JP2007019265A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明の目的は、半導体発光素子への電気的接続方法を改善して、信頼性および生産性を高めた発光装置を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る発光装置は、対向する第1面および第2面を有し、第1面および第2面の対向方向に直交する方向に光を出射する発光部を複数備えた半導体発光素子1と、半導体発光素子1の第1面側を支持し、半導体発光素子1に電気的に接続された第1電極部材3と、第2電極部材5と、半導体発光素子1の第2面側と第2電極部材5とを電気的に接続するフレキシブル基板10とを有し、フレキシブル基板は、絶縁基板と、絶縁基板に形成された導電層とを有する。
【選択図】図3

Description

本発明は、発光装置に関し、特に、高出力の半導体発光素子を備えた発光装置に関する。
高出力半導体レーザは、光増幅器のポンプ光源、加工機器の光源等として使用されている。これらの高出力半導体レーザとして、発光点を複数形成して10Wを越える高出力化を図った半導体レーザアレイが提供されている(例えば、特許文献1参照)。半導体レーザアレイは、例えば30個程度のレーザダイオードが配列されて形成される。
高出力半導体レーザと、電極部材(端子)との電気的接続を行う方法として、一般に金線を用いたワイヤボンディング法が用いられている。高出力半導体レーザには、例えば30Aの電流を流す必要が生じ、1つのレーザダイオード当たり1A程度の電流を流す必要がある。
1つのレーザダイオードに1A程度の電流を流すためには、1つのレーザダイオードに2〜3本の金線をワイヤボンディングする必要がある。このため、半導体レーザアレイ全体では、60〜90本の金線がワイヤボンディングされる。
あるいは、金線の代わりに断面積の大きい金リボンが用いられる場合もある。金リボンの場合には、1つのレーザダイオード当たり1本の金リボンをボンディングすれば足りる。このため、半導体レーザアレイ全体では、約30本の金リボンがボンディングされる。
上記した金リボンを用いた場合には、金リボンはねじれに弱く、ねじれが生じた場合に切れてしまうという問題があった。このため、現在では金線を用いることが主流となっている。
特開2002−9385号公報
ワイヤボンディング技術は、洗練された技術とはいえ、ボンディング不良が生じる場合がある。ボンディング不良が生じた場合には、数本の金線の付け直し作業が行われることから、生産性が低下し、コストの増加に繋がる。
また、ワイヤボンディング法では、半導体レーザに金線を押し付けて、熱および超音波振動を与えることにより両者を接合する。この押し付け時の圧力によって、半導体レーザに局所的に機械的ストレスがかかり、半導体レーザを構成する半導体中に結晶欠陥が誘起されて、半導体レーザの信頼性を低下させる場合がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体発光素子への電気的接続方法を改善して、信頼性および生産性を高めた発光装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の発光装置は、対向する第1面および第2面を有し、前記第1面および前記第2面の対向方向に直交する方向に光を出射する発光部を複数備えた半導体発光素子と、前記半導体発光素子の前記第1面側を支持し、前記半導体発光素子に電気的に接続された第1電極部材と、第2電極部材と、前記半導体発光素子の前記第2面側と前記第2電極部材とを電気的に接続するフレキシブル基板とを有し、前記フレキシブル基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板に形成された導電層とを有する。
上記の本発明の発光装置では、半導体発光素子の第2面側と第2電極部材とがフレキシブル基板により電気的に接続されている。フレキシブル基板には、半導体発光素子と第2電極部材とを電気的に接続するための導電層が形成されている。
フレキシブル基板を用いることにより、半導体発光素子と第2電極部材との電気的接続が一括してなされる。例えばフレキシブル基板の導電層と半導体発光素子とをはんだにより接合すれば足りるため、ワイヤボンディングに比べて、半導体発光素子に対して局部的に機械的ストレスを与えることもない。また、フレキシブル基板を用いることにより、半導体発光素子および第2電極部材と、導電層との接合部にかかる機械的ストレスが緩和される。
上記の本発明では、半導体発光素子への電気的接続方法を改善することにより、信頼性および生産性を高めた発光装置を実現することができる。
以下に、本発明の発光装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態に係る発光装置に構成要素として含まれる高出力の半導体レーザ素子1の概略構成を示す斜視図である。半導体レーザ素子1は、本発明の半導体発光素子の一実施形態である。
半導体レーザ素子1は、例えば630nm以上890nm以下の波長域に発振波長を有する赤外あるいは赤色レーザ発光素子である。半導体レーザ素子は、例えば、複数のレーザダイオード(LD)2が例えば33個程度並んだマルチビーム型半導体レーザ素子(レーザダイオードアレイ)である。半導体レーザ素子1の寸法は、長さ約10mm、奥行き約1400μm、厚み約100μmである。
ここで、厚みとは、半導体レーザ素子1の第1面1aおよび第2面1bの対向方向(z方向)における寸法である。奥行きは、半導体レーザ素子1からの光LBの出射方向(y方向)すなわち共振器方向における寸法である。長さは、第1面1aおよび第2面1bの対向方向と共振器方向との両方に直交する方向(x方向)である。半導体レーザ素子1の寸法と同様に、本願明細書では、他の部材のx方向の寸法を長さとし、y方向の寸法を奥行きとし、z方向の寸法を厚さとする。
各レーザダイオード2は、100μm程度の厚さの基板20上に、発光部となる活性層を含む半導体層21を有する。半導体層21の厚さは、4μm程度である。レーザダイオード2は、GaAs/AlGaAs系赤外レーザ発光素子、あるいはAlGaInP/GaInP系赤色レーザ発光素子である。
半導体層21の上には、例えば、各レーザダイオード2に対応して、p側電極31が形成されている。また、基板20の裏面には、例えば、各レーザダイオード2に対応してn側電極32が設けられている。
図2は、1つのレーザダイオード2の一例を示す断面図である。本例では、レーザダイオード2がGaAs/AlGaAs系赤外レーザ発光素子の場合について説明する。
基板20は、n型GaAs基板からなる。この基板20上には、半導体層21として、第1バッファ層22と、第2バッファ層23と、n型クラッド層24と、活性層/ガイド層25と、p型クラッド層26と、p型キャップ層27が順に積層されている。半導体層21は、n型クラッド層24とp型クラッド層26により活性層/ガイド層25が挟まれた、ダブルへテロ(DH)接合積層構造を有している。
第1バッファ層22は、例えば0.5μmの膜厚のn型GaAs層により形成されている。第2バッファ層23は、例えば0.5μmの膜厚のn型Al0.3Ga0.7As層により形成されている。n型クラッド層24は、例えば1.8μmの膜厚のn型Al0.47Ga0.53As層により形成されている。p型クラッド層26は、例えば1.8μmの膜厚のp型Al0.47Ga0.53As層により形成されている。p型キャップ層27は、例えば0.5μmの膜厚のp型GaAs層により形成されている。
活性層/ガイド層25は、ガイド層と、屈折率がガイド層よりも大きい活性層と、ガイド層の3層積層膜により形成されている。ガイド層は、例えば60nm以上65nm以下の膜厚のAl0.3Ga0.7As層により形成される。活性層は、例えば10nmの膜厚のAl0.14Ga0.86As層により形成される。活性層/ガイド層25は、各レーザダイオード2の発光部となる。
p型キャップ層27からp型クラッド層26の途中の深さまで掘り込まれており、リッジ形状が形成されている。リッジ形状の両側には、電流非注入領域28が形成されている。電流非注入領域28は、例えばn型のGaAs層により形成される。なお、電流非注入領域28は、絶縁膜により形成されていてもよい。これにより、電流注入領域がリッジ形状の上部のみに限定された電流狭窄構造が形成されている。
p型キャップ層27および電流非注入領域28上には、p側電極31が形成されている。p側電極31は、例えば、チタン(Ti)層、白金(Pt)層および金(Au)層がp型キャップ層27の側から順に積層されて形成されている。
基板20側にはn側電極32が形成されている。n側電極32は、例えば、金ゲルマニウム(Au−Ge)の合金層、ニッケル(Ni)層および金(Au)層が基板20の側から順に積層されて形成されている。
図3は、半導体レーザ素子1を備えた発光装置の全体構成を示す斜視図である。
第1電極部材3上に支持部材4が接合され、支持部材4上に半導体レーザ素子1が接合されている。レーザダイオード2はx方向に一列に配列されており、半導体レーザ素子1の各レーザダイオード2から図中y方向にレーザ光LBが出射される。
第1電極部材3は、電極およびヒートシンクとして機能する。このため、第1電極部材3は、例えば銅(Cu)などの電気的および熱的に伝導性の高い金属材料により形成されており、例えば表面には金(Au)などの薄膜が被着されている。熱伝導性は、半導体レーザ素子1から発生する大量の熱を放出させ、半導体レーザ素子1を適当な温度に維持するヒートシンクとして要求される特性である。電気伝導性は、電流を半導体レーザ素子1に効率よく伝導させる電極として要求される特性である。第1電極部材3の厚さは、約4.4mmである。
例えば、半導体レーザ素子1がGaAs/AlGaAs系の赤外レーザ発光素子の場合には、エネルギー変換効率が40〜50%であるため、投入電力の50〜60%が熱に変換される。また、半導体レーザ素子1がAlGaInP/GaInP系の赤色レーザ発光素子の場合には、エネルギー変換効率が15〜20%であるため、投入電力の80〜85%が熱に変換される。この発熱を効率よく放散できないと、発光部の温度が上昇して、さらにエネルギー変換効率の低下を招く。
このため、半導体レーザ素子1は、発光する側、すなわち第1面1a側から支持部材4に接合されている。ただし、半導体レーザ素子1は、第2面1b側から支持部材4に接合されていてもよい。
第1電極部材3上に直接半導体レーザ素子1を搭載すると、第1電極部材3の熱膨張係数が半導体レーザ素子1よりもかなり大きいことから応力が発生する。この応力を緩和するために、第1電極部材3と半導体レーザ素子1との間に支持部材4を設けている。このため、支持部材4は、第1電極部材3に比べて熱膨張係数が半導体レーザ素子1の基板20に近く、かつ熱伝導率の大きい材料により形成される。支持部材4は、例えば、炭化シリコン(SiC)、銅タングステン(CuW)、ダイヤモンドからなる。支持部材4の厚さは、例えば50μm〜300μmである。
第1電極部材3上には、例えば第1電極部材3と同一材料よりなる第2電極部材5が、例えばネジ8により固定されている。第1電極部材3と第2電極部材5との間には、例えばガラスエポキシ材よりなる絶縁板6が設けられており、第1電極部材3と第2電極部材5とは電気的に絶縁されている。
第2電極部材5には、半導体レーザ素子1側に段部5aが設けられており、この段部5aには、例えばフレキシブル基板10の一端側が接合されている。フレキシブル基板10の他端側は半導体レーザ素子1の第2面1b側に形成されたn側電極32に接合されている。フレキシブル基板10には導電層が形成されており、半導体レーザ素子1と第2電極部材5とが、フレキシブル基板10を介して電気的に接続されている。従来では、半導体レーザ素子1と第2電極部材5との間の電気的接続は、金線あるいは金リボンを用いて行われていたが、本実施形態ではフレキシブル基板10を用いる。フレキシブル基板10の構成の詳細については、後述する。
第2電極部材5の段部5aには、フレキシブル基板10および半導体レーザ素子1等を保護するため、第1電極部材3と同一材料よりなる保護部材7がネジ8により固定される。ただし、保護部材7を設けなくても良い。
半導体レーザ素子1の第1面1a側を支持部材4に向けて搭載した場合には、第1電極部材3が正(+)電極となり、第2電極部材5が負(―)電極となる。これにより、半導体レーザ素子1の第1面1a側に形成されたp側電極31に正電圧がかかり、第2面1b側に形成されたn側電極32に負電圧がかかるため、半導体レーザ素子1の各レーザダイオード2に順方向バイアスがかかり、各レーザダイオード2の発光部(活性層/ガイド層25)からレーザ光LBが出射される。
図4は、図3のA−A’線における断面図である。
半導体レーザ素子1の第1面1aと支持部材4とが、はんだ11により接合されている。はんだ11としては、AuSnはんだが用いられる。AuSnはんだでは、AuとSnの比を変えることにより融点が変わる。例えば、AuSnはんだの融点は、210〜280℃程度である。
支持部材4と第1電極部材3とが、はんだ12により接合されている。はんだ12としては、はんだ11よりも融点の低いはんだが用いられ、例えばInAgはんだ(融点:140℃)が用いられる。
半導体レーザ素子1と、第1電極部材3と、支持部材4の接合では、まず、支持部材4にはんだ11を蒸着しておく。はんだ11としては、例えばAuSnはんだを3〜6μmの厚みで蒸着する。そして、半導体レーザ素子1を支持部材4に載せながら加熱して、はんだ11を溶融させて、半導体レーザ素子1と支持部材4とをはんだ11を介して接合する。
一方、第1電極部材3側にはんだ12を蒸着しておく。そして、半導体レーザ素子1を搭載した支持部材4を第1電極部材3に載せながら加熱して、はんだ12を溶融させて、支持部材4と第1電極部材3とをはんだ12を介して接合する。はんだ12として、はんだ11よりも融点の低いはんだ材料を用いるのは、はんだ12の溶融時にはんだ11が溶融して半導体レーザ素子1の位置ずれが発生するのを防止するためである。
図5は、第1電極部材3の下側の構成を説明するための図である。
図5に示すように、第1電極部材3の下面は、ペルチェ素子13の例えばアルミ製の板に、熱伝導率の高いグリス等を介在させた状態で搭載される。第1電極部材3は、ペルチェ素子13に対して不図示のネジやばねにより押し付けられており、両者は熱的に十分に接触される。
第1電極部材3には、サーミスタ等の温度検出素子14が取り付けられている。この温度検出素子14の出力信号に基づいて、温度調節回路15がペルチェ素子13の駆動を制御することにより、半導体レーザ素子1の温度は所定の目標値に保たれる。
(フレキシブル基板の例1)
次に、フレキシブル基板10の構成について説明する。図6(a)はフレキシブル基板10の平面図であり、図6(b)は図6(a)のB−B’線における断面図である。
フレキシブル基板10は、絶縁基板100と、絶縁基板100上に形成された導電層101とを有する。
絶縁基板100は、例えば40μmの厚みのフレキシブルなポリイミドフィルムにより形成される。あるいは、絶縁基板100はフィルム状のポリエチレンテレフタレートにより形成される。絶縁基板100は、あまりに薄いと取り扱いの困難性が生じ、また強度の低下に繋がるため好ましくない。また、絶縁基板100があまりに厚いと、絶縁基板100がフレキシブルでなくなり、半導体レーザ素子1および第2電極部材5への接合部にかかる機械的ストレスを緩和できなくなり、剥がれなどが生じる場合がある。上記を考慮して、絶縁基板100の厚さが設定される。
導電層101は、例えばCuやAu等により形成されている。本実施形態では、絶縁基板100の第2電極部材側において導電層101は全面に形成されており、絶縁基板100の半導体レーザ素子1側において導電層101のパターンが形成されている。1つのレーザダイオード2に例えば一つの導電層101のパターンが接続される。なお、レーザダイオード2に2〜3本の導電層のパターンが接続されるように、導電層101の幅および間隔を設定してもよい。
半導体レーザ素子1側の導電層101のパターンの幅wは、導電層101の厚さtと、流す電流量に応じて設定する。従来、例えば1つのレーザダイオード2に1A流す場合に、直径25μmの金線を2本使用していたとすると、2本の金線の断面積の合計は、12.5μm×12.5μm×3.14×2=981μmである。従って、1つのレーザダイオード2に1つの導電層101のパターンを接続する場合には、パターンの断面積が約1000μm程度となるように、パターンの幅wを設定する。例えば、導電層101の厚さtを25μmとした場合には、パターンの幅wを40μmとする。あるいは、導電層101の厚さtを50μmとした場合には、パターンの幅wを20μmとする。
半導体レーザ素子1との接続部位および第2電極部材5との接続部位において、導電層101上にはんだ110が予め形成されている。なお、導電層101の全面にはんだ110を形成してもよい。はんだ110としては、例えばSnはんだ、InAgはんだ、SnAgはんだあるいはInはんだを用いる。はんだ110の厚さは、例えば2μmである。はんだ110は、例えばメッキ法により形成される。
はんだ110としてSnはんだ等を用いる場合には、Snが導電層101に拡散して導電層101が腐食することを防止するため、導電層101とはんだ110の間に拡散防止膜111を設けることが好ましい。拡散防止膜111は、例えばNi、Ti、Cr等により形成される。
上記したフレキシブル基板10を半導体レーザ素子1および第2電極部材5に接合する方法について説明する。
フレキシブル基板10の導電層101側を半導体レーザ素子1および第2電極部材5に押し当てた状態で、加熱によりはんだ110を溶融させることにより、フレキシブル基板10を半導体レーザ素子1および第2電極部材5の両者に接合させる。
一般に、加熱方式としては、コンスタントヒート方式と、パルスヒート方式がある。パルスヒート方式では、設定温度に到達するまでに時間を要するため、圧着ツールが常時加熱されているコンスタントヒート方式を採用することが好ましい。コンスタントヒート方式では、加熱された圧着ツールをフレキシブル基板10に押し当てて、はんだ110を溶融することにより、半導体レーザ素子1および第2電極部材5に接合する。あるいは、レーザ光を利用したスポット加熱を採用してもよい。
半導体レーザ素子1の特性を維持する観点から、半導体レーザ素子1側へのフレキシブル基板10の接合の際にできるだけ加熱温度を低くすることが好ましい。本実施形態では、半導体レーザ素子1側には、導電層101がパターンに分離されていることから、導電層101のパターンに与えた熱が伝導しにくく、加熱温度を低く抑え、加熱時間を短くすることができるという効果を奏する。
また、半導体レーザ素子1側において導電層101をパターン形成した場合には、各導電層101のパターンと、半導体レーザ素子1の各レーザダイオード2のn側電極32との位置あわせを行う必要がある。ここで、導電層101のパターン間には絶縁基板100が露出しているため、この露出した絶縁基板100の部分を介してn側電極32と導電層101のパターンとの位置合わせができる。従って、フレキシブル基板10を高精度に位置合わせすることができ、半導体レーザ素子1と第2電極部材5に対する電気的接続の信頼性を向上させることができる。
(フレキシブル基板の例2)
図7は、フレキシブル基板10の他の例を示す平面図である。なお、フレキシブル基板10の断面図については、上記した例1と同様である。
本例では、絶縁基板100の第2電極部材5側から半導体レーザ素子1側にかけてストライプ状の導電層101のパターンが形成されている。1つのレーザダイオード2に例えば一つの導電層101のパターンが接続される。なお、レーザダイオード2に2〜3本の導電層のパターンが接続されるように、導電層101の幅および間隔を設定してもよい。導電層101の幅および厚みについては、例1と同様である。
上記したように第2電極部材5側においても導電層101を個別のパターンに分離してもよい。本例のフレキシブル基板を用いた場合にも、例1と同様の効果を奏することができる。
現在では、高出力の半導体レーザ素子1において、各レーザダイオード2を独立駆動していない。しかしながら、各レーザダイオード2に接続する導電層101のパターンが形成されたフレキシブル基板10を用いることにより、各レーザダイオード2の独立駆動が将来的に可能となる。
(フレキシブル基板の例3)
図8は、フレキシブル基板10の他の例を示す断面図である。フレキシブル基板10の導電層101のパターンとしては、例1および例2のいずれを採用してもよい。図8は、図6(a)のB−B’線あるいは図7のB−B’線に沿った断面図に相当する。
本例では、絶縁基板100内に導電層101が埋め込まれて形成されている。導電層101の幅Wおよび厚さtについては、例1で説明したのと同様である。例えば、絶縁基板100に埋め込まれた導電層101の厚さtを10μmとした場合には、導電層101のパターンの幅wを100μmに設定する。
本例におけるフレキシブル基板10を採用すれば、上記した効果に加えて、導電層101が絶縁基板100に埋め込まれているため、剥がれ等に強いという効果がある。また、導電層101が絶縁基板100に埋め込まれていることから、導電層101の酸化等を防止することができる。このため、導電層101として、AuでなくCuを採用しても、フレキシブル基板10の信頼性を長期間保つことができる。
(フレキシブル基板の例4)
図9は、フレキシブル基板10の他の例を示す断面図である。フレキシブル基板10の導電層101のパターンとしては、例1および例2のいずれを採用してもよい。図9は、図6(a)のB−B’線あるいは図7のB−B’線に沿った断面図に相当する。
本例では、導電層101は、2層構造を有する。すなわち、絶縁基板100上の全面に1層目の導電層101−1が形成され、導電層101−1上に絶縁層102および2層目の導電層101−2が形成されている。導電層101−2は、図6あるいは図7で示した導電層101のパターンと同様のパターンで形成されている。導電層101−1の厚さt1は例えば10μmであり、導電層101−2の厚さt2は例えば10μmであり、導電層101−2の幅wは例えば100μmである。
本例におけるフレキシブル基板10も、導電層101が内部に埋め込まれているため、剥がれ等に強いという効果がある。また、導電層101が絶縁基板100に埋め込まれていることから、導電層101の酸化等を防止することができる。このため、導電層101として、AuでなくCuを採用しても、フレキシブル基板10の信頼性を長期間保つことができる。
また、フレキシブル基板10の内部において全面に導電層101−1が形成されている。このため、フレキシブル基板10の導電層101−1を通じて、半導体レーザ素子1からの発熱を効率良く第2電極部材5へ伝達することができる。また、全面に導電層101−1が形成されていることから、電気抵抗を低くすることができる。
以上説明したように、本実施形態に係る発光装置では、半導体レーザ素子1と、第2電極部材5とをフレキシブル基板10を用いて電気的に接続している。フレキシブル基板10を用いた場合には、例えばフレキシブル基板10と半導体レーザ素子1とをはんだ110により接合すれば足りるため、従来のワイヤボンディングに比べて、半導体レーザ素子1に対して局部的に機械的ストレスを与えることもない。また、フレキシブル基板10を用いることにより、半導体レーザ素子1および第2電極部材5と、フレキシブル基板10との接合部にかかる機械的ストレスが緩和される。
また、多数の金線を用いるワイヤボンディング法と異なり、一枚のフレキシブル基板10を一度に接合することができるため、生産のタクトタイムが短くなり、また歩留まりが高いため、低コストの生産が可能となる。このため、信頼性および生産性を高めた発光装置を実現することができる。
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、フレキシブル基板は、多層の導電層および絶縁層の積層構造により形成されていてもよい。レーザダイオード2の種類に限定はなく、AlGaInN系の紫外から青色半導体レーザを採用することもできる。また、本発明の半導体発光素子として、半導体レーザ素子1ではなく、発光ダイオードを用いることもできる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
半導体レーザ素子の一部を拡大して示す斜視図である。 レーザダイオードの断面図である。 本実施形態に係る発光装置の全体構成を示す分解斜視図である。 図3のA−A’線に沿った断面図である。 第1電極部材の下側の構成を説明するための図である。 (a)はフレキシブル基板の平面図であり、(b)はフレキシブル基板の断面図である。 フレキシブル基板の変形例を示す平面図である。 フレキシブル基板の変形例を示す断面図である。 フレキシブル基板の変形例を示す断面図である。
符号の説明
1…半導体レーザ素子、1a…第1面、1b…第2面、2…レーザダイオード、3…第1電極部材、4…支持部材、5…第2電極部材、5a…段部、6…絶縁板、7…保護部材、8…ネジ、10…フレキシブル基板、11…はんだ、12…はんだ、13…ペルチェ素子、14…温度検出素子、15…温度調節回路、20…基板、21…半導体層、22…第1バッファ層、23…第2バッファ層、24…n型クラッド層、25…活性層/ガイド層、26…p型クラッド層、27…p型キャップ層、28…電流非注入領域、31…p側電極、32…n側電極、100…絶縁基板、101…導電層、102…絶縁層、110…はんだ、111…拡散防止膜

Claims (9)

  1. 対向する第1面および第2面を有し、前記第1面および前記第2面の対向方向に直交する方向に光を出射する発光部を複数備えた半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子の前記第1面側を支持し、前記半導体発光素子に電気的に接続された第1電極部材と、
    第2電極部材と、
    前記半導体発光素子の前記第2面側と前記第2電極部材とを電気的に接続するフレキシブル基板とを有し、
    前記フレキシブル基板は、
    絶縁基板と、
    前記絶縁基板に形成された導電層と
    を有する発光装置。
  2. 前記フレキシブル基板の導電層と、前記半導体発光素子の前記第2面側とが、はんだを介して接合された
    請求項1記載の発光装置。
  3. 前記導電層は、前記絶縁基板の前記第2電極部材側において全面に形成され、前記絶縁基板の前記半導体発光素子側において分離したパターンに形成された
    請求項1記載の発光装置。
  4. 前記導電層は、前記絶縁基板の前記第2電極部材側から前記半導体発光素子側にかけて延びる複数のストライプパターンに形成された
    請求項1記載の発光装置。
  5. 前記導電層は、前記絶縁基板に埋め込まれて形成された
    請求項1記載の発光装置。
  6. 前記第2電極部材は、絶縁板を介して前記第1電極部材上に搭載された
    請求項1記載の発光装置。
  7. 前記半導体発光素子と前記第1電極部材との間に、導電性の支持部材が配置された
    請求項1記載の発光装置。
  8. 前記半導体発光素子は、半導体レーザ素子である
    請求項1記載の発光装置。
  9. 前記半導体発光素子は、マルチビーム型半導体レーザ素子である
    請求項1記載の発光装置。
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