JPH0645377A - 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法Info
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- JPH0645377A JPH0645377A JP21723692A JP21723692A JPH0645377A JP H0645377 A JPH0645377 A JP H0645377A JP 21723692 A JP21723692 A JP 21723692A JP 21723692 A JP21723692 A JP 21723692A JP H0645377 A JPH0645377 A JP H0645377A
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- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数個のチップを並列にダイボンドする際
に、先に実装したチップが反り返るのを抑制する。 【構成】 半導体チップを吸着して取り扱うための吸着
治具において、コレット本体１００に熱電対２，抵抗体
３を設け、コレット自体の熱でもってダイボンド時の半
田を溶融する。 【効果】 チップ単位で加熱冷却するため、先にダイボ
ンドしたチップに熱が加わらず、熱による反りを抑制す
ることができ、また反りを抑制するためのチップ押さえ
つけ作業等が不要となることから、ダイボンド時間の短
縮を図ることができる。
に、先に実装したチップが反り返るのを抑制する。 【構成】 半導体チップを吸着して取り扱うための吸着
治具において、コレット本体１００に熱電対２，抵抗体
３を設け、コレット自体の熱でもってダイボンド時の半
田を溶融する。 【効果】 チップ単位で加熱冷却するため、先にダイボ
ンドしたチップに熱が加わらず、熱による反りを抑制す
ることができ、また反りを抑制するためのチップ押さえ
つけ作業等が不要となることから、ダイボンド時間の短
縮を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップ実装部
分にチップを実装するために用いられるコレットと呼ば
れる吸着治具を備えた半導体製造装置、及び半導体チッ
プ用パッケージの構造並びにチップ実装方法に関するも
のである。
分にチップを実装するために用いられるコレットと呼ば
れる吸着治具を備えた半導体製造装置、及び半導体チッ
プ用パッケージの構造並びにチップ実装方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図７は半導体チップをパッケージの実装
部分に実装する際に、該チップを支承するのに用いられ
るコレットと呼ばれる吸着治具の先端部の斜視図であ
る。図において、１はコレット本体を示し、支持棒１ｂ
の先端に吸着ヘッド１ａを有する構造となっている。該
吸着ヘッド１ａはその底面が、その周辺部を残して彫り
込んだ構造となっており、この彫り込み部分がチップを
吸着するための吸着部１４となっている。この吸着部１
４は、吸着すべきチップ形状にあわせて形成されてい
る。また吸着部１４の中央部分には、該吸着部１ａ，支
持棒１ｂを貫通して形成されたバキュームホール９が開
口している。
部分に実装する際に、該チップを支承するのに用いられ
るコレットと呼ばれる吸着治具の先端部の斜視図であ
る。図において、１はコレット本体を示し、支持棒１ｂ
の先端に吸着ヘッド１ａを有する構造となっている。該
吸着ヘッド１ａはその底面が、その周辺部を残して彫り
込んだ構造となっており、この彫り込み部分がチップを
吸着するための吸着部１４となっている。この吸着部１
４は、吸着すべきチップ形状にあわせて形成されてい
る。また吸着部１４の中央部分には、該吸着部１ａ，支
持棒１ｂを貫通して形成されたバキュームホール９が開
口している。
【０００３】また、図８(a) は半導体チップをパッケー
ジのダイパッド部と呼ばれるチップ搭載領域にダイボン
ドした状態のパッケージ断面図である。図において、４
は例えば、本体にセラミック等の絶縁部材が用いられ、
その表面に金属（図示せず）がメタライズされた半導体
パッケージ本体であり、その内側底面はダイボンドが行
われるダイパッド部４ａとなっている。このダイパッド
部４ａの表面には共晶合金半田１１を介して、極薄Ｇａ
Ａｓ基板１２の裏面に金めっき層１０を形成してなる半
導体チップ２０が固着されている。また、１５はダイボ
ンド時のチップ２０の反り量を示す。
ジのダイパッド部と呼ばれるチップ搭載領域にダイボン
ドした状態のパッケージ断面図である。図において、４
は例えば、本体にセラミック等の絶縁部材が用いられ、
その表面に金属（図示せず）がメタライズされた半導体
パッケージ本体であり、その内側底面はダイボンドが行
われるダイパッド部４ａとなっている。このダイパッド
部４ａの表面には共晶合金半田１１を介して、極薄Ｇａ
Ａｓ基板１２の裏面に金めっき層１０を形成してなる半
導体チップ２０が固着されている。また、１５はダイボ
ンド時のチップ２０の反り量を示す。
【０００４】次に動作について説明する。コレット１は
半導体チップ２０のキャリアあるいはパッケージ等への
実装時に、半導体チップ２０を吸着部１４内に位置さ
せ、この状態でバキュームホール９を介して真空吸着
し、半導体チップ２０を１チップずつ搬送する。しかし
図８(a) に示される様に、例えば厚み約３０μm 程度の
極薄ＧａＡｓ基板１２に金メッキ層１０を形成した構造
を有する半導体チップ２０を、ダイパッド部４ａにＡｕ
Ｓｕ半田材１１などによりダイボンドする場合には、通
常、ＧａＡｓ基板１２と金メッキ層１０との熱膨張率の
差があるために、ダイポンド時のダイパッド部４ａの加
熱でチップ反り量１５が生ずる。しかるに従来例では図
８(b) に示すように、半導体チップ２０をコレット１を
用いてダイパッド部４ａに移載した後、反り防止の為に
コレット１によりＧａＡｓ基板１２を押圧した状態で冷
却することにより、チップ２０の反りを抑圧するように
していた。
半導体チップ２０のキャリアあるいはパッケージ等への
実装時に、半導体チップ２０を吸着部１４内に位置さ
せ、この状態でバキュームホール９を介して真空吸着
し、半導体チップ２０を１チップずつ搬送する。しかし
図８(a) に示される様に、例えば厚み約３０μm 程度の
極薄ＧａＡｓ基板１２に金メッキ層１０を形成した構造
を有する半導体チップ２０を、ダイパッド部４ａにＡｕ
Ｓｕ半田材１１などによりダイボンドする場合には、通
常、ＧａＡｓ基板１２と金メッキ層１０との熱膨張率の
差があるために、ダイポンド時のダイパッド部４ａの加
熱でチップ反り量１５が生ずる。しかるに従来例では図
８(b) に示すように、半導体チップ２０をコレット１を
用いてダイパッド部４ａに移載した後、反り防止の為に
コレット１によりＧａＡｓ基板１２を押圧した状態で冷
却することにより、チップ２０の反りを抑圧するように
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
のコレット、及び半導体パッケージは以上の様に構成さ
れているので、パッケージなどに同種の半導体チップを
複数個並べて接着する必要がある場合には、ダイパット
全体が加熱されているため先に半田付けした半導体チッ
プが、後の半導体チップのダイボンド時に反ってしま
い、ダイボンド不良が生じるという問題点があった。
のコレット、及び半導体パッケージは以上の様に構成さ
れているので、パッケージなどに同種の半導体チップを
複数個並べて接着する必要がある場合には、ダイパット
全体が加熱されているため先に半田付けした半導体チッ
プが、後の半導体チップのダイボンド時に反ってしま
い、ダイボンド不良が生じるという問題点があった。
【０００６】また、このような場合には、次のチップを
実装する前に、先に実装したチップを治具等を用いて抑
え、それから次のチップをダイボンドする方法も採られ
ているが、このような方法では作業時間が長くなり、ま
た一旦実装したチップの半田が溶融することから、各チ
ップ間距離にばらつきがでるなどの問題点があった。
実装する前に、先に実装したチップを治具等を用いて抑
え、それから次のチップをダイボンドする方法も採られ
ているが、このような方法では作業時間が長くなり、ま
た一旦実装したチップの半田が溶融することから、各チ
ップ間距離にばらつきがでるなどの問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、複数個のチップを隣接して実装
する場合に、先に実装したチップが反り返ったり、位置
ズレすることがなく、かつダイボンド時間を短縮するこ
とができる半導体製造装置、及び半導体パッケージを得
ることを目的としており、さらにこれに適したチップの
実装方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、複数個のチップを隣接して実装
する場合に、先に実装したチップが反り返ったり、位置
ズレすることがなく、かつダイボンド時間を短縮するこ
とができる半導体製造装置、及び半導体パッケージを得
ることを目的としており、さらにこれに適したチップの
実装方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、半導体チップを吸着して取り扱うための吸着
治具において、吸着ヘッドを加熱する発熱体を備えたも
のである。
造装置は、半導体チップを吸着して取り扱うための吸着
治具において、吸着ヘッドを加熱する発熱体を備えたも
のである。
【０００９】また、この発明に係る半導体パッケージ
は、ダイパッド部の各チップ搭載領域毎に発熱体を埋設
したものである。
は、ダイパッド部の各チップ搭載領域毎に発熱体を埋設
したものである。
【００１０】さらに、この発明に係るチップ実装方法
は、電源供給用パッドを有する吸着治具を用い、ダイボ
ンド時に上記電源供給用パッドから、各チップ搭載領域
毎に埋設された発熱体に電流を供給して当該チップ搭載
領域を加熱するようにしたものである。
は、電源供給用パッドを有する吸着治具を用い、ダイボ
ンド時に上記電源供給用パッドから、各チップ搭載領域
毎に埋設された発熱体に電流を供給して当該チップ搭載
領域を加熱するようにしたものである。
【００１１】
【作用】この発明においては、吸着治具に発熱体を設け
たから、あるいはダイパッド部のチップ搭載領域毎に発
熱体を設けたから、ダイボンド時にチップ単位の加熱冷
却により半田付けが行われ、ダイボンド済みのチップに
ついては加熱が行われないため半田が再溶融することな
く、チップの反りが生じない。
たから、あるいはダイパッド部のチップ搭載領域毎に発
熱体を設けたから、ダイボンド時にチップ単位の加熱冷
却により半田付けが行われ、ダイボンド済みのチップに
ついては加熱が行われないため半田が再溶融することな
く、チップの反りが生じない。
【００１２】また、電源供給用パッドを有する吸着治具
を用いてチップ搭載領域毎に埋設された発熱体に電流を
供給して加熱することで、容易かつ効率よくダイボンド
作業を行うことができる。
を用いてチップ搭載領域毎に埋設された発熱体に電流を
供給して加熱することで、容易かつ効率よくダイボンド
作業を行うことができる。
【００１３】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１は本発明の実施例による温度調節機
能を備えたコレットを示す断面図であり、図７と同一符
号は同一または相当部分を示し、１００は材質として例
えばタングステンカーバイト等が用いられたコレット本
体であり、該コレットの吸着ヘッド１ａ，支持棒１ｂ内
部には、例えばニクロム線よりなる発熱抵抗体３が埋設
されており、これにより吸着部１４近傍に熱を供給でき
る構造となっている。また該発熱体３の温度を検出する
ために、例えばアルメルークロメル対にからなる熱電対
２が設けられている。
いて説明する。図１は本発明の実施例による温度調節機
能を備えたコレットを示す断面図であり、図７と同一符
号は同一または相当部分を示し、１００は材質として例
えばタングステンカーバイト等が用いられたコレット本
体であり、該コレットの吸着ヘッド１ａ，支持棒１ｂ内
部には、例えばニクロム線よりなる発熱抵抗体３が埋設
されており、これにより吸着部１４近傍に熱を供給でき
る構造となっている。また該発熱体３の温度を検出する
ために、例えばアルメルークロメル対にからなる熱電対
２が設けられている。
【００１４】次に動作について説明する。上記抵抗体３
に直流電流を流し、熱電対２でコレット本体１の温度を
測定しつつ、コレット本体１の温度を一定に保つ（例え
ば３００°Ｃ）。
に直流電流を流し、熱電対２でコレット本体１の温度を
測定しつつ、コレット本体１の温度を一定に保つ（例え
ば３００°Ｃ）。
【００１５】次にバキュームホール９から吸引を行い、
吸着部１４にチップ（図示せず）上面を吸着させる。そ
して予めダイボンドを行う位置に塗布していた、例えば
ＡｕＳｕ共晶合金半田（Ａｕ；８０％，Ｓｕ；２０％の
重量パーセント）の上にチップを圧着し共晶合金半田を
溶融させて接合する。
吸着部１４にチップ（図示せず）上面を吸着させる。そ
して予めダイボンドを行う位置に塗布していた、例えば
ＡｕＳｕ共晶合金半田（Ａｕ；８０％，Ｓｕ；２０％の
重量パーセント）の上にチップを圧着し共晶合金半田を
溶融させて接合する。
【００１６】その後、チップの吸引を止め、さらにコレ
ット１への通電を停止し、冷却するまでまって、半田が
固まってからコレットをチップからはなし、次のダイボ
ンド作業へとうつる。
ット１への通電を停止し、冷却するまでまって、半田が
固まってからコレットをチップからはなし、次のダイボ
ンド作業へとうつる。
【００１７】このように本実施例によれば、コレット本
体１００に発熱抵抗体３を埋設させ、コレット自体の熱
によって半田を溶融してダイボンドを行うようにしたか
ら、ダイボンド時の熱は当該半導体チップのみに加わ
り、隣接する先に半田付けされた半導体チップに及ぶこ
とがなく、ダイボンド不良が生じることがなくなる。ま
た、従来のように、先にダイボンドしたチップを抑えて
から次のチップをダイボンドするのに比べ、１つのチッ
プをダイボンドした後すぐに次のチップのダイボンド工
程に移ることができ、作業時間の短縮を図ることができ
る。さらに、一旦実装したチップの半田が溶融すること
がないので、ダイボンド後の各チップ間の距離のバラツ
キが低減される。
体１００に発熱抵抗体３を埋設させ、コレット自体の熱
によって半田を溶融してダイボンドを行うようにしたか
ら、ダイボンド時の熱は当該半導体チップのみに加わ
り、隣接する先に半田付けされた半導体チップに及ぶこ
とがなく、ダイボンド不良が生じることがなくなる。ま
た、従来のように、先にダイボンドしたチップを抑えて
から次のチップをダイボンドするのに比べ、１つのチッ
プをダイボンドした後すぐに次のチップのダイボンド工
程に移ることができ、作業時間の短縮を図ることができ
る。さらに、一旦実装したチップの半田が溶融すること
がないので、ダイボンド後の各チップ間の距離のバラツ
キが低減される。
【００１８】実施例２．次に本発明の実施例による半導
体パッケージを図２に基づいて説明する。図２はパッケ
ージのダイパッド部をチップ接着面方向から見た平面図
であり、図において、４０はパッケージ本体を示し、そ
の内周面には段部４０ａが形成されており、該段部４０
ａ内側底面部がダイパッド部４ａとなっている。５はそ
のダイパッド部４ａ中に埋め込まれた発熱用抵抗体であ
り、例えばニクロム線等の材質よりなるものである。さ
らにこの発熱抵抗体５はパッケージ４０のダイパッド部
４ａから段部４０ａの上面近傍付近まで延在して形成さ
れており、上記段部４０ａ上面にて絶縁体１７を介して
配置された給電用パッド１３と接続されている。また、
上記段部４０ａには、ダイパッド部４ａに実装されたチ
ップからの信号線ワイヤを接続するための信号線用電極
１６が絶縁体１７を介して形成されている。
体パッケージを図２に基づいて説明する。図２はパッケ
ージのダイパッド部をチップ接着面方向から見た平面図
であり、図において、４０はパッケージ本体を示し、そ
の内周面には段部４０ａが形成されており、該段部４０
ａ内側底面部がダイパッド部４ａとなっている。５はそ
のダイパッド部４ａ中に埋め込まれた発熱用抵抗体であ
り、例えばニクロム線等の材質よりなるものである。さ
らにこの発熱抵抗体５はパッケージ４０のダイパッド部
４ａから段部４０ａの上面近傍付近まで延在して形成さ
れており、上記段部４０ａ上面にて絶縁体１７を介して
配置された給電用パッド１３と接続されている。また、
上記段部４０ａには、ダイパッド部４ａに実装されたチ
ップからの信号線ワイヤを接続するための信号線用電極
１６が絶縁体１７を介して形成されている。
【００１９】次に実装方法について説明する。半導体チ
ップをダイボンドしようとする領域の給電用パッド１３
に、外部電源と接続された電源ライン（ともに図示せ
ず）を接続し、当該領域の抵抗体５へ直流電流を流し、
あらかじめダイパッド部４ａ上に塗布された共晶合金半
田の融点、例えばＡｕＳｕ（Ａｕ８０％，Ｓｕ２０％の
重量パーセント）のものでは２８０°Ｃよりも１０°Ｃ
程度の高めの温度まで加熱して半田を溶解させ、その
後、従来と同様のコレット（図７参照）を用いてチップ
を半田上に配置し、上記直流電流の供給を停止して、コ
レットでチップを抑えた状態で冷却して接合する。そし
て次のチップを実装する際には、異なるチップ搭載領域
に対して上記同様の処理を行い、複数個のチップを並列
して実装する。このようにすることで上記実施例１と同
様の効果を奏することができる。
ップをダイボンドしようとする領域の給電用パッド１３
に、外部電源と接続された電源ライン（ともに図示せ
ず）を接続し、当該領域の抵抗体５へ直流電流を流し、
あらかじめダイパッド部４ａ上に塗布された共晶合金半
田の融点、例えばＡｕＳｕ（Ａｕ８０％，Ｓｕ２０％の
重量パーセント）のものでは２８０°Ｃよりも１０°Ｃ
程度の高めの温度まで加熱して半田を溶解させ、その
後、従来と同様のコレット（図７参照）を用いてチップ
を半田上に配置し、上記直流電流の供給を停止して、コ
レットでチップを抑えた状態で冷却して接合する。そし
て次のチップを実装する際には、異なるチップ搭載領域
に対して上記同様の処理を行い、複数個のチップを並列
して実装する。このようにすることで上記実施例１と同
様の効果を奏することができる。
【００２０】実施例３．次に上記実施例２の半導体パッ
ケージを用いた他の実装方法を図３，図４に基づいて説
明する。図３は本実施例に用いられるコレットの断面図
を示し、図４はその斜視図を示す。図に示すように、１
０１はコレット本体を示し、その吸着ヘッド１ａ上面部
には、例えばセラミック等の絶縁板８を介して給電用電
極６が設けられており、該電極６にはコレット本体内に
設けられた銅等の給電用電源ライン７が接続されてい
る。なお、この給電用電源ライン７は、例えばセラミッ
ク等の絶縁体（図示せず）によってコレット本体１０１
とは絶縁されている。
ケージを用いた他の実装方法を図３，図４に基づいて説
明する。図３は本実施例に用いられるコレットの断面図
を示し、図４はその斜視図を示す。図に示すように、１
０１はコレット本体を示し、その吸着ヘッド１ａ上面部
には、例えばセラミック等の絶縁板８を介して給電用電
極６が設けられており、該電極６にはコレット本体内に
設けられた銅等の給電用電源ライン７が接続されてい
る。なお、この給電用電源ライン７は、例えばセラミッ
ク等の絶縁体（図示せず）によってコレット本体１０１
とは絶縁されている。
【００２１】次に実装方法について説明する。図３及び
図４に示したコレット１０１の２本の給電用電源ライン
７は外部の電源（図示せず）と接続されており、その一
本は電源の＋端子，もう一本は−端子へと接続されてい
る。このコレット１０１を用いてチップを吸着し、図２
に示したパッケージ４０にチップを移載する。図５はそ
の時のコレットとパッケージとの様子を示す図であり、
図に示すように、チップ２０を吸着したコレット１０１
をパッケージ４０のダイボンド部４ａに位置させた時
に、コレット１０１の給電用電極６が、パッケージ４０
の段差部４０ａに形成された給電用パッド１３に接触
し、これにより、当該領域の抵抗体５へ直流電流が通電
され、抵抗体５が発熱し、あらかじめダイパッド部４ａ
上に配置されていた共晶合金半田１１が溶融され、この
状態で電流の供給を停止して冷却することによりチップ
２０とダイパッド部４ａが接合される。
図４に示したコレット１０１の２本の給電用電源ライン
７は外部の電源（図示せず）と接続されており、その一
本は電源の＋端子，もう一本は−端子へと接続されてい
る。このコレット１０１を用いてチップを吸着し、図２
に示したパッケージ４０にチップを移載する。図５はそ
の時のコレットとパッケージとの様子を示す図であり、
図に示すように、チップ２０を吸着したコレット１０１
をパッケージ４０のダイボンド部４ａに位置させた時
に、コレット１０１の給電用電極６が、パッケージ４０
の段差部４０ａに形成された給電用パッド１３に接触
し、これにより、当該領域の抵抗体５へ直流電流が通電
され、抵抗体５が発熱し、あらかじめダイパッド部４ａ
上に配置されていた共晶合金半田１１が溶融され、この
状態で電流の供給を停止して冷却することによりチップ
２０とダイパッド部４ａが接合される。
【００２２】このように、コレット側に給電用電極６を
設けることで、ダイボンド時に自動的に当該領域の抵抗
体５へ電流が供給されるようになり、容易に所望とする
抵抗体５に電流を供給し、発熱させることができる。
設けることで、ダイボンド時に自動的に当該領域の抵抗
体５へ電流が供給されるようになり、容易に所望とする
抵抗体５に電流を供給し、発熱させることができる。
【００２３】実施例４．なお、上記実施例３では、加熱
手段を有さないコレット１０１を用いてチップの吸着を
行うようにしたが、図１に示した構造のコレットに、給
電用電極及び電源ラインを設けたものを用いるようにし
てもよい。図６はその時のコレットとパッケージとの様
子を示す図であり、図に示すように、発熱体３，熱電対
２，給電用電極６，電源ライン７を有するコレット１０
２を用いて半導体チップ２０を吸引し、これをパッケー
ジ４０のダイパッド部４ａに配置した際に、給電用電極
６が給電用パッド１３に接触するように設計されてい
る。
手段を有さないコレット１０１を用いてチップの吸着を
行うようにしたが、図１に示した構造のコレットに、給
電用電極及び電源ラインを設けたものを用いるようにし
てもよい。図６はその時のコレットとパッケージとの様
子を示す図であり、図に示すように、発熱体３，熱電対
２，給電用電極６，電源ライン７を有するコレット１０
２を用いて半導体チップ２０を吸引し、これをパッケー
ジ４０のダイパッド部４ａに配置した際に、給電用電極
６が給電用パッド１３に接触するように設計されてい
る。
【００２４】従来の技術でも説明したように、ＧａＡｓ
と金メッキとは熱膨張係数が異なる為、チップは反って
しまう（図８(a) 参照）。よってダイパッド全体を加熱
してダイボンドを行うと先にダイボンドされたチップ
は、熱により半田が溶けてしまい、平坦にダイボンドさ
れていたチップは反ってしまい、チップがパッド部４か
ら剥離することがある。
と金メッキとは熱膨張係数が異なる為、チップは反って
しまう（図８(a) 参照）。よってダイパッド全体を加熱
してダイボンドを行うと先にダイボンドされたチップ
は、熱により半田が溶けてしまい、平坦にダイボンドさ
れていたチップは反ってしまい、チップがパッド部４か
ら剥離することがある。
【００２５】しかるにコレット１０２の抵抗体３で前述
のＡｕＳｕ共晶合金半田の共晶点（融点）２８０°より
も低い温度、例えば２６０°まで加熱する一方、このコ
レット１０２をダイパッド４ａの抵抗体５上に配置され
た共晶合金半田１１上方に配置した際に、ダイパッド部
４に埋設された抵抗体５が導通し、チップ２０とダイパ
ッド部４との接触部分の温度を２８０°Ｃより高い温度
（例えば３１０°Ｃ）に加熱するように温度設定を行う
ことにより、より速く半田１１の溶融を行うことがで
き、ダイボンド時間の短縮を図ることができる。
のＡｕＳｕ共晶合金半田の共晶点（融点）２８０°より
も低い温度、例えば２６０°まで加熱する一方、このコ
レット１０２をダイパッド４ａの抵抗体５上に配置され
た共晶合金半田１１上方に配置した際に、ダイパッド部
４に埋設された抵抗体５が導通し、チップ２０とダイパ
ッド部４との接触部分の温度を２８０°Ｃより高い温度
（例えば３１０°Ｃ）に加熱するように温度設定を行う
ことにより、より速く半田１１の溶融を行うことがで
き、ダイボンド時間の短縮を図ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ダイ
ボンド時にチップ単位で加熱，冷却してチップが実装さ
れるため、先にダイボンドしたチップの半田が溶融する
ことがなく、ダイボンド時の熱によるチップの反りが抑
制され、また反り防止のための処理等を行う必要がなく
なるため、ダイボンド時間を短縮することができる効果
がある。
ボンド時にチップ単位で加熱，冷却してチップが実装さ
れるため、先にダイボンドしたチップの半田が溶融する
ことがなく、ダイボンド時の熱によるチップの反りが抑
制され、また反り防止のための処理等を行う必要がなく
なるため、ダイボンド時間を短縮することができる効果
がある。
【００２７】また、一旦ダイボンドしたチップの半田が
溶融しないため、ダイボンド時にチップ位置がずれるこ
とがなく、ダイボンド後の各チップ間距離のバラツキを
低減できる効果がある。
溶融しないため、ダイボンド時にチップ位置がずれるこ
とがなく、ダイボンド後の各チップ間距離のバラツキを
低減できる効果がある。
【図１】この発明による半導体製造装置の温度調節機能
を備えたコレットの断面図。
を備えたコレットの断面図。
【図２】この発明による半導体パッケージの平面図。
【図３】上記半導体パッケージを用いた他の実装方法を
説明するためのコレットの側断面図。
説明するためのコレットの側断面図。
【図４】上記コレットの斜視図。
【図５】上記コレットを用いたダイボンド時のコレット
と半導体パッケージの様子を示す図。
と半導体パッケージの様子を示す図。
【図６】上記温度調整機能及び給電用電極を備えたコレ
ットを用いて、抵抗体を有する半導体パッケージにダイ
ボンドを行う際の様子を示す図。
ットを用いて、抵抗体を有する半導体パッケージにダイ
ボンドを行う際の様子を示す図。
【図７】従来の半導体製造装置のコレットを示す図。
【図８】従来の半導体パッケージにチップをダイボンド
した時の様子及びダイボンドする時の様子を示す図。
した時の様子及びダイボンドする時の様子を示す図。
１ａ 吸着ヘッド １ｂ 支持棒 ２ 熱電対 ３ 抵抗体 ４ａ ダイパッド ５ 抵抗体 ６ 給電用電極 ７ 電源ライン ８ 絶縁板 ９ バキュームホール １０ 金メッキ層 １１ 共晶合金半田 １２ ＧａＡｓ基板 １３ 給電用パッド １４ 吸着部 １５ チップ反り量 ２０ 半導体チップ ４０ 半導体パッケージ ４０ａ 段部 １００ コレット本体 １０１ コレット本体 １０２ コレット本体
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップを吸着し、これをパッケー
ジのダイパッド部に移載するための吸着治具を備えた半
導体製造装置において、 上記吸着治具は、 上記半導体チップを吸着して保持するための吸着ヘッド
と、 該吸着ヘッドを加熱するための発熱体とを備えているこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置におい
て、 上記発熱体の温度を測定する熱電対を設けたことを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 半導体チップを搭載するダイパッド部を
有する半導体パッケージにおいて、 上記ダイパッド部のチップ搭載領域に相当する各領域毎
にそれぞれ発熱体を埋設したことを特徴とする半導体パ
ッケージ。 - 【請求項４】 半導体チップを搭載するダイパッド部
の、チップ搭載領域に相当する領域毎に発熱体を有する
半導体パッケージに半導体チップを実装する方法であっ
て、 電源供給用パッドを有する吸着治具を用いて半導体チッ
プを吸着し、 上記チップ搭載領域に上記半導体チップを移載したとき
に、上記電源供給用パッドから当該チップ搭載領域の発
熱体に電流を供給して当該チップ搭載領域の半田を溶融
して上記半導体チップを固着させることを特徴とするチ
ップ実装方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のチップ実装方法におい
て、 上記吸着治具を所定の温度に加熱した状態で上記半導体
チップの移載を行うことを特徴とするチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21723692A JPH0645377A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21723692A JPH0645377A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645377A true JPH0645377A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16700988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21723692A Pending JPH0645377A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645377A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6142356A (en) * | 1998-05-12 | 2000-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Die bonding apparatus |
| KR100562453B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2006-03-21 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 |
| JP2008091960A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の実装方法 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP21723692A patent/JPH0645377A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6142356A (en) * | 1998-05-12 | 2000-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Die bonding apparatus |
| KR100562453B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2006-03-21 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 |
| JP2008091960A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の実装方法 |
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