JP2010086991A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部接続電極16が形成された半導体ウェハ20を金型32、34のキャビティ36に収納させ、熱硬化性樹脂を含む樹脂シート42を、半導体ウェハ20と金型34の内壁下面との間に介在させている。この状態で、金型を180℃程度に加熱し、ゲート44から液状の封止樹脂を注入することで、注入された第1封止樹脂により半導体ウェハ20の上面を被覆すると共に、溶融された樹脂シート42から成る第2封止樹脂14Bにより半導体ウェハ20の下面を被覆している。
【選択図】図4
Description
12 半導体素子
14A 第1封止樹脂
14B 第2封止樹脂
16 外部接続電極
18 パッド
20 半導体ウェハ
22 半導体素子部
24 ダイシングライン
26 絶縁膜
30 金型
32 上金型
34 下金型
36 キャビティ
38 ランナー
40A ポッド
42 樹脂シート
44 ゲート
46 エアベント
48 タブレット
50 プランジャー
Claims (5)
- 拡散工程により複数の半導体素子部が形成されると共に、一主面に各前記半導体素子部と接続された外部接続電極が形成された半導体ウェハを用意する工程と、
前記半導体ウェハの前記一主面および他主面を樹脂により封止する工程と、
前記半導体ウェハを前記半導体素子部毎に分割する工程と、を備え、
前記封止する工程では、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを溶融させて前記半導体ウェハの前記他主面を被覆することを特徴とする回路装置の製造方法。 - 前記封止する工程ではモールド金型が使用され、
前記樹脂シートは、前記半導体ウェハの他主面と前記モールド金型の内壁との間に配置されて溶融され、
前記半導体ウェハの前記一主面は、前記モールド金型のキャビティに注入される樹脂により被覆されることを特徴とする請求項1記載の回路装置の製造方法。 - 前記樹脂シートは、加熱硬化する前の粉体の前記熱硬化性樹脂を加圧して成形されることを特徴とする請求項2記載の回路装置の製造方法。
- 前記モールド金型の前記キャビティに注入される樹脂と、前記樹脂シートとは組成が同じであることを特徴とする請求項3記載の回路装置の製造方法。
- 外部接続電極が形成された第1主面と第2主面とを備えた半導体素子と、
前記半導体素子の前記第1主面および前記外部接続電極の側面を被覆する第1封止樹脂と、
前記半導体素子の前記第2主面を被覆する第2封止樹脂と、を備え、
前記第2封止樹脂は、熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを溶融させて形成されることを特徴とする回路装置。
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Citations (2)
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JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0864725A (ja) * | 1994-08-18 | 1996-03-08 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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- 2008-09-29 JP JP2008250910A patent/JP2010086991A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0864725A (ja) * | 1994-08-18 | 1996-03-08 | Sony Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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