JPS61108140A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPS61108140A
JPS61108140A JP59230752A JP23075284A JPS61108140A JP S61108140 A JPS61108140 A JP S61108140A JP 59230752 A JP59230752 A JP 59230752A JP 23075284 A JP23075284 A JP 23075284A JP S61108140 A JPS61108140 A JP S61108140A
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JP
Japan
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heat block
solder
lead frame
semiconductor chip
block cover
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Pending
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JP59230752A
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English (en)
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Shigeki Kobayashi
茂樹 小林
Takeshi Miyase
宮瀬　武
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造装置に関し、例えばソル
ダーを用いてリードフレーム上に半導体チップを接続す
るグイボンド装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来のグイボンド装置のうち、リードフレーム
の半導体チップ接続領域に、供給したソルダーを高温で
溶融して半導体チップの接続を行う部分であるグイボン
ド部の断面図を示す。図において、ｌは半導体チソ・プ
、３は半導体チップ１が接続されるリードフレーム、７
はソルダー、２は半導体チップｌを吸着してリードフレ
ーム３上まで駆動し、更にリードフレーム３のソルダー
７上に半導体チップ１を供給する吸着コレット、４はリ
ードフレーム３上に供給されたソルダー７を高温で溶融
するためのヒートブロック、５は半導体チップ１の供給
口５ａを有し、供給されたソルダー７を溶融する際に、
大気を遮閉してソルダー７溶融のための良好な雰囲気を
作るためのヒートブロックカバー、６はヒートブロック
カバー５を上下するためのブロックカバー軸、８はヒー
トブロック４又はヒートブロックカバー５に形成され、
ダイボンド部内にリードフレーム３を供給しこれを送出
するためのトンネル部である。
従来のダイボンド装置において、リードフレーム３に供
給されたソルダー７を介して、該リードフレーム３と半
導体チップ１との接続を行う場合は次のようになされる
。
前工程において、リードフレーム３の半導体チップ１の
接続を行う領域に半田が供給され、該リードフレーム３
上がレール等を介し、トンネル部８からダイボンド装置
のダイボンド部に供給されると、ヒートブロックカバー
５がこれに連結されたヒートブロックカバー軸６によっ
て下降され、リードフレーム３の半導体チップ１の接続
部を大気から遮閉する。次いで半導体チップ１を吸着し
た吸着コレット２が下降し、該チップ１がチップ供給口
５ａからダイボンド部に供給される。この時リードフレ
ーム３上に供給されたソルダー７は、昇温されたヒート
ブロック４の熱によって溶融状態となっており、リード
フレーム３と半導体チップ１とはソルダー７を介して接
続される。リードフレーム３と半導体チップ１との接続
が終了すると、吸着コレット２が上昇し、次いでヒート
ブロックカバー５がヒートブロックカバー軸６によって
」１昇されると、リードフレーム３がダイボンド装置の
リードフレーム送り機構によって１ピッチ進められ、そ
の後上記と同じ動作が繰り返し行なわれる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第３図に示す上記のような従来のダイボンド装置では、
ヒートブロックカバー５を上下に駆動するようにしてい
るので、リードフレーム３に供給されたソルダー７は大
気雰囲気で溶融されることとなり、そのために溶融した
ソルダー７の表面には酸化皮膜が形成され、リードフレ
ーム３に供給される半導体チップｌは、ソルダー７の酸
化皮膜を介してリードフレーム３と接続される。その結
果、リードフレーム３と半導体チップ１との接続として
、機械的かつ電気的に満足し得るような接続が得られな
いという問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、半導体チップとリードフレームとを機械的かつ電気
的に良好に接続することのできる半導体装置の製造装置
を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明による半導体装置の製造装置は、ヒートブロッ
クに、チップ供給口が形成されたヒートブロックカバー
を固定し、ヒートブロックとヒートブロックカバーとで
形成される室に、ガスを供を、供給ガスによる雰囲気が
一様になるように略半球状に形成したものである。
〔作用〕
この発明においては、リードフレーム上に供給されたソ
ルダーの溶融時には供給ガスによって所望の雰囲気を形
成することが可能であり、その結果ソルダー表面に酸化
皮膜が形成されることなく、ソルダーが溶融される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例による半導体装置
の製造装置を示す。図において、第３図と同一符号は同
図と同一のものを示し、９はヒートブロック４に固定さ
れ、内部形状が供給ガスによる雰囲気が一様になるよう
に略半球状に形成されたヒートブロックカバー、１０は
ヒートブロック４とヒートブロックカバー９とで形成さ
れたダイボンド室、９ａはヒートブロックカバー９に形
成され、グイボンド室１０内に半導体チップ１を供給す
るためのチップ供給口、１１はグイボンド室１０にリー
ドフレーム３を供給しこれを送出するためのトンネル部
、１２はダイボンド室１０内にガスを供給するためのガ
ス供給孔である。ここで供給ガスとしては主として窒素
ガスを使用するが、非酸化性のガスであれば窒素ガス以
外のものであってもよい。
上記のように構成されたダイボンド装置では、ヒートブ
ロックカバー９はヒートブロック４に固定されており、
固定されたヒートブロックカバー９とヒートブロック４
とで形成されるダイボンド室１０内には常に所望のガス
が供給されている。
従ってソルダー７の溶融、半導体チップｌを吸着した吸
着コレット２のリードフレーム３−１の下降。
及び半導体チップ１とリードフレーム３との溶融ソルダ
ー７を介しての接続は全て所望の雰囲気で行なわれる。
なお、リードフレーム３の供給送出動作及び半導体チッ
プ１の供給動作は従来とほぼ同様であり、容易に理解で
きるので、その詳細な説明は省略する。
以上のような本実施例の装置では、ヒートブロックカバ
ーをヒートブロックに固定するとともに、ヒートブロッ
クカバーの内部形状を略半球状に形成して供給ガスによ
り一様の雰囲気を保つようにしたので、リードフレーム
に供給されたソルダーを所望の雰囲気にて溶融でき、リ
ードフレームと半導体チップとを機械的及び電気的に良
好に接続、　できる。
なお、上記実施例ではグイボンド装置について説明した
か、本発明はこれに限らず、広く外部電極に半導体チッ
プの接続を行うことを目的とする半導体装置の製造装置
に利用できることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明に係る半導体装置の製造装置によ
れば、ヒートブロックカバーをヒートブロックに固定し
、両者によって形成される室に非酸化性ガスを供給する
ようにしたので、ソルダー表面に酸化皮膜が生成するの
を防止でき、半導体チップと外部電極とを機械的かつ電
気的に良好に接続できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造装
置の概略断面図、第２図は上記装置の要部平面図、第３
図は従来のグイボンド装置の断面図である。 図において、１は半導体チップ、３はリードフレーム、
４はヒートブロック、７はソルダー、９はヒートブロッ
クカバー、９ａはチップ供給口、１０はダイポンド室、
１１はトンネル部、１２はガス供給孔である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　　弁理士　　早　瀬　憲　− 第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体チップと外部電極とをソルダーを介して接
    続する半導体装置の製造装置において、ソルダーを溶融
    させ得るに十分な温度に加熱するヒートブロックと、該
    ヒートブロックに固定され内部形状が略半球状に形成さ
    れたヒートブロックカバーと、上記ヒートブロックとヒ
    ートブロックカバーとによって形成される室内に非酸化
    性のガスを供給するためのガス供給孔と、上記室内に上
    記外部電極を供給しこれを送出するためのトンネル部と
    、上記ヒートブロックカバーに形成され上記室内に上記
    半導体チップを供給するためのチップ供給口とを備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
JP59230752A 1984-11-01 1984-11-01 半導体装置の製造装置 Pending JPS61108140A (ja)

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