JPS5951132B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPS5951132B2 JPS5951132B2 JP8750176A JP8750176A JPS5951132B2 JP S5951132 B2 JPS5951132 B2 JP S5951132B2 JP 8750176 A JP8750176 A JP 8750176A JP 8750176 A JP8750176 A JP 8750176A JP S5951132 B2 JPS5951132 B2 JP S5951132B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- mold base
- cavity
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造装置にか・り、特に半導体
装置の製造において樹脂モールド封止を行なうための改
良された装置を提供することを目的とするものである。
装置の製造において樹脂モールド封止を行なうための改
良された装置を提供することを目的とするものである。
一例の樹脂モールド封止に第１図に斜視図で示す如きト
ランスファモールド金型装置が多く用いられる。
ランスファモールド金型装置が多く用いられる。
図において１はモールドベースでモールドベース上型１
ａとモールドベース下型ｌｂの一対でなり、この間にキ
ャビティブロック１を介装する。前記キャビティブロッ
クも上型キャビティブロック２ａと下型キャビティブロ
ック２ｂとからなり、下型キャビティブロックは第２図
に斜視図で示す如くセンタブロック（上型キャビティブ
ロックについても同じ）を備え、熱硬化性の合成樹脂（
たとえばエポキシ樹脂の如き）を容れ溶融せしめて封止
を達成するためのキャビティ３が設けられてなる。なお
第１図においてモールドベースのさらに上下にスペーサ
４を備え、前記上型モールドベース１ａの上方に上型断
熱部材５ａ（図示省略）を介して上型スペーサ４ａを、
また下型モールドベースＩｂの下方に下型断熱部材５ｂ
（図示省略）を介して下型スペーサ４ｂを配置し、夫々
にモールドプレスヘの取付凹部６ａ、６ｂが設けられる
。また前記スペーサは上型床板７ａ、下型床板７ｂに取
付されてなる。上記トランスファモールド装置における
加熱は両モールドベース１ａ、ｌｂにこれを貫通するヒ
ータ孔Ｂａ、８ｂ・・・・・・が設けられ、これに図示
を省略するカートリッジヒータを装着し、また、温度調
整手段（図示省略）の一部がサーモセンサ孔９ａ、９ｂ
に装入されて樹脂の溶融を施す如くなる。
ａとモールドベース下型ｌｂの一対でなり、この間にキ
ャビティブロック１を介装する。前記キャビティブロッ
クも上型キャビティブロック２ａと下型キャビティブロ
ック２ｂとからなり、下型キャビティブロックは第２図
に斜視図で示す如くセンタブロック（上型キャビティブ
ロックについても同じ）を備え、熱硬化性の合成樹脂（
たとえばエポキシ樹脂の如き）を容れ溶融せしめて封止
を達成するためのキャビティ３が設けられてなる。なお
第１図においてモールドベースのさらに上下にスペーサ
４を備え、前記上型モールドベース１ａの上方に上型断
熱部材５ａ（図示省略）を介して上型スペーサ４ａを、
また下型モールドベースＩｂの下方に下型断熱部材５ｂ
（図示省略）を介して下型スペーサ４ｂを配置し、夫々
にモールドプレスヘの取付凹部６ａ、６ｂが設けられる
。また前記スペーサは上型床板７ａ、下型床板７ｂに取
付されてなる。上記トランスファモールド装置における
加熱は両モールドベース１ａ、ｌｂにこれを貫通するヒ
ータ孔Ｂａ、８ｂ・・・・・・が設けられ、これに図示
を省略するカートリッジヒータを装着し、また、温度調
整手段（図示省略）の一部がサーモセンサ孔９ａ、９ｂ
に装入されて樹脂の溶融を施す如くなる。
一例の樹脂封止においてモールドベース、キャビティブ
ロックの温度分布を測定したところ、第２図に括弧内表
示する如き各部の温度（最高部と最低部との温度差約３
０℃）であつた。これは次に挙げる如き数々の欠点を有
し、その原因はモールドベースが軟鋼板またはプリハー
ドン鋼等にて形成されているためと考えた。（１）モー
ルドベース上の各キャビティブロックのｊ 成形温度条
件が一定にできない。
ロックの温度分布を測定したところ、第２図に括弧内表
示する如き各部の温度（最高部と最低部との温度差約３
０℃）であつた。これは次に挙げる如き数々の欠点を有
し、その原因はモールドベースが軟鋼板またはプリハー
ドン鋼等にて形成されているためと考えた。（１）モー
ルドベース上の各キャビティブロックのｊ 成形温度条
件が一定にできない。
（２）温度差によるモールドベースの熱膨張の差（厚さ
方向）により上下キャビティブロックの間に隙間を生じ
、いわゆる樹脂バリ不良品が発生する。
方向）により上下キャビティブロックの間に隙間を生じ
、いわゆる樹脂バリ不良品が発生する。
７（３）温度差によるモールドベースの熱膨張（長さ方
向）とリードフレームの熱膨張との差のため、リードフ
レームが金型に正確に挿入できず、樹脂封止時にリード
フレームを変形させ不良品となる。
向）とリードフレームの熱膨張との差のため、リードフ
レームが金型に正確に挿入できず、樹脂封止時にリード
フレームを変形させ不良品となる。
リードフレームをプレヒートする場合もあるが、これで
もモールドベースの材質とリードフレームとの材質が異
なるため熱膨張率が異なりリードフレームを変形させ不
良品となる。（４）モールドベースの熱伝導率が低いた
め熱効率が悪く、大量の電力を消費する。
もモールドベースの材質とリードフレームとの材質が異
なるため熱膨張率が異なりリードフレームを変形させ不
良品となる。（４）モールドベースの熱伝導率が低いた
め熱効率が悪く、大量の電力を消費する。
本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
で、モールドベースの温度分布を均一な，らしめる如く
改良された構造を備えた半導体装置の樹脂モールド封止
装置を提供する。
で、モールドベースの温度分布を均一な，らしめる如く
改良された構造を備えた半導体装置の樹脂モールド封止
装置を提供する。
この発明にかかる半導体装置の製造装置は、半導体装置
の封止樹脂を容れるキヤビテイを備えこのキヤビテイを
内にして一対を対接せしめたキヤビテイプロツ，クと、
前記キヤビテイプロツクをその対接面を押圧する如く挟
持する銅または銅合金のモールドベースと、前記モール
ドベースに内装された加熱手段と、前記モールドベース
のキヤビテイプロツクと接触する面を除くすべての面を
被覆する断熱部石材とを具備した樹脂封止型の半導体装
置の製造装置である。次に本発明を一実施例の樹脂モー
ルド封止装置につき図面を参照して以下に詳細に説明す
る。
の封止樹脂を容れるキヤビテイを備えこのキヤビテイを
内にして一対を対接せしめたキヤビテイプロツ，クと、
前記キヤビテイプロツクをその対接面を押圧する如く挟
持する銅または銅合金のモールドベースと、前記モール
ドベースに内装された加熱手段と、前記モールドベース
のキヤビテイプロツクと接触する面を除くすべての面を
被覆する断熱部石材とを具備した樹脂封止型の半導体装
置の製造装置である。次に本発明を一実施例の樹脂モー
ルド封止装置につき図面を参照して以下に詳細に説明す
る。
第８図に斜視図にて示される半導体装置のトランス２フ
アモールド金型装置において、１１はモールドベースで
特に第４図に該部を断面図で示す如く、銅または銅合金
でなり、モールドベース上型１１ａとモールドベース下
型１１ｂの一対でなり、夫々はキヤビテイプロツクの取
着面を除く他の面Ｊ（５面）は一例として石綿系または
硝子せんい系の断熱部材１５で被覆される。また両モー
ルドベースの間に一対のキヤビテイプロツク２を介装し
、この上型キヤビテイプロツク２ａ、下型キヤビテイプ
ロツク２ｂの対接面に設けられたキヤビ５テイ内に熱硬
化性の合成樹脂（たとえばエポキシ樹脂）を容れ溶融せ
しめて封止を達成する。また第３図においてモールドベ
ースのさらに上下にモールドベースの断熱部材１５を介
してスペーサ４を備え、前記上型モールドベース１１ａ
の上方に４上型断熱部材１５ａを介して上型スペーサ４
ａ、下型モールドベース１１ｂの下方に下型断熱部材１
５ｂを介して下型スペーサ４ｂを配置し、夫々にモール
ドプレスへの取付凹部６ａ，６ｂが設けられる。また前
記スペーサは夫々上型床板７ａ、下型床板７ｂに取付さ
れている。上記トランスフアモールド装置における加熱
は両モールドベース１１Ａ，ｌｌｂにこれを貫通するヒ
ータ孔８ａ，８ｂ・・・・・・が設けられ、これに図示
を省略するカートリツジヒータを装着し、また温度調整
干段（図示省略）の一部がサーモセンサ孔９ａ，９ｂに
装人されて樹脂の溶融を施す如くなる。
アモールド金型装置において、１１はモールドベースで
特に第４図に該部を断面図で示す如く、銅または銅合金
でなり、モールドベース上型１１ａとモールドベース下
型１１ｂの一対でなり、夫々はキヤビテイプロツクの取
着面を除く他の面Ｊ（５面）は一例として石綿系または
硝子せんい系の断熱部材１５で被覆される。また両モー
ルドベースの間に一対のキヤビテイプロツク２を介装し
、この上型キヤビテイプロツク２ａ、下型キヤビテイプ
ロツク２ｂの対接面に設けられたキヤビ５テイ内に熱硬
化性の合成樹脂（たとえばエポキシ樹脂）を容れ溶融せ
しめて封止を達成する。また第３図においてモールドベ
ースのさらに上下にモールドベースの断熱部材１５を介
してスペーサ４を備え、前記上型モールドベース１１ａ
の上方に４上型断熱部材１５ａを介して上型スペーサ４
ａ、下型モールドベース１１ｂの下方に下型断熱部材１
５ｂを介して下型スペーサ４ｂを配置し、夫々にモール
ドプレスへの取付凹部６ａ，６ｂが設けられる。また前
記スペーサは夫々上型床板７ａ、下型床板７ｂに取付さ
れている。上記トランスフアモールド装置における加熱
は両モールドベース１１Ａ，ｌｌｂにこれを貫通するヒ
ータ孔８ａ，８ｂ・・・・・・が設けられ、これに図示
を省略するカートリツジヒータを装着し、また温度調整
干段（図示省略）の一部がサーモセンサ孔９ａ，９ｂに
装人されて樹脂の溶融を施す如くなる。
本発明によればモールドベースが熱伝導の良好な銅また
はその合金の如きで形成されると・もに断熱構造を改良
したことにより、各部における温度分布が極めて均一で
最高最低差が１０℃以下（約５℃）と樹脂溶融温度に対
してほとんど無視しうる程度に良好である。
はその合金の如きで形成されると・もに断熱構造を改良
したことにより、各部における温度分布が極めて均一で
最高最低差が１０℃以下（約５℃）と樹脂溶融温度に対
してほとんど無視しうる程度に良好である。
本発明による利点は次に挙げる如くである。（ｌ）モー
ルドベースを銅または銅合金の如き熱伝導性の良好な材
質のものとしたため各部に温度ムラを生じない。
ルドベースを銅または銅合金の如き熱伝導性の良好な材
質のものとしたため各部に温度ムラを生じない。
（２）さらに上記に加えてモールドベースに設けられる
断熱部材の構成を従来の１面から５面にした・めさらに
各部の温度ムラを消去でき、樹脂溶融に対しては等温と
いえる程度に良好で熱効率も良好である。
断熱部材の構成を従来の１面から５面にした・めさらに
各部の温度ムラを消去でき、樹脂溶融に対しては等温と
いえる程度に良好で熱効率も良好である。
これにより加熱のための電力も数割節減できると同時に
作業時間も約ｌ割低減した。（３）モールドベースの温
度差に基づく熱膨張差による上下のキヤビテイプロツク
の隙間が生じないため、樹脂のはみ出しによる「樹脂バ
リ」の発生がない。
作業時間も約ｌ割低減した。（３）モールドベースの温
度差に基づく熱膨張差による上下のキヤビテイプロツク
の隙間が生じないため、樹脂のはみ出しによる「樹脂バ
リ」の発生がない。
（４） リードフレームの材質が銅または銅合金である
ため、金型とリードフレームとの熱膨張率の差が微小で
、フレームを金型に正確に挿入できリードフレームを変
型させることがない。
ため、金型とリードフレームとの熱膨張率の差が微小で
、フレームを金型に正確に挿入できリードフレームを変
型させることがない。
第１図は半導体装置の従来のトランスフアモールド装置
の一部の斜視図、第２図は第１図のキヤビテイプロツク
の一部とその温度分布を示す斜視図、第３図は半導体装
置の本発明の一実施例のトランスフアモールド装置の一
部の斜視図、第４図ａは上型モールドベース、同図ｂは
下型モールドベースの夫々断面図である。
の一部の斜視図、第２図は第１図のキヤビテイプロツク
の一部とその温度分布を示す斜視図、第３図は半導体装
置の本発明の一実施例のトランスフアモールド装置の一
部の斜視図、第４図ａは上型モールドベース、同図ｂは
下型モールドベースの夫々断面図である。
Claims (1)
- １ 半導体装置の封止樹脂を容れるキャビティを備えこ
のキャビティを内にして一対を対接せしめたキャビティ
ブロックと、前記キャビティブロックをその対接面を押
圧する如く挟持する銅または銅合金のモールドベースと
、前記モールドベースに内装された加熱手段と、前記モ
ールドベースのキャビティブロックと接触する面を除く
すべての面を被覆する断熱部材とを具備した樹脂封止型
の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8750176A JPS5951132B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8750176A JPS5951132B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5313363A JPS5313363A (en) | 1978-02-06 |
| JPS5951132B2 true JPS5951132B2 (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=13916716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8750176A Expired JPS5951132B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951132B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54159179A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Hitachi Ltd | Metal mold for resin molding |
| JPS62166631U (ja) * | 1986-05-17 | 1987-10-22 |
-
1976
- 1976-07-22 JP JP8750176A patent/JPS5951132B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5313363A (en) | 1978-02-06 |
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