JPS63197345A - 半導体素子のダイスボンデイング方法 - Google Patents
半導体素子のダイスボンデイング方法Info
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- JPS63197345A JPS63197345A JP2804487A JP2804487A JPS63197345A JP S63197345 A JPS63197345 A JP S63197345A JP 2804487 A JP2804487 A JP 2804487A JP 2804487 A JP2804487 A JP 2804487A JP S63197345 A JPS63197345 A JP S63197345A
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- semiconductor element
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- die bonding
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子のダイスボンディング方法に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、以下に示される
ようなものがあった。
ようなものがあった。
第２図は係る従来の半導体素子のダイスボンディング方
法の説明図である。
法の説明図である。
まず、第２図（ａ）に示されるように、半導体素子１の
ダイスボンドされる面には、ボンディング用の電極、例
えば、Ｓｎ２が蒸着されている。
ダイスボンドされる面には、ボンディング用の電極、例
えば、Ｓｎ２が蒸着されている。
次に、第２図（ｂ）に示されるように、ヘッダ＝３を約
３００℃程度までヒータ４により加熱しておく。
３００℃程度までヒータ４により加熱しておく。
その後、第２図（ｃ）に示されるように、半導体素子ｌ
のボンディング用のＳｎ２をヘッダー３の上に載せるこ
とにより、Ｓｎ２が溶けてダイスボンドが行われる。
のボンディング用のＳｎ２をヘッダー３の上に載せるこ
とにより、Ｓｎ２が溶けてダイスボンドが行われる。
上記のダイスボンド工程はＳｎ２の酸化を防ぐために外
部雰囲気は窒素で行われる。
部雰囲気は窒素で行われる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のダイスボンディング方法では、蒸
着しであるＳｎ膜表面に凸凹があるために、半導体素子
１をヘッダー３に載せた際、半導体素子１とヘッダー３
との間に空間が残ってしまう部分が発生する。このため
、ダイスボンド強度及び熱伝導性の点で問題があった。
着しであるＳｎ膜表面に凸凹があるために、半導体素子
１をヘッダー３に載せた際、半導体素子１とヘッダー３
との間に空間が残ってしまう部分が発生する。このため
、ダイスボンド強度及び熱伝導性の点で問題があった。
本発明は、以上述べたガイドボンド時にダイスボンドさ
れる面に空間が残るという問題点を除去し、ダイスボン
ド強度及び熱伝導性の優れた半導体素子のダイスボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。
れる面に空間が残るという問題点を除去し、ダイスボン
ド強度及び熱伝導性の優れた半導体素子のダイスボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、半導体素子を
ヘッダーにダイスボンドする際に、半導体素子のダイス
ボンド用の金属電極を溶かし、その後、ヘッダーにダイ
スボンドを行うようにしたものである。
ヘッダーにダイスボンドする際に、半導体素子のダイス
ボンド用の金属電極を溶かし、その後、ヘッダーにダイ
スボンドを行うようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、半導体素子上のダイスボンド用の金属
電極を、ヘングーと接触する前に溶かし、表面張力によ
り金属電極にまるみを持たせるようにしたため、ヘッダ
ーに対してダイスボンドした際に、ヘングーと半導体素
子の間に空間が発生することがなくなる。従って、ダイ
スボンド強度及び熱伝導性の優れた半導体素子のダイス
ボンドを行うことができる。
電極を、ヘングーと接触する前に溶かし、表面張力によ
り金属電極にまるみを持たせるようにしたため、ヘッダ
ーに対してダイスボンドした際に、ヘングーと半導体素
子の間に空間が発生することがなくなる。従って、ダイ
スボンド強度及び熱伝導性の優れた半導体素子のダイス
ボンドを行うことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体素子のダイスボ
ンディング方法の説明図である。
ンディング方法の説明図である。
まず、第１図（ａ）に示されるように、半導体素子１１
にダイスボンド用の電極材料である５ｎ１２が抵抗加熱
式真空蒸着装置により約１．２μｍの厚さで膜付されて
いる。
にダイスボンド用の電極材料である５ｎ１２が抵抗加熱
式真空蒸着装置により約１．２μｍの厚さで膜付されて
いる。
次に、第１図（ｂ）に示されるように、ヘッダー１３を
ヒータ１４により約３００℃まで加熱しておく。
ヒータ１４により約３００℃まで加熱しておく。
そこで、コレット１５により吸着された半導体素子１１
に対してガラス管１６の中のヒータ１７によって約３０
０℃まで加熱された窒素ガス１８を吹きつける。
に対してガラス管１６の中のヒータ１７によって約３０
０℃まで加熱された窒素ガス１８を吹きつける。
これにより、第１図（ｃ）に示されるように、半導体素
子１１上の５ｎ１２が溶けて、表面張力によりまるみを
おびた表面状態となる。
子１１上の５ｎ１２が溶けて、表面張力によりまるみを
おびた表面状態となる。
その後、第１図（ｄ）に示されるように、ヘングー１３
に半導体素子１１をダイスボンドし、ヒータ１４の温度
を下げることにより、半導体素子１１のダイスボンドを
終了する。
に半導体素子１１をダイスボンドし、ヒータ１４の温度
を下げることにより、半導体素子１１のダイスボンドを
終了する。
なお、上記実施例においては、電極材料をＳｎとしたが
、例えば、Ａｕ−３ｎ共品合金などであってもよい。
、例えば、Ａｕ−３ｎ共品合金などであってもよい。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
素子上のダイスボンド用の金属電極を、ヘングーと接触
する前に溶かし、表面張力により金属電極にまるみを持
たせであるため、ヘッダーに対してダイスボンドした際
に、ヘッダーと半導体素子間に空間が発生することはな
い。従って、ダイスボンド強度及び熱伝導性の優れた半
導体素子のダイスボンドを行うことができる。
素子上のダイスボンド用の金属電極を、ヘングーと接触
する前に溶かし、表面張力により金属電極にまるみを持
たせであるため、ヘッダーに対してダイスボンドした際
に、ヘッダーと半導体素子間に空間が発生することはな
い。従って、ダイスボンド強度及び熱伝導性の優れた半
導体素子のダイスボンドを行うことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体素子のダイスボ
ンディング方法の説明図、第２図は従来の半導体素子の
ダイスボンディング方法の説明図である。 １１・・・半４体素子、１２・・・Ｓｎ（ダイスボンド
用の電極）、１３・・・ヘッダー、１４．１７・・・ヒ
ータ、１５・・・コレット、１６・・・ガラス管、１８
・・・窒素ガス。
ンディング方法の説明図、第２図は従来の半導体素子の
ダイスボンディング方法の説明図である。 １１・・・半４体素子、１２・・・Ｓｎ（ダイスボンド
用の電極）、１３・・・ヘッダー、１４．１７・・・ヒ
ータ、１５・・・コレット、１６・・・ガラス管、１８
・・・窒素ガス。
Claims (3)
- （１） （ａ）半導体素子にダイスボンド用の金属電極を膜付す
る工程と、 （ｂ）該膜付けされた金属電極を溶融し、表面張力によ
りまるみを持たせる工程と、 （ｃ）該金属電極をヘッダーにダイスボンドを行う工程
とを有することを特徴とする半導体素子のダイスボンデ
ィング方法。 - （２）前記（ｂ）工程における金属電極の溶融は窒素の
熱風によることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体素子のダイスボンディング方法。 - （３）前記金属電極はＳｎからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体素子のダイスボンディ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2804487A JPS63197345A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 半導体素子のダイスボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2804487A JPS63197345A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 半導体素子のダイスボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197345A true JPS63197345A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12237744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2804487A Pending JPS63197345A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 半導体素子のダイスボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63197345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110016A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008010545A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて素子の接合面全面を基板に接合する方法 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP2804487A patent/JPS63197345A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007110016A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008010545A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Mitsubishi Materials Corp | Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いて素子の接合面全面を基板に接合する方法 |
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