JPH09153505A - 半導体装置の樹脂封止装置及び封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置及び封止方法Info
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- JPH09153505A JPH09153505A JP31238795A JP31238795A JPH09153505A JP H09153505 A JPH09153505 A JP H09153505A JP 31238795 A JP31238795 A JP 31238795A JP 31238795 A JP31238795 A JP 31238795A JP H09153505 A JPH09153505 A JP H09153505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置を熱効果性樹脂により樹脂封止す
ると、その後の冷却時の樹脂表裏面の温度差により半導
体装置に反りが発生し、形状不良が発生する。 【解決手段】 樹脂封止した半導体装置１（半導体構体
５）を金型から取り出した直後に、半導体装置をその上
下にそれぞれ位置された温度調整ユニット２１，２２間
に保持し、半導体装置の表裏面の温度差が生じない状態
で冷却を行う。温度調整ユニット２１，２２は、冷却空
気の吹き出し口２３やヒータ２５を備え、樹脂の表裏面
の温度状態よって温度管理された空気を吹き出して樹脂
の冷却を行う。温度差が原因とされる半導体装置の反り
が防止される。
ると、その後の冷却時の樹脂表裏面の温度差により半導
体装置に反りが発生し、形状不良が発生する。 【解決手段】 樹脂封止した半導体装置１（半導体構体
５）を金型から取り出した直後に、半導体装置をその上
下にそれぞれ位置された温度調整ユニット２１，２２間
に保持し、半導体装置の表裏面の温度差が生じない状態
で冷却を行う。温度調整ユニット２１，２２は、冷却空
気の吹き出し口２３やヒータ２５を備え、樹脂の表裏面
の温度状態よって温度管理された空気を吹き出して樹脂
の冷却を行う。温度差が原因とされる半導体装置の反り
が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装
置に関し、特に樹脂封止した後の反りの発生を防止した
樹脂封止装置及び封止方法に関する。
置に関し、特に樹脂封止した後の反りの発生を防止した
樹脂封止装置及び封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、半導体素子を
リードフレームの半導体素子搭載部に接着し、かつ半導
体素子の電極部とリードフレームのインナーリードとを
金属細線で結線した上で、この構体を封止装置の金型に
セットし、熱硬化樹脂で封止して樹脂パッケージを形成
している。この場合、樹脂の硬化時に金型の温度が均一
でないと封止樹脂の流動製や硬化時間にむらが生じて、
硬化後の樹脂に歪みが生じたり、封止樹脂部にボイド等
の不良が生じることがある。このため、金型の温度が低
くなる部分には発熱量の大きいヒータを設けたり、また
その部位のヒータ本数を多くする等の改善がなされてい
る。
リードフレームの半導体素子搭載部に接着し、かつ半導
体素子の電極部とリードフレームのインナーリードとを
金属細線で結線した上で、この構体を封止装置の金型に
セットし、熱硬化樹脂で封止して樹脂パッケージを形成
している。この場合、樹脂の硬化時に金型の温度が均一
でないと封止樹脂の流動製や硬化時間にむらが生じて、
硬化後の樹脂に歪みが生じたり、封止樹脂部にボイド等
の不良が生じることがある。このため、金型の温度が低
くなる部分には発熱量の大きいヒータを設けたり、また
その部位のヒータ本数を多くする等の改善がなされてい
る。
【０００３】例えば、図７（ａ），（ｂ）に平面図とそ
のＡＡ線断面図を示すように、例えば、キャビティ１０
４が設けられている下金型１００にヒータ１０１と断熱
材１０２を埋設し、熱伝導の良好な金属板、あるいは金
属棒等の熱伝導部材１０３を金型内に設置することで、
金型内の熱を素早く周辺部に伝導させキャビティ１０４
の温度分布が均一になるように設計されている。なお、
１０５は封止樹脂がセットされるポット部、１０６は溶
融樹脂が圧送されるランナ部、１０７は樹脂がキャビテ
ィ１０４に注入されるゲートである。
のＡＡ線断面図を示すように、例えば、キャビティ１０
４が設けられている下金型１００にヒータ１０１と断熱
材１０２を埋設し、熱伝導の良好な金属板、あるいは金
属棒等の熱伝導部材１０３を金型内に設置することで、
金型内の熱を素早く周辺部に伝導させキャビティ１０４
の温度分布が均一になるように設計されている。なお、
１０５は封止樹脂がセットされるポット部、１０６は溶
融樹脂が圧送されるランナ部、１０７は樹脂がキャビテ
ィ１０４に注入されるゲートである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の樹脂
の封止装置では、封止樹脂が金型内で硬化する時点にお
いては、金型の温度が均一に保持されるため、樹脂の硬
化反応のむらが生じたり、封止不良が発生することはな
かった。また、封止樹脂の硬化の際は半導体装置は金型
間でクランプ保持されているため反りが発生することも
なかった。しかしながら、実際に従来の封止装置で樹脂
封止を行うと、封止樹脂の硬化後に金型から半導体装置
を取り出した以降において、半導体装置に反りが発生す
るという問題が生じている。
の封止装置では、封止樹脂が金型内で硬化する時点にお
いては、金型の温度が均一に保持されるため、樹脂の硬
化反応のむらが生じたり、封止不良が発生することはな
かった。また、封止樹脂の硬化の際は半導体装置は金型
間でクランプ保持されているため反りが発生することも
なかった。しかしながら、実際に従来の封止装置で樹脂
封止を行うと、封止樹脂の硬化後に金型から半導体装置
を取り出した以降において、半導体装置に反りが発生す
るという問題が生じている。
【０００５】この封止後の反りの発生についてその原因
を考察する。通常、半導体装置の封止樹脂として用いら
れる熱硬化樹脂は、１５０℃から１６０℃付近にガラス
転移温度（Ｔｇ）を有している。樹脂封止が行われる温
度は１８０℃付近であるため、この封止温度から室温に
冷却される過程においてガラス転移温度を経ることにな
り、このような温度履歴が半導体装置の反りの原因にな
るものと考えられる。特に、半導体装置を金型から取り
出す際に、上金型または下金型のいずれか一方が先に半
導体装置の表面から離されるが、その際に離された側の
半導体装置の表面の温度は急激に低下される。これに対
し、他方の金型は半導体装置に密接したままであるた
め、半導体装置の反対側の表面は金型の温度とほぼ同等
な温度に保持されている。
を考察する。通常、半導体装置の封止樹脂として用いら
れる熱硬化樹脂は、１５０℃から１６０℃付近にガラス
転移温度（Ｔｇ）を有している。樹脂封止が行われる温
度は１８０℃付近であるため、この封止温度から室温に
冷却される過程においてガラス転移温度を経ることにな
り、このような温度履歴が半導体装置の反りの原因にな
るものと考えられる。特に、半導体装置を金型から取り
出す際に、上金型または下金型のいずれか一方が先に半
導体装置の表面から離されるが、その際に離された側の
半導体装置の表面の温度は急激に低下される。これに対
し、他方の金型は半導体装置に密接したままであるた
め、半導体装置の反対側の表面は金型の温度とほぼ同等
な温度に保持されている。
【０００６】その後、金型から完全に半導体装置が取り
外されると、半導体装置の両表面に温度差が生じながら
室温まで冷却されることなる。このことは、半導体装置
の冷却が速い側の表面は封止温度１８０℃からガラス転
移温度１５０℃から１６０℃以下にまで冷却されるの
で、封止樹脂は弾性体となり、温度の低下とともにその
弾性率を上げて行くが、他方の表面はいまだガラス転移
温度以上にあるためガラス転移温度に低下する際、封止
樹脂にクリープ挙動が生じる現象を引き起こす。つま
り、先に冷却された表面に凹状の形状をもった半導体装
置となってしまい、この状態のまま室温まで冷却される
ことで半導体装置の外形が形勢されてしまう。
外されると、半導体装置の両表面に温度差が生じながら
室温まで冷却されることなる。このことは、半導体装置
の冷却が速い側の表面は封止温度１８０℃からガラス転
移温度１５０℃から１６０℃以下にまで冷却されるの
で、封止樹脂は弾性体となり、温度の低下とともにその
弾性率を上げて行くが、他方の表面はいまだガラス転移
温度以上にあるためガラス転移温度に低下する際、封止
樹脂にクリープ挙動が生じる現象を引き起こす。つま
り、先に冷却された表面に凹状の形状をもった半導体装
置となってしまい、この状態のまま室温まで冷却される
ことで半導体装置の外形が形勢されてしまう。
【０００７】このような原因で半導体装置に封止後に反
りが発生し、半導体装置の寸法精度が低下し、所定の寸
法規格を満たすことができなかったり、また半導体装置
の端子を所定の形状に加工する際に半導体装置の反りが
影響してリード先端の平坦性（コプラナリティ）が確保
できず、半田付け不良の原因となっていた。特に、近年
では、メモリカード等の用途から厚さが１．２７ｍｍ以
下であるＴＳＯＰ（thin small outline package）やＴ
ＱＦＰ（thin quag flat package）と称される超小型薄
型半導体装置が提供されているが、これらの半導体装置
では反りが生じると半導体装置の厚さ寸法が大きくな
り、前記したような外形の寸法規格を満足することがで
きなくなる。
りが発生し、半導体装置の寸法精度が低下し、所定の寸
法規格を満たすことができなかったり、また半導体装置
の端子を所定の形状に加工する際に半導体装置の反りが
影響してリード先端の平坦性（コプラナリティ）が確保
できず、半田付け不良の原因となっていた。特に、近年
では、メモリカード等の用途から厚さが１．２７ｍｍ以
下であるＴＳＯＰ（thin small outline package）やＴ
ＱＦＰ（thin quag flat package）と称される超小型薄
型半導体装置が提供されているが、これらの半導体装置
では反りが生じると半導体装置の厚さ寸法が大きくな
り、前記したような外形の寸法規格を満足することがで
きなくなる。
【０００８】本発明の目的は、樹脂封止後における半導
体装置の反りの発生を防止することを可能にした樹脂封
止装置及び封止方法を提供することにある。
体装置の反りの発生を防止することを可能にした樹脂封
止装置及び封止方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止装置
は、リードフレームに半導体素子を搭載した半導体構体
を熱硬化性樹脂により樹脂封止する樹脂封止部と、樹脂
封止された半導体構体に対して空気を吹き付けて樹脂の
表裏面を温度差を生じさせることなく冷却する冷却部と
を備えることを特徴とする。ここで、冷却部は、樹脂封
止された半導体構体の通路の上下にそれぞれ対向配置さ
れる温度調整ユニットを備え、各温度調整ユニットは対
向面に配設された空気吹き出し口と、ヒータとを備える
ことが好ましい。また、樹脂封止部は樹脂成形するキャ
ビティ部を構成する上金型と下金型とを備え、少なくと
も下金型には樹脂封止された半導体装置を離型された上
金型と下金型との間に一時的に保持するための手段を備
えることが好ましい。
は、リードフレームに半導体素子を搭載した半導体構体
を熱硬化性樹脂により樹脂封止する樹脂封止部と、樹脂
封止された半導体構体に対して空気を吹き付けて樹脂の
表裏面を温度差を生じさせることなく冷却する冷却部と
を備えることを特徴とする。ここで、冷却部は、樹脂封
止された半導体構体の通路の上下にそれぞれ対向配置さ
れる温度調整ユニットを備え、各温度調整ユニットは対
向面に配設された空気吹き出し口と、ヒータとを備える
ことが好ましい。また、樹脂封止部は樹脂成形するキャ
ビティ部を構成する上金型と下金型とを備え、少なくと
も下金型には樹脂封止された半導体装置を離型された上
金型と下金型との間に一時的に保持するための手段を備
えることが好ましい。
【００１０】また、本発明の樹脂封止方法は、リードフ
レームに半導体素子を搭載した半導体構体を熱硬化性樹
脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止された半導体構
体をその上下面が略等しい温度を保持した状態で冷却す
る工程とを含むことを特徴とする。特に、熱硬化性樹脂
がガラス転移温度以下に冷却されるまでの間、上下面の
温度差を２０℃以内に保持することが好ましい。
レームに半導体素子を搭載した半導体構体を熱硬化性樹
脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止された半導体構
体をその上下面が略等しい温度を保持した状態で冷却す
る工程とを含むことを特徴とする。特に、熱硬化性樹脂
がガラス転移温度以下に冷却されるまでの間、上下面の
温度差を２０℃以内に保持することが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の樹脂封止装置の全体
構成を示す斜視図である。この樹脂封止装置は、樹脂封
止部Ａと冷却部Ｂとで構成されており、樹脂封止部Ａ
は、これまでと同様に、上金型１１と下金型１２とで構
成され、両金型間には封止する半導体装置の外形状に等
しいキャビティ１３が形成され、ポット部１４にセット
された封止樹脂１５を加熱溶融した上でプランジャ１６
で押圧することで、溶融樹脂をランナ１７内を圧送し、
ゲート１８を通して各キャビティ１３内に充填し、樹脂
封止を行うように構成される。なお、前記上金型１１と
下金型１２にはヒータ１９が埋設されており、前記した
ように金型を略均一な温度に制御することが可能とされ
ている。
参照して説明する。図１は本発明の樹脂封止装置の全体
構成を示す斜視図である。この樹脂封止装置は、樹脂封
止部Ａと冷却部Ｂとで構成されており、樹脂封止部Ａ
は、これまでと同様に、上金型１１と下金型１２とで構
成され、両金型間には封止する半導体装置の外形状に等
しいキャビティ１３が形成され、ポット部１４にセット
された封止樹脂１５を加熱溶融した上でプランジャ１６
で押圧することで、溶融樹脂をランナ１７内を圧送し、
ゲート１８を通して各キャビティ１３内に充填し、樹脂
封止を行うように構成される。なお、前記上金型１１と
下金型１２にはヒータ１９が埋設されており、前記した
ように金型を略均一な温度に制御することが可能とされ
ている。
【００１２】一方、冷却部Ｂは、封止された半導体装置
１が前記樹脂封止部Ａから取り出されて搬出される通路
上に配設されており、その通路の上下にそれそれ温度調
整ユニット２１，２２が設けられる。この温度調整ユニ
ット２１，２２は、各対向面側に多数個の空気吹き出し
口２３が開口されており、かつこれら空気吹き出し口２
３はそれぞれ外部の送風器等に配管接続される空気供給
口２４に連通され、室温ないしそれ以下の温度の空気を
空気吹き出し口２３から吹き出すように構成される。ま
た、各温度調整ユニット２１，２２にはヒータ２５が埋
設されており、各ユニットの温度を制御可能に構成され
ている。
１が前記樹脂封止部Ａから取り出されて搬出される通路
上に配設されており、その通路の上下にそれそれ温度調
整ユニット２１，２２が設けられる。この温度調整ユニ
ット２１，２２は、各対向面側に多数個の空気吹き出し
口２３が開口されており、かつこれら空気吹き出し口２
３はそれぞれ外部の送風器等に配管接続される空気供給
口２４に連通され、室温ないしそれ以下の温度の空気を
空気吹き出し口２３から吹き出すように構成される。ま
た、各温度調整ユニット２１，２２にはヒータ２５が埋
設されており、各ユニットの温度を制御可能に構成され
ている。
【００１３】なお、前記樹脂封止部Ａから冷却部Ｂにわ
たって送り装置３１が延設されており、図外の供給部に
セットされている半導体構体を樹脂封止部Ａ、冷却部
Ｂ、図外の収納部へと順次搬送するように構成される。
この例では、送り装置３１は間欠的に往復動作される搬
送バー３２を有しており、この搬送バー３２の複数箇所
に設けた吸着部３３において半導体装置１を吸着し、順
送りを行うように構成される。
たって送り装置３１が延設されており、図外の供給部に
セットされている半導体構体を樹脂封止部Ａ、冷却部
Ｂ、図外の収納部へと順次搬送するように構成される。
この例では、送り装置３１は間欠的に往復動作される搬
送バー３２を有しており、この搬送バー３２の複数箇所
に設けた吸着部３３において半導体装置１を吸着し、順
送りを行うように構成される。
【００１４】樹脂封止される半導体装置１は、ここでは
図２に示すように、複数個の半導体装置に相当するリー
ドを一連に形成したリードフレーム２にそれぞれ半導体
素子３を接着して搭載し、かつ各半導体素子３をリード
フレーム２の各インナーリード部に金属細線４で電気接
続した半導体構体５として構成され、この半導体構体５
が前記送り装置３１によって樹脂封止部Ａに供給され
る。そして、樹脂封止部の上金型１１と下金型１２との
間に挿入位置される。このとき、リードフレーム２に設
けられたガイドホール２ａを金型に設けた突出ピン（図
示せず）に嵌合させることでその位置決めが行われ、そ
の上で、両金型１１，１２を密接させて半導体構体５を
クランプする。両金型１１，１２はヒータ１９によって
予め１８０℃前後に加熱されているので、ポット部１４
の封止樹脂１５は溶融され、プランジャ１６の動作によ
り溶融樹脂はキャビティ１３内に中送され、数分の後に
は固化され、樹脂封止が実行される。
図２に示すように、複数個の半導体装置に相当するリー
ドを一連に形成したリードフレーム２にそれぞれ半導体
素子３を接着して搭載し、かつ各半導体素子３をリード
フレーム２の各インナーリード部に金属細線４で電気接
続した半導体構体５として構成され、この半導体構体５
が前記送り装置３１によって樹脂封止部Ａに供給され
る。そして、樹脂封止部の上金型１１と下金型１２との
間に挿入位置される。このとき、リードフレーム２に設
けられたガイドホール２ａを金型に設けた突出ピン（図
示せず）に嵌合させることでその位置決めが行われ、そ
の上で、両金型１１，１２を密接させて半導体構体５を
クランプする。両金型１１，１２はヒータ１９によって
予め１８０℃前後に加熱されているので、ポット部１４
の封止樹脂１５は溶融され、プランジャ１６の動作によ
り溶融樹脂はキャビティ１３内に中送され、数分の後に
は固化され、樹脂封止が実行される。
【００１５】その後、上金型１１または下金型１２の一
方を他方から離し、さらに他方の金型から図外の離型ピ
ンを突出させることで樹脂封止された半導体構体５は他
方の金型からも離される。そして、樹脂封止された半導
体構体５は、送り装置３１によって樹脂封止部Ａから冷
却部Ｂにまで移動される。この冷却部では、図３に示す
ように、半導体構体５の上下に位置される各温度調整ユ
ニット２１，２２の各空気吹き出し口２３からそれぞれ
冷却空気が吹き出されているため、半導体構体５の特に
樹脂の上下面はこの冷却空気によって均一に冷却され
る。このとき、半導体構体の樹脂の温度如何によって
は、ヒータ２５を駆動して多少加熱された温風を空気吹
き出し口２３から吹き出させるようにする。これによ
り、樹脂の表面を常に一定温度の状態に保ちながらその
冷却を行うことができる。したがって、場合によっては
樹脂の上側と下側の各温度調整ユニットの一方は冷却空
気を、他方は温空気をそれぞれ吹き出す場合もある。ま
た、図示は省略したが、温度センサや流量計等を設けて
おき、各温度調整ユニットにおける樹脂の表面温度が均
一となるように吹き出し空気の温度や流量を調整するよ
うにしてもよい。
方を他方から離し、さらに他方の金型から図外の離型ピ
ンを突出させることで樹脂封止された半導体構体５は他
方の金型からも離される。そして、樹脂封止された半導
体構体５は、送り装置３１によって樹脂封止部Ａから冷
却部Ｂにまで移動される。この冷却部では、図３に示す
ように、半導体構体５の上下に位置される各温度調整ユ
ニット２１，２２の各空気吹き出し口２３からそれぞれ
冷却空気が吹き出されているため、半導体構体５の特に
樹脂の上下面はこの冷却空気によって均一に冷却され
る。このとき、半導体構体の樹脂の温度如何によって
は、ヒータ２５を駆動して多少加熱された温風を空気吹
き出し口２３から吹き出させるようにする。これによ
り、樹脂の表面を常に一定温度の状態に保ちながらその
冷却を行うことができる。したがって、場合によっては
樹脂の上側と下側の各温度調整ユニットの一方は冷却空
気を、他方は温空気をそれぞれ吹き出す場合もある。ま
た、図示は省略したが、温度センサや流量計等を設けて
おき、各温度調整ユニットにおける樹脂の表面温度が均
一となるように吹き出し空気の温度や流量を調整するよ
うにしてもよい。
【００１６】このように樹脂の上下面の温度を均一に保
持しながら、樹脂の転移温度である１５０℃から１６０
℃以下にまで冷却し、さらに室温にまで冷却すること
で、樹脂の上下面における温度差が原因とされる反りの
発生を防止することができる。
持しながら、樹脂の転移温度である１５０℃から１６０
℃以下にまで冷却し、さらに室温にまで冷却すること
で、樹脂の上下面における温度差が原因とされる反りの
発生を防止することができる。
【００１７】図４は本発明の第２の実施形態の樹脂封止
装置の斜視図である。この実施形態においても樹脂封止
部Ａと冷却部Ｂとで構成し、特に冷却部Ｂにおいて樹脂
の上下面を均一な温度で冷却することで半導体装置の反
りの発生を防止するように構成している点は、第１の実
施形態と同じである。したがって、図１と等価な部分に
は同一符号を付してある。そして、この第２実施形態で
は、下金型１２の一部、すなわち半導体構体５のリード
フレーム２の周辺部に相当する位置に上下方向に貫通す
る穴を開口し、この開口内に上下移動可能に突き出しピ
ン４１を設けている。そして、下金型１２から半導体構
体５を離型する際に、図５に示すように、突き出しピン
４１によって半導体構体５を上金型１１と下金型１２の
中間位置に一時的に保持させた状態とすることを特徴と
している。
装置の斜視図である。この実施形態においても樹脂封止
部Ａと冷却部Ｂとで構成し、特に冷却部Ｂにおいて樹脂
の上下面を均一な温度で冷却することで半導体装置の反
りの発生を防止するように構成している点は、第１の実
施形態と同じである。したがって、図１と等価な部分に
は同一符号を付してある。そして、この第２実施形態で
は、下金型１２の一部、すなわち半導体構体５のリード
フレーム２の周辺部に相当する位置に上下方向に貫通す
る穴を開口し、この開口内に上下移動可能に突き出しピ
ン４１を設けている。そして、下金型１２から半導体構
体５を離型する際に、図５に示すように、突き出しピン
４１によって半導体構体５を上金型１１と下金型１２の
中間位置に一時的に保持させた状態とすることを特徴と
している。
【００１８】これにより、加熱状態にある上金型１１と
下金型１２とによって半導体構体５の樹脂の上下面が加
熱された状態とされるため、樹脂の上下面が急速に温度
低下されることが防止され、特に先に上金型１１が離さ
れた樹脂の上面が下面に比較して急速に温度低下される
ことが防止される。これにより、冷却部Ｂにまで半導体
構体５が移動されるまでの樹脂における上下面の温度差
を緩和する。その後、冷却部Ｂにおいて樹脂の上下面を
均一に冷却することで個々の半導体装置１における反り
が発生されることは第１の実施形態と同じである。
下金型１２とによって半導体構体５の樹脂の上下面が加
熱された状態とされるため、樹脂の上下面が急速に温度
低下されることが防止され、特に先に上金型１１が離さ
れた樹脂の上面が下面に比較して急速に温度低下される
ことが防止される。これにより、冷却部Ｂにまで半導体
構体５が移動されるまでの樹脂における上下面の温度差
を緩和する。その後、冷却部Ｂにおいて樹脂の上下面を
均一に冷却することで個々の半導体装置１における反り
が発生されることは第１の実施形態と同じである。
【００１９】図６は、４０ピン４００ミル幅の０．８ｍ
ｍリードピッチで、厚さ１．０ｍｍのＴＳＯＰの表面温
度差を前記第１の実施形態、第２の実施形態、及び従来
装置で比較したものである。第１実施形態では、金型か
らの取り出し直後に１７℃の温度差が生じているが、従
来装置の５０℃に比較して温度差を格段に低減でき、半
導体装置の反りを有効に防止することができる。また、
第２実施形態では、金型から取り出した直後の温度差は
数度程度であり、殆ど問題になることはない。因みに、
従来装置での半導体装置の反りは０．０６ｍｍ程度であ
るが、第１の実施形態では０．０２ｍｍ、第２の実施形
態では０．０１ｍｍであり、良好な結果が得られてい
る。本発明の種々の実験の結果、熱硬化性樹脂がガラス
転移温度以下にまで冷却される間の温度差を２０℃以内
に保持しておれば、本発明の効果が得られることが確認
されている。
ｍリードピッチで、厚さ１．０ｍｍのＴＳＯＰの表面温
度差を前記第１の実施形態、第２の実施形態、及び従来
装置で比較したものである。第１実施形態では、金型か
らの取り出し直後に１７℃の温度差が生じているが、従
来装置の５０℃に比較して温度差を格段に低減でき、半
導体装置の反りを有効に防止することができる。また、
第２実施形態では、金型から取り出した直後の温度差は
数度程度であり、殆ど問題になることはない。因みに、
従来装置での半導体装置の反りは０．０６ｍｍ程度であ
るが、第１の実施形態では０．０２ｍｍ、第２の実施形
態では０．０１ｍｍであり、良好な結果が得られてい
る。本発明の種々の実験の結果、熱硬化性樹脂がガラス
転移温度以下にまで冷却される間の温度差を２０℃以内
に保持しておれば、本発明の効果が得られることが確認
されている。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、樹脂封止
後の半導体装置の表裏面に温度差が生じない状態を保持
したまま冷却を行うので、冷却時の温度差が原因とされ
る半導体装置の反りの発生が防止でき、良好な形状の樹
脂封止型半導体装置を製造することができる。特に、熱
効果性樹脂のガラス転移温度以下にまで冷却される間の
温度差を２０℃以内に保持することで、半導体装置の反
りを極めて有効に防止することができ、小型でかつ薄型
の半導体装置の形状を高品質、高精度に保つことができ
る。
後の半導体装置の表裏面に温度差が生じない状態を保持
したまま冷却を行うので、冷却時の温度差が原因とされ
る半導体装置の反りの発生が防止でき、良好な形状の樹
脂封止型半導体装置を製造することができる。特に、熱
効果性樹脂のガラス転移温度以下にまで冷却される間の
温度差を２０℃以内に保持することで、半導体装置の反
りを極めて有効に防止することができ、小型でかつ薄型
の半導体装置の形状を高品質、高精度に保つことができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態の全体構成を示す斜視
図である。
図である。
【図２】半導体構体の平面図である。
【図３】第１の実施形態における冷却部での冷却状態を
示す側面図である。
示す側面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の全体構成を示す斜視
図である。
図である。
【図５】第２の実施形態における金型から離型する際の
状態を示す側面図である。
状態を示す側面図である。
【図６】半導体装置の樹脂の上下面の温度差を比較して
示す図である。
示す図である。
【図７】従来の封止装置の一例を示す平面図とそのＡＡ
線断面図である。
線断面図である。
Ａ 樹脂封止部 Ｂ 冷却部 １ 半導体装置 ２ リードフレーム ５ 半導体構体 １１ 上金型 １２ 下金型 １３ キャビティ １９ ヒータ ２１，２２ 温度調整ユニット ２３ 空気吹出口 ２５ ヒータ ３１ 送り装置 ３３ 吸着部 ４１ 突き出しピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体素子を搭載した
半導体構体を熱硬化性樹脂により樹脂封止する樹脂封止
部と、樹脂封止された半導体構体に対して空気を吹き付
けて樹脂の表裏面を温度差を生じさせることなく冷却す
る冷却部とを備えることを特徴とする半導体装置の樹脂
封止装置。 - 【請求項２】 冷却部は、樹脂封止された半導体構体の
通路の上下にそれぞれ対向配置される温度調整ユニット
を備え、各温度調整ユニットは対向面に配設された空気
吹き出し口と、ヒータとを備える請求項１の半導体装置
の樹脂封止装置。 - 【請求項３】 樹脂封止部は樹脂成形するキャビティ部
を構成する上金型と下金型とを備え、少なくとも下金型
には樹脂封止された半導体装置を離型された上金型と下
金型との間に一時的に保持するための手段を備える請求
項１または２の半導体装置の樹脂封止装置。 - 【請求項４】 リードフレームに半導体素子を搭載した
半導体構体を熱硬化性樹脂により樹脂封止する工程と、
樹脂封止された半導体構体をその上下面が略等しい温度
を保持した状態で冷却する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の樹脂封止方法。 - 【請求項５】 熱硬化性樹脂がガラス転移温度以下に冷
却されるまでの間、上下面の温度差を２０℃以内に保持
する請求項４の半導体装置の樹脂封止方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07312387A JP3099707B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07312387A JP3099707B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153505A true JPH09153505A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3099707B2 JP3099707B2 (ja) | 2000-10-16 |
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ID=18028644
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07312387A Expired - Fee Related JP3099707B2 (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099707B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0907962A4 (en) * | 1996-06-20 | 2000-02-02 | Advanced Systems Automation Li | METHOD AND DEVICE FOR REDUCING THE DISCARD OF SEMICONDUCTOR HOUSINGS |
| KR20020053413A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지의 휨 방지용 지그 |
| KR20120020089A (ko) * | 2010-08-27 | 2012-03-07 | 토와 가부시기가이샤 | 수지밀봉완료기판의 냉각장치, 냉각방법 및 반송장치, 그리고 수지밀봉장치 |
| JP2015134495A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-27 | キヤノン株式会社 | 樹脂成形方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| CN113286687A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-20 | 爱沛股份有限公司 | 树脂封装方法，树脂封装金属模具及树脂封装装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0959802A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-04 | Maruee Nitto:Kk | 乾燥防止用ソックス |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226397A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 半導体用熱硬化型自動モールド装置 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP07312387A patent/JP3099707B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05226397A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 半導体用熱硬化型自動モールド装置 |
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| KR20120020089A (ko) * | 2010-08-27 | 2012-03-07 | 토와 가부시기가이샤 | 수지밀봉완료기판의 냉각장치, 냉각방법 및 반송장치, 그리고 수지밀봉장치 |
| JP2015134495A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-27 | キヤノン株式会社 | 樹脂成形方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| CN113286687A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-20 | 爱沛股份有限公司 | 树脂封装方法，树脂封装金属模具及树脂封装装置 |
| CN113286687B (zh) * | 2018-12-21 | 2022-05-03 | 爱沛股份有限公司 | 树脂封装方法，树脂封装金属模具及树脂封装装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3099707B2 (ja) | 2000-10-16 |
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