JPS61123163A - ダブル・ヒ−トシンク・ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
ダブル・ヒ−トシンク・ダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS61123163A JPS61123163A JP24680684A JP24680684A JPS61123163A JP S61123163 A JPS61123163 A JP S61123163A JP 24680684 A JP24680684 A JP 24680684A JP 24680684 A JP24680684 A JP 24680684A JP S61123163 A JPS61123163 A JP S61123163A
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- JP
- Japan
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- diode
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- pellet
- electrode
- diode pellet
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- Pending
Links
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 21
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はダブル・ヒートシンク書ダイオード（以下ｒ
ＤＨＤＪという。）の製造方法の改良に関するものであ
る。
ＤＨＤＪという。）の製造方法の改良に関するものであ
る。
第２図は一般的なりＨＤの構造を示す薪面図で、（１）
は半導体基板、（２）は金属バンブを甑、（３）は半導
体基板（１）と金属バン１電匝（２）とからなるダイオ
ードペレット、（４）は下ａｔ甑、（５） Ｈ上１ｆｆ
ｉ ’！ １１、（６）ハガラススリーブであって、下
部・上ＦｉＡ電甑（４） 、 （６）はそれぞれガラス
スリーブ（６）に融着しており、ダイオードペレット（
３）と下部−・下部電極（４） 、 （５）との接触は
ダイオードペレット（３）とガラススリーブ（６）との
熱収縮差によって保たれている。
は半導体基板、（２）は金属バンブを甑、（３）は半導
体基板（１）と金属バン１電匝（２）とからなるダイオ
ードペレット、（４）は下ａｔ甑、（５） Ｈ上１ｆｆ
ｉ ’！ １１、（６）ハガラススリーブであって、下
部・上ＦｉＡ電甑（４） 、 （６）はそれぞれガラス
スリーブ（６）に融着しており、ダイオードペレット（
３）と下部−・下部電極（４） 、 （５）との接触は
ダイオードペレット（３）とガラススリーブ（６）との
熱収縮差によって保たれている。
第３図はこのＤＨＤの従来方法での封止冷却時の・状態
を示す断面図で、（７） 、 （８）はヒータの役割を
する治具、（９）はおもりである。治Ａ （７） 、
（８）内にダイオードペレッ） （３） 、下部・上部
電ｆｆｌ （４） 、 ＜５１及びガラススリーブ（６
）を図示のように組み込んで、治具（７） 、 （８）
を昇温させて両電極（４） 、 （５）をガラススリー
ブ（６）と融着させる。このとき下部電極（５）の上に
はおもり（９）による荷重をかけ、この状態で常温まで
冷却して騒た。
を示す断面図で、（７） 、 （８）はヒータの役割を
する治具、（９）はおもりである。治Ａ （７） 、
（８）内にダイオードペレッ） （３） 、下部・上部
電ｆｆｌ （４） 、 ＜５１及びガラススリーブ（６
）を図示のように組み込んで、治具（７） 、 （８）
を昇温させて両電極（４） 、 （５）をガラススリー
ブ（６）と融着させる。このとき下部電極（５）の上に
はおもり（９）による荷重をかけ、この状態で常温まで
冷却して騒た。
前述のように、ダイオードペレット（３）と両電極（４
） 、 （５）との接触をダイオードペレット（３）と
ガラススリーブ（６）との熱収縮差によって確保するに
は上記常温への冷却過程が重要であり、理想的には両［
Ｉ！ （４） 、 （５）が同等の速さで冷却した後に
ガラススリーブ（６）が冷却するのが望ましい。
） 、 （５）との接触をダイオードペレット（３）と
ガラススリーブ（６）との熱収縮差によって確保するに
は上記常温への冷却過程が重要であり、理想的には両［
Ｉ！ （４） 、 （５）が同等の速さで冷却した後に
ガラススリーブ（６）が冷却するのが望ましい。
ところが、従来の方法では第３図にも示したように、下
品電極（５）の上に熱容量の大きいおもり（９）が置か
れており、上ＩＩ ［極（５） ｆｌｌの冷却が熱容量
の小さい下品電極（４）に比して非常に遅くなり、場合
によってはガラススリーブ（６）の冷却と殆んど差がな
い状態にな９、ダイオードペレット（３）と両ｔＷ（４
） 、 （５）との接触不良を生じ、このようにして得
たＤＨＩ）は大電流を流すとオープン不良を起こすとい
う問題点があった。
品電極（５）の上に熱容量の大きいおもり（９）が置か
れており、上ＩＩ ［極（５） ｆｌｌの冷却が熱容量
の小さい下品電極（４）に比して非常に遅くなり、場合
によってはガラススリーブ（６）の冷却と殆んど差がな
い状態にな９、ダイオードペレット（３）と両ｔＷ（４
） 、 （５）との接触不良を生じ、このようにして得
たＤＨＩ）は大電流を流すとオープン不良を起こすとい
う問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、ダイオードペレットと上部・下品電極との接触の良
好なりＨＤを得る方法を提供することを目的とする。
で、ダイオードペレットと上部・下品電極との接触の良
好なりＨＤを得る方法を提供することを目的とする。
この発明に係るＤＨＤの製造方法では上述の昇温封止後
、冷却過程においては上部電極の上のおもシを除去する
。
、冷却過程においては上部電極の上のおもシを除去する
。
この発明では冷却過程で上部電極上の熱容量の大きいお
もりを除去するのでＪ：ａ、下部両電極は同時に速かに
冷却でき、ガラススリーブよりも早くダイオードペレッ
トを冷却できるので、ダイオードペレットと両電極との
接触の良好なりＨＤが得られる。
もりを除去するのでＪ：ａ、下部両電極は同時に速かに
冷却でき、ガラススリーブよりも早くダイオードペレッ
トを冷却できるので、ダイオードペレットと両電極との
接触の良好なりＨＤが得られる。
第１図はこの発明の一実施例の封止冷却時の状態を示す
断面図で、前述の従来例と同一符号は同等部分を示す。
断面図で、前述の従来例と同一符号は同等部分を示す。
治具（７） 、 （８）内における加熱加圧封止段階ま
では従来と全く同様であるが、冷却段階に入ると直ちに
上部型＠（５）の土のおもり（９）を除去する。第１図
では上部型ｔｉ＠ （５）の上方に浮すた状態で示しで
ある。これによっておもり（９）の大きな熱容量の影響
は除去され下部・上部両電極（４） 、 （５）はとも
に同時に速かに冷却できる。
では従来と全く同様であるが、冷却段階に入ると直ちに
上部型＠（５）の土のおもり（９）を除去する。第１図
では上部型ｔｉ＠ （５）の上方に浮すた状態で示しで
ある。これによっておもり（９）の大きな熱容量の影響
は除去され下部・上部両電極（４） 、 （５）はとも
に同時に速かに冷却できる。
以と説明したように、この発明ではＤＩＤの封止過程に
おいて、加熱加圧封止融着段階を経て冷却段階に入ると
上部電極上に置いていたおもりを除去するので、上下両
電極はともに速かに冷却でき、従ってダイオードペレッ
トも封止用ガラススリーブよりも早く冷却し、ダイオー
ドペレットと上下両電極との接触の確実良好なり 、Ｈ
Ｄが得られる。
おいて、加熱加圧封止融着段階を経て冷却段階に入ると
上部電極上に置いていたおもりを除去するので、上下両
電極はともに速かに冷却でき、従ってダイオードペレッ
トも封止用ガラススリーブよりも早く冷却し、ダイオー
ドペレットと上下両電極との接触の確実良好なり 、Ｈ
Ｄが得られる。
第１図はこの発明の一実施例の封止冷却時の状態を示す
断面図、第２図は一般的なりＨＤの構造を示す断面図、
第３図は従来の製造方法での封止冷却時の状態を示す断
面図である。 図において、（３）はダイオードペレツ） 、（４）は
下部電極、（５）は上部電極、（６）はガラススリーブ
、（９）はおもりである。 なお、各図中向−符号μ同一または相当品分を示す。
断面図、第２図は一般的なりＨＤの構造を示す断面図、
第３図は従来の製造方法での封止冷却時の状態を示す断
面図である。 図において、（３）はダイオードペレツ） 、（４）は
下部電極、（５）は上部電極、（６）はガラススリーブ
、（９）はおもりである。 なお、各図中向−符号μ同一または相当品分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体からなるダイオードペレットをそれぞれヒ
ートシンクを構成する下部電極及び上部電極で挾持し、
上記下部電極及び上部電極に接するように設けたガラス
スリーブで上記ダイオードペレットを包囲し、上記上部
電極の上におもりを載せて加重を与えた状態で昇温させ
、上記両電極と上記ガラススリーブとを融着させた後、
上記おもりを除去した状態で常温まで冷却することを特
徴とするダブル・ヒートシンク・ダイオードの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24680684A JPS61123163A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ダブル・ヒ−トシンク・ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24680684A JPS61123163A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ダブル・ヒ−トシンク・ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123163A true JPS61123163A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17153955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24680684A Pending JPS61123163A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | ダブル・ヒ−トシンク・ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61123163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0673060A1 (en) * | 1994-03-17 | 1995-09-20 | Fuji Electric Co. Ltd. | Jig and manufacturing method for a semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24680684A patent/JPS61123163A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0673060A1 (en) * | 1994-03-17 | 1995-09-20 | Fuji Electric Co. Ltd. | Jig and manufacturing method for a semiconductor device |
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