JPS61135129A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61135129A JPS61135129A JP59257087A JP25708784A JPS61135129A JP S61135129 A JPS61135129 A JP S61135129A JP 59257087 A JP59257087 A JP 59257087A JP 25708784 A JP25708784 A JP 25708784A JP S61135129 A JPS61135129 A JP S61135129A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用公社〕
本発明は、パワートランジスタ。電力用タ′イオード等
の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
電力用樹脂封止型牛尋体半導体おいて、半導体チップが
固着された支持板の裏面にも成形樹脂層を形成丁れば、
半導体装置を外部放熱体に取付ける際に従来使用してい
た絶縁薄板が不要になる。
固着された支持板の裏面にも成形樹脂層を形成丁れば、
半導体装置を外部放熱体に取付ける際に従来使用してい
た絶縁薄板が不要になる。
しかし、この構造では、支持板裏面に形成される成形樹
脂層が数百μｍという薄いものであるため。
脂層が数百μｍという薄いものであるため。
この成形樹脂層が支持板から剥離してしまうことがある
。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半導体装置がオン・
オフ動作ン繰り返丁ことによる熱ストレスに基づくもの
と考えられる。上記剥離が生じると、機械的強度の低下
はもとより、放熱特性や絶縁性の低下などの不都合が起
る。
。これは、成形時の樹脂の熱収縮や半導体装置がオン・
オフ動作ン繰り返丁ことによる熱ストレスに基づくもの
と考えられる。上記剥離が生じると、機械的強度の低下
はもとより、放熱特性や絶縁性の低下などの不都合が起
る。
樹脂の剥１ｉｄｌ防止するために、樹脂χ被着させる面
に凹凸や溝を設けることは公知である。この種の公昶技
術馨り−ドフレームに適用することも例えば実開昭５７
−１７５４４８号公報で知られている。
に凹凸や溝を設けることは公知である。この種の公昶技
術馨り−ドフレームに適用することも例えば実開昭５７
−１７５４４８号公報で知られている。
ところで、支持板の裏面側には粥脂体Ｙ：極めて薄く形
成する場合には、支持板の裏面側に５Ｉｔｆる樹脂の流
動性が悪（なる。更に、支持板の裏面に凹凸や溝χ形成
すると、樹脂の流動性がま丁ま丁悪（なる。そこで１本
発明の目的は、支持板の裏面側に剥離し難い状態に薄い
成形樹脂体χ形成することが出来る樹脂封止型半導体装
置の製造方法？提供することにある。
成する場合には、支持板の裏面側に５Ｉｔｆる樹脂の流
動性が悪（なる。更に、支持板の裏面に凹凸や溝χ形成
すると、樹脂の流動性がま丁ま丁悪（なる。そこで１本
発明の目的は、支持板の裏面側に剥離し難い状態に薄い
成形樹脂体χ形成することが出来る樹脂封止型半導体装
置の製造方法？提供することにある。
上記目的乞運成するための本発明は、実施例を示す図面
の符号ン参照して説明すると、放熱機能及び電気伝導機
能ン有する支持板！２７と、前記支持板（２）の一方の
主表面（２ａ）上に装着された半導体チップ（９）と、
前記支持板１２）の一方及び他方の主表面（２ａ） （
２ｂ）？：被被覆るように形成され且つ前記支持板ｔ２
Ｊの一方の主表面（ｚａ） １１１１が他方の主表面（
ｚｂ）Ｉｍよりも厚（なるように形成された成形樹脂体
（１１と？有する樹脂封止型半導体装置の製造方法にｇ
いて、前記支持板（２］の他方の主表面（２ｂ〕の少な
（とも一部に粗面ａ四を形成すること、前記成形樹脂体
α■を形成するための成形空所（１７１における前記支
持板（２）の一方の主表面（２ａ）側の成形空所に樹脂
の流れン抑制するような突出部（１５ｃ）’を有する樹
脂成形用型１１５１ ｕｔｉ Ｙ用意すること、前記チ
ップ（９）が固着され且つ前記粗面μりが形成されてい
る支持板１２） ｙｙｔ前記樹脂成形用型（１５１四の
成形全所ａ７）Ｐ３に配置し。
の符号ン参照して説明すると、放熱機能及び電気伝導機
能ン有する支持板！２７と、前記支持板（２）の一方の
主表面（２ａ）上に装着された半導体チップ（９）と、
前記支持板１２）の一方及び他方の主表面（２ａ） （
２ｂ）？：被被覆るように形成され且つ前記支持板ｔ２
Ｊの一方の主表面（ｚａ） １１１１が他方の主表面（
ｚｂ）Ｉｍよりも厚（なるように形成された成形樹脂体
（１１と？有する樹脂封止型半導体装置の製造方法にｇ
いて、前記支持板（２］の他方の主表面（２ｂ〕の少な
（とも一部に粗面ａ四を形成すること、前記成形樹脂体
α■を形成するための成形空所（１７１における前記支
持板（２）の一方の主表面（２ａ）側の成形空所に樹脂
の流れン抑制するような突出部（１５ｃ）’を有する樹
脂成形用型１１５１ ｕｔｉ Ｙ用意すること、前記チ
ップ（９）が固着され且つ前記粗面μりが形成されてい
る支持板１２） ｙｙｔ前記樹脂成形用型（１５１四の
成形全所ａ７）Ｐ３に配置し。
前記成形空所α力の側面に設けられた注入孔−から液状
の樹脂馨圧大して前記成形樹脂体ａ１を形成することを
含む樹脂封止ｍ半導体装置の製造方法に係わるものであ
る。
の樹脂馨圧大して前記成形樹脂体ａ１を形成することを
含む樹脂封止ｍ半導体装置の製造方法に係わるものであ
る。
上記発明において、ａ４脂成形用型（１５１（１＠の突
出部（１５ｃ）は、支持板＋２７の一方の主表面（１１
（２ａ）における樹脂の流れを抑制し、相対的に他方の
主表面（２ｂ）側の樹脂の流れが強（なる。この結果、
支持板（２）の他方の主表面（２ｂ）に粗面ｕ３１設は
且っここに薄く樹脂体乞設ける場合であっても、支持＆
（２Ｊ□ の他方の主表面、（２ｂ）１１１に樹脂が良好に充填さ
れ。
出部（１５ｃ）は、支持板＋２７の一方の主表面（１１
（２ａ）における樹脂の流れを抑制し、相対的に他方の
主表面（２ｂ）側の樹脂の流れが強（なる。この結果、
支持板（２）の他方の主表面（２ｂ）に粗面ｕ３１設は
且っここに薄く樹脂体乞設ける場合であっても、支持＆
（２Ｊ□ の他方の主表面、（２ｂ）１１１に樹脂が良好に充填さ
れ。
剥離し難（且つ薄い樹脂体乞形成することが出来る。
次に、第１図〜第８図乞参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について述
べる。
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について述
べる。
リードフレーム山を示す第１図において、（２）はＮｉ
僅覆Ｃｕ＆から成る支持板、；４）は支持＆（２」の一
端に連結された支持板接続用外部リード、 ＋３１ｔ５
７はチップ接続用外部リード、１６）は外部リードン橋
絡するタイバー、（７）は外部リード！’に連結する共
通接続細条、（８１は成形樹力旨体に販付孔？形成する
ためのＵ字状切欠部である。Ｍ１図にはトランジスタ１
個分のリードフレーム山が示されているが。
僅覆Ｃｕ＆から成る支持板、；４）は支持＆（２」の一
端に連結された支持板接続用外部リード、 ＋３１ｔ５
７はチップ接続用外部リード、１６）は外部リードン橋
絡するタイバー、（７）は外部リード！’に連結する共
通接続細条、（８１は成形樹力旨体に販付孔？形成する
ためのＵ字状切欠部である。Ｍ１図にはトランジスタ１
個分のリードフレーム山が示されているが。
実際には多数個（例えば１０個）分が並列配置されてい
る。支持板（２）の一方の主表面（２ａ）上にはパワー
トランジスタチップ（９）が半田（図示せず）で固着さ
れている。チップ（９）は、上面にベース電極及びエミ
ッタｔｍχ有し。下面にコレクタ電極を有する。従って
、コレクター極が支持板（２）に接続されている。チッ
プ（９）のベースｔｍと外部リード（３１の間、及びチ
ップ（９）のエミッタ電極と外部リード（５）の間は、
それぞれＡＩＲから成るＰＩ！ｊ−ドαωαＤで接続さ
れている。α力はジャンクションコーチインダレジンと
呼ばれる例えばシリコン樹脂からなる保護用樹脂で、チ
ップ（９ノヲ抜覆及び保護している。
る。支持板（２）の一方の主表面（２ａ）上にはパワー
トランジスタチップ（９）が半田（図示せず）で固着さ
れている。チップ（９）は、上面にベース電極及びエミ
ッタｔｍχ有し。下面にコレクタ電極を有する。従って
、コレクター極が支持板（２）に接続されている。チッ
プ（９）のベースｔｍと外部リード（３１の間、及びチ
ップ（９）のエミッタ電極と外部リード（５）の間は、
それぞれＡＩＲから成るＰＩ！ｊ−ドαωαＤで接続さ
れている。α力はジャンクションコーチインダレジンと
呼ばれる例えばシリコン樹脂からなる保護用樹脂で、チ
ップ（９ノヲ抜覆及び保護している。
゛支持＠（２）の裏面即ち他方の主表面（２ｂ）には第
２図に示す如く帯状に粗面（１３１が設けられている。
２図に示す如く帯状に粗面（１３１が設けられている。
この粗面（１３の形成は、リードフレーム山にチップ（
９）を接着する前になされている。即ち、粗面αＪの形
成は。板状部材からリードフレーム山？製作する工程に
おいて１例えば放１１Ｅ７ＦＯ工技術によって粗面加工
されたプレス屋ン支持板１２）の他方の主表面（２ｂ）
に押し当て、粗面形状χ転写する圧印加工することｋよ
ってた丁。なお、粗面（１３は第３図に示す如く深さ又
は高さが約５０μｍの微細な凹凸から成り１面粗度豹５
０μｍに形成されている。
９）を接着する前になされている。即ち、粗面αＪの形
成は。板状部材からリードフレーム山？製作する工程に
おいて１例えば放１１Ｅ７ＦＯ工技術によって粗面加工
されたプレス屋ン支持板１２）の他方の主表面（２ｂ）
に押し当て、粗面形状χ転写する圧印加工することｋよ
ってた丁。なお、粗面（１３は第３図に示す如く深さ又
は高さが約５０μｍの微細な凹凸から成り１面粗度豹５
０μｍに形成されている。
支持板＋２７の先端５（１４１は、金型で支持される部
分であり１Ｍ１図に示す如く裏面側の高さ位置が高（な
るように薄く形成されている。
分であり１Ｍ１図に示す如く裏面側の高さ位置が高（な
るように薄く形成されている。
第１図に示すチップ・リードフレーム組立体が児成した
ら１次に、第４図及び第５図に示す如く。
ら１次に、第４図及び第５図に示す如く。
上部金型［５１と下部金型ルと罠よって生じる成形空所
（１７１円にチップ（９）、支持板（２Ｊ、及び外部リ
ード（３１〜＋５７の一部を配置し、外部リード１３１
〜１５７ Ｙ上下の金型α５１ｕ−で挾持する。また支
持板（２）の先端部−を金型Ｌシ霞から突出する円柱状
ビン（１５ａ）（１６ａ）によって支持する。これによ
り、支持板（２）の他方の主表面（２ｂ）と下部金型住
ｅとの間に１ ｍｍ以内（ｆｌえは約０．５ ｍｍ ）
の間隔を安定的に得ることが出来る。なお、ビン（１６
ａ）は沿面距離を長くするために大径部と小径部とから
成り１段部乞有している。
（１７１円にチップ（９）、支持板（２Ｊ、及び外部リ
ード（３１〜＋５７の一部を配置し、外部リード１３１
〜１５７ Ｙ上下の金型α５１ｕ−で挾持する。また支
持板（２）の先端部−を金型Ｌシ霞から突出する円柱状
ビン（１５ａ）（１６ａ）によって支持する。これによ
り、支持板（２）の他方の主表面（２ｂ）と下部金型住
ｅとの間に１ ｍｍ以内（ｆｌえは約０．５ ｍｍ ）
の間隔を安定的に得ることが出来る。なお、ビン（１６
ａ）は沿面距離を長くするために大径部と小径部とから
成り１段部乞有している。
また、支持板＋２３の先端部Ｉは第１−から明らかな如
（二叉に分かれているので、ビン（１５ａ） （１６ａ
）も２本設けられている。（ｌｓｂ）は板付孔を得るた
めの円筒状ビンであり、上部金型α９から下方に延びて
下部金ｍ（Ｌ６Ｉに当接している。（１５ｃ）は樹脂の
流れン抑制するための仕切状の突出部であり、上部金型
四から下方に突出している。この突出部（１５ｃ）の先
端と支持板（２３との間隔は、ビン（１５ｂ）の近傍に
おける支持板（２＋と金型−との間隔よりも小であるの
で、Ｗ脂の流れがここで制限される。賭は樹脂注入孔で
あり、この例では、外部リード１３１〜ｔ５Ｊの４出側
と反対側における成形全所Ｕでの側面に設げられている
。
（二叉に分かれているので、ビン（１５ａ） （１６ａ
）も２本設けられている。（ｌｓｂ）は板付孔を得るた
めの円筒状ビンであり、上部金型α９から下方に延びて
下部金ｍ（Ｌ６Ｉに当接している。（１５ｃ）は樹脂の
流れン抑制するための仕切状の突出部であり、上部金型
四から下方に突出している。この突出部（１５ｃ）の先
端と支持板（２３との間隔は、ビン（１５ｂ）の近傍に
おける支持板（２＋と金型−との間隔よりも小であるの
で、Ｗ脂の流れがここで制限される。賭は樹脂注入孔で
あり、この例では、外部リード１３１〜ｔ５Ｊの４出側
と反対側における成形全所Ｕでの側面に設げられている
。
次に、公だのトランスファモールド法に基づいて。加熱
されて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂ケε入孔α
Ｉｊして空所叫に圧入・充填する。
されて粘液状となった熱硬化性エポキシ樹脂ケε入孔α
Ｉｊして空所叫に圧入・充填する。
金型（１５１（１５１はこの樹脂の熱硬化可能温度例え
ば１８０℃に加熱されてＳつ、圧入・充填された樹脂は
短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び第７図
に示す如く成形樹脂体重９が形成される。しかる後、金
ｇｕ５１畑の型締め？解いて、リードフレームン金型ｕ
５１ｕｂｌｌから取り外し、成形樹脂体（ｌｌ’に完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行い。
ば１８０℃に加熱されてＳつ、圧入・充填された樹脂は
短時間（数分以内）の内に熱硬化し、第６図及び第７図
に示す如く成形樹脂体重９が形成される。しかる後、金
ｇｕ５１畑の型締め？解いて、リードフレームン金型ｕ
５１ｕｂｌｌから取り外し、成形樹脂体（ｌｌ’に完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行い。
七の後タイバー（６）と共通接続細条（７３’！−プレ
ス加工で切断除去して、第８図に示すパワートランジス
タ？完成さぜる。第８図において、［株］ｔ２））はビ
ン（１５ａ） Ｋ対応して形成された凹部、囚は突出部
（１５ｃ）に対応して形成された溝状の凹部である。
ス加工で切断除去して、第８図に示すパワートランジス
タ？完成さぜる。第８図において、［株］ｔ２））はビ
ン（１５ａ） Ｋ対応して形成された凹部、囚は突出部
（１５ｃ）に対応して形成された溝状の凹部である。
のはビン（１５ｂ）に対応する取付孔であり、このノ（
ワートランジスタ乞外部放熱体等に奴付けるとぎにネジ
乞通丁だめのものである。なお、第８図には示されてい
ないが、、第７図から明らかな如（。
ワートランジスタ乞外部放熱体等に奴付けるとぎにネジ
乞通丁だめのものである。なお、第８図には示されてい
ないが、、第７図から明らかな如（。
下側のビン（１６１）に対応した凹部が樹脂体（Ｌ罎に
生じる。このビン（１６ａ）に対応する凹部は段部乞有
し且つ高い位置の支持板先端部α瘤に至っているので６
樹脂体（ＩＣＪの下面から支持板ｔ２７の露出面までの
沿面距離は比戟的大きい。
生じる。このビン（１６ａ）に対応する凹部は段部乞有
し且つ高い位置の支持板先端部α瘤に至っているので６
樹脂体（ＩＣＪの下面から支持板ｔ２７の露出面までの
沿面距離は比戟的大きい。
この実施ガには次の作用効果がある。
（ａｌ 支持板（２）の他方の玉表面（２ａ）に粗面
（１３１形成するために樹脂の流動性が悪くなるが、成
形空所惺ηの上歯に突出ｆ！Ｂ （１５Ｃ）χ設けて上
側の樹脂の流れを制限しているので。粗面α３Ｉ奮有す
る下側にも比較的良好に樹脂が流入し、樹脂の充填圧力
の不足や樹脂の未充填が起らず、ピンホール様のものが
発生して絶縁耐圧の低い樹脂層となることが防止される
。ｊ！ＩＩち６粗而Ｕ澹は支持板（２）の裏面と金型贈
り間の高さ０．５ ｍｍという狭い空間に流れ込もうと
する粘液状の樹脂に対して七の流動注乞妨げるよ５に作
用するが、金型（Ｌ５１の仕切状突出部（１５（）が、
支持板ｔ２＋の上面側の広い空間への樹脂の流れＺ抑制
し、支持板（２）０ａ面側の狭い空間への樹脂の訛れを
増強し、支持板ｔ２）の上面側と裏面側での樹脂の流れ
のパランスケ収り、支持板（２）の上面側を流れる樹脂
と裏面側を流れる饗脂とが支持板（２）の右側部近傍（
外部リード４出１ｉＩＪ ）でぶつかるようになり、樹
脂が良好に充填される。
（１３１形成するために樹脂の流動性が悪くなるが、成
形空所惺ηの上歯に突出ｆ！Ｂ （１５Ｃ）χ設けて上
側の樹脂の流れを制限しているので。粗面α３Ｉ奮有す
る下側にも比較的良好に樹脂が流入し、樹脂の充填圧力
の不足や樹脂の未充填が起らず、ピンホール様のものが
発生して絶縁耐圧の低い樹脂層となることが防止される
。ｊ！ＩＩち６粗而Ｕ澹は支持板（２）の裏面と金型贈
り間の高さ０．５ ｍｍという狭い空間に流れ込もうと
する粘液状の樹脂に対して七の流動注乞妨げるよ５に作
用するが、金型（Ｌ５１の仕切状突出部（１５（）が、
支持板ｔ２＋の上面側の広い空間への樹脂の流れＺ抑制
し、支持板（２）０ａ面側の狭い空間への樹脂の訛れを
増強し、支持板ｔ２）の上面側と裏面側での樹脂の流れ
のパランスケ収り、支持板（２）の上面側を流れる樹脂
と裏面側を流れる饗脂とが支持板（２）の右側部近傍（
外部リード４出１ｉＩＪ ）でぶつかるようになり、樹
脂が良好に充填される。
（ｂｌ 粗面（ｔ３１形成したことにより、支持板（
２）の裏面の表面積が大きく増加し、支持板（２）の裏
面における成形樹脂体重湯の剥離が生じ難（なる。粗面
ｕ１を半球状の突起と半球状のへこみの果合体（球の半
径二ｒ）であると仮定すると、粗面の場合の表面積と完
全な平渭面の場合の表面積との比は。
２）の裏面の表面積が大きく増加し、支持板（２）の裏
面における成形樹脂体重湯の剥離が生じ難（なる。粗面
ｕ１を半球状の突起と半球状のへこみの果合体（球の半
径二ｒ）であると仮定すると、粗面の場合の表面積と完
全な平渭面の場合の表面積との比は。
２πｒ！／πｒ２＝２となる。ＲＯち、平４面を粗面と
することにより１表面積を約２倍（１００％増加）にす
ることが出来る。これは、前記公開公報における２０％
増加という数値例を大きく上回わるものである。なｇ、
支持板ｔ２）を完全な平渭面とすることは不可能である
ので１本実施例における表面積の増力Ωは１００％より
も小さくなるが、これを＊慮しても、２０％よりは大幅
に大さくなる。
することにより１表面積を約２倍（１００％増加）にす
ることが出来る。これは、前記公開公報における２０％
増加という数値例を大きく上回わるものである。なｇ、
支持板ｔ２）を完全な平渭面とすることは不可能である
ので１本実施例における表面積の増力Ωは１００％より
も小さくなるが、これを＊慮しても、２０％よりは大幅
に大さくなる。
（ｃｌ 取付孔Ωの周辺の成形樹脂体（１９の支持板
１２）の上側の厚みは十分に確保されており、取付ネジ
の頭部で押圧されても損傷を受は難い。部ち、取付孔の
り近傍がチップ（９）近傍よりも薄く形成されているの
は、取付ネジの頭の突出を防ぐためである。この部分を
更に薄く丁れば、結果として樹脂の流動を抑制すること
が出来る。しかし、取付孔［有］の部分をあまり薄くす
ると、取付ネジで損傷し易＜なり、且つ絶縁上の問題も
生じる。これに対して１本実施例では、独立に凹部のを
設げて樹脂の流れを制御しているので、上述の如き問題
は生じない。
１２）の上側の厚みは十分に確保されており、取付ネジ
の頭部で押圧されても損傷を受は難い。部ち、取付孔の
り近傍がチップ（９）近傍よりも薄く形成されているの
は、取付ネジの頭の突出を防ぐためである。この部分を
更に薄く丁れば、結果として樹脂の流動を抑制すること
が出来る。しかし、取付孔［有］の部分をあまり薄くす
ると、取付ネジで損傷し易＜なり、且つ絶縁上の問題も
生じる。これに対して１本実施例では、独立に凹部のを
設げて樹脂の流れを制御しているので、上述の如き問題
は生じない。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えば次の変形ｆｉｌが可能なものである。
（イ） 粗面Ｃ１３１を支持板＋２７の他方の主表面（
２ａ）の実質的に全体に形成ぜずに一部に形成してもよ
い。
２ａ）の実質的に全体に形成ぜずに一部に形成してもよ
い。
この際、粗面（１３を樹脂の流動方向に沿って複数本の
帯状に形成してもよい。
帯状に形成してもよい。
（ロ）面粗度を、好ましくは１５〜１００μｍ（凹凸の
深さ又は高さの平均値が１５〜１００μｍ）の範囲で種
々変えてもよい。
深さ又は高さの平均値が１５〜１００μｍ）の範囲で種
々変えてもよい。
Ｐｌ 突出部（１５ｃ）の位置及び形状を株々変えて
もよい。例えば、ビン（１５ｂ）も樹脂の流動を抑制す
る働ざがあるので、これとチップ（９）とを結ぶ直線上
には突出部（１５ｃ）を設けないようにしてもよい。
もよい。例えば、ビン（１５ｂ）も樹脂の流動を抑制す
る働ざがあるので、これとチップ（９）とを結ぶ直線上
には突出部（１５ｃ）を設けないようにしてもよい。
に）支持板（２７が完全忙露出しない製品を希望する場
合には、凹部＠の及びビン（１６ａ）に対応する凹部に
ｉｓ４脂を注入してもよい。また、支持板１２３の金型
のビン（１５１）（１６ａ）と当接する部分にあらかじ
めポリイミド系樹脂層のよ５なｉＩ！３酸層を形成して
Ｓいてもよい。
合には、凹部＠の及びビン（１６ａ）に対応する凹部に
ｉｓ４脂を注入してもよい。また、支持板１２３の金型
のビン（１５１）（１６ａ）と当接する部分にあらかじ
めポリイミド系樹脂層のよ５なｉＩ！３酸層を形成して
Ｓいてもよい。
（ホ） ビン（１５ａ）（１６Ｂ）の一方又は両方を省
いて金ｍ 賭叫で片持ち支持する場合くも適用可能であ
る。
いて金ｍ 賭叫で片持ち支持する場合くも適用可能であ
る。
（べ 金型ｔＪ：部及び下部令書αシα−に２分割にぜ
ずに３分割又は４分割等としてもよい。
ずに３分割又は４分割等としてもよい。
上述から明らかな如（１本発明によれば、粗面を有する
支持板の他方の主表面（裏面） ｔｉｌｌに薄く且つ剥
離し難い樹脂体を容易且つ良好く形成することが出来る
。
支持板の他方の主表面（裏面） ｔｉｌｌに薄く且つ剥
離し難い樹脂体を容易且つ良好く形成することが出来る
。
８１図は本発明の実施例に係わるパワートランジスタの
リードフレームにチップを接層し、内部リードを接続し
た組立体を示す斜視図、！２図は第１図のリードフレー
ムの底面図、第３図は支持板の一部拡大断面図、第４図
は金型に第１図の組立体を収容した状態を外部リード＋
４＋Ｋａう断面で示す断面囚、第５図は金型と第１図の
組立体とを外部リード１５７ Ｋ沿う断面で示す断面図
、第６図及び第７図は第４−及び第５図の空所に樹脂体
を設けたものを示す断面図、第８図は完成したトランジ
スタの斜視図である。 ＋１１・・・リードフレーム、（２Ｉ・・・支持板、
＋３１１５７・・・チップ接続用外部リード、（４〕・
・・支持板接続用外部リード、 （９）・−ｆ ｙプ、
（ｌｌ（ｌｌＩ・・・内部リード、＋１３１・・・粗面
。 １１シ（１８・・・金型、（１５ｃ）・・・突出部、ａ
７）・・・成形空所、賎・・・成形樹脂体。
リードフレームにチップを接層し、内部リードを接続し
た組立体を示す斜視図、！２図は第１図のリードフレー
ムの底面図、第３図は支持板の一部拡大断面図、第４図
は金型に第１図の組立体を収容した状態を外部リード＋
４＋Ｋａう断面で示す断面囚、第５図は金型と第１図の
組立体とを外部リード１５７ Ｋ沿う断面で示す断面図
、第６図及び第７図は第４−及び第５図の空所に樹脂体
を設けたものを示す断面図、第８図は完成したトランジ
スタの斜視図である。 ＋１１・・・リードフレーム、（２Ｉ・・・支持板、
＋３１１５７・・・チップ接続用外部リード、（４〕・
・・支持板接続用外部リード、 （９）・−ｆ ｙプ、
（ｌｌ（ｌｌＩ・・・内部リード、＋１３１・・・粗面
。 １１シ（１８・・・金型、（１５ｃ）・・・突出部、ａ
７）・・・成形空所、賎・・・成形樹脂体。
Claims (1)
- （１）放熱機能及び電気伝導機能を有する支持板（２）
と、前記支持板（２）の一方の主表面（２ａ）上に装着
された半導体チップ（９）と、前記支持板（２）の一方
及び他方の主表面（２ａ）（２ｂ）を被覆するように形
成され且つ前記支持板（２）の一方の主表面（２ａ）側
が地方の主表面（２ｂ）側よりも厚くなるように形成さ
れた成形樹脂体（１９）とを有する樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、 前記支持板（２）の他方の主表面（２ｂ）の少なくとも
一部に粗面（１３）を形成すること。 前記成形樹脂体（１９）形成するための成形空所（１７
）における前記支持板（２）の一方の主表面（２ａ）側
の成形空所に樹脂の流れを抑制するような突出部（１５
ｃ）を有する樹脂成形用型（１５）（１６）を用意する
こと。 前記チップ（９）が固着され且つ前記粗面（１３）が形
成されている支持板（２）を前記樹脂成形用型（１５）
（１６）の成形空所（１７）内に配置し、前記成形空所
（１７）の側面に設けられた圧入孔（１８）から液状の
樹脂を注入して前記成形樹脂体（１９）を形成すること
を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257087A JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257087A JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61135129A true JPS61135129A (ja) | 1986-06-23 |
| JPH0213932B2 JPH0213932B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17301560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59257087A Granted JPS61135129A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61135129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394432A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59257087A patent/JPS61135129A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394432A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0213932B2 (ja) | 1990-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |