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置

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