JPS5998538A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5998538A JPS5998538A JP20617882A JP20617882A JPS5998538A JP S5998538 A JPS5998538 A JP S5998538A JP 20617882 A JP20617882 A JP 20617882A JP 20617882 A JP20617882 A JP 20617882A JP S5998538 A JPS5998538 A JP S5998538A
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- Japan
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- sealing
- cap
- lead frame
- sealed
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 16
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- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 12
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特に、低融点封止材料
により半導体素子なパッケージ内に封止する半導体装置
の製造方法に関する。
により半導体素子なパッケージ内に封止する半導体装置
の製造方法に関する。
一般に、集積回路（ｔＣ）または大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）の如き半導体装置の製造においては、半導体素子の
封止のための方式の例として、リードフレームに取り付
けた半導体素子を低融点ガラスによりセラミックパッケ
ージのペースとキャップとの間に封止する方式と、セラ
ミックペースまたはキャップの上に設置した半導体素子
なキャップまたはベースにより封止する方式とがある。
Ｉ）の如き半導体装置の製造においては、半導体素子の
封止のための方式の例として、リードフレームに取り付
けた半導体素子を低融点ガラスによりセラミックパッケ
ージのペースとキャップとの間に封止する方式と、セラ
ミックペースまたはキャップの上に設置した半導体素子
なキャップまたはベースにより封止する方式とがある。
前者の方式により製造される半導体装置は通常ＤＩＬ−
Ｇ型中導体装置と呼ばれ、後者の方式によるものは通常
Ｄ Ｌ Ｌ−Ｃ型半導体装置と呼ばれている。
Ｇ型中導体装置と呼ばれ、後者の方式によるものは通常
Ｄ Ｌ Ｌ−Ｃ型半導体装置と呼ばれている。
ところで、このようなりＬＬ−Ｕまたは１）ＩＬ−Ｃ型
中導体装置の製造工程のうち、封止工程においては、従
来、Ｉｔ図に示すように、セラミックよりなるパッケー
ジのベース２な取り付けたリードフレームｌを逆転状部
とし、予め封止用の低融点ガラス４な被着して封止治具
５の凹部内に位置決めして設置されたセラミックのキャ
ップ３の上に置き、封止治具５と一緒に図示しない封止
炉内に送り込んで封圧を行なっている。
中導体装置の製造工程のうち、封止工程においては、従
来、Ｉｔ図に示すように、セラミックよりなるパッケー
ジのベース２な取り付けたリードフレームｌを逆転状部
とし、予め封止用の低融点ガラス４な被着して封止治具
５の凹部内に位置決めして設置されたセラミックのキャ
ップ３の上に置き、封止治具５と一緒に図示しない封止
炉内に送り込んで封圧を行なっている。
しかしながら、この従来方法では、封止される各字導体
装置のペースＪＰΦヤップ等ヲ個別的に封止治具の所定
位置にセットする必要があるので。
装置のペースＪＰΦヤップ等ヲ個別的に封止治具の所定
位置にセットする必要があるので。
作業性、生産性が悪い上に、封止治具な使用しているた
め、治具による封止ずれや封止不足等を生じるという問
題がある。また、封止炉も封止治具の分だけ熱容置を太
き（する必要があり、構造が大型化し、コストも高くな
る等の問題点がある。
め、治具による封止ずれや封止不足等を生じるという問
題がある。また、封止炉も封止治具の分だけ熱容置を太
き（する必要があり、構造が大型化し、コストも高くな
る等の問題点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、封止
治具を用いる必要なく、簡単かつ容易に封止操作を行な
うことのできる牛導体装置の製造方法ケ提供することに
ある。
治具を用いる必要なく、簡単かつ容易に封止操作を行な
うことのできる牛導体装置の製造方法ケ提供することに
ある。
以下、本発明な図面に示す一実施例にしたがって詳細に
説明する。
説明する。
第２図は本発明による字導体装置の製造方法の一実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
本実施例におけるリードフレームは外枠１１を持つフラ
ット状の多連式のリードフレーム１０であり、このリー
ドフレーム１０に取り付けられたパッケージのベース１
３のキャビティ部分に牛導体素子１２な取り付けて、パ
ッケージのベースとキャップとの間な封止するＤＩＬ−
Ｇ型牛導体装瞳に用いる例である。
ット状の多連式のリードフレーム１０であり、このリー
ドフレーム１０に取り付けられたパッケージのベース１
３のキャビティ部分に牛導体素子１２な取り付けて、パ
ッケージのベースとキャップとの間な封止するＤＩＬ−
Ｇ型牛導体装瞳に用いる例である。
このリードフレーム１０は、第２図にＡで示す工程まで
はフラット状態であり、パッケージのベース１３の取付
け、リードフレーム付け、ペレット付１、ワイヤボンデ
ィングの諸工程を順次終了している。その後、工程已に
おいて両側のリードビン部分１４を図示の如く所定の角
変に折り曲げ、またリードフレーム１０のインナーリー
ド部分１５および牛導体素子１２等の被封正領域の上に
、予め下面周囲に封止用の低融点ガラス１７を塗布した
セラミックのキャップ１６を上方から載置する。
はフラット状態であり、パッケージのベース１３の取付
け、リードフレーム付け、ペレット付１、ワイヤボンデ
ィングの諸工程を順次終了している。その後、工程已に
おいて両側のリードビン部分１４を図示の如く所定の角
変に折り曲げ、またリードフレーム１０のインナーリー
ド部分１５および牛導体素子１２等の被封正領域の上に
、予め下面周囲に封止用の低融点ガラス１７を塗布した
セラミックのキャップ１６を上方から載置する。
このキャププ載置状郭のリードフレーム１０は外枠１１
％：図示しないシュートのガイド溝の中に摺動自在に保
持させた状態で、図示しない送りビンにより封止工程Ｃ
に送られる。すなわち、工程Ｃでは、リードフレーム１
０は、予め下面周囲に低融点ガラス１７１に塗布したキ
ャップ１６を被封止領域の上に載せたセット状態のまま
で、外枠１１なシュートのガイド溝に沿って摺動させな
がら。
％：図示しないシュートのガイド溝の中に摺動自在に保
持させた状態で、図示しない送りビンにより封止工程Ｃ
に送られる。すなわち、工程Ｃでは、リードフレーム１
０は、予め下面周囲に低融点ガラス１７１に塗布したキ
ャップ１６を被封止領域の上に載せたセット状態のまま
で、外枠１１なシュートのガイド溝に沿って摺動させな
がら。
図示しない封止炉の中に連続的に送り込まれるうなお、
前記シュートの代わりに炉内ベルト及びベルトに設けら
れているガイドビンを用いて前記リードフレーム１０な
どな搬送してもよいつ封止炉の中では、加熱によってキ
ャップ１６の下面周囲の低融点ガラスＩ７が溶融し、そ
の後に冷却されるととＫより、キャップ１６はリードフ
レーム１０の被封止領域を挾んだ状態でベース１３に対
して封着され、中導体素子１２はパッケージ内に気密封
止される。
前記シュートの代わりに炉内ベルト及びベルトに設けら
れているガイドビンを用いて前記リードフレーム１０な
どな搬送してもよいつ封止炉の中では、加熱によってキ
ャップ１６の下面周囲の低融点ガラスＩ７が溶融し、そ
の後に冷却されるととＫより、キャップ１６はリードフ
レーム１０の被封止領域を挾んだ状態でベース１３に対
して封着され、中導体素子１２はパッケージ内に気密封
止される。
したがって１本実施例によれば、リードフレーム１０は
リードビン部分１４な折り曲げ、かつ外枠１１１に図示
しないシェードのガイド溝内に保持することにより、予
め封止用の低融点ガラス１７を下面周囲に塗布したキャ
ップ１６を該リードフレーム１０の被封止領域の上に載
置したままの状態すなわち第２図の工程Ｃの状態で、連
続的に封止炉（図示せず）の中に送り込まれ、封止炉内
で低融点ガラス１７な溶解させて気密封止を行なう。
リードビン部分１４な折り曲げ、かつ外枠１１１に図示
しないシェードのガイド溝内に保持することにより、予
め封止用の低融点ガラス１７を下面周囲に塗布したキャ
ップ１６を該リードフレーム１０の被封止領域の上に載
置したままの状態すなわち第２図の工程Ｃの状態で、連
続的に封止炉（図示せず）の中に送り込まれ、封止炉内
で低融点ガラス１７な溶解させて気密封止を行なう。
その結果、従来のように、１１！々の中導体装置につい
て封止治具の所定位置にパッケージのベース。
て封止治具の所定位置にパッケージのベース。
キャップおよびリードフレームを位置決めしてセットす
る必要がなく、作業性、生産性が大巾に向上するの入な
らず、封止治具の使用に伴なって生じる封止ずれや封止
不足等の不良の発生はなくなり、また封止炉の熱容置の
低減や小型化な実現することができる。
る必要がなく、作業性、生産性が大巾に向上するの入な
らず、封止治具の使用に伴なって生じる封止ずれや封止
不足等の不良の発生はなくなり、また封止炉の熱容置の
低減や小型化な実現することができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
外枠のない折曲げ状の連続フレームを用いてもよく、ま
た封止加熱部に設置された個別フレーム上に直接キャッ
プを載せたり、あるいは封止加熱部上に設置されたキャ
ップ上に個別フレームを直接載せて封正炉の中に供給し
てもよい、さらに１本発明はＤＩＬ−Ｃ型中導体装置の
封止のために適用することもでき、この場合、パッケー
ジのキャップまたはベースな、！Ｐ導体素子取付後のベ
ースまたはキャップの上に載置した状態のまま封止炉内
に供給して気密封止な行なうつ本発明における低融点封
止材料としては、低融点ガラス以外の材料を用いること
もできるつ以上説明したように１本発明によれば、パッ
ケージの封止のために特別な封止治具を用いる必要がな
く１作業性や生産性な著しく向上させることができ、ま
た封止ずれや封止不足の如き封止不良を低減することが
でき、さらに封止炉の熱容量の低減および小型化な実現
することができる。
外枠のない折曲げ状の連続フレームを用いてもよく、ま
た封止加熱部に設置された個別フレーム上に直接キャッ
プを載せたり、あるいは封止加熱部上に設置されたキャ
ップ上に個別フレームを直接載せて封正炉の中に供給し
てもよい、さらに１本発明はＤＩＬ−Ｃ型中導体装置の
封止のために適用することもでき、この場合、パッケー
ジのキャップまたはベースな、！Ｐ導体素子取付後のベ
ースまたはキャップの上に載置した状態のまま封止炉内
に供給して気密封止な行なうつ本発明における低融点封
止材料としては、低融点ガラス以外の材料を用いること
もできるつ以上説明したように１本発明によれば、パッ
ケージの封止のために特別な封止治具を用いる必要がな
く１作業性や生産性な著しく向上させることができ、ま
た封止ずれや封止不足の如き封止不良を低減することが
でき、さらに封止炉の熱容量の低減および小型化な実現
することができる。
第１図は従来方法におけるＤＥＬ−Ｇ型中導体装置の封
止工程な示す説明図、 第２図は本発明による中導体装置の製造方法の一実施例
な示すＤＩＬ−Ｇ型中導体装置の封止工程な示す斜視図
である。 １０・・・リードフレーム、１１・゛・外枠、１２・・
・中導体素子、１３・・・パッケージのベース、１４・
・・リードビン部分、１５・・・インナーリード部分、
１６・・・キャップ、１７・・・低融点ガラス。 第 １ 図 第 ２ 図
止工程な示す説明図、 第２図は本発明による中導体装置の製造方法の一実施例
な示すＤＩＬ−Ｇ型中導体装置の封止工程な示す斜視図
である。 １０・・・リードフレーム、１１・゛・外枠、１２・・
・中導体素子、１３・・・パッケージのベース、１４・
・・リードビン部分、１５・・・インナーリード部分、
１６・・・キャップ、１７・・・低融点ガラス。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 リードフレームまたはパッケージに取り付けた半
導体素子を低融点封止材料により封止する半導体装置の
製造方法において、低融点封止材料を被着したパッケー
ジのキャップまたはペースをリードフレームまたはパッ
ケージのベースまたはキャップの上に載置したまま封止
炉内に供給して封止することを特徴とする半導体装置の
製造方法つ２、 リードフレームが外枠付きのリードフ
レームであり、このリードフレームのリードピン部分な
折り曲げた状態で外枠な保持しながら供給することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造
方法。 ３、リードフレームが折曲げ状のリードフレームである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20617882A JPS5998538A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20617882A JPS5998538A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998538A true JPS5998538A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16519100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20617882A Pending JPS5998538A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235451U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-07 | ||
| US5093281A (en) * | 1988-07-13 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | method for manufacturing semiconductor devices |
| EP0857355A1 (en) * | 1996-08-28 | 1998-08-12 | Motorola, Inc. | A glass/metal package and method for producing the same |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20617882A patent/JPS5998538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093281A (en) * | 1988-07-13 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | method for manufacturing semiconductor devices |
| JPH0235451U (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-07 | ||
| EP0857355A1 (en) * | 1996-08-28 | 1998-08-12 | Motorola, Inc. | A glass/metal package and method for producing the same |
| EP0857355A4 (en) * | 1996-08-28 | 1999-06-09 | Motorola Inc | GLASS / METAL PACKAGING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
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