JPS61136247A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61136247A JPS61136247A JP25741684A JP25741684A JPS61136247A JP S61136247 A JPS61136247 A JP S61136247A JP 25741684 A JP25741684 A JP 25741684A JP 25741684 A JP25741684 A JP 25741684A JP S61136247 A JPS61136247 A JP S61136247A
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- sealant
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分骨〕
本宅明は低融点ガラス又は樹脂によりセラミックパッケ
ージと蓋部材との封着を行なう半導体装置に閘する。
ージと蓋部材との封着を行なう半導体装置に閘する。
半導体装酸の中でＣＣＤやｈｔＰＲＱＭ４、受光を用す
る物はセラミックパッケージを母体とし受光窓として゛
ガラスが用いられており封着剤として軟化点が低い事か
ら低融点ガラスや樹脂が多く使用される。
る物はセラミックパッケージを母体とし受光窓として゛
ガラスが用いられており封着剤として軟化点が低い事か
ら低融点ガラスや樹脂が多く使用される。
詩にＣＯＤやＭＯＳ等の固体撮Ｉ１１裂貢においてはカ
ラー比のために有機色分離フィルターを用いているため
封着ｍｙと時間の制限を受ける。
ラー比のために有機色分離フィルターを用いているため
封着ｍｙと時間の制限を受ける。
またビデオカメラとしての用途の拡大に伴ない固体撮像
装置の中に耐熱性の低いフレキシブルフィルム基板や接
着剤等の有機物を用いる例が増えている。
装置の中に耐熱性の低いフレキシブルフィルム基板や接
着剤等の有機物を用いる例が増えている。
封着剤として低１点ガラスや樹脂を用いる事により封着
温度を下げ、封着時間を短くする試みが多くなされてい
るが、封着剤自身の待つ性質のために吹扱い上の困難さ
が生じる１合が多い。
温度を下げ、封着時間を短くする試みが多くなされてい
るが、封着剤自身の待つ性質のために吹扱い上の困難さ
が生じる１合が多い。
以下に従来の封着方法を図面により説明する。
鷹４図は低融点ガラス封着による半導体装置の断面構造
図である。
図である。
低融点ガラス（５５）は予じめガラス板（５０）に塗布
され適当な硬度まで仮硬ｆヒされている。
され適当な硬度まで仮硬ｆヒされている。
セラミックパッケージ（６０）には予じめ半導体素子（
６５）がマウントされボンディングワイヤー（７０）に
より図示していないがセラミックパッケージのＦＦ３部
配緘によりリードピン（７５）と優絖されている。
６５）がマウントされボンディングワイヤー（７０）に
より図示していないがセラミックパッケージのＦＦ３部
配緘によりリードピン（７５）と優絖されている。
ここで低融点ガラス（５５）のついたガラス板（５０）
をセラミックパッケージ（６０）の所定位置に設置した
陵クランプ器（９５月こより固定される。
をセラミックパッケージ（６０）の所定位置に設置した
陵クランプ器（９５月こより固定される。
クランプ（９５）は図示していないが低融点ガラス（５
５）の再＃＠ｌこ伴ないガラス板とセラミックパッケー
ジに同じ圧力かっ）けられるようスプリング式となって
いる。し小るのちガラス板とセラミックパッケージはク
ランプされたまま例えば３００℃に設定されたオーブン
中ｔこ例えば３０分間放置された謄本硬化が終了しオー
ブンより取り出され完成品となる。
５）の再＃＠ｌこ伴ないガラス板とセラミックパッケー
ジに同じ圧力かっ）けられるようスプリング式となって
いる。し小るのちガラス板とセラミックパッケージはク
ランプされたまま例えば３００℃に設定されたオーブン
中ｔこ例えば３０分間放置された謄本硬化が終了しオー
ブンより取り出され完成品となる。
ここで問題となるのはセラミックパッケージやガラス医
は金属等に比べ熱伝導力Ｓ悪いのとクランプ器の熱容量
が大傘いためにオーブン等で外部より加熱する方法をと
ると低融点ガラスが再溶融するまでの時ｌ′ｖ１がの）
かる事である。すなわち低融点ガラスのように融点が定
められた封着剤のｔａ会は生産量は封着の所要時間に蟻
も依存する事になる。
は金属等に比べ熱伝導力Ｓ悪いのとクランプ器の熱容量
が大傘いためにオーブン等で外部より加熱する方法をと
ると低融点ガラスが再溶融するまでの時ｌ′ｖ１がの）
かる事である。すなわち低融点ガラスのように融点が定
められた封着剤のｔａ会は生産量は封着の所要時間に蟻
も依存する事になる。
またクランプ器は半導体装直情々に取り付けする必要が
あり半導体のように大量に生産する揚会その数量とオー
ブン等加熱器の内部容積により生産量が依存する点であ
る。
あり半導体のように大量に生産する揚会その数量とオー
ブン等加熱器の内部容積により生産量が依存する点であ
る。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので封着剤として低
融点ガラスまたは樹脂を用い封着時間を短縮することの
できる半導体装置を提供することを目的とする。
融点ガラスまたは樹脂を用い封着時間を短縮することの
できる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明はセラミックパッケージの封舊部分に金属電極を
設け、この金４電極の２点間以上に通電することにより
金属電極をヒータとしてセラミックパッケージと封着材
付ガラス板を同時に加熱して封着剤を再溶融し瞬時に封
着を行なう。
設け、この金４電極の２点間以上に通電することにより
金属電極をヒータとしてセラミックパッケージと封着材
付ガラス板を同時に加熱して封着剤を再溶融し瞬時に封
着を行なう。
本発明によれば従来の外部加熱式に比べ昇温加熱の時間
が通電する延力の設定−こより圧型に義択出米、瞬時に
加熱封着する事が可能である。
が通電する延力の設定−こより圧型に義択出米、瞬時に
加熱封着する事が可能である。
また加熱時間が短かくなる事によりこれまで耐熱性を満
足出来なかった有機材料を半導体ａｒｔへ組込む事が出
来る。
足出来なかった有機材料を半導体ａｒｔへ組込む事が出
来る。
また封Ｗ時間の短縮により生産性の向上が可能である。
以下本発明の詳細な説明する。Ｗｃ１図（ａ）（ｂ）は
本発明小らなる半導体装置の一実施例の分解斜視図であ
る。
本発明小らなる半導体装置の一実施例の分解斜視図であ
る。
封着剤（５５）は予じめガラス＆ （５０）の封着部分
（セラミックパッケージと封着しようとする部分）に塗
布されている。セラミックパッケージ（４０）は封着し
ようとする部分に印刷およびメッキ等により金Ｉｉｉ電
極（８０）力１設けられセラミックパッケージ表面又は
内部配線を通ってセラミックパッケージ表面の一部最低
２ケ所の外部代［（８５）、（８６） と接続される
。
（セラミックパッケージと封着しようとする部分）に塗
布されている。セラミックパッケージ（４０）は封着し
ようとする部分に印刷およびメッキ等により金Ｉｉｉ電
極（８０）力１設けられセラミックパッケージ表面又は
内部配線を通ってセラミックパッケージ表面の一部最低
２ケ所の外部代［（８５）、（８６） と接続される
。
ここで金属電極（８０）はループにより全部が継がって
いるものとし外ｇ ｔ ＴＭ Ｃ８５） 、 （８６）
各々乃）ら金属電極（８０）への抵抗値は同じになるよ
うに予じめ設計しである。これ−こより金属電極（８０
）の各部分の＠度を均一とする事が出来る。
いるものとし外ｇ ｔ ＴＭ Ｃ８５） 、 （８６）
各々乃）ら金属電極（８０）への抵抗値は同じになるよ
うに予じめ設計しである。これ−こより金属電極（８０
）の各部分の＠度を均一とする事が出来る。
半導体素子（６５）は予じめセラミックパッケージ（４
０）にマウントされボンディングワイヤー（７０月こよ
りセラミックパッケージ内部配線を通りリードピン（７
５〕と接続される。
０）にマウントされボンディングワイヤー（７０月こよ
りセラミックパッケージ内部配線を通りリードピン（７
５〕と接続される。
しかるのち封着剤（５５）のついたガラスｆｆｉ （５
０）がセラミックパッケージの所定位＆−こ設置される
。
０）がセラミックパッケージの所定位＆−こ設置される
。
各部の構造および組立て工程を更に詳しく説明する。
第２図（ａ） （ｂ）は本発明からなる半導体装置の断
面構造図である。
面構造図である。
上記したようにセラミックパッケージ（６０）に半導体
素子（６５）力Ｓマウント・ボンディングされた後封着
剤（５５）のついたガラス［（５０）六Ｓセラミックパ
ッケージ（６０）の所定位置へ設置される。これにより
封着剤（５５）とガラス板（５ｏ）の封着部はセラミッ
クパッケージ（６０）に設けられた金属電極（８ｏ）の
近傍へ設置され接触する。
素子（６５）力Ｓマウント・ボンディングされた後封着
剤（５５）のついたガラス［（５０）六Ｓセラミックパ
ッケージ（６０）の所定位置へ設置される。これにより
封着剤（５５）とガラス板（５ｏ）の封着部はセラミッ
クパッケージ（６０）に設けられた金属電極（８ｏ）の
近傍へ設置され接触する。
し小るのち金属電極（８０月こ図示はしていないが外部
電極乃）ら通電し所定の＠度（封着剤の解融温度と同等
がそれ以上）に設定する。
電極乃）ら通電し所定の＠度（封着剤の解融温度と同等
がそれ以上）に設定する。
ここで金ｇｔムへ流す電力は予じめ所定のＩｌｉ［が得
られるように設定されているものとする。
られるように設定されているものとする。
これによりセラミックパッケージの金＠シ極（８ｏ）が
ヒータとｌλり金４４−（（資）】とその近傍がまず過
熱され＃＠している封着剤（５５）を溶かし熱伝４３よ
び放射熱によりガラス獣（５０）の封着部分が封着温度
に達する。
ヒータとｌλり金４４−（（資）】とその近傍がまず過
熱され＃＠している封着剤（５５）を溶かし熱伝４３よ
び放射熱によりガラス獣（５０）の封着部分が封着温度
に達する。
しかるのち通４を停止すると封着部分の温度が下がり封
１が完了する。
１が完了する。
＠３図は上記工程番こより完成した半導体装置の完成図
である。ここで金＠電極（８０）は、封止する部分の一
部であっても良いし、全部であっても良く、要するに金
嘆電極が封着する部分を局部的に７？Ｉ］熱出来る構造
であれば良い。
である。ここで金＠電極（８０）は、封止する部分の一
部であっても良いし、全部であっても良く、要するに金
嘆電極が封着する部分を局部的に７？Ｉ］熱出来る構造
であれば良い。
本発明の実施例ではセラミックパッケージとガラス板の
封着について示したがセラミックパッケージとセラミッ
ク阪、セラミックパッケージと絶縁された金Ｔ４仮にお
いても本発明は有効である。
封着について示したがセラミックパッケージとセラミッ
ク阪、セラミックパッケージと絶縁された金Ｔ４仮にお
いても本発明は有効である。
また実施例の説明に用いた構造図ではガラス板をセラミ
ックパッケージの所定の場所へ落とし込みとしたがセラ
ミックパッケージの表面に同様の金属電極を設けても同
じ効果が得られる。また金属電極の外部への喉り出しは
セラミックパッケージにスルホールを開け電極としたも
のでも良く表面に印刷されたものであっても良い。外部
′電極の取りつけ位置はセラミック表面のどの位置でも
良く２つの外部電極から金属亀ムへの抵抗値は各々の値
が同一となる事が望ましいが若干の差があっても良い。
ックパッケージの所定の場所へ落とし込みとしたがセラ
ミックパッケージの表面に同様の金属電極を設けても同
じ効果が得られる。また金属電極の外部への喉り出しは
セラミックパッケージにスルホールを開け電極としたも
のでも良く表面に印刷されたものであっても良い。外部
′電極の取りつけ位置はセラミック表面のどの位置でも
良く２つの外部電極から金属亀ムへの抵抗値は各々の値
が同一となる事が望ましいが若干の差があっても良い。
また１！施例では封着剤として低融点ガラスを用いて説
明したがエポキシ系、ポリエステル系、アクリル系の樹
脂でも良く、これら樹脂によると封着幅間を１００℃前
後まで下げる偲カ１出来る。
明したがエポキシ系、ポリエステル系、アクリル系の樹
脂でも良く、これら樹脂によると封着幅間を１００℃前
後まで下げる偲カ１出来る。
第１図は本発明からなる半導体装置の一実施例を示す分
解斜視図、第２図は組立て工程を示す断１ｉｉＴ ｔＲ
ｉｉ図、第３図は組立て完了した本発明からなる半導体
装置の断面＄４図、第４図は従来の半導体ｖ装置の組立
を示した断面構造図である。 図に８いて ４０・・・セラミックパッケージ、５０・・・ガラス板
。 ５５・・・低融点ガラス、６０・・・セラミック、６５
・・・半導体累子、７０・・・ボンディングワイヤ、７
５・・・リードピン、８０・・・金属′１極、８５・・
・外部蒐憔、９０・・・外ｔＭ５を極、９５・・・クラ
ンプ器。 代理人坤理士 則゛近 憲 佑（他１名）第１図 第 ２ 図 （ｃＬ） 第 ３ 図
解斜視図、第２図は組立て工程を示す断１ｉｉＴ ｔＲ
ｉｉ図、第３図は組立て完了した本発明からなる半導体
装置の断面＄４図、第４図は従来の半導体ｖ装置の組立
を示した断面構造図である。 図に８いて ４０・・・セラミックパッケージ、５０・・・ガラス板
。 ５５・・・低融点ガラス、６０・・・セラミック、６５
・・・半導体累子、７０・・・ボンディングワイヤ、７
５・・・リードピン、８０・・・金属′１極、８５・・
・外部蒐憔、９０・・・外ｔＭ５を極、９５・・・クラ
ンプ器。 代理人坤理士 則゛近 憲 佑（他１名）第１図 第 ２ 図 （ｃＬ） 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）半導体素子をアッセンブリしたセラミックパッケ
ージと受光窓となる蓋部材とこれを封着するための封着
剤からなる半導体装置において、セラミックパッケージ
の封着部分にヒータとなる金属電極を設けたことを特徴
とする半導体装置。 - （２）前記金属電極により前記セラミックパッケージと
前記蓋部材の封着部と前記封着剤を瞬時に加熱可能とし
た前記特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25741684A JPS61136247A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25741684A JPS61136247A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136247A true JPS61136247A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17306070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25741684A Pending JPS61136247A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007516611A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-06-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイス用の封入アセンブリ |
| US8383455B2 (en) | 2005-12-23 | 2013-02-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP25741684A patent/JPS61136247A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007516611A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-06-21 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイス用の封入アセンブリ |
| US8383455B2 (en) | 2005-12-23 | 2013-02-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
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