JP2008091960A - 半導体レーザ装置の実装方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008091960A JP2008091960A JP2007338492A JP2007338492A JP2008091960A JP 2008091960 A JP2008091960 A JP 2008091960A JP 2007338492 A JP2007338492 A JP 2007338492A JP 2007338492 A JP2007338492 A JP 2007338492A JP 2008091960 A JP2008091960 A JP 2008091960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser element
- collet
- submount
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Abstract
【解決手段】加熱したコレット4で半導体レーザ素子1を保持して半導体レーザ素子の温度差を解消する。コレットの加熱を行わずに、接合部材の一部が凝固した時に半導体レーザ素子を解放してもよい。また、コレットの先端面を半導体レーザ素子よりも大きくし、半導体レーザ素子の反りを押え込む。また、コレットの半導体レーザ素子との接触部分近傍を熱伝導率の低い材質としてもよい。半導体レーザ素子の接合面の長軸辺近傍のみを接合部材で接合してもよい。共晶半田よりも融点の低い材質の接合部材を用いてもよい。
【選択図】図1
Description
サブマウントを載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあたり、
前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する時にコレットの半導体レーザ素子と接触する面部分の面積が前記半導体レーザ素子のコレットと接触される面部分の面積よりも大きいコレットを用い、前記半導体レーザ素子の接触される面部分を前記コレットの接触する面部分に内包されるように構成されていることを特徴とする。
図1は本発明の実施の形態1による半導体レーザ装置の実装方法を模式的に示す。半導体レーザ装置は、発光部を備えた半導体レーザ素子1と、半導体レーザ素子1を搭載するサブマウント2と、半導体レーザ素子1とサブマウント2を接合する接合部材3とによって構成されている。
図2は本発明の実施の形態2を示す側面図である。半導体レーザ装置の構成については実施の形態1と、基本的な実装方法については従来の実装方法の場合と同様である。本実施の形態2が実施の形態1と異なるのは、実施の形態1では半導体レーザ素子1の残留応力を減少させるためにコレット4によって半導体レーザ素子1を保持する前に、コレット4を接合部材3の融点以上まで加熱し、且つ冷却時にテーブル5及びコレット4の加熱を同時に終了させているのに対し、本実施の形態2では冷却時に、接合部材3の一部が凝固した状態で半導体レーザ素子1をコレット4から解放させる点である。
図3は本発明の実施の形態3を示す側面図である。半導体レーザ装置の構成については実施の形態1と、基本的な実装方法については従来の実装方法と同様である。本実施の形態が上記実施の形態1、2と異なるのは、コレット4の半導体レーザ素子1と接触する面部分の面積を半導体レーザ素子1のコレット4と接触される面部分の面積よりも大きくし、コレット4が半導体レーザ素子1を真空吸着した時に半導体レーザ素子1の接触面がコレット4の接触する面部分に内包されるようにした点にある。
図4は、本発明の実施の形態4を示す側面図及びその高さ方向における温度分布を示す図である。半導体レーザ装置の構成は実施の形態1と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同様である。本実施の形態4が上記実施の形態1、2、3と異なるのは、コレット4の半導体レーザ素子1との接触部分近傍に熱伝導率の低い材質を使用している点である。
図5は、本発明の実施の形態5を示す斜視図である。半導体レーザ装置の構成は実施の形態1と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同様である。本実施の形態5が上記他の実施の形態と異なるのは、半導体レーザ素子1の接合面においてその長軸辺近傍にのみ接合部材3を使用し、残部、即ち左右の接合部材3の間には低接合性の伝熱部材7を介在させている点である。
次に、本発明の実施の形態6について説明する。半導体レーザ装置の構成は実施の形態1と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同様である。本実施の形態6が上記他の実施の形態と異なるのは、接合部材3に共晶半田よりも融点の低い材質を使用している点である。
2 サブマウント
3 接合部材
31 接合部材(高融点)
32 接合部材(低融点)
4 コレット
5 テーブル
6 発熱コイル
7 伝熱部材
Claims (9)
- サブマウントを載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあたり、
前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する時にコレットの半導体レーザ素子と接触する面部分の面積が前記半導体レーザ素子のコレットと接触される面部分の面積よりも大きいコレットを用い、前記半導体レーザ素子の接触される面部分を前記コレットの接触する面部分に内包されるように構成されていることを特徴とする、半導体レーザ装置の実装方法。 - 前記テーブル及びコレットの加熱時に前記コレットを前記テーブルよりも高い温度に加熱し、前記半導体レーザ素子の冷却時に前記接合部材が完全に凝固するまで前記コレットを前記テーブルよりも高い温度に維持することを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する前に、前記半導体レーザ素子を前記コレットと実質的に同一の温度まで加熱することを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記接合部材の一部が凝固した時に前記半導体レーザ素子を前記コレットから解放することを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記接合部材は、融点の異なる複数の材質から構成されていることを特徴とする、請求項4記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記コレットによる前記半導体レーザ素子の押圧中に、強制空冷によって前記接合部材の一部を凝固させることを特徴とする、請求項4記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する時に、コレットの半導体レーザ素子と接触する面部分のうち、前記半導体レーザ素子との接触部分近傍が熱伝導率の低い材質からなるコレットを用いることを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記半導体レーザ素子の接合面のうち、その長軸辺近傍を前記接合部材で接合し、残部に低接合性の伝熱部材を介在させることを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
- 前記接合部材は、共晶半田よりも融点の低い材質であることを特徴とする、請求項1記載の半導体レーザ装置の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007338492A JP4850172B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007338492A JP4850172B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001354758A Division JP4087594B2 (ja) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091960A true JP2008091960A (ja) | 2008-04-17 |
JP4850172B2 JP4850172B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=39375690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007338492A Expired - Fee Related JP4850172B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体レーザ装置の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4850172B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119637A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光半導体装置の製造方法 |
JP2015122536A (ja) * | 2015-02-27 | 2015-07-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
WO2016143493A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03171640A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Sharp Corp | 半導体チップの接合装置 |
JPH0425137A (ja) * | 1990-05-19 | 1992-01-28 | Kawasaki Steel Corp | ダイボンディング方法 |
JPH04127491A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-04-28 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JPH0645377A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 |
JPH07326636A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | チップボンディング装置およびチップボンディング方法 |
-
2007
- 2007-12-28 JP JP2007338492A patent/JP4850172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03171640A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Sharp Corp | 半導体チップの接合装置 |
JPH0425137A (ja) * | 1990-05-19 | 1992-01-28 | Kawasaki Steel Corp | ダイボンディング方法 |
JPH04127491A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-04-28 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JPH0645377A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 |
JPH07326636A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | チップボンディング装置およびチップボンディング方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119637A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 光半導体装置の製造方法 |
US10328511B2 (en) | 2010-12-03 | 2019-06-25 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Laser apparatus with capacitor disposed in vicinity of laser diode |
JP2015122536A (ja) * | 2015-02-27 | 2015-07-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
WO2016143493A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及びその製造方法 |
JPWO2016143493A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2017-06-22 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4850172B2 (ja) | 2012-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9158078B2 (en) | Laser module | |
JP5622721B2 (ja) | 少なくとも一つの半導体素子、特に、レーザ素子または発光ダイオード素子を有する熱伝達デバイス、およびその組立方法 | |
JP2010166019A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH10223986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20170018906A1 (en) | High-power laser diode packaging method and laser diode module | |
JP2012199358A (ja) | チップ加熱ヘッド | |
JP2010278364A (ja) | 半導体装置 | |
JP4850172B2 (ja) | 半導体レーザ装置の実装方法 | |
JP4087594B2 (ja) | 半導体レーザ装置の実装方法 | |
US8553736B2 (en) | Laser device and method for manufacturing same | |
WO2017126035A1 (ja) | レーザ光源装置およびその製造方法 | |
JP2008205326A (ja) | サブマウント及びこれを用いた半導体装置 | |
US20120082176A1 (en) | Conduction cooled package laser and packaging method for forming the same | |
US7223617B2 (en) | Semiconductor laser device and a method of mounting a semiconductor laser component on a submount | |
JP2005535142A (ja) | 冷却エレメントを備えた半導体装置 | |
JP2010199251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007208065A (ja) | 光モジュール | |
US20050127144A1 (en) | Method of mounting a semiconductor laser component on a submount | |
JP2010027942A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2002217480A (ja) | 半導体レーザ装置の実装方法 | |
US20120248598A1 (en) | Semiconductor bonding apparatus | |
TWI504027B (zh) | 光源模組及其製造方法 | |
US20140097232A1 (en) | Bonding method and production method | |
JPWO2020031944A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007242842A (ja) | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |