JP2008205326A - サブマウント及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このサブマウント10は、サブマウント基板11と、サブマウント基板11の上面上に形成され、半導体レーザ素子20を接合するための半田層14と、半田層14よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板11と半田層14との間に形成されたスペーサ層15とを備えている。このスペーサ層15は、Ni(ニッケル)から構成されているとともに、半田層14は、共晶系はんだ材であるAuSnから構成されている。また、半田層14の上面の所定領域には、スペーサ層15によって、段差部14aが形成されている。
【選択図】図11
Description
2 主フレーム
3 副フレーム
4 フレーム
5 樹脂部材
10 サブマウント
11 サブマウント基板
12 上部金属膜
13 下部金属膜
14 半田層(接合層)
14a 段差部
15 スペーサ層
20 半導体レーザ素子(半導体素子)
20a 上部電極
20b 下部電極
30 ヒータステージ
40 ピックアップコレット
50 半導体レーザ装置(半導体装置)
Claims (7)
- サブマウント基板と、
前記サブマウント基板の主表面上に形成され、半導体素子を接合するための接合層とを備え、
溶融前の前記接合層には、段差部が形成されていることを特徴とする、サブマウント。 - 前記接合層よりも小さい平面積を有するスペーサ層をさらに備え、
前記スペーサ層が、前記サブマウント基板と前記接合層との間に形成されることによって、前記接合層に前記段差部が形成されることを特徴とする、請求項1に記載のサブマウント。 - サブマウント基板と、
前記サブマウント基板の主表面上に形成され、半導体素子を接合するための接合層と、
前記接合層よりも小さい平面積を有するとともに、前記サブマウント基板と前記接合層との間に形成されたスペーサ層とを備えることを特徴とする、サブマウント。 - 前記スペーサ層は、前記接合層よりも融点が高い材料から構成されていることを特徴とする、請求項2または3に記載のサブマウント。
- 前記接合層は、共晶系はんだ材から構成されており、
前記スペーサ層は、Pt、Ni、Pd、および、Agからなる群より選択された少なくとも1つの物質を含む材料から構成されていることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか1項に記載のサブマウント。 - 前記サブマウント基板と前記接合層との間には、1または2以上の前記スペーサ層が形成されていることを特徴とする、請求項2〜5のいずれか1項に記載のサブマウント。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のサブマウントと、
前記サブマウント上に固定される半導体素子とを備えることを特徴とする、半導体装置。
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