JP5308107B2 - 回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は回路装置の製造方法に関し、特に、アイランドとリードとを備えるリードフレーム型の回路装置の製造方法に関する。

ＬＳＩ等の半導体素子を樹脂封止する構造として、リードフレーム型の回路装置がある（下記特許文献１を参照）。図５（Ａ）を参照して、リードフレーム型の回路装置１００の構成を説明する。

回路装置１００は、リードフレームとして形成されるアイランド１０２およびリード１１０と、アイランド１０２の上面に固着される半導体素子１０４と、半導体素子１０４の上面に設けられた電極とリード１１０とを接続させる金属細線１０６と、半導体素子１０４を樹脂封止する封止樹脂１０８とを備えている。

アイランド１０２およびリード１１０は、厚みが０．３ｍｍ程度の銅等の金属から成る金属板に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施すことにより形成される。

半導体素子１０４は、上面に多数個の電極が形成されるＬＳＩまたはディスクリートのトランジスタであり、アイランド１０２の上面に実装されている。そして、径が数十μｍ程度の金線から成る金属細線１０６を経由して、半導体素子１０４の上面に設けられた電極はリード１１０に接続される。

封止樹脂１０８は、フィラーが混入された熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂からなり、半導体素子１０４、アイランド１０２、リード１１０および金属細線１０６を被覆している。ここでは、装置全体の耐湿性および耐圧性を向上させるために、アイランド１０２の下面も封止樹脂１０８により被覆されている。

図５（Ｂ）を参照して、上記した構成の回路装置１００を樹脂封止する方法を説明する。図５（Ｂ）は、半導体素子１０４を樹脂封止する工程を示す断面図である。ここでは、アイランド１０２およびリード１１０はリードフレームの状態で供給されており、アイランド１０２の上面には半導体素子１０４が固着されている。そして、半導体素子１０４の上面の電極は、金属細線１０６を経由してリード１１０と接続されている。この状態のアイランド１０２およびリード１１０は、モールド用の金型１１２のキャビティ１１４の内部に収納される。アイランド１０２の下面は、金型１１２の下面から離間して配置されている。この状態で、金型１１２に設けた不図示のゲートから、キャビティ１１４の内部に、液状の封止樹脂を注入する。注入された封止樹脂により、半導体素子１０４、アイランド１０２、リード１１０および金属細線１０６が被覆される。また、アイランド１０２の下面を被覆するために、アイランド１０２の下面と金型１１２の内壁との間にも封止樹脂は充填される。
特開平１１−３４０２５７号公報

しかしながら、上記した封止方法では、アイランド１０２の下面が被覆されない問題があった。具体的には、図５（Ａ）を参照して、半導体素子１０４から発生した熱をアイランド１０２および封止樹脂１０８を経由して良好に外部に放出させるためには、アイランド１０２の下面を被覆する封止樹脂１０８を薄くした方がよい。例えば、アイランド１０２の下面を被覆する封止樹脂１０８の厚みを０．５ｍｍ程度以下に薄くすると、装置全体の放熱性が向上される。しかしながら、図５（Ｂ）を参照して、このようにするためには、樹脂封止の工程に於いて、アイランド１０２の下面と金型１１２の内壁との間隙を狭くする必要があり、この間隙に封止樹脂が充填されない恐れがある。封止樹脂が充填されない領域が発生すると、この領域がボイドとなり不良が発生する。

また、キャビティ１１４に封止樹脂を注入する際に、封止樹脂に与える圧力を高めると、アイランド１０２の下方の狭い間隙に封止樹脂を充填することができる可能性もある。しかしながら、封止樹脂を注入する圧力を高めると、直径が数十μｍ程度の細い金属細線１０６が断線してしまう恐れがある。

本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂により一体的に半導体素子およびアイランドを封止し、更に、アイランドの下面を薄く封止樹脂により被覆する回路装置の製造方法を提供することにある。

本発明の回路装置の製造方法は、アイランドの上面に半導体素子を実装し、前記アイランドの周囲に一端が配置されたリードと前記半導体素子とを接続する工程と、前記半導体素子が実装された前記アイランドをモールド金型のキャビティに収納させて、前記半導体素子および前記アイランドを、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記アイランドと前記モールド金型の内壁との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記アイランドの下面を被覆し、前記封止する工程では、前記アイランドの側辺から導出される吊りリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートを前記アイランドの下面に押圧した状態で固定し、溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記アイランドの下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする。

本発明によれば、熱硬化性樹脂を含む薄い樹脂シートを、アイランドの下面とモールド金型の内壁下面との間隙に介在させた状態で、トランスファーモールドを行っている。従って、アイランドの下面とモールド金型の内壁下面との間隙に、溶融して加熱硬化した樹脂シートが充填されるので、加熱硬化された樹脂シートによりアイランドの下面を薄く被覆することができる。

図１を参照して、本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は断面図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、回路装置１０は、半導体素子２０と、半導体素子２０が実装されるアイランド１２と、金属細線２２を経由して半導体素子２０と接続されるリード１８と、これらを一体的に樹脂封止する封止樹脂１４とを備えている。

半導体素子２０は、例えば、上面に多数個の電極が形成されたＩＣ、ＬＳＩまたはディスクリートのトランジスタであり、アイランド１２の上面に固着されている。半導体素子２０の平面的な大きさは、大規模な電気回路が組み込まれたＬＳＩが採用されると、１．０ｃｍ×１．０ｃｍ以上と成る場合もある。半導体素子２０の裏面は、半田や導電性ペースト等の導電性固着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性固着材を介して、アイランド１２の上面に接着される。

アイランド１２およびリード１８は、銅などの金属から成る一枚の導電板に対して、エッチング加工またはプレス加工を施すことにより形成される。アイランド１２およびリード１８の厚みは、例えば０．３ｍｍ程度である。

アイランド１２は、回路装置１０の中心部付近に四角形形状に形成され、上面に固着される半導体素子２０よりも若干大きく形成される。例えば、上面に固着される半導体素子２０のサイズが１．０ｃｍ×１．０ｃｍであれば、アイランド１２のサイズは１．２ｃｍ×１．２ｃｍ程度とされる。また、アイランド１２の裏面は封止樹脂１４により薄く被覆されている。更に、アイランド１２の４隅から外側に向かって吊りリード２６が延在しているが、この吊りリード２６は製造工程にてアイランド１２を機械的に支持するためのものである。

リード１８は、金属細線２２を経由して半導体素子２０の電極と接続され、一端が封止樹脂１４から外部に露出している。ここでは、半導体素子２０を囲むように多数個のリード１８が配置されている。ここで、半導体素子２０とリード１８とを接続させる接続手段としては、一枚の金属板を所定形状に成形した接続導電板が採用されても良い。

封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより形成される。図１（Ｂ）では、封止樹脂１４により、半導体素子２０、金属細線２２、リード１８の一部、アイランド１２の側面および下面が封止樹脂１４により被覆されている。封止樹脂１４を構成する熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック・ビフェニール、ジシクロペンタジエン等が採用される。また、封止樹脂１４には、熱抵抗の低減等を目的としてフィラーが混入されている。封止樹脂１４に混入されるフィラーの割合は、例えば７０重量％以上９０重量％以下である。フィラーの種類としては、結晶シリカと破砕シリカとの混合物が採用されているが、溶融シリカ、アルミナまたは窒化ケイ素が採用されても良い。更に、混入されるフィラーの平均粒径は、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下である。

図１（Ｂ）を参照して、封止樹脂１４に関して更に説明する。封止樹脂１４は、第１封止樹脂１４Ａと、第２封止樹脂１４Ｂとから成る。紙面では、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂１４Ｂとの境界が描かれているが、実際の回路装置では両者は一体化している。詳細は下記するが、第１封止樹脂１４Ａは金型のキャビティに液状の樹脂を注入することで形成され、第２封止樹脂１４Ｂはアイランド１２の下面に配置された樹脂シートを溶融することで形成される。アイランド１２の下面を被覆する第２封止樹脂１４Ｂの厚みＴ１は、例えば０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり非常に薄い。薄い第２封止樹脂１４Ｂは熱抵抗も小さくなるので、半導体素子２０から放出された熱は、アイランド１２および第２封止樹脂１４Ｂを経由して良好に外部に放出される。

本実施の形態では、第２封止樹脂１４Ｂに含まれるフィラーは、第１封止樹脂１４Ａに含まれるフィラーよりも均一に分散した状態となっている。具体的には、第１封止樹脂１４Ａは、金型のキャビティに液状の樹脂を注入することにより形成される。従って、液状の熱硬化性樹脂の流動が阻まれる領域では、フィラーが滞留して比較的密な状態となる。例えば、半導体素子２０や金属細線２２が配置された領域Ａ１では、液状の封止樹脂の流動がこれらの素子により阻まれて、フィラーが密な状態となる。これに対して、半導体素子が配置されていない領域Ａ２では、封止樹脂の流動が良好であるので、領域Ａ１や第２封止樹脂１４Ｂよりも比較的疎にフィラーが配置される。従って、第１封止樹脂１４Ａの第２領域Ａ２では、局所的に熱伝導性が劣る恐れがある。

一方、アイランド１２の下面を被覆する第２封止樹脂１４Ｂは、射出成形により形成されるのではなく、アイランド１２の下面に配置された樹脂シートを溶融して加熱硬化することで形成される。従って、第２封止樹脂１４Ｂは樹脂封止の工程にて基本的には流動しないので、第２封止樹脂１４Ｂ全域にわたり比較的均一にフィラーが充填される。このことにより、第２封止樹脂１４Ｂの熱抵抗が全体にわたり均一となるので、アイランド１２下面からの放熱が全体的に良好となる。

図１（Ｂ）を参照すると、アイランド１２の下面全面と側面の下部の一部が、第２封止樹脂１４Ｂにより被覆されているが、アイランド１２の下面のみが第２封止樹脂１４Ｂにより被覆され、アイランド１２の側面および上面周辺部は第１封止樹脂１４Ａにより被覆されても良い。更には、アイランド１２の下面の中心部付近が第２封止樹脂１４Ｂにより被覆され、アイランド１２の上面周辺部、側面及び下面の周辺部が第１封止樹脂１４Ａにより被覆されても良い。

図２から図４を参照して、上記した構成の回路装置の製造方法を説明する。

図２を参照して、先ず、所定形状のリードフレーム６０を用意し、リードフレーム６０に形成された各ユニット６４に半導体素子２０を接続する。図２（Ａ）はリードフレーム６０を示す平面図であり、図２（Ｂ）はリードフレーム６０に含まれるユニット６４を示す平面図であり、図２（Ｃ）はユニット６４の断面図である。

図２（Ａ）を参照して、リードフレーム６０は、厚みが０．３ｍｍ程度の銅等の金属から成る金属板に対して、エッチング加工又はプレス加工を施すことにより、所定形状に形成されている。また、リードフレーム６０は、全体として短冊形形状を呈している。

リードフレーム６０には、複数個のブロック６２が互いに離間して複数個配置されている。図２（Ａ）では、離間して配置された２個のブロックが図示されているが、更に多数個のブロック６２が一列に配置されても良いし、マトリックス状に配置されても良い。ここで、１つのブロック６２は、マトリックス状に配置された多数個のユニット６４から構成されている。

図２（Ｂ）を参照して、ブロック６２の内部には、縦方向および横方向に連結部６６、６８が格子状に延在している。そして、連結部６６、６８により囲まれる領域の内部にユニット６４が形成される。具体的には、連結部６６、６８から一体的にリード１８がユニット６４の内部に向かって延在している。そして、ユニット６４の中央部付近に四角形形状のアイランド１２が形成され、このアイランド１２の４隅は吊りリード２６を介して連結部６６、６８と連続している。ここで、アイランド１２と連結部とを連結する連結手段としては、通常のリード１８が採用されても良い。

図２（Ｃ）を参照して、個々のユニット６４に含まれるアイランド１２の上面には半導体素子２０が固着される。半導体素子２０の固着は、半田や導電性ペースト等の導電性固着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性固着材が用いられる。半導体素子２０の上面に設けられた電極は、金属細線２２を経由してリード１８と接続される。ここで、アイランド１２の下面は、後の工程にて封止樹脂にて封止されるために、リード１８の両端部よりも上方に位置している。

図３を参照して、次に、上面に半導体素子２０が固着されたアイランド１２を金型３０のキャビティ３６の内部に収納させる。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は樹脂シート４２が溶融する前の状態を示す拡大断面図であり、図３（Ｃ）は樹脂シート４２が溶融した後の状態を示す拡大断面図である。

図３（Ａ）を参照して、ここでは、樹脂シート４２を下金型３４の内壁下面に載置した後に、この樹脂シート４２の上面にアイランド１２を載置している。そして、上金型３２と下金型３４とを当接させることで、キャビティ３６の内部にアイランド１２が収納される。また、アイランド１２から連続する吊りリード２６は、上金型３２と下金型３４に狭持されて固定されている。この様に上下金型により吊りリード２６が狭持されることにより、キャビティ３６の内部におけるアイランド１２の上下方向および左右方向の位置が固定されている。尚、この工程の初期段階に於いては、樹脂シート４２は、粒状の熱硬化性樹脂が加圧加工された固体の状態である。また、金型３０には不図示のヒータが装備されており、樹脂シート４２が溶融して加熱硬化する温度（例えば１７０℃以上）に金型３０は加熱されている。この金型３０の加熱は、樹脂シート４２を載置する前から開始しても良いし、樹脂シート４２を載置して後から開始しても良い。

ここで、アイランド１２の下面を被覆する樹脂シート４２に関して説明する。樹脂シート４２は、溶融して加熱硬化されることで、アイランド１２を被覆する封止樹脂の一部を成すものである。具体的には、樹脂シート４２は、フィラーや硬化剤等が添加された粉末状の熱硬化性樹脂を、所定形状のシート状に加圧成型されている。樹脂シート４２の組成としては、金型のキャビティ３６に注入される封止樹脂と同様でも良いし、異なっても良い。例えば、アイランド１２の裏面からの放熱を良好にするために、樹脂シート４２に含まれるフィラーの割合を、後に注入される封止樹脂よりも多くしても良い。ここで、樹脂シート４２を構成する粒子状の熱硬化性樹脂は、直径が１ｍｍ以下の粒状とされている。

また、樹脂シート４２は極めて高い圧力にて常温で加圧成形されるので、充填率（樹脂シート４２の全体に対して樹脂粉等の構成要素が占める体積割合）は９９％程度であり、後に説明するタブレットよりも高い。従って、樹脂シート４２に含まれる空気は極めて少量であるので、この樹脂シート４２を被覆する封止樹脂にボイドが発生することが抑止される。

図３（Ｂ）を参照して、樹脂シート４２の厚みＴ２は、製造される回路装置１０に於いてアイランド１２の下面を被覆する封止樹脂の厚み（図１（Ｃ）に示したＴ１）よりも厚く形成されている。具体的には、図１（Ｃ）に示した封止樹脂の厚みＴ１が０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下の場合は、樹脂シート４２の厚さＴ２は０．５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定される。一方、上記したように、キャビティ３６の内部に於けるアイランド１２の位置は、金型により吊りリード２６が狭持されることで固定される。従って、吊りリード２６の形状および位置は、アイランド１２の下面と下金型３４の内壁上面との距離が、Ｔ１（図１（Ｃ）参照）と成るように設定されている。このことから、下金型３４に樹脂シート４２とアイランド１２とを重畳して載置して、金型３０により吊りリード２６を狭持すると、上金型３２が上方から下方に押し曲げる応力により吊りリード２６が弾性変形し、結果的にアイランド１２の下面により樹脂シート４２が下金型３４に押しつけられて固定される。この図では、金型により狭持されることで、弾性変形した吊りリード２６の状態を示している。また、変形していない状態の吊りリード２６の形状を点線にて示している。

金型３０は上記したように加熱されているので、時間の経過と共に樹脂シート４２は溶融して軟化し、液状又は半固形状の樹脂シート４２によりアイランド１２の下面は被覆される。

また、図３（Ｃ）を参照して、上記したように吊りリード２６は弾性変形した状態で金型に狭持されているので、樹脂シート４２が軟化して支持力を失うと、吊りリード２６の形状が元に戻り、アイランド１２が下方に沈み込む。そして、アイランド１２の沈み込みと共に、軟化した樹脂シート４２の一部分はアイランド１２の下方から側方へ移動し、アイランド１２の側面の下端付近を被覆する（図１（Ｂ）参照）。この様に、沈み込んだアイランド１２の下面を被覆する樹脂シート４２の厚みＴ３は、例えば０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、図１（Ｂ）に示す封止樹脂の厚みＴ１と同等である。

また、樹脂シート４２の平面的な大きさはアイランド１２よりも大きく形成され、樹脂シート４２の周辺部はアイランド１２から側方にはみ出ている。この様に樹脂シート４２をアイランド１２よりも平面的に大きく形成することで、溶融した樹脂シート４２によりアイランド１２の下面が全面的に被覆されると共に、アイランド１２の側面も含めて被覆される。

ここで、樹脂シート４２の平面的な大きさは、樹脂シート４２と同等でも良いし、樹脂シート４２よりも若干小さくても良い。樹脂シート４２がアイランド１２よりも小さい場合は、アイランド１２下面の中心部付近が樹脂シート４２により被覆される。

図４（Ａ）を参照して、次に、キャビティ３６に封止樹脂を注入する。具体的には、下金型３４に設けたポッド４０Ａに、タブレット４８を投入して加熱溶融した後に、プランジャー５０にてタブレット４８を加圧する。タブレット４８は、上記した樹脂シート４２と同様の組成であり、フィラー等の添加物が混入された粉状の熱硬化性樹脂を筒状に加圧成型したものである。上記したように、金型は１７０℃程度以上に加熱されているので、ポッド４０Ａにタブレット４８を投入すると、タブレット４８は徐々に溶融する。溶融して液状または半固形状の状態となった封止樹脂がランナー３８を流通してゲート４４を通過した後に、キャビティ３６に供給される。以下の説明では、ゲート４４から供給される封止樹脂を第１封止樹脂１４Ａと称し、溶融した樹脂シート４２から成る封止樹脂を第２封止樹脂１４Ｂと称する。

図４（Ｂ）を参照して、注入された液状の第１封止樹脂１４Ａは、キャビティ３６に充填される。ここで、金型の温度は、第１封止樹脂１４Ａが加熱硬化する温度よりも高温となっているので、キャビティ３６に充填された第１封止樹脂１４Ａは時間の経過と共に重合して硬化する。図に示すように、樹脂シート４２から成る第２封止樹脂１４Ｂによりアイランド１２の下面と側面の下部が被覆されている場合は、アイランド１２の上面周辺部および側面の上部が第２封止樹脂１４Ｂにより被覆される。一方、第２封止樹脂１４Ｂによりアイランド１２の下面のみが被覆される場合は、アイランド１２の上面周辺部と側面が全面的に第１封止樹脂１４Ａにより被覆される。また、第２封止樹脂１４Ｂによりアイランド１２の中心部付近のみが部分的に被覆される場合は、アイランド１２の上面周辺部、側面および下面の周辺部が第１封止樹脂１４Ａにより被覆される。

金型にて加熱することにより、第１封止樹脂１４Ａおよび第２封止樹脂１４Ｂの両方が十分に重合して加熱硬化したら、上金型３２と下金型３４とを離間させ、成型品である回路装置を取り出す。その後に、エアベント４６およびランナー３８に充填された部分の封止樹脂１４を、封止樹脂１４本体から分離する。

図４（Ｂ）を参照すると、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂との境界が示されている。しかしながら、アイランド１２の下面に充填された第２封止樹脂１４Ｂと、ゲート４４から注入される第１封止樹脂１４Ａとは、液状または半固形状の状態で混合されるので、両者は一体化して形成されている。ここで、第１封止樹脂１４Ａおよび第２封止樹脂１４Ｂが、溶融されてから硬化するまでに必要とされる時間は１０秒〜２０秒程度である。

本工程では、樹脂シート４２を溶融させた第２封止樹脂１４Ｂを、ゲート４４から注入される第１封止樹脂１４Ａよりも先に加熱硬化させている。この様にすることで、アイランド１２の大部分を被覆する第１封止樹脂１４Ａの硬化収縮により、第１封止樹脂１４Ａと第２封止樹脂１４Ｂとの境界部分に加圧力を加え、この部分の耐湿性を確保することができる。一方、第２封止樹脂１４Ｂが第１封止樹脂１４Ａよりも後に硬化収縮してしまうと、第２封止樹脂１４Ｂに作用する硬化収縮により、前記境界部分にクラックが発生して耐湿性が劣化してしまう恐れがある。

第２封止樹脂１４Ｂを第１封止樹脂１４Ａよりも先に硬化させる方法としては、これらの樹脂を加熱する時間を調整する方法と、樹脂の組成を調整する方法がある。上記した実施の形態では、加熱する時間を調整している。即ち、第２封止樹脂１４Ｂと成る樹脂シート４２を先にキャビティ３６の内部にて加熱し、その後に、第１封止樹脂１４Ａとなるタブレット４８をポッド４０Ａに投入している。また、樹脂の組成を調整する場合は、樹脂シート４２に含まれる熱硬化性樹脂として、タブレット４８に含まれる熱硬化性樹脂よりも、加熱硬化に必要とされる時間が短いものを採用する。この場合は、樹脂シート４２とタブレット４８とが加熱され始めるタイミングを同時にしても良い。

以上の工程により、図１に示す構成の回路装置１０が製造される。

本発明の回路装置の製造方法により製造される回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は拡大された断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。 従来の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。

符号の説明

１０ 回路装置
１２ アイランド
１４ 封止樹脂
１４Ａ 第１封止樹脂
１４Ｂ 第２封止樹脂
１８ リード
２０ 半導体素子
２２ 金属細線
２６ 吊りリード
３０ 金型
３２ 上金型
３４ 下金型
３６ キャビティ
３８ ランナー
４０Ａ ポッド
４２ 樹脂シート
４４ ゲート
４６ エアベント
４８ タブレット
５０ プランジャー
６０ リードフレーム
６２ ブロック
６４ ユニット
６６ 連結部
６８ 連結部

Claims (6)

1. アイランドの上面に半導体素子を実装し、前記アイランドの周囲に一端が配置されたリードと前記半導体素子とを接続する工程と、
   前記半導体素子が実装された前記アイランドをモールド金型のキャビティに収納させて、前記半導体素子および前記アイランドを、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂により封止する工程と、を備え、
   前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを、前記アイランドと前記モールド金型の内壁との間に介在させ、溶融した前記樹脂シートにより前記アイランドの下面を被覆し、
   前記アイランドの側辺から導出される吊りリードを前記モールド金型で狭持することにより、前記樹脂シートを前記アイランドの下面に押圧した状態で固定し、
   溶融した前記樹脂シートから成る封止樹脂により前記アイランドの下面が被覆される厚さは、前記樹脂シートよりも薄いことを特徴とする回路装置の製造方法。
2. 前記封止する工程では、
   前記樹脂シートを溶融させた後に、前記モールド金型のゲートから前記キャビティに液状の封止樹脂を注入し、
   溶融された前記樹脂シートを、前記注入される前記封止樹脂よりも先に加熱硬化させることを特徴とする請求項１に記載の回路装置の製造方法。
3. 前記樹脂シートは、加熱硬化する前の粉体の前記熱硬化性樹脂を加圧して成形されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置の製造方法。
4. 前記モールド金型のゲートから前記キャビティに注入される樹脂と、前記樹脂シートとは組成が同じであることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の回路装置の製造方法。
5. 前記樹脂シートの大きさを前記アイランドよりも大きく形成し、前記アイランドの下面全域を前記樹脂シートにより被覆することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の回路装置の製造方法。
6. 溶融した前記樹脂シートから成り前記アイランドの下面を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーは、前記モールド金型のゲートから注入されて前記半導体素子を被覆する前記封止樹脂に含まれるフィラーよりも、均一に分散した状態であることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の回路装置の製造方法。
   

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