JPS6214098B2 - - Google Patents
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- JPS6214098B2 JPS6214098B2 JP9779779A JP9779779A JPS6214098B2 JP S6214098 B2 JPS6214098 B2 JP S6214098B2 JP 9779779 A JP9779779 A JP 9779779A JP 9779779 A JP9779779 A JP 9779779A JP S6214098 B2 JPS6214098 B2 JP S6214098B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路搭載用セラミツクパツケージ
およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関する。
従来、セラミツクパツケージのガラス封止のた
めには、該ガラス封止に使用されるガラスの溶融
温度に集積回路を搭載したパツケージの温度を保
持する必要がある。また、集積回路は、高温にさ
らされると、その機能を著るしくそこなう性質を
有している。このため、セラミツクパツケージの
ガラス封止に使われるガラスは集積回路の機能を
そこなわない程度の温度域に溶融温度を持ち、か
つセラミツクパツケージを充分封止して、外部か
ら気体または液体の流入を防ぐガラスを得ること
は困難である。
めには、該ガラス封止に使用されるガラスの溶融
温度に集積回路を搭載したパツケージの温度を保
持する必要がある。また、集積回路は、高温にさ
らされると、その機能を著るしくそこなう性質を
有している。このため、セラミツクパツケージの
ガラス封止に使われるガラスは集積回路の機能を
そこなわない程度の温度域に溶融温度を持ち、か
つセラミツクパツケージを充分封止して、外部か
ら気体または液体の流入を防ぐガラスを得ること
は困難である。
従つて、セラミツクパツケージの封止は、集積
回路の機能を若干犠牲にして充分な封止にするか
充分な封止を犠牲にするかの２者択一をしなけれ
ばならない。
回路の機能を若干犠牲にして充分な封止にするか
充分な封止を犠牲にするかの２者択一をしなけれ
ばならない。
本発明の目的はセラミツクパツケージの温度を
封止用ガラスの溶融温度より低い温度で加熱しつ
つ封止用ガラス自体からジユール熱を発生させ該
ガラスを溶融しセラミツクパツケージの封止をす
るためのセラミツクパツケージとおよびその製造
方法を提供することにある。
封止用ガラスの溶融温度より低い温度で加熱しつ
つ封止用ガラス自体からジユール熱を発生させ該
ガラスを溶融しセラミツクパツケージの封止をす
るためのセラミツクパツケージとおよびその製造
方法を提供することにある。
本発明のパツケージは、アルミナ基板とこのア
ルミナ基板上に形成された信号線導体部とこの信
号線導体部に接続されるよう前記アルミナ基板に
搭載された集積回路と前記信号線導体部と前記信
号線導体部に接続するための外部接続用リードと
金属からなる第１の接合部とこの第１の接合部と
前記外部接続用リードとを絶縁するよう前記アル
ミナ基板上に形成された絶縁部と前記第１の接合
部と電気的に接続された電極用端子とを有するパ
ツケージと、 コの字状断面を有し前記第１の接合部と接合さ
れるよう金属膜を下面周囲に配置した第２の接合
部とこの第２の接合部に接続された電極用端子と
を有する蓋とを具備し、 前記パツケージと前記蓋とを封止用ガラスで接
合したことを特徴とする。
ルミナ基板上に形成された信号線導体部とこの信
号線導体部に接続されるよう前記アルミナ基板に
搭載された集積回路と前記信号線導体部と前記信
号線導体部に接続するための外部接続用リードと
金属からなる第１の接合部とこの第１の接合部と
前記外部接続用リードとを絶縁するよう前記アル
ミナ基板上に形成された絶縁部と前記第１の接合
部と電気的に接続された電極用端子とを有するパ
ツケージと、 コの字状断面を有し前記第１の接合部と接合さ
れるよう金属膜を下面周囲に配置した第２の接合
部とこの第２の接合部に接続された電極用端子と
を有する蓋とを具備し、 前記パツケージと前記蓋とを封止用ガラスで接
合したことを特徴とする。
本発明のパツケージの製造方法は、アルミナ基
板上に集積回路を取り付ける第１の工程と、 前記アルミナ基板の金属からなりかつ２個の電
極用金属端子を有する接合部に封止用ガラスを塗
布する第２の工程と、 前記アルミナ基板の前記接合部の一方の電極用
金属端子と他方の電極用金属端子とを接続するか
または前記一方の電極用金属端子と蓋に存在する
電極用金属端子とを接続するために電源供給用リ
ードを取付ける第３の工程と、 前記基板上に蓋をのせ固定する第４の工程と、 前記基板を加熱しつつ前記電源供給用リードを
介して支えられる電力により前記接合部のガラス
を溶融させて前記基板と蓋とを接合封止する第５
の工程とを含むことを特徴とする。
板上に集積回路を取り付ける第１の工程と、 前記アルミナ基板の金属からなりかつ２個の電
極用金属端子を有する接合部に封止用ガラスを塗
布する第２の工程と、 前記アルミナ基板の前記接合部の一方の電極用
金属端子と他方の電極用金属端子とを接続するか
または前記一方の電極用金属端子と蓋に存在する
電極用金属端子とを接続するために電源供給用リ
ードを取付ける第３の工程と、 前記基板上に蓋をのせ固定する第４の工程と、 前記基板を加熱しつつ前記電源供給用リードを
介して支えられる電力により前記接合部のガラス
を溶融させて前記基板と蓋とを接合封止する第５
の工程とを含むことを特徴とする。
本発明は、ガラスが、常温においては絶縁体で
あるが、高温においては電気をかなり通す性質を
持ち、電気エネルギーをジユール熱に変え自ら発
熱する性質をセラミツクパツケージの封止に利用
したことにある。
あるが、高温においては電気をかなり通す性質を
持ち、電気エネルギーをジユール熱に変え自ら発
熱する性質をセラミツクパツケージの封止に利用
したことにある。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。第１図ａおよびｂに示す本発明の第１の実
施例は、集積回路を搭載するための導体部１、該
導体部１と接続されたリード２、該リード２と電
気的に絶縁されたセラミツク製フタの接合部３お
よび、該接合部３に２個の電極用金属端子４から
構成されている。第１図ｂには、同図ａで示され
た構造を持つセラミツクパツケージ５に集積回路
６を搭載し、セラミツク製フタ７の接合部３に封
止用ガラス８を塗布し、該接合部３に存在する電
極用金属端子４に電源供給リード９を取り付け、
電源１０に接続し、セラミツク製フタ６を固定し
て、加熱炉２０中に設置した状態が示されてい
る。封着は以下の工程で行なわれる。第１図ｂに
おいて、加熱炉７でセラミツクパツケージ等を封
止用ガラスが軟化し、該ガラス中にジユール熱を
発生するに充分な電流が流れる温度まで加熱しつ
つ、電源１０から定電圧もしくは定電流を供給
し、封止用ガラス自体にジユール熱を発生させ封
止用ガラスを自ら発生したジユール熱で溶融さ
せ、セラミツクパツケージとセラミツク製フタを
封着する。具体例として、封止用ガラスに、鉛硼
珪酸ガラスを用いた場合について説明する。従来
技術では、封止ガラスを流動温度にまで上げて、
ガラスを流動させ、それによつてガラス封止を行
なつている。鉛硼珪酸ガラスの場合は約450℃程
度が流動温度であり、粘度で言えば105ポイズの
オーダーである。本願発明では、まず、ガラスを
流動温度まで上げずに軟化点まで加熱する。鉛硼
珪酸ガラスの軟化点は、約350℃である。軟化点
でのガラス粘度は4.5×107ポイズである。このと
きのガラスの比抵抗は350Ω・cm程度である。第
１図ｂにおいて、封止用ガラス８の電流の流れる
方向に対する断面積は、１×10-2cm2であり、等価
線長は２cmであるので、その抵抗は70KΩとな
る。これに電圧700Vをかけると流れる電流は
0.01Aで、電力は7Wとなる。鉛硼珪酸ガラス
は、熱抵抗が相当大きく、また、周囲から加熱し
ているため7Wでも比較的容易にガラス部分の温
度は上昇する。約30秒後には400℃となる。この
ときの比抵抗は100Ω・cm程度であり、このた
め、電圧を700V一定に保つと、電流は0.035A、
電力は24.5Wとなり、ガラスの部分の温度はさら
に急上昇する。約40秒後には、温度は流動温度で
ある450℃に上昇し、封着がなされる。このとき
の比抵抗は50Ω・cm程度で、電流は0.07A、電力
は49Wに達する。約50秒後に、電圧をOVにする
ことにより電流は流れなくなり、ジユール熱の発
生は止み、ガラス部分の温度は下がり、接合封止
が完了する。本発明の方法を用いれば、集積回路
及び集積回路の周辺部のケース部分を400℃以下
に保てるので集積回路に対する熱的ダメージを大
巾に低減できるという効果がある。
する。第１図ａおよびｂに示す本発明の第１の実
施例は、集積回路を搭載するための導体部１、該
導体部１と接続されたリード２、該リード２と電
気的に絶縁されたセラミツク製フタの接合部３お
よび、該接合部３に２個の電極用金属端子４から
構成されている。第１図ｂには、同図ａで示され
た構造を持つセラミツクパツケージ５に集積回路
６を搭載し、セラミツク製フタ７の接合部３に封
止用ガラス８を塗布し、該接合部３に存在する電
極用金属端子４に電源供給リード９を取り付け、
電源１０に接続し、セラミツク製フタ６を固定し
て、加熱炉２０中に設置した状態が示されてい
る。封着は以下の工程で行なわれる。第１図ｂに
おいて、加熱炉７でセラミツクパツケージ等を封
止用ガラスが軟化し、該ガラス中にジユール熱を
発生するに充分な電流が流れる温度まで加熱しつ
つ、電源１０から定電圧もしくは定電流を供給
し、封止用ガラス自体にジユール熱を発生させ封
止用ガラスを自ら発生したジユール熱で溶融さ
せ、セラミツクパツケージとセラミツク製フタを
封着する。具体例として、封止用ガラスに、鉛硼
珪酸ガラスを用いた場合について説明する。従来
技術では、封止ガラスを流動温度にまで上げて、
ガラスを流動させ、それによつてガラス封止を行
なつている。鉛硼珪酸ガラスの場合は約450℃程
度が流動温度であり、粘度で言えば105ポイズの
オーダーである。本願発明では、まず、ガラスを
流動温度まで上げずに軟化点まで加熱する。鉛硼
珪酸ガラスの軟化点は、約350℃である。軟化点
でのガラス粘度は4.5×107ポイズである。このと
きのガラスの比抵抗は350Ω・cm程度である。第
１図ｂにおいて、封止用ガラス８の電流の流れる
方向に対する断面積は、１×10-2cm2であり、等価
線長は２cmであるので、その抵抗は70KΩとな
る。これに電圧700Vをかけると流れる電流は
0.01Aで、電力は7Wとなる。鉛硼珪酸ガラス
は、熱抵抗が相当大きく、また、周囲から加熱し
ているため7Wでも比較的容易にガラス部分の温
度は上昇する。約30秒後には400℃となる。この
ときの比抵抗は100Ω・cm程度であり、このた
め、電圧を700V一定に保つと、電流は0.035A、
電力は24.5Wとなり、ガラスの部分の温度はさら
に急上昇する。約40秒後には、温度は流動温度で
ある450℃に上昇し、封着がなされる。このとき
の比抵抗は50Ω・cm程度で、電流は0.07A、電力
は49Wに達する。約50秒後に、電圧をOVにする
ことにより電流は流れなくなり、ジユール熱の発
生は止み、ガラス部分の温度は下がり、接合封止
が完了する。本発明の方法を用いれば、集積回路
及び集積回路の周辺部のケース部分を400℃以下
に保てるので集積回路に対する熱的ダメージを大
巾に低減できるという効果がある。
第２図ａ，ｂおよびｃに示す本発明の第２の実
施例は、集積回路を搭載するための導体部１、該
導体部１に接続されたリード２、該リード２と電
気的に絶縁されたセラミツク製フタの接合される
金属からなる接合部３および該接合部３に電極用
端子４を有するセラミツクパツケージと、前記セ
ラミツクパツケージとの接合部分が金属２５で覆
われ、該接合部２５に電極２６を有する封止のた
めのセラミツク製フタ７とから構成されている。
施例は、集積回路を搭載するための導体部１、該
導体部１に接続されたリード２、該リード２と電
気的に絶縁されたセラミツク製フタの接合される
金属からなる接合部３および該接合部３に電極用
端子４を有するセラミツクパツケージと、前記セ
ラミツクパツケージとの接合部分が金属２５で覆
われ、該接合部２５に電極２６を有する封止のた
めのセラミツク製フタ７とから構成されている。
第２図ｂは、同図ａで示されたパツケージに集
積回路６の搭載されたセラミツクパツケージとセ
ラミツク製フタを示す断面図である。
積回路６の搭載されたセラミツクパツケージとセ
ラミツク製フタを示す断面図である。
第２の実施例におけるパツケージは、アルミナ
基板１１、このアルミナ１１に積層された信号線
導体１２、この信号線導体１２を絶縁する絶縁層
１３、前記信号線導体１２に接続されるリード
４、このリードと接合部３とを絶縁する絶縁層１
７、前記接合部３の金属も皮膜と電気的に接続さ
れる金属端子４から構成されている。
基板１１、このアルミナ１１に積層された信号線
導体１２、この信号線導体１２を絶縁する絶縁層
１３、前記信号線導体１２に接続されるリード
４、このリードと接合部３とを絶縁する絶縁層１
７、前記接合部３の金属も皮膜と電気的に接続さ
れる金属端子４から構成されている。
第２図ｃは同図ｂで示された集積回路の搭載さ
れたセラミツクパツケージ５にセラミツク製フタ
７の接合部２６に封止用ガラス８を塗付し、該接
合部２６に存在する電極用端子４に電源供給リー
ド９を取り付け、電源１０に接続し、セラミツク
製フタ７を接合部に固定して、加熱炉２０中に設
置した状態を示す。
れたセラミツクパツケージ５にセラミツク製フタ
７の接合部２６に封止用ガラス８を塗付し、該接
合部２６に存在する電極用端子４に電源供給リー
ド９を取り付け、電源１０に接続し、セラミツク
製フタ７を接合部に固定して、加熱炉２０中に設
置した状態を示す。
封着は以下の工程で行なう。
第２図ｃにおいて、加熱炉２０でセラミツクパ
ツケージ等を封止用ガラス８が軟化し、該ガラス
８中にジユール熱を発生するに充分な電流が流れ
る温度まで加熱しつつ、電源１０から定電圧もし
くは定電流を供給し、封止用ガラス２自体にジユ
ール熱を発生させ封止用ガラス２を自ら発生した
ジユール熱で溶融させ、セラミツクパツケージ５
とセラミツク製フタ７を封着する。
ツケージ等を封止用ガラス８が軟化し、該ガラス
８中にジユール熱を発生するに充分な電流が流れ
る温度まで加熱しつつ、電源１０から定電圧もし
くは定電流を供給し、封止用ガラス２自体にジユ
ール熱を発生させ封止用ガラス２を自ら発生した
ジユール熱で溶融させ、セラミツクパツケージ５
とセラミツク製フタ７を封着する。
本発明には、セラミツクパツケージを使用し、
この発明の方法で封止用ガラスを溶融させること
により、パツケージ自体の温度は、封止用ガラス
の溶融する温度よりかなり低い温度でセラミツク
パツケージのガラス封止ができるという効果があ
る。またこの構造により、ジユール熱発生のため
の電流は、集積回路には流すことなく封着ができ
るという効果がある。
この発明の方法で封止用ガラスを溶融させること
により、パツケージ自体の温度は、封止用ガラス
の溶融する温度よりかなり低い温度でセラミツク
パツケージのガラス封止ができるという効果があ
る。またこの構造により、ジユール熱発生のため
の電流は、集積回路には流すことなく封着ができ
るという効果がある。
第１図ａ，ｂは本発明の第１の実施例を示す図
および第２図ａ，ｂおよびｃは本発明の第２の実
施例を示す図である。 第１図ａから第２図ｃにおいて、１……導体
部、２……リード、３……接合部、４……電極端
子、５……セラミツクパツケージ、６……集積回
路、７……ふた、８……封止用ガラス、９……電
源供給用リード、１０……電源、１１……アルミ
ナ基板、１２……信号線導体、１３，(1)……絶縁
層、１６……電源導体、２０……加熱性、２５…
…接合部、２６……電極端子。
および第２図ａ，ｂおよびｃは本発明の第２の実
施例を示す図である。 第１図ａから第２図ｃにおいて、１……導体
部、２……リード、３……接合部、４……電極端
子、５……セラミツクパツケージ、６……集積回
路、７……ふた、８……封止用ガラス、９……電
源供給用リード、１０……電源、１１……アルミ
ナ基板、１２……信号線導体、１３，(1)……絶縁
層、１６……電源導体、２０……加熱性、２５…
…接合部、２６……電極端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミナ基板と、このアルミナ基板上に形成
された信号線導体部とこの信号線導体部に接続さ
れるよう前記アルミナ基板に搭載された集積回路
と前記信号線導体部と接続するための外部接続用
リードと金属からなる第１の接合部とこの第１の
接合部と前記外部接続用リードとを絶縁するよう
前記アルミナ基板上に形成された絶縁部と前記第
１の接合部と電気的に接続された電極用端子とを
有するパツケージと、 コの字断面を有し前記第１の接合部と接合され
るよう金属膜を下面周囲に配置した第２の接合部
とこの第２の接合部に接続された電極用端子とを
有する蓋とを具備し、 前記パツケージと前記蓋とを封止用ガラスで接
合したことを特徴とするセラミツクパツケージ。 ２ アルミナ基板上に集積回路を取り付ける第１
の工程と、 前記アルミナ基板の金属からなりかつ２個の電
極用金属端子を有する接合部に封止用ガラスを塗
布する第２の工程と、 前記アルミナ基板の前記接合部の一方の電極用
金属端子と他方の電極用金属端子とを接続するか
または前記一方の電極用金属端子と蓋に存在する
電極用金属端子とを接続するために電源供給用リ
ードを取付ける第３の工程と、 前記基板上に蓋をのせ固定する第４の工程と、 前記基板を加熱しつつ前記電源供給用リードを
介して与えられる電力により前記接合部のガラス
を溶融させて前記基板と蓋とを接合封止する第５
の工程を含むことを特徴とするセラミツクパツケ
ージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9779779A JPS5623756A (en) | 1979-07-31 | 1979-07-31 | Ceramic package and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9779779A JPS5623756A (en) | 1979-07-31 | 1979-07-31 | Ceramic package and manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5623756A JPS5623756A (en) | 1981-03-06 |
| JPS6214098B2 true JPS6214098B2 (ja) | 1987-03-31 |
Family
ID=14201781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9779779A Granted JPS5623756A (en) | 1979-07-31 | 1979-07-31 | Ceramic package and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5623756A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147793A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | Makita Denki Seisakusho:Kk | 電動工具の電池駆動による制御装置 |
| JP2555945Y2 (ja) * | 1992-03-25 | 1997-11-26 | 滋賀ボルト株式会社 | ボルト締付け装置 |
| JP2583469Y2 (ja) * | 1992-03-25 | 1998-10-22 | 滋賀ボルト株式会社 | ボルト締付け装置 |
-
1979
- 1979-07-31 JP JP9779779A patent/JPS5623756A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5623756A (en) | 1981-03-06 |
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