JP2003037324A - 半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法 - Google Patents
半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ・アレイ装置を構成する各半導
体レーザ素子の発光点の高さがサブマウントの接合面に
対して同じようになるような構成を備えた半導体レーザ
・アレイ装置を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ・アレイ装置５０は、半
田層２２を介してサブマウント１８上に接合してなる半
導体レーザ・アレイ本体１６を有し、半田層中にスペー
サボール５２が分散配置されていることを除いて、従来
の半導体レーザ・アレイ装置１０と同じ構成である。本
装置では、半田より融点が高く、かつ半田層の所定厚さ
と同じ直径の３個以上のＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 製のス
ペーサボールが、半田層内に分散して配置され、それぞ
れが、アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接
触している。アレイ本体とサブマウントとの接合に際し
て、半田層は、厚さがスペーサボールにより規制され、
アレイ本体をサブマウントに対して押圧した際、従来の
ように、半田層の半田が移動してサブマウントの接合面
の周辺に偏在し、アレイ本体が変形するようなことが生
じない。
体レーザ素子の発光点の高さがサブマウントの接合面に
対して同じようになるような構成を備えた半導体レーザ
・アレイ装置を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ・アレイ装置５０は、半
田層２２を介してサブマウント１８上に接合してなる半
導体レーザ・アレイ本体１６を有し、半田層中にスペー
サボール５２が分散配置されていることを除いて、従来
の半導体レーザ・アレイ装置１０と同じ構成である。本
装置では、半田より融点が高く、かつ半田層の所定厚さ
と同じ直径の３個以上のＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 製のス
ペーサボールが、半田層内に分散して配置され、それぞ
れが、アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接
触している。アレイ本体とサブマウントとの接合に際し
て、半田層は、厚さがスペーサボールにより規制され、
アレイ本体をサブマウントに対して押圧した際、従来の
ように、半田層の半田が移動してサブマウントの接合面
の周辺に偏在し、アレイ本体が変形するようなことが生
じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ・ア
レイ装置及びその作製方法に関し、更に詳細には、半導
体レーザ・アレイ装置を構成する各半導体レーザ素子の
発光領域の高さがサブマウントの接合面に対して同じよ
うになるような構成を備えた半導体レーザ・アレイ装
置、及びその作製方法に関するものである。
レイ装置及びその作製方法に関し、更に詳細には、半導
体レーザ・アレイ装置を構成する各半導体レーザ素子の
発光領域の高さがサブマウントの接合面に対して同じよ
うになるような構成を備えた半導体レーザ・アレイ装
置、及びその作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】医療用レーザ、機械加工用レーザ、或い
は大画面表示装置として注目されているレーザディスプ
レイでは、光源として高光出力の半導体レーザ装置が必
要とされていて、そのために、半導体レーザ素子をバー
状に配列した半導体レーザ・アレイ装置の利用が考えら
れている。
は大画面表示装置として注目されているレーザディスプ
レイでは、光源として高光出力の半導体レーザ装置が必
要とされていて、そのために、半導体レーザ素子をバー
状に配列した半導体レーザ・アレイ装置の利用が考えら
れている。
【０００３】図５及び図６を参照して、一般的な高出力
半導体レーザ・アレイ装置の構造を説明する。図５は高
出力半導体レーザ・アレイ装置の構造を示す斜視図、及
び図６は半導体レーザ・アレイ本体の構成を示す斜視図
である。高出力の半導体レーザ・アレイ装置１０は、そ
れぞれ、発光領域１２（図６参照）を有する複数個の半
導体レーザ素子１４（図６参照）をバー状に配置した半
導体レーザアレイ・本体１６と、半導体レーザ・アレイ
本体１６を接合した導電性サブマウント１８と、サブマ
ウント１８の下に設けられた導電性ヒートシンク２０と
から構成されている。半導体レーザ・アレイ本体１６の
下側電極面には、Ａｕ（金）等の金属蒸着膜からなるｐ
側電極が設けてある。一方、サブマウント１８の接合面
には、導電性の接合材、例えばＡｕＳｎなどの厚さ数μ
ｍ、例えば約１〜５μｍの半田層２２が設けてある。そ
して、ｐ側電極と半田層２２を介して半導体レーザ・ア
レイ本体１６はエピサイドダウン方式でサブマウント１
８に接合されている。サブマウント１８とヒートシンク
２０とは、半田層等の接合材２４によって相互に接合さ
れている。
半導体レーザ・アレイ装置の構造を説明する。図５は高
出力半導体レーザ・アレイ装置の構造を示す斜視図、及
び図６は半導体レーザ・アレイ本体の構成を示す斜視図
である。高出力の半導体レーザ・アレイ装置１０は、そ
れぞれ、発光領域１２（図６参照）を有する複数個の半
導体レーザ素子１４（図６参照）をバー状に配置した半
導体レーザアレイ・本体１６と、半導体レーザ・アレイ
本体１６を接合した導電性サブマウント１８と、サブマ
ウント１８の下に設けられた導電性ヒートシンク２０と
から構成されている。半導体レーザ・アレイ本体１６の
下側電極面には、Ａｕ（金）等の金属蒸着膜からなるｐ
側電極が設けてある。一方、サブマウント１８の接合面
には、導電性の接合材、例えばＡｕＳｎなどの厚さ数μ
ｍ、例えば約１〜５μｍの半田層２２が設けてある。そ
して、ｐ側電極と半田層２２を介して半導体レーザ・ア
レイ本体１６はエピサイドダウン方式でサブマウント１
８に接合されている。サブマウント１８とヒートシンク
２０とは、半田層等の接合材２４によって相互に接合さ
れている。
【０００４】半導体レーザ・アレイ本体１６の背後に
は、絶縁層２５を介してヒートシンク２０上に導体層２
６が設けられ、半導体レーザ・アレイ本体１６のｎ側電
極が金線等のワイヤ２８によって導体層２６に電気的に
接続されている。そして、ヒートシンク２０と、絶縁層
２５上の導体層２６とを電極とし、それら電極間に電圧
を印加して或る一定の電流を流すことにより、半導体レ
ーザ素子１４は、それぞれ、発光領域１２からレーザビ
ームを出射することができる。
は、絶縁層２５を介してヒートシンク２０上に導体層２
６が設けられ、半導体レーザ・アレイ本体１６のｎ側電
極が金線等のワイヤ２８によって導体層２６に電気的に
接続されている。そして、ヒートシンク２０と、絶縁層
２５上の導体層２６とを電極とし、それら電極間に電圧
を印加して或る一定の電流を流すことにより、半導体レ
ーザ素子１４は、それぞれ、発光領域１２からレーザビ
ームを出射することができる。
【０００５】半導体レーザ・アレイ本体１６は、図６に
示すように、例えば２０個の半導体レーザ素子１４を直
線上に配列したバー状の構造として構成されていて、各
半導体レーザ素子１４の幅を５００μｍ、共振器長を約
１ｍｍとすると、バーの長さは、例えば約１０ｍｍ、バ
ーの幅、つまり共振器長は約１ｍｍである。発光領域１
２は、サブマウント１８との接合面から約５μｍ上にあ
る。
示すように、例えば２０個の半導体レーザ素子１４を直
線上に配列したバー状の構造として構成されていて、各
半導体レーザ素子１４の幅を５００μｍ、共振器長を約
１ｍｍとすると、バーの長さは、例えば約１０ｍｍ、バ
ーの幅、つまり共振器長は約１ｍｍである。発光領域１
２は、サブマウント１８との接合面から約５μｍ上にあ
る。
【０００６】各半導体レーザ素子１４は、図６に示すよ
うに、隣接する半導体レーザ素子との間に分離溝３０が
設けてあって、相互に電気的に絶縁されている。尚、用
途によっては、各半導体レーザ素子１４を相互に電気的
に絶縁する必要がない場合もある。半導体レーザ素子１
４は、それぞれ、ＧａＡｓ基板等のｎ−半導体基板３２
上に設けられたｎ−バッファ層３４、活性層３６、ｐ−
クラッド層３８、及びｐ−コンタクト層４０の積層構造
を備えている。コンタクト層４０上にはｐ側電極４２
が、半導体基板３２の裏面にはｎ側電極４４が設けられ
ている。
うに、隣接する半導体レーザ素子との間に分離溝３０が
設けてあって、相互に電気的に絶縁されている。尚、用
途によっては、各半導体レーザ素子１４を相互に電気的
に絶縁する必要がない場合もある。半導体レーザ素子１
４は、それぞれ、ＧａＡｓ基板等のｎ−半導体基板３２
上に設けられたｎ−バッファ層３４、活性層３６、ｐ−
クラッド層３８、及びｐ−コンタクト層４０の積層構造
を備えている。コンタクト層４０上にはｐ側電極４２
が、半導体基板３２の裏面にはｎ側電極４４が設けられ
ている。
【０００７】次に、図７を参照して、半導体レーザ・ア
レイ装置の組み立て方法を説明する。図７（ａ）から
（ｃ）は、それぞれ、半導体レーザ・アレイ装置を組み
立てる際の半導体レーザ・アレイ本体をサブマウント上
に接合する工程を説明する模式的断面図である。先ず、
図７（ａ）に示すように、サブマウント１８上に厚さ数
μｍの半田層２２を設け、続いてｐ側電極４２を下にし
たエピサイドダウン方式で、半導体レーザ・アレイ本体
１６をサブマウント１８の半田層２２上に位置決めす
る。
レイ装置の組み立て方法を説明する。図７（ａ）から
（ｃ）は、それぞれ、半導体レーザ・アレイ装置を組み
立てる際の半導体レーザ・アレイ本体をサブマウント上
に接合する工程を説明する模式的断面図である。先ず、
図７（ａ）に示すように、サブマウント１８上に厚さ数
μｍの半田層２２を設け、続いてｐ側電極４２を下にし
たエピサイドダウン方式で、半導体レーザ・アレイ本体
１６をサブマウント１８の半田層２２上に位置決めす
る。
【０００８】次いで、図７（ｂ）に示すように、半田層
２２を介して半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウ
ント１８上に載せ、続いて上から半導体レーザ・アレイ
本体１６を押圧しつつホットプレートでサブマウント１
８を加熱して、半田層２２を溶融させる。或いは半導体
レーザ・アレイ本体１６を上から押圧しつつ半導体レー
ザ・アレイ本体１６を載せたサブマウント１８をリフロ
ー炉に送入して、半田層２２を溶融させる。半田層２２
が溶融すると、ホットプレート又はリフロー炉によるサ
ブマウント１８の加熱を停止する。続いて、半導体レー
ザ・アレイ本体１６を上から押圧しつつ放冷して、半田
層２２を固化させると、図７（ｃ）に示すように、サブ
マウント１８上に半導体レーザ・アレイ本体１６をダイ
ボンドすることができる。
２２を介して半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウ
ント１８上に載せ、続いて上から半導体レーザ・アレイ
本体１６を押圧しつつホットプレートでサブマウント１
８を加熱して、半田層２２を溶融させる。或いは半導体
レーザ・アレイ本体１６を上から押圧しつつ半導体レー
ザ・アレイ本体１６を載せたサブマウント１８をリフロ
ー炉に送入して、半田層２２を溶融させる。半田層２２
が溶融すると、ホットプレート又はリフロー炉によるサ
ブマウント１８の加熱を停止する。続いて、半導体レー
ザ・アレイ本体１６を上から押圧しつつ放冷して、半田
層２２を固化させると、図７（ｃ）に示すように、サブ
マウント１８上に半導体レーザ・アレイ本体１６をダイ
ボンドすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
レーザ・アレイ装置の組み立て方法に以下のような問題
があった。つまり、サブマウント１８上に半導体レーザ
・アレイ本体１６を載せ、押圧しつつ加熱している間
に、数μｍの厚さの半田層２２が流動してサブマウント
１８の周辺に偏在する。つまり、図８に示すように、半
導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１８上にダ
イボンドした後で、半田層２２の層厚ムラが発生して半
導体レーザ・アレイ本体１６が反ったように変形し、高
さ方向に高低の異なる半導体レーザ素子１４が存在する
ことになる。
レーザ・アレイ装置の組み立て方法に以下のような問題
があった。つまり、サブマウント１８上に半導体レーザ
・アレイ本体１６を載せ、押圧しつつ加熱している間
に、数μｍの厚さの半田層２２が流動してサブマウント
１８の周辺に偏在する。つまり、図８に示すように、半
導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１８上にダ
イボンドした後で、半田層２２の層厚ムラが発生して半
導体レーザ・アレイ本体１６が反ったように変形し、高
さ方向に高低の異なる半導体レーザ素子１４が存在する
ことになる。
【００１０】この結果、半導体レーザ・アレイ装置とし
て組み立てたとき、各半導体レーザ素子の発光点の高さ
位置がばらつき、高さ方向に数μｍ程度の相違が出る。
このように、数μｍ程度の大きさの高さ方向のバラツキ
が発光点位置に生じると、所定の集光特性が得られず、
光損失が大きくなるという問題があった。
て組み立てたとき、各半導体レーザ素子の発光点の高さ
位置がばらつき、高さ方向に数μｍ程度の相違が出る。
このように、数μｍ程度の大きさの高さ方向のバラツキ
が発光点位置に生じると、所定の集光特性が得られず、
光損失が大きくなるという問題があった。
【００１１】半導体レーザ・アレイ本体をサブマウント
上に接合する際に加える押圧力を大きくして、半導体レ
ーザ・アレイ本体の変形を防止しようとすると、半導体
レーザ・アレイ本体が破損したり、或いはサブマウント
の接合面上の半田材の流れ出しが増大し、半田材が発光
面へ付着して光を吸収したりするなどの不都合が生じ
た。
上に接合する際に加える押圧力を大きくして、半導体レ
ーザ・アレイ本体の変形を防止しようとすると、半導体
レーザ・アレイ本体が破損したり、或いはサブマウント
の接合面上の半田材の流れ出しが増大し、半田材が発光
面へ付着して光を吸収したりするなどの不都合が生じ
た。
【００１２】そこで、本発明の目的は、半導体レーザ・
アレイ装置を構成する各半導体レーザ素子の発光点の高
さがサブマウントの接合面に対して同じようになるよう
な構成を備えた半導体レーザ・アレイ装置、及びその作
製方法を提供することである。
アレイ装置を構成する各半導体レーザ素子の発光点の高
さがサブマウントの接合面に対して同じようになるよう
な構成を備えた半導体レーザ・アレイ装置、及びその作
製方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体レーザ・アレイ装置は、それぞ
れ、レーザ発光領域を有するレーザ構造を半導体基板上
に備えた複数個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置し
た半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントの接合面上
に、接合材層を介して、接合してなる半導体レーザ・ア
レイ装置において、接合材より融点が高く、かつ相互に
同じ形状、同じ寸法の３個以上のスペーサ部材が、接合
材層内に分散して配置され、それぞれが、半導体レーザ
・アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触し
ていることを特徴としている。
に、本発明に係る半導体レーザ・アレイ装置は、それぞ
れ、レーザ発光領域を有するレーザ構造を半導体基板上
に備えた複数個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置し
た半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントの接合面上
に、接合材層を介して、接合してなる半導体レーザ・ア
レイ装置において、接合材より融点が高く、かつ相互に
同じ形状、同じ寸法の３個以上のスペーサ部材が、接合
材層内に分散して配置され、それぞれが、半導体レーザ
・アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触し
ていることを特徴としている。
【００１４】スペーサ部材として、例えば液晶表示装置
の作製に際し、液晶セルのギャップを規制するために使
用する真球状のボール、いわゆるスペーサボール等を使
用することができる。スペーサ部材は、融点が接合材よ
り高い材料である限り材料には制約はなく、例えばＳｉ
Ｏ2 又はＡｌ2 Ｏ3 で形成されている。好適には、スペ
ーサボールの直径が、接合材層の所定厚さと同じ寸法で
ある。これにより、正確に接合材層の厚さを接合面全面
にわたって規制することができる。
の作製に際し、液晶セルのギャップを規制するために使
用する真球状のボール、いわゆるスペーサボール等を使
用することができる。スペーサ部材は、融点が接合材よ
り高い材料である限り材料には制約はなく、例えばＳｉ
Ｏ2 又はＡｌ2 Ｏ3 で形成されている。好適には、スペ
ーサボールの直径が、接合材層の所定厚さと同じ寸法で
ある。これにより、正確に接合材層の厚さを接合面全面
にわたって規制することができる。
【００１５】接合材層の厚さを制御するスペーサ部材
は、スペーサボールに限ることはなく、例えば、円柱
状、又は円筒状のスペーサ部材を横にして、或いは、正
多角形柱状、又は正多角形筒状のスペーサ部材を横にし
て、サブマウントの接合面と半導体レーザ・アレイ本体
の下面との間に分散配置しても良い。
は、スペーサボールに限ることはなく、例えば、円柱
状、又は円筒状のスペーサ部材を横にして、或いは、正
多角形柱状、又は正多角形筒状のスペーサ部材を横にし
て、サブマウントの接合面と半導体レーザ・アレイ本体
の下面との間に分散配置しても良い。
【００１６】更には、接合材より融点が高く、かつ同じ
高さでサブマウントの接合面上に分散して設けてある凸
部であって、凸部の頂部が、それぞれ、半導体レーザ・
アレイ本体の下面と接触し、凸部間のサブマウントの接
合面と半導体レーザ・アレイ本体の下面との間に接合材
が充填され、接合材層を構成しているようにしても良
い。好適には、サブマウントがＳｉＣ又はＣｕ−Ｗ合金
で形成されていて、凸部は、サブマウントをエッチング
することにより形成される。また、凸部の高さが、接合
材層の所定厚さと同じ寸法である。
高さでサブマウントの接合面上に分散して設けてある凸
部であって、凸部の頂部が、それぞれ、半導体レーザ・
アレイ本体の下面と接触し、凸部間のサブマウントの接
合面と半導体レーザ・アレイ本体の下面との間に接合材
が充填され、接合材層を構成しているようにしても良
い。好適には、サブマウントがＳｉＣ又はＣｕ−Ｗ合金
で形成されていて、凸部は、サブマウントをエッチング
することにより形成される。また、凸部の高さが、接合
材層の所定厚さと同じ寸法である。
【００１７】本発明に係る半導体レーザ・アレイ装置
は、エピサイドダウン方式及びエピサイドアップ方式の
双方で半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントに接合
した半導体レーザ・アレイ装置に適用できる。また、端
面発光型半導体レーザ・アレイ装置及び面発光型半導体
レーザ・アレイ装置の双方に適用できる。
は、エピサイドダウン方式及びエピサイドアップ方式の
双方で半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントに接合
した半導体レーザ・アレイ装置に適用できる。また、端
面発光型半導体レーザ・アレイ装置及び面発光型半導体
レーザ・アレイ装置の双方に適用できる。
【００１８】本発明に係る半導体レーザ・アレイ装置の
作製方法（以下、第１の発明方法と言う）は、複数個の
半導体レーザ素子をアレイ状に配置した半導体レーザ・
アレイ本体をサブマウントの接合面上に接合してなる半
導体レーザ・アレイ装置の作製方法であって、サブマウ
ントの接合面上に接合材層を設け、次いで接合材層上に
接合材より融点の高い球形の３個以上のスペーサボール
を分散配置する工程と、スペーサボール上に半導体レー
ザ・アレイ本体を配置する工程と、サブマウントに対し
て半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつつ、接合材層を
加熱して、溶融させ、スペーサボールを半導体レーザ・
アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触させ
る工程と、サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ
本体を押圧しつつ、溶融した接合材を固化させて、半導
体レーザ・アレイ本体とサブマウントとを接合する接合
材層を形成する工程とを有することを特徴としている。
作製方法（以下、第１の発明方法と言う）は、複数個の
半導体レーザ素子をアレイ状に配置した半導体レーザ・
アレイ本体をサブマウントの接合面上に接合してなる半
導体レーザ・アレイ装置の作製方法であって、サブマウ
ントの接合面上に接合材層を設け、次いで接合材層上に
接合材より融点の高い球形の３個以上のスペーサボール
を分散配置する工程と、スペーサボール上に半導体レー
ザ・アレイ本体を配置する工程と、サブマウントに対し
て半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつつ、接合材層を
加熱して、溶融させ、スペーサボールを半導体レーザ・
アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触させ
る工程と、サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ
本体を押圧しつつ、溶融した接合材を固化させて、半導
体レーザ・アレイ本体とサブマウントとを接合する接合
材層を形成する工程とを有することを特徴としている。
【００１９】本発明に係る別の半導体レーザ・アレイ装
置の作製方法（以下、第２の発明方法と言う）は、複数
個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置した半導体レー
ザ・アレイ本体をサブマウントの接合面上に接合してな
る半導体レーザ・アレイ装置の作製方法であって、サブ
マウントの接合面をエッチングして、同じ高さの３個以
上の凸部を分散して設ける工程と、サブマウントの接合
面上に接合材層を設ける工程と、接合材層を介して凸部
上に半導体レーザ・アレイ本体を配置する工程と、サブ
マウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつ
つ、接合材層を加熱して、溶融させ、凸部を半導体レー
ザ・アレイ本体の下面に接触させる工程と、サブマウン
トに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつつ、溶
融した接合材を固化させて、半導体レーザ・アレイ本体
とサブマウントとを接合する接合材層を形成する工程と
を有することを特徴としている。
置の作製方法（以下、第２の発明方法と言う）は、複数
個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置した半導体レー
ザ・アレイ本体をサブマウントの接合面上に接合してな
る半導体レーザ・アレイ装置の作製方法であって、サブ
マウントの接合面をエッチングして、同じ高さの３個以
上の凸部を分散して設ける工程と、サブマウントの接合
面上に接合材層を設ける工程と、接合材層を介して凸部
上に半導体レーザ・アレイ本体を配置する工程と、サブ
マウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつ
つ、接合材層を加熱して、溶融させ、凸部を半導体レー
ザ・アレイ本体の下面に接触させる工程と、サブマウン
トに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧しつつ、溶
融した接合材を固化させて、半導体レーザ・アレイ本体
とサブマウントとを接合する接合材層を形成する工程と
を有することを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。 半導体レーザ・アレイ装置の実施形態例１ 図１は本実施形態例の半導体レーザ・アレイ装置の構成
を示す模式的断面図である。本実施形態例の半導体レー
ザ・アレイ装置５０は、図１に示すように、半田層２２
を介してサブマウント１８の接合面（上面）上に接合し
てなる半導体レーザ・アレイ本体１６を有する半導体レ
ーザ・アレイ装置であって、半田層２２中にスペーサボ
ール５２が分散配置されていることを除いて、従来の半
導体レーザ・アレイ装置１０と同じ構成を備えている。
半導体レーザ・アレイ本体１６は、それぞれ、レーザ発
光領域を有するレーザ構造を半導体基板上に備えた複数
個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置したものであ
る。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。 半導体レーザ・アレイ装置の実施形態例１ 図１は本実施形態例の半導体レーザ・アレイ装置の構成
を示す模式的断面図である。本実施形態例の半導体レー
ザ・アレイ装置５０は、図１に示すように、半田層２２
を介してサブマウント１８の接合面（上面）上に接合し
てなる半導体レーザ・アレイ本体１６を有する半導体レ
ーザ・アレイ装置であって、半田層２２中にスペーサボ
ール５２が分散配置されていることを除いて、従来の半
導体レーザ・アレイ装置１０と同じ構成を備えている。
半導体レーザ・アレイ本体１６は、それぞれ、レーザ発
光領域を有するレーザ構造を半導体基板上に備えた複数
個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置したものであ
る。
【００２１】本実施形態例の半導体レーザ・アレイ装置
５０では、半田より融点が高く、かつ半田層２２の所定
厚さと同じ直径の多数個（３個以上）のＳｉＯ2 又はＡ
ｌ2Ｏ3 製のスペーサボール５２が、半田層２２内に分
散して配置され、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本
体１６の下面とサブマウント１８の接合面とに接触して
いる。
５０では、半田より融点が高く、かつ半田層２２の所定
厚さと同じ直径の多数個（３個以上）のＳｉＯ2 又はＡ
ｌ2Ｏ3 製のスペーサボール５２が、半田層２２内に分
散して配置され、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本
体１６の下面とサブマウント１８の接合面とに接触して
いる。
【００２２】以上の構成により、半導体レーザ・アレイ
本体１６とサブマウント１８との接合に際して、本半導
体レーザ・アレイ装置５０の半田層２２は、厚さがスペ
ーサボール５２により規制され、半導体レーザ・アレイ
本体１６をサブマウント１８に対して押圧した際、従来
のように、半田層２２の半田が移動してサブマウント１
８の接合面の周辺に偏在し、半導体レーザ・アレイ本体
１６が変形するようなことが生じない。よって、半導体
レーザ・アレイ装置５０の各半導体レーザ素子１４の発
光点の高さが、サブマウント１８の接合面に対して一様
であって、ばらつくようなことは生じない。
本体１６とサブマウント１８との接合に際して、本半導
体レーザ・アレイ装置５０の半田層２２は、厚さがスペ
ーサボール５２により規制され、半導体レーザ・アレイ
本体１６をサブマウント１８に対して押圧した際、従来
のように、半田層２２の半田が移動してサブマウント１
８の接合面の周辺に偏在し、半導体レーザ・アレイ本体
１６が変形するようなことが生じない。よって、半導体
レーザ・アレイ装置５０の各半導体レーザ素子１４の発
光点の高さが、サブマウント１８の接合面に対して一様
であって、ばらつくようなことは生じない。
【００２３】半導体レーザ・アレイ装置の実施形態例２
図２は本実施形態例の半導体レーザ・アレイ装置の構成
を示す模式的断面図である。本実施形態例の半導体レー
ザ・アレイ装置６０は、図２に示すように、半田層２２
を介してサブマウント１８の接合面（上面）上に接合し
てなる半導体レーザ・アレイ本体１６を有する半導体レ
ーザ・アレイ装置であって、半田層２２中に凸部６２が
分散配置されていることを除いて、従来の半導体レーザ
・アレイ装置１０と同じ構成を備えている。半導体レー
ザ・アレイ本体１６は、それぞれ、レーザ発光領域を有
するレーザ構造を半導体基板上に備えた複数個の半導体
レーザ素子をアレイ状に配置したものである。
を示す模式的断面図である。本実施形態例の半導体レー
ザ・アレイ装置６０は、図２に示すように、半田層２２
を介してサブマウント１８の接合面（上面）上に接合し
てなる半導体レーザ・アレイ本体１６を有する半導体レ
ーザ・アレイ装置であって、半田層２２中に凸部６２が
分散配置されていることを除いて、従来の半導体レーザ
・アレイ装置１０と同じ構成を備えている。半導体レー
ザ・アレイ本体１６は、それぞれ、レーザ発光領域を有
するレーザ構造を半導体基板上に備えた複数個の半導体
レーザ素子をアレイ状に配置したものである。
【００２４】本実施形態例の半導体レーザ・アレイ装置
６０では、半田層２２の所定厚さと同じ高さの多数個
（３個以上）の凸部６２が、半田層２２内に分散して設
けられ、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本体１６の
下面に接触している。凸部６２は、ＳｉＣ製又はＣｕ−
Ｗ合金製のサブマウント１８の接合面をエッチングして
形成された円柱状の凸部であって、従って、融点が半田
より高い。円柱状の凸部６２に代えて、複数本、例えば
数本のリッジを相互に離隔して設けても良い。
６０では、半田層２２の所定厚さと同じ高さの多数個
（３個以上）の凸部６２が、半田層２２内に分散して設
けられ、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本体１６の
下面に接触している。凸部６２は、ＳｉＣ製又はＣｕ−
Ｗ合金製のサブマウント１８の接合面をエッチングして
形成された円柱状の凸部であって、従って、融点が半田
より高い。円柱状の凸部６２に代えて、複数本、例えば
数本のリッジを相互に離隔して設けても良い。
【００２５】以上の構成により、半導体レーザ・アレイ
本体１６とサブマウント１８との接合に際して、本半導
体レーザ・アレイ装置６０の半田層２２は、厚さが凸部
６２により規制され、半導体レーザ・アレイ本体１６を
サブマウント１８に対して押圧した際、従来のように、
半田層２２の半田が移動してサブマウント１８の接合面
の周辺に偏在し、半導体レーザ・アレイ本体１６が変形
するようなことが生じない。よって、半導体レーザ・ア
レイ装置６０の各半導体レーザ素子１４の発光点の高さ
が一様であって、ばらつくようなことは生じない。
本体１６とサブマウント１８との接合に際して、本半導
体レーザ・アレイ装置６０の半田層２２は、厚さが凸部
６２により規制され、半導体レーザ・アレイ本体１６を
サブマウント１８に対して押圧した際、従来のように、
半田層２２の半田が移動してサブマウント１８の接合面
の周辺に偏在し、半導体レーザ・アレイ本体１６が変形
するようなことが生じない。よって、半導体レーザ・ア
レイ装置６０の各半導体レーザ素子１４の発光点の高さ
が一様であって、ばらつくようなことは生じない。
【００２６】半導体レーザ・アレイ装置の作製方法の実
施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明方法に係る半導体レーザ・
アレイ装置の作製方法を実施形態例１の半導体レーザ・
アレイ装置５０の作製に適用した実施の形態の一例であ
る。図３（ａ）から（ｃ）は、本実施形態例の方法に従
って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の工程毎の
模式的断面図である。先ず、図３（ａ）に示すように、
サブマウント１８上に所定厚さの半田層２２を設け、次
いで半田層２２上に真球状のスペーサボール５２を散布
し、均一な分散で配置する。スペーサボール５２は、Ｓ
ｉＯ2 製又はＡｌ2 Ｏ3 製のスペーサーボール、或いは
ガラスビーズなどと呼ばれる真球状の微細ボールであっ
て、例えば液晶表示装置の液晶セルのギャップを規制す
るため等に使われる。尚、使用するスペーサボール５２
のボール径は、半田層２２の膜厚とほぼ同じ厚さにす
る。
施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明方法に係る半導体レーザ・
アレイ装置の作製方法を実施形態例１の半導体レーザ・
アレイ装置５０の作製に適用した実施の形態の一例であ
る。図３（ａ）から（ｃ）は、本実施形態例の方法に従
って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の工程毎の
模式的断面図である。先ず、図３（ａ）に示すように、
サブマウント１８上に所定厚さの半田層２２を設け、次
いで半田層２２上に真球状のスペーサボール５２を散布
し、均一な分散で配置する。スペーサボール５２は、Ｓ
ｉＯ2 製又はＡｌ2 Ｏ3 製のスペーサーボール、或いは
ガラスビーズなどと呼ばれる真球状の微細ボールであっ
て、例えば液晶表示装置の液晶セルのギャップを規制す
るため等に使われる。尚、使用するスペーサボール５２
のボール径は、半田層２２の膜厚とほぼ同じ厚さにす
る。
【００２７】次いで、図３（ｂ）に示すように、スペー
サボール５２上に半導体レーザ・アレイ本体１６をエピ
サイドダウン方式で載せ、続いて半田層２２の半田材が
溶融する温度までサブマウント１８をホットプレート等
のヒータにより加熱して半田材を溶融させつつ、これと
同時に半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１
８に数十〜数百ｇ／ｃｍ2の押圧力で押し付ける。これ
により、スペーサボール５２は、半田層２２内に埋没し
つつサブマウント１８の接合面及び半導体レーザ・アレ
イ本体１６のｐ側電極４２に接触する。
サボール５２上に半導体レーザ・アレイ本体１６をエピ
サイドダウン方式で載せ、続いて半田層２２の半田材が
溶融する温度までサブマウント１８をホットプレート等
のヒータにより加熱して半田材を溶融させつつ、これと
同時に半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１
８に数十〜数百ｇ／ｃｍ2の押圧力で押し付ける。これ
により、スペーサボール５２は、半田層２２内に埋没し
つつサブマウント１８の接合面及び半導体レーザ・アレ
イ本体１６のｐ側電極４２に接触する。
【００２８】押圧力を加えた状態で冷却することによ
り、スペーサボール５２のボール径に規制されて、図３
（ｃ）に示すように、半導体レーザ・アレイ本体１６と
サブマウント１８とを平行にダイボンドすることができ
る。
り、スペーサボール５２のボール径に規制されて、図３
（ｃ）に示すように、半導体レーザ・アレイ本体１６と
サブマウント１８とを平行にダイボンドすることができ
る。
【００２９】本実施形態例の方法では、サブマウント１
８に半導体レーザ・アレイ本体１６をダイボンドする
際、少し強めに半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマ
ウント１８に押圧しても、スペーサボール５２により規
制されるので、半導体レーザ・アレイ本体１６とサブマ
ウント１８とを所定通り正確にかつ歩留まり良くダイボ
ンドすることができる。また、この半導体レーザ・アレ
イ本体１６をダイボンドしたサブマウント１８を更にヒ
ートシンク等（図示せず）に接合する際には、サブマウ
ント１８のみを均一にヒートシンク等に押し付けること
により、半導体レーザ・アレイ本体１６に負荷を掛ける
ことなく、各半導体レーザ・アレイ素子の発光点高さを
ヒートシンクの面に沿わせて一様にすることができる。
つまり、ヒートシンクの接合面をサブミクロンオーダー
の粗面精度にしておくことで、各半導体レーザ・アレイ
素子の発光点位置の相違を高さ方向に対してサブミクロ
ンの範囲に納めることができる。
８に半導体レーザ・アレイ本体１６をダイボンドする
際、少し強めに半導体レーザ・アレイ本体１６をサブマ
ウント１８に押圧しても、スペーサボール５２により規
制されるので、半導体レーザ・アレイ本体１６とサブマ
ウント１８とを所定通り正確にかつ歩留まり良くダイボ
ンドすることができる。また、この半導体レーザ・アレ
イ本体１６をダイボンドしたサブマウント１８を更にヒ
ートシンク等（図示せず）に接合する際には、サブマウ
ント１８のみを均一にヒートシンク等に押し付けること
により、半導体レーザ・アレイ本体１６に負荷を掛ける
ことなく、各半導体レーザ・アレイ素子の発光点高さを
ヒートシンクの面に沿わせて一様にすることができる。
つまり、ヒートシンクの接合面をサブミクロンオーダー
の粗面精度にしておくことで、各半導体レーザ・アレイ
素子の発光点位置の相違を高さ方向に対してサブミクロ
ンの範囲に納めることができる。
【００３０】半導体レーザ・アレイ装置の作製方法の実
施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明方法に係る半導体レーザ・
アレイ装置の作製方法を実施形態例２の半導体レーザ・
アレイ装置６０の作製に適用した実施の形態の一例であ
る。図４（ａ）から（ｄ）は、本実施形態例の方法に従
って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の工程毎の
模式的断面図である。先ず、図４（ａ）に示すように、
フッ酸等を使ってサブマウント１８の接合面をエッチン
グして、半田層２２と同じ高さの円柱状の多数個の凸部
６２を一様な分散で設ける。次いで、図４（ｂ）に示す
ように、凸部６２上を含めてサブマウント１８の接合面
上に半田層６４を設ける。半田層６４の厚さは、サブマ
ウント１８上に半導体レーザ・アレイ本体１６を接合し
た際、所定の厚さの半田層２２になる厚さとする。
施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明方法に係る半導体レーザ・
アレイ装置の作製方法を実施形態例２の半導体レーザ・
アレイ装置６０の作製に適用した実施の形態の一例であ
る。図４（ａ）から（ｄ）は、本実施形態例の方法に従
って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の工程毎の
模式的断面図である。先ず、図４（ａ）に示すように、
フッ酸等を使ってサブマウント１８の接合面をエッチン
グして、半田層２２と同じ高さの円柱状の多数個の凸部
６２を一様な分散で設ける。次いで、図４（ｂ）に示す
ように、凸部６２上を含めてサブマウント１８の接合面
上に半田層６４を設ける。半田層６４の厚さは、サブマ
ウント１８上に半導体レーザ・アレイ本体１６を接合し
た際、所定の厚さの半田層２２になる厚さとする。
【００３１】次いで、図４（ｃ）に示すように、半田層
６４上に半導体レーザ・アレイ本体１６をエピサイドダ
ウン方式で載せ、続いて半田層６４の半田材が溶融する
温度までサブマウント１８をホットプレート等のヒータ
により加熱して半田材を溶融させつつ、これと同時に半
導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１８に数十
〜数百ｇ／ｃｍ2の押圧力で押し付ける。これにより、
凸部６２は半田層６４内に埋没しつつ半導体レーザ・ア
レイ本体１６のｐ側電極４２に接触する。
６４上に半導体レーザ・アレイ本体１６をエピサイドダ
ウン方式で載せ、続いて半田層６４の半田材が溶融する
温度までサブマウント１８をホットプレート等のヒータ
により加熱して半田材を溶融させつつ、これと同時に半
導体レーザ・アレイ本体１６をサブマウント１８に数十
〜数百ｇ／ｃｍ2の押圧力で押し付ける。これにより、
凸部６２は半田層６４内に埋没しつつ半導体レーザ・ア
レイ本体１６のｐ側電極４２に接触する。
【００３２】押圧力を加えた状態で冷却することによ
り、凸部６２の高さに規制されて、図４（ｄ）に示すよ
うに、半導体レーザ・アレイ本体１６とサブマウント１
８とを平行に半田層２２でダイボンドすることができ
る。
り、凸部６２の高さに規制されて、図４（ｄ）に示すよ
うに、半導体レーザ・アレイ本体１６とサブマウント１
８とを平行に半田層２２でダイボンドすることができ
る。
【００３３】本実施形態例の方法は、実施形態例１の方
法のスペーサボール５２に代えて、凸部６２を使ってい
ることを除いて、ほぼ実施形態例１の方法と同じであっ
て、実施形態例１の方法と同じ効果を奏することができ
る。
法のスペーサボール５２に代えて、凸部６２を使ってい
ることを除いて、ほぼ実施形態例１の方法と同じであっ
て、実施形態例１の方法と同じ効果を奏することができ
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、接合材より融点が高
く、かつ相互に同じ形状、同じ寸法の３個以上のスペー
サ部材を接合材層内に分散して配置し、それぞれを、半
導体レーザ・アレイ本体の下面とサブマウントの接合面
とに接触させることにより、サブマウントの接合面に沿
って平行に半導体レーザ・アレイ本体を構成する半導体
レーザ素子を配置することができる。これにより、各半
導体レーザ素子の発光点位置がサブマウントの接合面に
対してほぼ同じ高さになり、発光点位置のばらつきを１
μｍ以下にすることができるので、集光特性が向上す
る。更には、半田層の厚さとスペーサ部材との寸法を等
しくすることにより、接合層の接合材がサブマウントの
接合面の周辺に流れ出ることを防止することができる。
く、かつ相互に同じ形状、同じ寸法の３個以上のスペー
サ部材を接合材層内に分散して配置し、それぞれを、半
導体レーザ・アレイ本体の下面とサブマウントの接合面
とに接触させることにより、サブマウントの接合面に沿
って平行に半導体レーザ・アレイ本体を構成する半導体
レーザ素子を配置することができる。これにより、各半
導体レーザ素子の発光点位置がサブマウントの接合面に
対してほぼ同じ高さになり、発光点位置のばらつきを１
μｍ以下にすることができるので、集光特性が向上す
る。更には、半田層の厚さとスペーサ部材との寸法を等
しくすることにより、接合層の接合材がサブマウントの
接合面の周辺に流れ出ることを防止することができる。
【図１】実施形態例１の半導体レーザ・アレイ装置の構
成を示す模式的な断面図である。
成を示す模式的な断面図である。
【図２】実施形態例２の半導体レーザ・アレイ装置の構
成を示す模式的な断面図である。
成を示す模式的な断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例１の方法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製す
る際の各工程の断面図である。
例１の方法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製す
る際の各工程の断面図である。
【図４】図４（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、実施形態
例２の方法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製す
る際の各工程の断面図である。
例２の方法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製す
る際の各工程の断面図である。
【図５】半導体レーザ・アレイ装置の構成を示す斜視図
である。
である。
【図６】半導体レーザ素子の構成を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の方
法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の各
工程の断面図である。
法に従って半導体レーザ・アレイ装置を作製する際の各
工程の断面図である。
【図８】従来の方法の問題点を説明する模式的な断面図
である。
である。
１０……半導体レーザ・アレイ装置、１２……発光領
域、１４……半導体レーザ素子、１６……半導体レーザ
アレイ・本体、１８……サブマウント、２０……ヒート
シンク、２２……半田層、２４……接合材、２５……絶
縁層、２６……導体層、２８……ワイヤ、３０……分離
溝、３２……ｎ−半導体基板、３４……ｎ−バッファ
層、３６……活性層、３８……ｐ−クラッド層、４０…
…ｐ−コンタクト層、４２……ｐ側電極、４４……ｎ側
電極、５０……実施形態例１の半導体レーザ・アレイ装
置、５２……スペーサボール、６０……実施形態例２の
半導体レーザ・アレイ装置、６２……凸部、６４……半
田層。
域、１４……半導体レーザ素子、１６……半導体レーザ
アレイ・本体、１８……サブマウント、２０……ヒート
シンク、２２……半田層、２４……接合材、２５……絶
縁層、２６……導体層、２８……ワイヤ、３０……分離
溝、３２……ｎ−半導体基板、３４……ｎ−バッファ
層、３６……活性層、３８……ｐ−クラッド層、４０…
…ｐ−コンタクト層、４２……ｐ側電極、４４……ｎ側
電極、５０……実施形態例１の半導体レーザ・アレイ装
置、５２……スペーサボール、６０……実施形態例２の
半導体レーザ・アレイ装置、６２……凸部、６４……半
田層。
Claims (9)
- 【請求項１】 それぞれ、レーザ発光領域を有するレー
ザ構造を半導体基板上に備えた複数個の半導体レーザ素
子をアレイ状に配置した半導体レーザ・アレイ本体をサ
ブマウントの接合面上に、接合材層を介して、接合して
なる半導体レーザ・アレイ装置において、 接合材より融点が高く、かつ相互に同じ形状、同じ寸法
の３個以上のスペーサ部材が、接合材層内に分散して配
置され、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本体の下面
とサブマウントの接合面とに接触していることを特徴と
する半導体レーザ・アレイ装置。 - 【請求項２】 スペーサ部材が、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ
3 で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体レーザ・アレイ装置。 - 【請求項３】 スペーサ部材が、球形のスペーサボール
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ
・アレイ装置。 - 【請求項４】 スペーサボールの直径が、接合材層の所
定厚さと同じ寸法であることを特徴とする請求項３に記
載の半導体レーザ・アレイ装置。 - 【請求項５】 スペーサ部材が、接合材より融点が高
く、かつ同じ高さでサブマウントの接合面上に分散して
設けてある凸部であって、凸部の頂部が、それぞれ、半
導体レーザ・アレイ本体の下面と接触し、凸部間のサブ
マウントの接合面と半導体レーザ・アレイ本体の下面と
の間に接合材が充填され、接合材層を成していることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ・アレイ装
置。 - 【請求項６】 サブマウントがＳｉＣ又はＣｕ−Ｗ合金
で形成されていて、凸部はサブマウントをエッチングす
ることにより形成されていることを特徴とする請求項５
に記載の半導体レーザ・アレイ装置。 - 【請求項７】 凸部の高さが、接合材層の所定厚さと同
じ寸法であることを特徴とする請求項５又は６に記載の
半導体レーザ・アレイ装置。 - 【請求項８】 複数個の半導体レーザ素子をアレイ状に
配置した半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントの接
合面上に接合してなる半導体レーザ・アレイ装置の作製
方法であって、 サブマウントの接合面上に接合材層を設け、次いで接合
材層上に接合材より融点の高い球形の３個以上のスペー
サボールを分散配置する工程と、 スペーサボール上に半導体レーザ・アレイ本体を配置す
る工程と、 サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧
しつつ、接合材層を加熱して、溶融させ、スペーサボー
ルを半導体レーザ・アレイ本体の下面とサブマウントの
接合面とに接触させる工程と、 サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧
しつつ、溶融した接合材を固化させて、半導体レーザ・
アレイ本体とサブマウントとを接合する接合材層を形成
する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ・ア
レイ装置の作製方法。 - 【請求項９】 複数個の半導体レーザ素子をアレイ状に
配置した半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントの接
合面上に接合してなる半導体レーザ・アレイ装置の作製
方法であって、 サブマウントの接合面をエッチングして、同じ高さの３
個以上の凸部を分散して設ける工程と、 サブマウントの接合面上に接合材層を設ける工程と、 接合材層を介して凸部上に半導体レーザ・アレイ本体を
配置する工程と、 サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧
しつつ、接合材層を加熱して、溶融させ、凸部を半導体
レーザ・アレイ本体の下面に接触させる工程と、 サブマウントに対して半導体レーザ・アレイ本体を押圧
しつつ、溶融した接合材を固化させて、半導体レーザ・
アレイ本体とサブマウントとを接合する接合材層を形成
する工程とを有することを特徴とする半導体レーザ・ア
レイ装置の作製方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001223828A JP2003037324A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001223828A JP2003037324A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037324A true JP2003037324A (ja) | 2003-02-07 |
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ID=19057096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001223828A Pending JP2003037324A (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037324A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205326A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | サブマウント及びこれを用いた半導体装置 |
| WO2012172855A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール |
| JPWO2020175619A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2021-12-16 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置 |
| WO2023157210A1 (ja) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | 三菱電機株式会社 | 素子実装体 |
-
2001
- 2001-07-25 JP JP2001223828A patent/JP2003037324A/ja active Pending
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