JPH1022314A - 半導体樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体樹脂封止用金型Info
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- JPH1022314A JPH1022314A JP8177696A JP17769696A JPH1022314A JP H1022314 A JPH1022314 A JP H1022314A JP 8177696 A JP8177696 A JP 8177696A JP 17769696 A JP17769696 A JP 17769696A JP H1022314 A JPH1022314 A JP H1022314A
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/40—Removing or ejecting moulded articles
- B29C45/4005—Ejector constructions; Ejector operating mechanisms
- B29C45/401—Ejector pin constructions or mountings
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体封止用金型で、低コストの金型で薄型の
半導体装置でも樹脂封止し離型することが可能な改良さ
れた半導体樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】上型と下型ブロックから構成される半導体
樹脂封止用金型であって、上型と下型との間で形成され
たランナと、ランナに連結されたゲートと、ゲートに連
結されたキャビティと、半導体素子を搭載したリードフ
レームを上型と下型の間に挟持し、キャビティ底面に形
成された貫通孔と、貫通孔内に配設された複数の部品で
構成され部品間の接続にねじ機構を用いて長さ寸法を高
精度に制御できるエジェクタピンを配設する。
半導体装置でも樹脂封止し離型することが可能な改良さ
れた半導体樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】上型と下型ブロックから構成される半導体
樹脂封止用金型であって、上型と下型との間で形成され
たランナと、ランナに連結されたゲートと、ゲートに連
結されたキャビティと、半導体素子を搭載したリードフ
レームを上型と下型の間に挟持し、キャビティ底面に形
成された貫通孔と、貫通孔内に配設された複数の部品で
構成され部品間の接続にねじ機構を用いて長さ寸法を高
精度に制御できるエジェクタピンを配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の樹脂封
止用金型に係り、特に、薄い半導体装置を製造するのに
有効な樹脂封止用金型に関する。
止用金型に係り、特に、薄い半導体装置を製造するのに
有効な樹脂封止用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の製造で、成形金
型で樹脂封止し成形金型から成型品を離型する方法とし
て、半導体装置の樹脂部の下面をエジェクタピンで押圧
して離型する方法が広く用いられている。
型で樹脂封止し成形金型から成型品を離型する方法とし
て、半導体装置の樹脂部の下面をエジェクタピンで押圧
して離型する方法が広く用いられている。
【０００３】しかし、この方法は樹脂封止型半導体装置
の薄型化が進むとエジェクタピンの長さ精度が非常に重
要になり、高精度なエジェクタピンを用いない場合成形
金型からの離型時に、成型品にクラックやインサート品
（半導体素子、リードフレーム等の樹脂封止対象物の総
称）の界面剥離等の信頼性を低下させたり、半導体素子
の割れ等の要因が増大する傾向にある。これに対処する
一つの方法として、成形金型構造に改良を加えて解決す
る方法がある。例えば、特開平４−３２６５２９号公報
に記載されているように、樹脂封止型半導体装置を成形
金型から離型する時に、半導体装置の樹脂部の下面を押
圧して離型することは、半導体素子や樹脂などにクラッ
クを発生させる懸念があるため、半導体装置の周辺にリ
ードフレームをエジェクタピンで押圧して離型するか、
半導体装置の周辺に樹脂溜り部を設置し、その樹脂溜り
部をエジェクタピンで押圧して離型する構造となってい
た。
の薄型化が進むとエジェクタピンの長さ精度が非常に重
要になり、高精度なエジェクタピンを用いない場合成形
金型からの離型時に、成型品にクラックやインサート品
（半導体素子、リードフレーム等の樹脂封止対象物の総
称）の界面剥離等の信頼性を低下させたり、半導体素子
の割れ等の要因が増大する傾向にある。これに対処する
一つの方法として、成形金型構造に改良を加えて解決す
る方法がある。例えば、特開平４−３２６５２９号公報
に記載されているように、樹脂封止型半導体装置を成形
金型から離型する時に、半導体装置の樹脂部の下面を押
圧して離型することは、半導体素子や樹脂などにクラッ
クを発生させる懸念があるため、半導体装置の周辺にリ
ードフレームをエジェクタピンで押圧して離型するか、
半導体装置の周辺に樹脂溜り部を設置し、その樹脂溜り
部をエジェクタピンで押圧して離型する構造となってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の金型では、
半導体装置の薄型化が進むとともにリードフレームも薄
くなり、剛性が低下する。従って、離型時にリードフレ
ームをエジェクタピンで押圧するとリードフレームが変
形し、離型しにくくなるという問題があった。
半導体装置の薄型化が進むとともにリードフレームも薄
くなり、剛性が低下する。従って、離型時にリードフレ
ームをエジェクタピンで押圧するとリードフレームが変
形し、離型しにくくなるという問題があった。
【０００５】また、樹脂溜り部を設けることによって樹
脂の材料歩留まりが低下するという問題があった。
脂の材料歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】さらに、従来技術は一つのキャビティに数
本のエジェクタピンが設けられているので金型コストが
高くなるという問題があった。
本のエジェクタピンが設けられているので金型コストが
高くなるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は低コストの金型で薄型の半
導体装置でも樹脂封止し離型することが可能な改良され
た半導体樹脂封止用金型を提供することにある。
導体装置でも樹脂封止し離型することが可能な改良され
た半導体樹脂封止用金型を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は上型と下型の二つのブロックから構成され
る半導体樹脂封止用金型であって、上型と下型との間で
形成されたランナと、このランナに連結されて形成され
たゲートと、ゲートに連結されて形成されたキャビティ
と、半導体素子を搭載したリードフレームを上型と下型
の間に挟持し、キャビティ底面に形成された貫通孔と、
この貫通孔内に配設された複数の部品で構成され、部品
間の接続にねじ機構を用いて長さ寸法を高精度に制御で
きるエジェクタピンとを有して成る。
め、本発明は上型と下型の二つのブロックから構成され
る半導体樹脂封止用金型であって、上型と下型との間で
形成されたランナと、このランナに連結されて形成され
たゲートと、ゲートに連結されて形成されたキャビティ
と、半導体素子を搭載したリードフレームを上型と下型
の間に挟持し、キャビティ底面に形成された貫通孔と、
この貫通孔内に配設された複数の部品で構成され、部品
間の接続にねじ機構を用いて長さ寸法を高精度に制御で
きるエジェクタピンとを有して成る。
【０００９】また、キャビティ底面に形成された貫通孔
内に配設された複数の部品で構成されたエジェクタピン
に、キャビティ底面にでている面に窪みを設ける。
内に配設された複数の部品で構成されたエジェクタピン
に、キャビティ底面にでている面に窪みを設ける。
【００１０】
（実施例１）図１は本発明の半導体樹脂封止用金型の断
面図である。上型１と下型２の間には、樹脂（図示せ
ず）を供給するランナ３が形成され、その先にゲート４
が形成され半導体装置を形成するキャビティが形成され
ている。キャビティ５の中にはリードフレーム６が設置
されリードフレーム６のタブ７には半導体素子８が搭載
させている。キャビティ５の底面には貫通孔９が形成さ
れ、貫通孔９の中には上部エジェクタピン１０と下部エ
ジェクタピン１１が設置されている。下型２の下には、
上部エジェクタプレート１２と下部エジェクタプレート
１３が設置され下部エジェクタピン１１の一部を挟み込
んで固定している。
面図である。上型１と下型２の間には、樹脂（図示せ
ず）を供給するランナ３が形成され、その先にゲート４
が形成され半導体装置を形成するキャビティが形成され
ている。キャビティ５の中にはリードフレーム６が設置
されリードフレーム６のタブ７には半導体素子８が搭載
させている。キャビティ５の底面には貫通孔９が形成さ
れ、貫通孔９の中には上部エジェクタピン１０と下部エ
ジェクタピン１１が設置されている。下型２の下には、
上部エジェクタプレート１２と下部エジェクタプレート
１３が設置され下部エジェクタピン１１の一部を挟み込
んで固定している。
【００１１】図２は上部エジェクタピン１０と下部エジ
ェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視図である。
上部エジェクタピン１０には雄ねじ１４が形成され、下
部エジェクタピン１１には雌ねじ１５が形成されてい
る。図中に示した所の長さをそれぞれＬ０、Ｌ１、Ｌ２
としたときに、Ｌ０はＬ１とＬ２の和なのでエジェクタ
ピンの組み立ての際に各エジェクタピンのＬ０がほぼ一
定になるように上部エジェクタピン１０と下部エジェク
タピン１１を選定することにより寸法精度の良いエジェ
クタピンが作成でき、上部エジェクタピン１０の上部の
樹脂厚を精度良く制御できるので成形不良の低減が図れ
る。
ェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視図である。
上部エジェクタピン１０には雄ねじ１４が形成され、下
部エジェクタピン１１には雌ねじ１５が形成されてい
る。図中に示した所の長さをそれぞれＬ０、Ｌ１、Ｌ２
としたときに、Ｌ０はＬ１とＬ２の和なのでエジェクタ
ピンの組み立ての際に各エジェクタピンのＬ０がほぼ一
定になるように上部エジェクタピン１０と下部エジェク
タピン１１を選定することにより寸法精度の良いエジェ
クタピンが作成でき、上部エジェクタピン１０の上部の
樹脂厚を精度良く制御できるので成形不良の低減が図れ
る。
【００１２】（実施例２）図３は本発明の第２の実施例
となる半導体樹脂封止用金型の断面図である。キャビテ
ィ５の中にはリードフレーム６が設置されリードフレー
ム６にはバンプ１６を介して半導体素子８が搭載させて
いる。キャビティ５の底面には貫通孔９が形成され、貫
通孔９の中には上部エジェクタピン１０と下部エジェク
タピン１１が設置されている。
となる半導体樹脂封止用金型の断面図である。キャビテ
ィ５の中にはリードフレーム６が設置されリードフレー
ム６にはバンプ１６を介して半導体素子８が搭載させて
いる。キャビティ５の底面には貫通孔９が形成され、貫
通孔９の中には上部エジェクタピン１０と下部エジェク
タピン１１が設置されている。
【００１３】図４は第２の実施例に用いる上部エジェク
タピン１０と下部エジェクタピン１１の組み立て前後の
状態の斜視図である。上部エジェクタピン１０には、窪
み１７が形成されている。窪み１７は、エジェクタピン
をすきまｄだけ離して組み立てて金型に組み込んだとき
にエジェクタピンの長さの微調整に使用するものであ
る。つまり、上部エジェクタピン１０と下部エジェクタ
ピン１１の接合部は、ねじ機構になっているので窪み１
７に治具（図示せず）を挿して上部エジェクタピン１０
を廻すことにより図に示した長さＬ３が変わる。
タピン１０と下部エジェクタピン１１の組み立て前後の
状態の斜視図である。上部エジェクタピン１０には、窪
み１７が形成されている。窪み１７は、エジェクタピン
をすきまｄだけ離して組み立てて金型に組み込んだとき
にエジェクタピンの長さの微調整に使用するものであ
る。つまり、上部エジェクタピン１０と下部エジェクタ
ピン１１の接合部は、ねじ機構になっているので窪み１
７に治具（図示せず）を挿して上部エジェクタピン１０
を廻すことにより図に示した長さＬ３が変わる。
【００１４】この実施例によれば、金型を加熱して樹脂
封止温度まで上げた状態でエジェクタピンの長さを調整
できるので第１の実施例より高精度にエジェクタピンの
長さを制御できる。
封止温度まで上げた状態でエジェクタピンの長さを調整
できるので第１の実施例より高精度にエジェクタピンの
長さを制御できる。
【００１５】図５に実験結果を示す。半導体素子の裏面
を露出させて樹脂封止させるためにキャビティ底面より
もエジェクタピンの露出面が低い３仕様の条件で実験し
た。その結果、この条件では、０〜１０μｍの間にエジ
ェクタピンを調整しなければならないことがわかった。
を露出させて樹脂封止させるためにキャビティ底面より
もエジェクタピンの露出面が低い３仕様の条件で実験し
た。その結果、この条件では、０〜１０μｍの間にエジ
ェクタピンを調整しなければならないことがわかった。
【００１６】この条件では、許容値は０〜１０μｍであ
ったがエジェクタピン直径、半導体素子厚さ、設定移送
圧力が変われば許容値も狭くなったり、広くなったりす
る。
ったがエジェクタピン直径、半導体素子厚さ、設定移送
圧力が変われば許容値も狭くなったり、広くなったりす
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明によよればエジェクタピンの長さ
を高精度に制御して成形不良の少ない樹脂封止ができる
金型を実現することができた。
を高精度に制御して成形不良の少ない樹脂封止ができる
金型を実現することができた。
【図１】本発明の実施例１の半導体樹脂封止用金型の断
面図。
面図。
【図２】本発明の実施例１の上部エジェクタピン１０と
下部エジェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視
図。
下部エジェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視
図。
【図３】本発明の実施例２の半導体樹脂封止用金型の断
面図。
面図。
【図４】本発明の実施例２の上部エジェクタピン１０と
下部エジェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視
図。
下部エジェクタピン１１の組み立て前後の状態の斜視
図。
【図５】本発明の実施例２を用いた実験結果。
１…上型、 ２…下型、 ５…キャビティ、 ８…半導体素子、 ９…貫通孔、 １０…上部エジェクタピン、 １１…下部エジェクタピン、 １２…上部エジェクタプレート、 １３…下部エジェクタプレート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者 宮野 一郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山倉 英雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】上型と下型ブロックから構成される半導体
樹脂封止用金型において、上記上型と上記下型との間に
形成されたランナと、上記ランナに連結されて形成され
たゲートと、上記ゲートに連結されて形成されたキャビ
ティと、半導体素子を搭載したリードフレームを上記上
型と上記下型の間に挟持し、上記キャビティの底面に形
成された貫通孔と、上記貫通孔内に配設された複数の部
品で構成されたエジェクタピンとを有して成ることを特
徴とする半導体樹脂封止用金型。 - 【請求項２】上記キャビティの底面に形成された上記貫
通孔内に配設された複数の部品で構成された上記エジェ
クタピンの部品間の接続にねじ機構を用いている請求項
１に記載の半導体樹脂封止用金型。 - 【請求項３】上記キャビティの底面に形成された上記貫
通孔内に配設された複数の部品で構成されたエジェクタ
ピンの上記キャビティの底面にでている面に窪みを有し
て成る請求項１に記載の半導体樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177696A JPH1022314A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177696A JPH1022314A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022314A true JPH1022314A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16035515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8177696A Pending JPH1022314A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 半導体樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102133790A (zh) * | 2011-03-01 | 2011-07-27 | 天津市中环三峰电子有限公司 | 注塑模具顶出装置 |
| WO2013154144A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 流量センサおよびその製造方法 |
| CN103831958A (zh) * | 2012-11-22 | 2014-06-04 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 顶出结构 |
| EP2516129A4 (en) * | 2009-12-23 | 2015-11-04 | Rjg Inc | NEW METHOD OF INSTALLING SENSORS FOR INDIRECT AND DIRECT DETECTION OF MOLD PRESSURE, TEMPERATURE AND CASTING FRONT WITHOUT MACHINING THE MOLD |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP8177696A patent/JPH1022314A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2516129A4 (en) * | 2009-12-23 | 2015-11-04 | Rjg Inc | NEW METHOD OF INSTALLING SENSORS FOR INDIRECT AND DIRECT DETECTION OF MOLD PRESSURE, TEMPERATURE AND CASTING FRONT WITHOUT MACHINING THE MOLD |
| CN102133790A (zh) * | 2011-03-01 | 2011-07-27 | 天津市中环三峰电子有限公司 | 注塑模具顶出装置 |
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| JP2013221742A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-28 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 流量センサおよびその製造方法 |
| CN104364614A (zh) * | 2012-04-12 | 2015-02-18 | 日立汽车系统株式会社 | 流量传感器及其制造方法 |
| EP2837918A4 (en) * | 2012-04-12 | 2015-12-02 | Hitachi Automotive Systems Ltd | FLOW SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
| US9580303B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-02-28 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Flow sensor and method for manufacturing the same |
| CN103831958A (zh) * | 2012-11-22 | 2014-06-04 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 顶出结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040407 |