JP2003060283A - ２次元ｌｄアレイ発光装置 - Google Patents
２次元ｌｄアレイ発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＤバーを実装した簡素で低コストの冷却パ
ッケージを積層して構成される２次元ＬＤアレイ発光装
置。 【解決手段】 ｎ番目の冷却パッケージＰn の冷却アセ
ンブリ１０は、金属薄板１１〜１３を結合して内部に冷
却水路１５を形成する。冷却アセンブリ１０は一方の電
極を提供し、ダイスペーサ４１を介してＬＤバー６０の
一方の極と電気的に接続される。ＬＤバー６０の他方の
極は、他方の電極を提供するＴＡＢテープ２０の銅板２
１のウェブ状の延在部２２の電気的接続部２３がハンダ
付けされる。ＴＡＢテープ２０の高さ調整は、例えばポ
リイミド樹脂層２８と冷却アセンブリ１０間にスペーサ
薄板３１を介挿して行なう。銅板２１は隣の冷却パッケ
ージＰn+1 の冷却アセンブリ１０と電気的に結合し、Ｌ
Ｄバー６０に駆動電流が流れるように電気的に直列接続
される。
ッケージを積層して構成される２次元ＬＤアレイ発光装
置。 【解決手段】 ｎ番目の冷却パッケージＰn の冷却アセ
ンブリ１０は、金属薄板１１〜１３を結合して内部に冷
却水路１５を形成する。冷却アセンブリ１０は一方の電
極を提供し、ダイスペーサ４１を介してＬＤバー６０の
一方の極と電気的に接続される。ＬＤバー６０の他方の
極は、他方の電極を提供するＴＡＢテープ２０の銅板２
１のウェブ状の延在部２２の電気的接続部２３がハンダ
付けされる。ＴＡＢテープ２０の高さ調整は、例えばポ
リイミド樹脂層２８と冷却アセンブリ１０間にスペーサ
薄板３１を介挿して行なう。銅板２１は隣の冷却パッケ
ージＰn+1 の冷却アセンブリ１０と電気的に結合し、Ｌ
Ｄバー６０に駆動電流が流れるように電気的に直列接続
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザダイオードア
レイを用いた２次元発光装置に関し、特に多量の熱を発
生するＬＤバーを実装した平板状の冷却パッケージを多
数積層した構造を有する２次元ＬＤアレイ発光装置に関
する。
レイを用いた２次元発光装置に関し、特に多量の熱を発
生するＬＤバーを実装した平板状の冷却パッケージを多
数積層した構造を有する２次元ＬＤアレイ発光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＤ（レーザダイオード；半導体
レーザとも呼ばれる。以下、同じ。）を発光源に用いた
面発光装置が注目を集めており、例えばＹＡＧレーザの
ような固体レーザ発生装置の励起光源に用いられ、高い
励起効率の実現に貢献している。また、従来のキセノン
ランプ等の放電ランプと比べて装置の小型化も容易であ
り、寿命も長い等の利点も有している。
レーザとも呼ばれる。以下、同じ。）を発光源に用いた
面発光装置が注目を集めており、例えばＹＡＧレーザの
ような固体レーザ発生装置の励起光源に用いられ、高い
励起効率の実現に貢献している。また、従来のキセノン
ランプ等の放電ランプと比べて装置の小型化も容易であ
り、寿命も長い等の利点も有している。
【０００３】良く知られているように、ＬＤを発光源に
用いて面発光装置を構成する場合には、多数のＬＤ素子
を各々の発光領域が直線状に整列するように構成された
１次元アレイが利用される。このＬＤの１次元アレイは
棒状の形状を有し、一般に「ＬＤバー」と呼ばれてい
る。このＬＤバーを複数本並べて配列することで２次元
ＬＤアレイ発光装置が構成される。
用いて面発光装置を構成する場合には、多数のＬＤ素子
を各々の発光領域が直線状に整列するように構成された
１次元アレイが利用される。このＬＤの１次元アレイは
棒状の形状を有し、一般に「ＬＤバー」と呼ばれてい
る。このＬＤバーを複数本並べて配列することで２次元
ＬＤアレイ発光装置が構成される。
【０００４】ところでＬＤを駆動すると当然熱を発生
し、ＬＤバー全体が高温となる。特に、面状光源の発光
面にできるだけ隙間（非発光部）を作らないために隣同
士のＬＤバーを接近して配置した場合、その熱の効率的
な除去が重要な課題となる。例えば、高出力固体レーザ
の励起用光源として２次元ＬＤアレイ発光装置を用いる
場合、面光源としての平均出力パワーは１００〜２００
Ｗ／ｃｍ2 に達し、それに伴う発熱量は２００〜４００
Ｗ／ｃｍ2 程度にもなる。
し、ＬＤバー全体が高温となる。特に、面状光源の発光
面にできるだけ隙間（非発光部）を作らないために隣同
士のＬＤバーを接近して配置した場合、その熱の効率的
な除去が重要な課題となる。例えば、高出力固体レーザ
の励起用光源として２次元ＬＤアレイ発光装置を用いる
場合、面光源としての平均出力パワーは１００〜２００
Ｗ／ｃｍ2 に達し、それに伴う発熱量は２００〜４００
Ｗ／ｃｍ2 程度にもなる。
【０００５】そこで、このような多量の熱を逃がしてＬ
Ｄバーの昇温を抑制するために、ＬＤバーを水冷式の冷
却アセンブリを備えた平板状の冷却パッケージに実装
し、これを多数積層して面発光装置を構成する手法が採
用されている。図５は、この手法に従って構成された面
発光装置の従来構造を説明する部分断面図である。
Ｄバーの昇温を抑制するために、ＬＤバーを水冷式の冷
却アセンブリを備えた平板状の冷却パッケージに実装
し、これを多数積層して面発光装置を構成する手法が採
用されている。図５は、この手法に従って構成された面
発光装置の従来構造を説明する部分断面図である。
【０００６】面発光装置全体は多数（例えば数百個）の
冷却パッケージの積層体で構成されており、図５には、
積層体の１方の端部から数えてｎ−１番目、ｎ番目及び
ｎ＋１番目（但し、ｎは２以上の整数）の冷却パッケー
ジＲn-1 、Ｒn 及びＲn+1 の断面が示されている。図示
は省略されているが、図５において冷却パッケージＲn-
1 の下側には冷却パッケージＲn-2 が連なり、冷却パッ
ケージＲn+1 の上側には冷却パッケージＲn+2 が連なっ
ている。
冷却パッケージの積層体で構成されており、図５には、
積層体の１方の端部から数えてｎ−１番目、ｎ番目及び
ｎ＋１番目（但し、ｎは２以上の整数）の冷却パッケー
ジＲn-1 、Ｒn 及びＲn+1 の断面が示されている。図示
は省略されているが、図５において冷却パッケージＲn-
1 の下側には冷却パッケージＲn-2 が連なり、冷却パッ
ケージＲn+1 の上側には冷却パッケージＲn+2 が連なっ
ている。
【０００７】各冷却パッケージは基本的に同じものなの
で、冷却パッケージＲn を例にとってその構造と作用を
簡単に記す。符号１０は冷却パッケージＲn に装備され
る冷却アセンブリで、図４に分解斜視図で示したような
３枚の金属薄板１１、１２、１３を結合した構造を有し
ている。各金属薄板１１、１２、１３の所定位置には冷
却水流入／排出のための水路となる開口１６、１７が設
けられている。
で、冷却パッケージＲn を例にとってその構造と作用を
簡単に記す。符号１０は冷却パッケージＲn に装備され
る冷却アセンブリで、図４に分解斜視図で示したような
３枚の金属薄板１１、１２、１３を結合した構造を有し
ている。各金属薄板１１、１２、１３の所定位置には冷
却水流入／排出のための水路となる開口１６、１７が設
けられている。
【０００８】本例では、開口１６は冷却水流入用に用い
られ、開口１７は冷却水排出用に用いられる。冷却水は
開口１６から、金属薄板１１、１２、１３の相互間に形
成される冷却水路１５を通って流通し、開口１７へ排出
される。
られ、開口１７は冷却水排出用に用いられる。冷却水は
開口１６から、金属薄板１１、１２、１３の相互間に形
成される冷却水路１５を通って流通し、開口１７へ排出
される。
【０００９】冷却水路１５は、ＬＤバー６０から熱を効
率的に除去するために、図５に示した如く、ＬＤバー６
０の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、
各冷却パッケージの冷却アセンブリ間等において、冷却
水が開口１６、１７の周辺あるいは冷却水路１５から漏
れ出すことを防止するために、オーリング（Ｏ−リン
グ）、ラバーシート等の封止手段が適所に用いられてい
る。
率的に除去するために、図５に示した如く、ＬＤバー６
０の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、
各冷却パッケージの冷却アセンブリ間等において、冷却
水が開口１６、１７の周辺あるいは冷却水路１５から漏
れ出すことを防止するために、オーリング（Ｏ−リン
グ）、ラバーシート等の封止手段が適所に用いられてい
る。
【００１０】ＬＤバー６０は、金属薄板１３の縁部の近
くに固定（ハンダ付け）された導電性のダイスペーサ５
５上に、ＬＤバー６０の一方の極側（例えば陰極側）の
端子部と導通する状態で搭載されている。ＬＤバー６０
の他方の極側（例えば陽極側）の端子部には、金線など
のボンディングワイヤ５３の一端がハンダ付けされてい
る。符号５４は、ハンダ付けされたボンディング部を表
わしている。
くに固定（ハンダ付け）された導電性のダイスペーサ５
５上に、ＬＤバー６０の一方の極側（例えば陰極側）の
端子部と導通する状態で搭載されている。ＬＤバー６０
の他方の極側（例えば陽極側）の端子部には、金線など
のボンディングワイヤ５３の一端がハンダ付けされてい
る。符号５４は、ハンダ付けされたボンディング部を表
わしている。
【００１１】これに対して、ダイスペーサ５５と所定の
間隔をとって金属薄板１３上には絶縁シート５１が設け
られ、更にこの絶縁シート５１上に導電性の接続基板５
２が設けられている。そして、接続基板５２のＬＤバー
６０に比較的近い位置には、ボンディングワイヤ５３の
他端がハンダ付けされている。また、接続基板５２の一
部には、必要に応じて凸部５２ａが設けられ、この凸部
５２ａと隣の冷却パッケージＲn+1 の冷却アセンブリ１
０の金属薄板１１と導通するようになっている。同様
に、冷却パッケージＲn の金属薄板１１は冷却パッケー
ジＲn-1 の接続基板５２no凸部５２ａと導通している。
間隔をとって金属薄板１３上には絶縁シート５１が設け
られ、更にこの絶縁シート５１上に導電性の接続基板５
２が設けられている。そして、接続基板５２のＬＤバー
６０に比較的近い位置には、ボンディングワイヤ５３の
他端がハンダ付けされている。また、接続基板５２の一
部には、必要に応じて凸部５２ａが設けられ、この凸部
５２ａと隣の冷却パッケージＲn+1 の冷却アセンブリ１
０の金属薄板１１と導通するようになっている。同様
に、冷却パッケージＲn の金属薄板１１は冷却パッケー
ジＲn-1 の接続基板５２no凸部５２ａと導通している。
【００１２】このようにして、各冷却パッケージにおい
て、冷却アセンブリ１０が一方の電極（第１の電極；例
えば接地される陰極）を提供し、接続基板５２が他方の
電極（第２の電極；例えば陽極）を提供する。そして、
多数の冷却パッケージは各ＬＤバー６０を駆動電流が流
れるように直列に接続されている。なお、一方の端部側
の冷却パッケージＲ1 の冷却アセンブリ１０が電源（図
示せず）の一方の極（例えば陰極）に接続され、他方の
端部側の冷却パッケージＲN （Ｎは積層冷却パッケージ
数）の接続基板５２が電源（図示せず）の他方の極（例
えば陽極）に接続されることは言うまでもない。
て、冷却アセンブリ１０が一方の電極（第１の電極；例
えば接地される陰極）を提供し、接続基板５２が他方の
電極（第２の電極；例えば陽極）を提供する。そして、
多数の冷却パッケージは各ＬＤバー６０を駆動電流が流
れるように直列に接続されている。なお、一方の端部側
の冷却パッケージＲ1 の冷却アセンブリ１０が電源（図
示せず）の一方の極（例えば陰極）に接続され、他方の
端部側の冷却パッケージＲN （Ｎは積層冷却パッケージ
数）の接続基板５２が電源（図示せず）の他方の極（例
えば陽極）に接続されることは言うまでもない。
【００１３】また、絶縁シート５１及び接続基板５２に
も、金属薄板１１〜１３の開口１６、１７と対応する位
置に同サイズの開口（図示省略）が設けられており、こ
れにより、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷
却パッケージを貫いて形成されることになる。冷却水の
流入路及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポ
ンプの吐出側及び吸入側に接続される。
も、金属薄板１１〜１３の開口１６、１７と対応する位
置に同サイズの開口（図示省略）が設けられており、こ
れにより、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷
却パッケージを貫いて形成されることになる。冷却水の
流入路及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポ
ンプの吐出側及び吸入側に接続される。
【００１４】以上のような構造を採用した場合、冷却ア
センブリの部分については製造コストのかなりの低コス
ト化が可能であることが報告されている。これに伴い、
残る冷却パッケージ内の配線部品等の部材コストや取り
付けコスト、あるいは冷却パッケージを積層して面発光
化するための組立コストなどが、面発光装置の原価中に
占める割合が相対的に大きくなってきている。従って、
面発光装置の原価の一層の低廉化の要求が強まる中、こ
のような実装関連コストの低下を可能にする構造の改良
が望まれている。
センブリの部分については製造コストのかなりの低コス
ト化が可能であることが報告されている。これに伴い、
残る冷却パッケージ内の配線部品等の部材コストや取り
付けコスト、あるいは冷却パッケージを積層して面発光
化するための組立コストなどが、面発光装置の原価中に
占める割合が相対的に大きくなってきている。従って、
面発光装置の原価の一層の低廉化の要求が強まる中、こ
のような実装関連コストの低下を可能にする構造の改良
が望まれている。
【００１５】この観点で上述の従来構造を見た時、第２
の電極（非接地側の電極）から金（Ａｕ）等からなるワ
イヤを延ばしてボンディングを行い、また、そのための
配線を取り出すために、冷却アセンブリ１０から絶縁さ
れた接続基板５２を設ける必要があるという点に難点が
ある。先ず、絶縁シート５１により絶縁された接続基板
５２を設け、更にそこにＡｕワイヤ５３等でボンディン
グすると、少なくとも絶縁シート５１、金属板を含む接
続基板５２及びワイヤ５３が、部品として必要となる。
冷却パッケージの使用総数は一般に多数（例えば数百）
にのぼるので、部品数が一つでも多いとそれだけ関連部
材費と組立工数が大きくなる。
の電極（非接地側の電極）から金（Ａｕ）等からなるワ
イヤを延ばしてボンディングを行い、また、そのための
配線を取り出すために、冷却アセンブリ１０から絶縁さ
れた接続基板５２を設ける必要があるという点に難点が
ある。先ず、絶縁シート５１により絶縁された接続基板
５２を設け、更にそこにＡｕワイヤ５３等でボンディン
グすると、少なくとも絶縁シート５１、金属板を含む接
続基板５２及びワイヤ５３が、部品として必要となる。
冷却パッケージの使用総数は一般に多数（例えば数百）
にのぼるので、部品数が一つでも多いとそれだけ関連部
材費と組立工数が大きくなる。
【００１６】更に、上述の冷却パッケージ構造では、特
殊な構造や形状の部品（特に、細い金線など）を使用す
ることでも部材費は高くなる。部材費を安くするために
量産品を使用すると厚さが変更できない等の制約が出る
ことが多く、何らかの手段でその制約をなくすことが必
要である。
殊な構造や形状の部品（特に、細い金線など）を使用す
ることでも部材費は高くなる。部材費を安くするために
量産品を使用すると厚さが変更できない等の制約が出る
ことが多く、何らかの手段でその制約をなくすことが必
要である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、上記のような従来技術の問題点を解決し、簡素な構
成でＬＤバーを実装した冷却パッケージを積層して、低
コスト化が容易な面発光装置を提供することにある。
は、上記のような従来技術の問題点を解決し、簡素な構
成でＬＤバーを実装した冷却パッケージを積層して、低
コスト化が容易な面発光装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＤバー（１
次元ＬＤアレアイ）と熱的に接続された平板状の冷却パ
ッケージを複数個積層して構成され、該各冷却パッケー
ジには、冷却アセンブリと、前記ＬＤバーに電気的に接
続された第１及び第２の電極手段とが含まれており、前
記複数個の冷却パッケージは互いに電気的に直列接続さ
れている、２次元ＬＤアレイ発光装置に適用され、上記
課題を解決するように改良された構造を有する。
次元ＬＤアレアイ）と熱的に接続された平板状の冷却パ
ッケージを複数個積層して構成され、該各冷却パッケー
ジには、冷却アセンブリと、前記ＬＤバーに電気的に接
続された第１及び第２の電極手段とが含まれており、前
記複数個の冷却パッケージは互いに電気的に直列接続さ
れている、２次元ＬＤアレイ発光装置に適用され、上記
課題を解決するように改良された構造を有する。
【００１９】同改良に係る構造の基本的な特徴に従え
ば、前記第１の電極手段は、前記冷却アセンブリの少な
くとも一部又は前記冷却アセンブリの表面の少なくとも
一部に形成された導電性の層によって提供されており、
導電層と絶縁層から成るＴＡＢテープが、前記冷却アセ
ンブリの前記ＬＤバーを配置する側の表面に前記絶縁層
が対向するように設けられいる。
ば、前記第１の電極手段は、前記冷却アセンブリの少な
くとも一部又は前記冷却アセンブリの表面の少なくとも
一部に形成された導電性の層によって提供されており、
導電層と絶縁層から成るＴＡＢテープが、前記冷却アセ
ンブリの前記ＬＤバーを配置する側の表面に前記絶縁層
が対向するように設けられいる。
【００２０】このＴＡＢテープの前記導電層は、前記第
２の電極手段を提供するとともに、該第２の電極手段を
前記ＬＤバーに電気的に接続するためのウェブ状の延在
部を含む。そして、前記ＴＡＢテープの前記絶縁層によ
って前記第１の電極手段と前記第２の電極手段との間が
電気的に絶縁される。
２の電極手段を提供するとともに、該第２の電極手段を
前記ＬＤバーに電気的に接続するためのウェブ状の延在
部を含む。そして、前記ＴＡＢテープの前記絶縁層によ
って前記第１の電極手段と前記第２の電極手段との間が
電気的に絶縁される。
【００２１】ここで、冷却アセンブリは典型的には水冷
式のものであり、冷却液の流入用貫通穴及び流出用貫通
穴に繋がった冷却液流路が形成されている。そして、前
記ＴＡＢテープには、前記冷却液の流入用貫通穴及び前
記流出用貫通穴に対応した位置に各々前記冷却液を通過
させる開口が設けられている。
式のものであり、冷却液の流入用貫通穴及び流出用貫通
穴に繋がった冷却液流路が形成されている。そして、前
記ＴＡＢテープには、前記冷却液の流入用貫通穴及び前
記流出用貫通穴に対応した位置に各々前記冷却液を通過
させる開口が設けられている。
【００２２】また、前記ＴＡＢテープと前記冷却アセン
ブリの間には、諸要素間の水準調整のために、第１のス
ペーサ薄板が挿入されていても良い。この第１のスペー
サ薄板は、例えば熱作用により接着力が現われる部材
（例えば表面にハンダ層を設けた金属薄板）で構成する
ことが出来る。
ブリの間には、諸要素間の水準調整のために、第１のス
ペーサ薄板が挿入されていても良い。この第１のスペー
サ薄板は、例えば熱作用により接着力が現われる部材
（例えば表面にハンダ層を設けた金属薄板）で構成する
ことが出来る。
【００２３】また、前記ＴＡＢテープの前記導電層の上
には、金属薄板、あるいは、導電層が表面に形成された
絶縁物の薄板が設置されていても良い。この金属薄板の
典型例としては、銅板、あるいは、ハンダメッキされた
銅板がある。
には、金属薄板、あるいは、導電層が表面に形成された
絶縁物の薄板が設置されていても良い。この金属薄板の
典型例としては、銅板、あるいは、ハンダメッキされた
銅板がある。
【００２４】次に、諸要素間の水準調整のために、前記
ＬＤバーと前記冷却アセンブリの間に第２のスペーサ薄
板が挿入されても良い。この第２のスペーサ薄板は、電
導性材料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁
性材料で構成することが出来る。ここで、典型的な電導
性材料としては、銅、銅とタングステンからなる材料が
ある。更に、前記第２のスペーサ薄板の少なくとも冷却
アセンブリ側と前記ＬＤバー側にはハンダメッキが施さ
れていても良い。
ＬＤバーと前記冷却アセンブリの間に第２のスペーサ薄
板が挿入されても良い。この第２のスペーサ薄板は、電
導性材料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁
性材料で構成することが出来る。ここで、典型的な電導
性材料としては、銅、銅とタングステンからなる材料が
ある。更に、前記第２のスペーサ薄板の少なくとも冷却
アセンブリ側と前記ＬＤバー側にはハンダメッキが施さ
れていても良い。
【００２５】一方、前記ＴＡＢテープの前記延在部の前
記ＬＤアレイとの電気的接続部分にはハンダが形成さ
れ、更にこのハンダ上に金メッキが施されていても良
い。前記冷却アセンブリの表面についても、金メッキが
施されていても良い。
記ＬＤアレイとの電気的接続部分にはハンダが形成さ
れ、更にこのハンダ上に金メッキが施されていても良
い。前記冷却アセンブリの表面についても、金メッキが
施されていても良い。
【００２６】前記ＴＡＢテープは、前記ＬＤバーとの電
気的接続部分の近傍に、スリット状の切欠き部を有して
いても良い。スリット状の切欠き部は、ＬＤバーにスト
レスがかからないようにするためのものであり、延在部
がウェブ状の形態を失わないように形成される。
気的接続部分の近傍に、スリット状の切欠き部を有して
いても良い。スリット状の切欠き部は、ＬＤバーにスト
レスがかからないようにするためのものであり、延在部
がウェブ状の形態を失わないように形成される。
【００２７】以上の本発明の構成を従来構造（図５参
照）とを比較して直ちに判ることは、本発明では、接続
基板、前記絶縁シート及びＡｕワイヤ等でボンディング
していた従来の配線構造全体をウェブ状の延在部（導電
性）を持つＴＡＢテープで置き換えているということで
ある。この基本的な特徴により、配線構造全体が大幅に
簡素化されている。
照）とを比較して直ちに判ることは、本発明では、接続
基板、前記絶縁シート及びＡｕワイヤ等でボンディング
していた従来の配線構造全体をウェブ状の延在部（導電
性）を持つＴＡＢテープで置き換えているということで
ある。この基本的な特徴により、配線構造全体が大幅に
簡素化されている。
【００２８】ここで、ＴＡＢテープは一般には、例えば
銅製の導電路を絶縁材（通常、ポリイミド樹脂）からな
る薄膜で一部を残して覆った構造を有するテープ状乃至
ストリップ状のの部材として知られ、シリコンチップへ
の配線工程で使用されている。使用の際には、ポリイミ
ド（絶縁材）が欠落して銅（導電材）が露出した部分
を、半導体チップなどの素子の端子部にハンダ付けし、
電気的結合を得ている。
銅製の導電路を絶縁材（通常、ポリイミド樹脂）からな
る薄膜で一部を残して覆った構造を有するテープ状乃至
ストリップ状のの部材として知られ、シリコンチップへ
の配線工程で使用されている。使用の際には、ポリイミ
ド（絶縁材）が欠落して銅（導電材）が露出した部分
を、半導体チップなどの素子の端子部にハンダ付けし、
電気的結合を得ている。
【００２９】但し、従来のＴＡＢテープの使用態様で
は、シリコンチップのチャンネル数に対応した多数の端
子に個別に接続するものであり、いわば多チャンネルの
信号線を一括担持する集合線路部材として使用されてい
たに過ぎない。
は、シリコンチップのチャンネル数に対応した多数の端
子に個別に接続するものであり、いわば多チャンネルの
信号線を一括担持する集合線路部材として使用されてい
たに過ぎない。
【００３０】従って、当然、ＴＡＢテープの導電路は多
数形成され、銅（導電材）の露出部分も多数の線状部分
に分かれている。これに対して本発明では、この使用態
様に簡単な修正を加えることで、ＬＤバーへのいわば単
チャンネルの電流供給路を提供するようにしている。
数形成され、銅（導電材）の露出部分も多数の線状部分
に分かれている。これに対して本発明では、この使用態
様に簡単な修正を加えることで、ＬＤバーへのいわば単
チャンネルの電流供給路を提供するようにしている。
【００３１】即ち、本発明で用いられるＴＡＢテープ
は、その導電路部分、絶縁材部分のいずれも板状乃至層
状で良く、その露出部をＬＤバーとの橋渡しをするウェ
ブ状の延在部として利用出来るようにしている。本発明
で用いられるＴＡＢテープの銅板（導電材）は、従来構
造における冷却アセンブリから絶縁された金属板（配線
基板５２）に対応し、ポリイミド膜は絶縁シート５１に
対応する。従来構造においてボンディングワイヤ（金
線）５３に対応する部分は、本発明ではＴＡＢテープの
延在部（導電性）に対応する。なお、ＬＤバーに対向す
る延在部の先端付近には予備ハンダを施しておけば、ボ
ンディングは容易である。あるいは、ＴＡＢテープの銅
板部分全体がハンダメッキされていても構わない。
は、その導電路部分、絶縁材部分のいずれも板状乃至層
状で良く、その露出部をＬＤバーとの橋渡しをするウェ
ブ状の延在部として利用出来るようにしている。本発明
で用いられるＴＡＢテープの銅板（導電材）は、従来構
造における冷却アセンブリから絶縁された金属板（配線
基板５２）に対応し、ポリイミド膜は絶縁シート５１に
対応する。従来構造においてボンディングワイヤ（金
線）５３に対応する部分は、本発明ではＴＡＢテープの
延在部（導電性）に対応する。なお、ＬＤバーに対向す
る延在部の先端付近には予備ハンダを施しておけば、ボ
ンディングは容易である。あるいは、ＴＡＢテープの銅
板部分全体がハンダメッキされていても構わない。
【００３２】このようなＴＡＢテープは更に構造簡素
で、量産性に富んでいる。また、金線などに比べて非常
に大きな断面積を持つ導電路を形成出来るので、銅など
の比較的安価な材料で低い電気抵抗が実現出来る。従っ
て、従来の接続基板、前記絶縁シート及びＡｕワイヤ等
でボンディングしていた従来の配線構造全体をウェブ状
の延在部（導電性）を持つＴＡＢテープで置き換えるこ
とで、配線構造全体の簡素化と、低コスト化が同時に実
現可能になる。
で、量産性に富んでいる。また、金線などに比べて非常
に大きな断面積を持つ導電路を形成出来るので、銅など
の比較的安価な材料で低い電気抵抗が実現出来る。従っ
て、従来の接続基板、前記絶縁シート及びＡｕワイヤ等
でボンディングしていた従来の配線構造全体をウェブ状
の延在部（導電性）を持つＴＡＢテープで置き換えるこ
とで、配線構造全体の簡素化と、低コスト化が同時に実
現可能になる。
【００３３】本発明による構造を別の観点から見ると、
ＴＡＢテープの銅板（一般には、導電性の板状部）は、
その一部が前記接続基板の役割も果たしており、ＬＤバ
ーと接続基板を直接電気的に結合させたような形状が実
現されており、配線構造全体の低抵抗化にも寄与してい
ると言うことが出来る。
ＴＡＢテープの銅板（一般には、導電性の板状部）は、
その一部が前記接続基板の役割も果たしており、ＬＤバ
ーと接続基板を直接電気的に結合させたような形状が実
現されており、配線構造全体の低抵抗化にも寄与してい
ると言うことが出来る。
【００３４】なお、ＴＡＢテープは量産性に富む部材で
あるため、コスト面の利点を保持することを考慮する
と、厚さが一定で自由には選べない等の制約を受け易
い。金型により成形することにより、成形形状の選択性
には自由度があるが厚さを変更することは難しい。
あるため、コスト面の利点を保持することを考慮する
と、厚さが一定で自由には選べない等の制約を受け易
い。金型により成形することにより、成形形状の選択性
には自由度があるが厚さを変更することは難しい。
【００３５】本発明は、このような事情に対しても、ス
ペーサ薄板を設けて諸部材間の水準調整（高さ合わせ）
を行なうことで容易に対処出来る。ここで、スペーサ薄
板を冷却アセンブリとＴＡＢテープの間に挿入する場合
（第２のスペーサ薄板）の材料には導電性の有無は問わ
れないが、ＴＡＢテープの上にスペーサ薄板（第１のス
ペーサ薄板）を挿入する場合には、スタックする際に上
に来る冷却パッケージ（ＬＤバーモジュール）と電気的
に結合する必要があるので導電性材料を使用する必要が
ある。第２のスペーサ薄板としては、加熱により接着力
が発生する導電性フィルムや導電性の両面テープを用い
ると良い。
ペーサ薄板を設けて諸部材間の水準調整（高さ合わせ）
を行なうことで容易に対処出来る。ここで、スペーサ薄
板を冷却アセンブリとＴＡＢテープの間に挿入する場合
（第２のスペーサ薄板）の材料には導電性の有無は問わ
れないが、ＴＡＢテープの上にスペーサ薄板（第１のス
ペーサ薄板）を挿入する場合には、スタックする際に上
に来る冷却パッケージ（ＬＤバーモジュール）と電気的
に結合する必要があるので導電性材料を使用する必要が
ある。第２のスペーサ薄板としては、加熱により接着力
が発生する導電性フィルムや導電性の両面テープを用い
ると良い。
【００３６】本発明では、冷却アセンブリにメッキを施
しても良く、これはＬＤバーのボンディングを安定した
ものにする上で有利な一策である。このメッキは、金メ
ッキでも良いが、高価であるためハンダメッキの方がコ
スト的に望ましい。なお、ここでいうハンダメッキの材
料は、極く一般的な、「鉛と錫の合金」でも良いし、錫
単体のハンダ及び銀錫銅合金等でも構わない。
しても良く、これはＬＤバーのボンディングを安定した
ものにする上で有利な一策である。このメッキは、金メ
ッキでも良いが、高価であるためハンダメッキの方がコ
スト的に望ましい。なお、ここでいうハンダメッキの材
料は、極く一般的な、「鉛と錫の合金」でも良いし、錫
単体のハンダ及び銀錫銅合金等でも構わない。
【００３７】なお、冷却アセンブリとＬＤバーの間にＬ
Ｄバーに熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材料をダイス
ペーサとして挟み込んでも良い。これは、冷却アセンブ
リとＬＤバーの間のボンディングによるストレスを回避
する上で好ましい措置である。この場合、ダイスペーサ
は、冷却アセンブリ側とＬＤバー側の双方について電気
的結合を必要とするので、その固着にはハンダを使用す
れば良い。ダイスペーサ自身の材料については、バリが
少なく平面度の良い加工が容易なＳｉＣやＡ１Ｎ及びダ
イヤモンドなどは好ましいが、これらは絶縁物であるた
め表面（側面）をメタライズする。ＣｕＷのような材料
を用いる場合には、導電性があるのでその必要はない。
銅を使用すればコスト的に有利になる。
Ｄバーに熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材料をダイス
ペーサとして挟み込んでも良い。これは、冷却アセンブ
リとＬＤバーの間のボンディングによるストレスを回避
する上で好ましい措置である。この場合、ダイスペーサ
は、冷却アセンブリ側とＬＤバー側の双方について電気
的結合を必要とするので、その固着にはハンダを使用す
れば良い。ダイスペーサ自身の材料については、バリが
少なく平面度の良い加工が容易なＳｉＣやＡ１Ｎ及びダ
イヤモンドなどは好ましいが、これらは絶縁物であるた
め表面（側面）をメタライズする。ＣｕＷのような材料
を用いる場合には、導電性があるのでその必要はない。
銅を使用すればコスト的に有利になる。
【００３８】ＴＡＢテープのＬＤバー側近傍にスリット
を入れることは、ＬＤバーとＴＡＢテープ間のボンディ
ングによるストレスを低減させる上で好ましい。スリッ
トはＬＤバー側の端まで入れても構わないし、途中まで
でも構わない。最終的に冷却パッケージ（ＬＤバーモジ
ュール）はスタックされて２次元ＬＤアレイとなる。そ
の際にＬＤバーモジュールに位置決め用ガイドやピン穴
を設けておくことでスタックが容易になる。そのために
ＴＡＢテープにも位置決め用ガイドやピン穴を設けてお
いて良い。
を入れることは、ＬＤバーとＴＡＢテープ間のボンディ
ングによるストレスを低減させる上で好ましい。スリッ
トはＬＤバー側の端まで入れても構わないし、途中まで
でも構わない。最終的に冷却パッケージ（ＬＤバーモジ
ュール）はスタックされて２次元ＬＤアレイとなる。そ
の際にＬＤバーモジュールに位置決め用ガイドやピン穴
を設けておくことでスタックが容易になる。そのために
ＴＡＢテープにも位置決め用ガイドやピン穴を設けてお
いて良い。
【００３９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る２次元ＬＤアレイ面発光装置について説明する図
で、ＬＤが実装されて多数積層される冷却パッケージの
断面構造を、３つの順次隣合う冷却パッケージに代表さ
せて表わした部分断面図である。図５の場合と同様、３
つの冷却パッケージＰn-1 、Ｐn 及びＰn+1 は、積層体
の１方の端部から数えてｎ−１番目、ｎ番目及びｎ＋１
番目（但し、ｎは２以上の整数）の冷却パッケージであ
り、冷却パッケージＰn-1 の下側には冷却パッケージＰ
n-2 が連なり、冷却パッケージＰn+1 の上側には冷却パ
ッケージＰn+2 が連なっている。
に係る２次元ＬＤアレイ面発光装置について説明する図
で、ＬＤが実装されて多数積層される冷却パッケージの
断面構造を、３つの順次隣合う冷却パッケージに代表さ
せて表わした部分断面図である。図５の場合と同様、３
つの冷却パッケージＰn-1 、Ｐn 及びＰn+1 は、積層体
の１方の端部から数えてｎ−１番目、ｎ番目及びｎ＋１
番目（但し、ｎは２以上の整数）の冷却パッケージであ
り、冷却パッケージＰn-1 の下側には冷却パッケージＰ
n-2 が連なり、冷却パッケージＰn+1 の上側には冷却パ
ッケージＰn+2 が連なっている。
【００４０】各冷却パッケージは基本的に同じものなの
で、冷却パッケージＰn を例にとってその構造と作用を
説明する。符号１０は冷却パッケージＰn に装備される
冷却アセンブリで、従来と同様の構成が採用されてい
る。即ち、図４に分解斜視図で示したような３枚の金属
薄板１１、１２、１３を結合した構造を有し、それらの
の所定位置には冷却水流入／排出のための水路となる開
口１６、１７が設けられている。本例では、開口１６は
冷却水流入用に用いられ、開口１７は冷却水排出用に用
いられる。冷却水は開口１６から、金属薄板１１、１
２、１３の相互間に形成される冷却水路１５を通って流
通し、開口１７へ排出される。
で、冷却パッケージＰn を例にとってその構造と作用を
説明する。符号１０は冷却パッケージＰn に装備される
冷却アセンブリで、従来と同様の構成が採用されてい
る。即ち、図４に分解斜視図で示したような３枚の金属
薄板１１、１２、１３を結合した構造を有し、それらの
の所定位置には冷却水流入／排出のための水路となる開
口１６、１７が設けられている。本例では、開口１６は
冷却水流入用に用いられ、開口１７は冷却水排出用に用
いられる。冷却水は開口１６から、金属薄板１１、１
２、１３の相互間に形成される冷却水路１５を通って流
通し、開口１７へ排出される。
【００４１】冷却水路１５は、ＬＤバー６０から熱を効
率的に除去するために、図１に示した如く、ＬＤバー６
０の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、
各冷却パッケージの冷却ブリ間等において、冷却水が開
口１６、１７の周辺あるいは冷却水路１５から漏れ出す
ことを防止するために、オーリング（Ｏ−リング）、ラ
バーシート等の封止手段が適所に用いられている。これ
ら冷却水のシーリングに関連した構成は、本発明と特に
関連がないので詳しい説明及び図示は省略する。
率的に除去するために、図１に示した如く、ＬＤバー６
０の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、
各冷却パッケージの冷却ブリ間等において、冷却水が開
口１６、１７の周辺あるいは冷却水路１５から漏れ出す
ことを防止するために、オーリング（Ｏ−リング）、ラ
バーシート等の封止手段が適所に用いられている。これ
ら冷却水のシーリングに関連した構成は、本発明と特に
関連がないので詳しい説明及び図示は省略する。
【００４２】ＬＤバー６０は、金属薄板１３の縁部の近
くに固定（ハンダ層４３）された導電性のダイスペーサ
４１上に、ＬＤバー６０の一方の極側（例えば陰極側）
の端子部と導通する状態で搭載（ハンダ層４２）されて
いる。ＬＤバー６０の他方の極側（例えば陽極側）の端
子部の電気的接続には、ＴＡＢテープ２０が利用されて
いる。
くに固定（ハンダ層４３）された導電性のダイスペーサ
４１上に、ＬＤバー６０の一方の極側（例えば陰極側）
の端子部と導通する状態で搭載（ハンダ層４２）されて
いる。ＬＤバー６０の他方の極側（例えば陽極側）の端
子部の電気的接続には、ＴＡＢテープ２０が利用されて
いる。
【００４３】なお、ダイスペーサ４１を構成する材料に
は、ＬＤバー６０に熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材
料が用いられることが好ましい。これは、冷却アセンブ
リ１０とＬＤバー６０の間のボンディングによるストレ
スを回避するためである。ダイスペーサの具体的な材料
の例としては、バリが少なく平面度の良い加工が容易な
ＳｉＣやＡ１Ｎ及びダイヤモンドなどがあるが、これら
を使用する場合には絶縁物であるため表面（側面）をメ
タライズする。ＣｕＷのような材料を用いる場合には、
導電性があるのでその必要はない。銅を使用すればコス
ト的に有利になる。
は、ＬＤバー６０に熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材
料が用いられることが好ましい。これは、冷却アセンブ
リ１０とＬＤバー６０の間のボンディングによるストレ
スを回避するためである。ダイスペーサの具体的な材料
の例としては、バリが少なく平面度の良い加工が容易な
ＳｉＣやＡ１Ｎ及びダイヤモンドなどがあるが、これら
を使用する場合には絶縁物であるため表面（側面）をメ
タライズする。ＣｕＷのような材料を用いる場合には、
導電性があるのでその必要はない。銅を使用すればコス
ト的に有利になる。
【００４４】さて、ここで用いられるＴＡＢテープ２０
は、その概要を既述したように、銅版２１とその一部を
覆うポリイミド樹脂層２８で構成されている。図２に
は、このＴＡＢテープ２０を銅板２１側から見た様子が
平面図で例示されている。図２に示したように、ＴＡＢ
テープ２０の基部側には、冷却アセンブリ１０に設けら
れる開口１６、１７に対応して、開口２７、２８が、銅
板２１とポリイミド樹脂層２８を貫いて形成されてい
る。ＴＡＢテープ２０のＬＤバー６０に近い側は途中か
らやや幅が狭くなっており、そこにはスリット２４、２
５が数本形成されている。ここで、スリット２４はテー
プ先端まで届かない切欠部を形成し、スリット２５はテ
ープ先端まで届く切欠部を形成している。
は、その概要を既述したように、銅版２１とその一部を
覆うポリイミド樹脂層２８で構成されている。図２に
は、このＴＡＢテープ２０を銅板２１側から見た様子が
平面図で例示されている。図２に示したように、ＴＡＢ
テープ２０の基部側には、冷却アセンブリ１０に設けら
れる開口１６、１７に対応して、開口２７、２８が、銅
板２１とポリイミド樹脂層２８を貫いて形成されてい
る。ＴＡＢテープ２０のＬＤバー６０に近い側は途中か
らやや幅が狭くなっており、そこにはスリット２４、２
５が数本形成されている。ここで、スリット２４はテー
プ先端まで届かない切欠部を形成し、スリット２５はテ
ープ先端まで届く切欠部を形成している。
【００４５】ＴＡＢテープ２０は、このスリット形成部
分から適当な範囲が、図１に示したように、ポリイミド
樹脂層２８で被覆されていない延在部２２を形成してい
る。この延在部２２の先端側（ＬＤバー６０側）にスリ
ット２４、２５が形成され、延在部２２の先端がＬＤバ
ー６０に接続される電気的接続部２３として使用され
る。延在部２２を含む銅板２１の全面あるいは一部表面
には、ハンダメッキが施されていることが好ましい。特
に、電気的接続部２３については、ハンダメッキに加え
て金メッキを施し、より良好な導通を確保する場合もあ
る。
分から適当な範囲が、図１に示したように、ポリイミド
樹脂層２８で被覆されていない延在部２２を形成してい
る。この延在部２２の先端側（ＬＤバー６０側）にスリ
ット２４、２５が形成され、延在部２２の先端がＬＤバ
ー６０に接続される電気的接続部２３として使用され
る。延在部２２を含む銅板２１の全面あるいは一部表面
には、ハンダメッキが施されていることが好ましい。特
に、電気的接続部２３については、ハンダメッキに加え
て金メッキを施し、より良好な導通を確保する場合もあ
る。
【００４６】なお、冷却アセンブリ（ＬＤバーモジュー
ル）に位置決め用ガイドやピン穴を設けらておくことで
スタックが容易になるが、それに対応して、ＴＡＢテー
プ２０にも位置決め用ガイド２９やピン穴を設けておい
て良い。
ル）に位置決め用ガイドやピン穴を設けらておくことで
スタックが容易になるが、それに対応して、ＴＡＢテー
プ２０にも位置決め用ガイド２９やピン穴を設けておい
て良い。
【００４７】本実施形態では、図１に示した通り、ポリ
イミド樹脂層２８が冷却アセンブリ１０の金属薄板１３
側を向くようにＴＡＢテープ２０が配設され、ＴＡＢテ
ープ２０と金属薄板１３の間には、スペーサ薄板３１が
介挿されている。このスペーサ薄板３１はＴＡＢテープ
２０の水準を調整してＬＤバー６０との水準の不整合を
解消するために用いられるもので、水準調整の必要が無
ければ省かれる。ここで、水準調整は、ＬＤバー６０の
上に位置するＴＡＢテープの電気的接続部２３がスタッ
クした際に隣の冷却アセンブリＰn+1 の冷却アセンブリ
１０と押し付け合ってＬＤバー６０に外力が加わらない
ように（両者間に隙間が出来るように）行なわれる。
イミド樹脂層２８が冷却アセンブリ１０の金属薄板１３
側を向くようにＴＡＢテープ２０が配設され、ＴＡＢテ
ープ２０と金属薄板１３の間には、スペーサ薄板３１が
介挿されている。このスペーサ薄板３１はＴＡＢテープ
２０の水準を調整してＬＤバー６０との水準の不整合を
解消するために用いられるもので、水準調整の必要が無
ければ省かれる。ここで、水準調整は、ＬＤバー６０の
上に位置するＴＡＢテープの電気的接続部２３がスタッ
クした際に隣の冷却アセンブリＰn+1 の冷却アセンブリ
１０と押し付け合ってＬＤバー６０に外力が加わらない
ように（両者間に隙間が出来るように）行なわれる。
【００４８】スペーサ薄板３１の使用に有無に関わら
ず、銅板２１と冷却アセンブリ１０（金属薄板１３）は
少なくともポリイミド樹脂層２８を挟んで電気的に隔て
られることになり、従来構造（図５参照）で使用されて
いた絶縁シート５１の配設は不要になる。また、第１の
スペーサ薄板３１を用いる場合、その導電性の有無は問
われないが、特段の固着手段を用いなくとも安定した配
設状態を得るために、熱作用により接着力が現われる部
材で構成されていることが好ましい。例えば、金属板の
表面に適当な軟化点を有するハンダ層を設けたものを使
用すれば、熱作用により接着力が現われる。
ず、銅板２１と冷却アセンブリ１０（金属薄板１３）は
少なくともポリイミド樹脂層２８を挟んで電気的に隔て
られることになり、従来構造（図５参照）で使用されて
いた絶縁シート５１の配設は不要になる。また、第１の
スペーサ薄板３１を用いる場合、その導電性の有無は問
われないが、特段の固着手段を用いなくとも安定した配
設状態を得るために、熱作用により接着力が現われる部
材で構成されていることが好ましい。例えば、金属板の
表面に適当な軟化点を有するハンダ層を設けたものを使
用すれば、熱作用により接着力が現われる。
【００４９】一方、銅板２１のポリイミド樹脂層２８と
反対側の面は、隣の冷却パッケージＰn+1 の冷却アセン
ブリ１０の金属薄板１１と電気的に接触し、これと導通
している。なお、より良い導通状態を確保するために、
冷却アセンブリ１０の表面（金属薄板１１、１３の表
面）の全部または一部にハンダメッキが施されていても
良い。
反対側の面は、隣の冷却パッケージＰn+1 の冷却アセン
ブリ１０の金属薄板１１と電気的に接触し、これと導通
している。なお、より良い導通状態を確保するために、
冷却アセンブリ１０の表面（金属薄板１１、１３の表
面）の全部または一部にハンダメッキが施されていても
良い。
【００５０】このようにして、各冷却パッケージにおい
て、冷却アセンブリ１０が一方の電極（第１の電極；例
えば接地される陰極）を提供し、ＴＡＢテープ２０の銅
板２１が他方の電極（第２の電極；例えば陽極）を提供
する。そして、多数の冷却パッケージは積層された状態
で、各ＬＤバー６０を駆動電流が流れるように直列に接
続される。
て、冷却アセンブリ１０が一方の電極（第１の電極；例
えば接地される陰極）を提供し、ＴＡＢテープ２０の銅
板２１が他方の電極（第２の電極；例えば陽極）を提供
する。そして、多数の冷却パッケージは積層された状態
で、各ＬＤバー６０を駆動電流が流れるように直列に接
続される。
【００５１】なお、一方の端部側の冷却パッケージＰ1
の冷却アセンブリ１０が電源（図示せず）の一方の極
（例えば陰極）に接続され、他方の端部側の冷却パッケ
ージＰN （Ｎは積層冷却パッケージ数）の銅板２１が電
源（図示せず）の他方の極（例えば陽極）に接続される
ことは言うまでもない。
の冷却アセンブリ１０が電源（図示せず）の一方の極
（例えば陰極）に接続され、他方の端部側の冷却パッケ
ージＰN （Ｎは積層冷却パッケージ数）の銅板２１が電
源（図示せず）の他方の極（例えば陽極）に接続される
ことは言うまでもない。
【００５２】また、スペーサ薄板３１にも、金属薄板１
１〜１３の開口１６、１７と対応する位置に同サイズの
開口（図示省略）が設けられており、これにより、冷却
水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッケージを
貫いて形成されることになる。冷却水の流入路及び排出
路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの吐出側及
び吸入側に接続される。
１〜１３の開口１６、１７と対応する位置に同サイズの
開口（図示省略）が設けられており、これにより、冷却
水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッケージを
貫いて形成されることになる。冷却水の流入路及び排出
路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの吐出側及
び吸入側に接続される。
【００５３】以上のように、第１の実施形態では、ＴＡ
Ｂテープ２０をポリイミド層２８が冷却アセンブリ１０
側に来るような向きで用い、水準調整のためのスペーサ
薄板３１を冷却アセンブリ１０との間に介挿した構造を
採用しているが、水準調整のためのスペーサ薄板をＬＤ
６０を実装する側で隣接する冷却パッケージ側に配設す
ることも出来る。その例を第２の実施形態として、図１
と同様の描示形式で図３に示した。
Ｂテープ２０をポリイミド層２８が冷却アセンブリ１０
側に来るような向きで用い、水準調整のためのスペーサ
薄板３１を冷却アセンブリ１０との間に介挿した構造を
採用しているが、水準調整のためのスペーサ薄板をＬＤ
６０を実装する側で隣接する冷却パッケージ側に配設す
ることも出来る。その例を第２の実施形態として、図１
と同様の描示形式で図３に示した。
【００５４】図３において、３つの順次隣合う冷却パッ
ケージＱn-1 、Ｑn 及びＱn+1 は、積層体の１方の端部
から数えてｎ−１番目、ｎ番目及びｎ＋１番目（但し、
ｎは２以上の整数）の冷却パッケージであり、冷却パッ
ケージＱn-1 の下側には冷却パッケージＱn-2 が連な
り、冷却パッケージＱn+1 の上側には冷却パッケージＱ
n+2 が連なっている。
ケージＱn-1 、Ｑn 及びＱn+1 は、積層体の１方の端部
から数えてｎ−１番目、ｎ番目及びｎ＋１番目（但し、
ｎは２以上の整数）の冷却パッケージであり、冷却パッ
ケージＱn-1 の下側には冷却パッケージＱn-2 が連な
り、冷却パッケージＱn+1 の上側には冷却パッケージＱ
n+2 が連なっている。
【００５５】各冷却パッケージは基本的に同じものなの
で、冷却パッケージＱn を例にとってその構造と作用を
説明する。符号１０は冷却パッケージＱn に装備される
冷却アセンブリで、従来構造あるいは第１の実施形態で
用いたものと同じ構成が採用されている。即ち、所定位
置には冷却水流入／排出のための水路となる開口１６、
１７が設けられた３枚の金属薄板１１、１２、１３が結
合され、冷却水路１５が内部に形成されている。その
他、冷却アセンブリ１０に関する事項は、第１の実施形
態と同様なので、冷却アセンブリ１０自体の詳しい説明
は省略する。
で、冷却パッケージＱn を例にとってその構造と作用を
説明する。符号１０は冷却パッケージＱn に装備される
冷却アセンブリで、従来構造あるいは第１の実施形態で
用いたものと同じ構成が採用されている。即ち、所定位
置には冷却水流入／排出のための水路となる開口１６、
１７が設けられた３枚の金属薄板１１、１２、１３が結
合され、冷却水路１５が内部に形成されている。その
他、冷却アセンブリ１０に関する事項は、第１の実施形
態と同様なので、冷却アセンブリ１０自体の詳しい説明
は省略する。
【００５６】ＬＤバー６０は、第１の実施形態と同様、
金属薄板１３の縁部の近くに固定（ハンダ層４３）され
た導電性のダイスペーサ４１上に、ＬＤバー６０の一方
の極側（例えば陰極側）の端子部と導通する状態で搭載
（ハンダ層４２）されている。ダイスペーサ４１の材料
等については、第１の実施形態で説明した通りである。
金属薄板１３の縁部の近くに固定（ハンダ層４３）され
た導電性のダイスペーサ４１上に、ＬＤバー６０の一方
の極側（例えば陰極側）の端子部と導通する状態で搭載
（ハンダ層４２）されている。ダイスペーサ４１の材料
等については、第１の実施形態で説明した通りである。
【００５７】ＬＤバー６０の他方の極側（例えば陽極
側）の端子部の電気的接続には、ＴＡＢテープ２０が利
用される。ここで用いられるＴＡＢテープ２０は、第１
の実施形態で用いたものと同じものであって良い。即
ち、ＴＡＢテープ２０は、銅版２１とその一部を覆うポ
リイミド樹脂層２８で構成され、銅板２１側から見た様
子は図２に示した通りである。開口２７、２８は、銅板
２１とポリイミド樹脂層２８を貫いて形成された冷却水
流入／流出用のものである。スリット２４、２５につい
ても、第１の実施形態の説明中で述べた通りである。
側）の端子部の電気的接続には、ＴＡＢテープ２０が利
用される。ここで用いられるＴＡＢテープ２０は、第１
の実施形態で用いたものと同じものであって良い。即
ち、ＴＡＢテープ２０は、銅版２１とその一部を覆うポ
リイミド樹脂層２８で構成され、銅板２１側から見た様
子は図２に示した通りである。開口２７、２８は、銅板
２１とポリイミド樹脂層２８を貫いて形成された冷却水
流入／流出用のものである。スリット２４、２５につい
ても、第１の実施形態の説明中で述べた通りである。
【００５８】また、図３に示したように、ポリイミド樹
脂層２８で一部が被覆されている銅版２１の延在部２２
は、その先端部がＬＤバー６０に接続される電気的接続
部２３として使用される点も同様である。延在部２２を
含む銅板２１の全面あるいは一部表面には、ハンダメッ
キが施されていることが好ましい。特に、電気的接続部
２３については、ハンダメッキに加えて金メッキを施
し、より良好な導通を確保する場合もある。
脂層２８で一部が被覆されている銅版２１の延在部２２
は、その先端部がＬＤバー６０に接続される電気的接続
部２３として使用される点も同様である。延在部２２を
含む銅板２１の全面あるいは一部表面には、ハンダメッ
キが施されていることが好ましい。特に、電気的接続部
２３については、ハンダメッキに加えて金メッキを施
し、より良好な導通を確保する場合もある。
【００５９】本実施形態の特徴は、ＴＡＢテープ２０の
銅板２１と、隣の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブ
リ１０の金属薄板１１の間に、スペーサ薄板（第２のス
ペーサ薄板）３２が介挿されている点にある。このスペ
ーサ薄板３２は、ＴＡＢテープの電気的接続部２３が隣
の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブリ１０にぶつか
らないように水準調整を行なうために配設される。水準
調整の必要が無ければ省かれて良い。
銅板２１と、隣の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブ
リ１０の金属薄板１１の間に、スペーサ薄板（第２のス
ペーサ薄板）３２が介挿されている点にある。このスペ
ーサ薄板３２は、ＴＡＢテープの電気的接続部２３が隣
の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブリ１０にぶつか
らないように水準調整を行なうために配設される。水準
調整の必要が無ければ省かれて良い。
【００６０】本実施形態では、スペーサ薄板３２の使用
に有無に関わらず、ポリイミド樹脂層２８は冷却アセン
ブリ１０とスペーサなしで対向するが、ポリイミド樹脂
の高い絶縁性により、両者は電気的に隔てられる。従っ
て、第１の実施形態と同様、従来構造（図５参照）で使
用されていた絶縁シート５１の配設は不要になる。
に有無に関わらず、ポリイミド樹脂層２８は冷却アセン
ブリ１０とスペーサなしで対向するが、ポリイミド樹脂
の高い絶縁性により、両者は電気的に隔てられる。従っ
て、第１の実施形態と同様、従来構造（図５参照）で使
用されていた絶縁シート５１の配設は不要になる。
【００６１】また、スペーサ薄板３２を用いる場合、ス
ペーサ薄板３２には銅板２１と隣の冷却アセンブリＱn+
2 の冷却アセンブリ１０との間の導通を確保する機能が
要求される。そのために、スペーサ薄板３２は電導性材
料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料
で構成される。典型的な電導性材料としては、銅や銅と
タングステンからなる材料がある。また、その一部、特
に隣の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブリ１０側と
ＬＤバー６０側には、ハンダメッキが施されていれば導
通の確保がより容易になる。
ペーサ薄板３２には銅板２１と隣の冷却アセンブリＱn+
2 の冷却アセンブリ１０との間の導通を確保する機能が
要求される。そのために、スペーサ薄板３２は電導性材
料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料
で構成される。典型的な電導性材料としては、銅や銅と
タングステンからなる材料がある。また、その一部、特
に隣の冷却アセンブリＱn+2 の冷却アセンブリ１０側と
ＬＤバー６０側には、ハンダメッキが施されていれば導
通の確保がより容易になる。
【００６２】このようにして、本実施形態においても、
各冷却パッケージの冷却アセンブリ１０が一方の電極
（第１の電極；例えば接地される陰極）を提供し、ＴＡ
Ｂテープ２０の銅板２１が他方の電極（第２の電極；例
えば陽極）を提供する。そして、多数の冷却パッケージ
は積層された状態で、各ＬＤバー６０を駆動電流が流れ
るように直列に接続される。
各冷却パッケージの冷却アセンブリ１０が一方の電極
（第１の電極；例えば接地される陰極）を提供し、ＴＡ
Ｂテープ２０の銅板２１が他方の電極（第２の電極；例
えば陽極）を提供する。そして、多数の冷却パッケージ
は積層された状態で、各ＬＤバー６０を駆動電流が流れ
るように直列に接続される。
【００６３】なお、一方の端部側の冷却パッケージＱ1
の冷却アセンブリ１０が電源（図示せず）の一方の極
（例えば陰極）に接続され、他方の端部側の冷却パッケ
ージＱN （Ｎは積層冷却パッケージ数）の銅板２１が電
源（図示せず）の他方の極（例えば陽極）に接続される
ことは言うまでもない。
の冷却アセンブリ１０が電源（図示せず）の一方の極
（例えば陰極）に接続され、他方の端部側の冷却パッケ
ージＱN （Ｎは積層冷却パッケージ数）の銅板２１が電
源（図示せず）の他方の極（例えば陽極）に接続される
ことは言うまでもない。
【００６４】また、スペーサ薄板３２についても、金属
薄板１１〜１３の開口１６、１７と対応する位置に同サ
イズの開口（図示省略）が設けられており、これによ
り、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッ
ケージを貫いて形成されることになる。冷却水の流入路
及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの
吐出側及び吸入側に接続される。
薄板１１〜１３の開口１６、１７と対応する位置に同サ
イズの開口（図示省略）が設けられており、これによ
り、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッ
ケージを貫いて形成されることになる。冷却水の流入路
及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの
吐出側及び吸入側に接続される。
【００６５】なお、いずれの実施形態においても、冷却
アセンブリ１０の表面の全体あるいは所要部分に金メッ
キやハンダメッキを施すことが安定したボンディングを
得る上で有利である。ここで、ハンダの材料（即ち、ハ
ンダ合金）には例えばＰｂＳｎハンダやＳｎ単体のもの
を使用出来るが、ＬＤバー６０のボンディングの際に融
解しないようにＳｉあるいはＰｂの組成比率の高いハン
ダ（融点が高い）を使用することが好ましい。組成比率
で８０％程度のＳｎを含むＰｂＳｎハンダメッキは、一
般的に良く利用されており、安価である。
アセンブリ１０の表面の全体あるいは所要部分に金メッ
キやハンダメッキを施すことが安定したボンディングを
得る上で有利である。ここで、ハンダの材料（即ち、ハ
ンダ合金）には例えばＰｂＳｎハンダやＳｎ単体のもの
を使用出来るが、ＬＤバー６０のボンディングの際に融
解しないようにＳｉあるいはＰｂの組成比率の高いハン
ダ（融点が高い）を使用することが好ましい。組成比率
で８０％程度のＳｎを含むＰｂＳｎハンダメッキは、一
般的に良く利用されており、安価である。
【００６６】
【発明の効果】本発明においては、従来の構造で配線に
使用する絶縁シート、接続基板、ボンディングワイヤ
が、安価で量産性に富んだＴＡＢテープで置き換えられ
るため、部材費、組立工数の低減が容易に実現出来る。
また、ワイヤ等でボンディングした場合と比較して、Ｔ
ＡＢテープは配線部分の断面積が大きく、接続基板に相
当する部分（ＴＡＢテープの導電材料板）と直接に電気
的な結合がなされるので、抵抗も低くすることが出来
る。それに伴い、動作電圧を低くすることも可能にな
り、電気から光への変換効率の向上ももたらされる。
使用する絶縁シート、接続基板、ボンディングワイヤ
が、安価で量産性に富んだＴＡＢテープで置き換えられ
るため、部材費、組立工数の低減が容易に実現出来る。
また、ワイヤ等でボンディングした場合と比較して、Ｔ
ＡＢテープは配線部分の断面積が大きく、接続基板に相
当する部分（ＴＡＢテープの導電材料板）と直接に電気
的な結合がなされるので、抵抗も低くすることが出来
る。それに伴い、動作電圧を低くすることも可能にな
り、電気から光への変換効率の向上ももたらされる。
【００６７】ＴＡＢテープの厚さの自由度の制約に対し
ても、水準調整用のスペーサ薄板を追加する簡単な構成
で対応出来るので、支障なくＴＡＢテープの高い量産性
を活かすことが出来る。また、必要に応じて、金メッキ
やハンダメッキを施すことにより、安定したボンディン
グや所要部分間の良好な導通確保等を図る上で、本発明
の提案する構造は何の妨げにもならない。
ても、水準調整用のスペーサ薄板を追加する簡単な構成
で対応出来るので、支障なくＴＡＢテープの高い量産性
を活かすことが出来る。また、必要に応じて、金メッキ
やハンダメッキを施すことにより、安定したボンディン
グや所要部分間の良好な導通確保等を図る上で、本発明
の提案する構造は何の妨げにもならない。
【００６８】ボンディングワイヤに代えてウェブ状の導
体を用いたことによりＬＤバーにかかり得るストレスに
ついても、スリット状の切欠を設けることでボンディン
グストレスを容易に小さく出来る。更に付帯的な利点と
しては、ＴＡＢテープに位置決め用ガイドやピン穴を設
ければ、スタックが容易になることが挙げられる。
体を用いたことによりＬＤバーにかかり得るストレスに
ついても、スリット状の切欠を設けることでボンディン
グストレスを容易に小さく出来る。更に付帯的な利点と
しては、ＴＡＢテープに位置決め用ガイドやピン穴を設
ければ、スタックが容易になることが挙げられる。
【図１】本発明の第１の実施形態について説明する図
で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示さ
れている。
で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示さ
れている。
【図２】本発明の第１及び第２の実施形態に使用される
ＴＡＢテープを、銅板側から見た平面図で表わしたもの
である。
ＴＡＢテープを、銅板側から見た平面図で表わしたもの
である。
【図３】本発明の第２の実施形態について説明する図
で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示さ
れている。
で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示さ
れている。
【図４】従来構造及び本発明の第１及び第２の実施形態
で使用されている冷却アセンブリについて説明する分解
斜視図である。
で使用されている冷却アセンブリについて説明する分解
斜視図である。
【図５】従来技術について説明する図で、積層される冷
却パッケージの断面構造が抽出描示されている。
却パッケージの断面構造が抽出描示されている。
１０ 冷却アセンブリ
１１、１２、１３ 冷却アセンブリの構成に用いられる
金属薄板 １５ 冷却水路 １６、１７ 開口 ２０ ＴＡＢテープ ２１ 銅板 ２２ 銅板の延在部 ２３ ＬＤバ−への接続部 ２４、２５ スリット ２６、２７ 開口 ２８ ポリイミド層 ２９ 位置決め用ガイド ３１、３２ スペーサ薄板 ４１、５５ ダイスペーサ ４２ ハンダ層 ５１ 絶縁シート ５２ 配線基板（金属板） ５２ａ 突起部 ６０ ＬＤバー Ｐn-1 、Ｐn 、Ｐn+1 冷却パッケージ（第１の実施形
態） Ｑn-1 、Ｑn 、Ｑn+1 冷却パッケージ（第２の実施形
態） Ｒn-1 、Ｒn 、Ｒn+1 冷却パッケージ（従来構造）
金属薄板 １５ 冷却水路 １６、１７ 開口 ２０ ＴＡＢテープ ２１ 銅板 ２２ 銅板の延在部 ２３ ＬＤバ−への接続部 ２４、２５ スリット ２６、２７ 開口 ２８ ポリイミド層 ２９ 位置決め用ガイド ３１、３２ スペーサ薄板 ４１、５５ ダイスペーサ ４２ ハンダ層 ５１ 絶縁シート ５２ 配線基板（金属板） ５２ａ 突起部 ６０ ＬＤバー Ｐn-1 、Ｐn 、Ｐn+1 冷却パッケージ（第１の実施形
態） Ｑn-1 、Ｑn 、Ｑn+1 冷却パッケージ（第２の実施形
態） Ｒn-1 、Ｒn 、Ｒn+1 冷却パッケージ（従来構造）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 坂野 哲朗
山梨県南都留郡忍野村忍草字古馬場3580番
地 ファナック株式会社内
(72)発明者 早野 浩次
山梨県南都留郡忍野村忍草字古馬場3580番
地 ファナック株式会社内
(72)発明者 大山 昭憲
山梨県南都留郡忍野村忍草字古馬場3580番
地 ファナック株式会社内
Ｆターム(参考） 5F073 AB05 BA09 FA06 FA26
Claims (15)
- 【請求項１】 ＬＤバーと熱的に接続された平板状の冷
却パッケージを複数個積層して構成され、該各冷却パッ
ケージには、冷却アセンブリと、前記ＬＤバーに電気的
に接続された第１及び第２の電極手段とが含まれてお
り、前記複数個の冷却パッケージは互いに電気的に直列
接続されている、２次元ＬＤアレイ発光装置において、 前記第１の電極手段は、前記冷却アセンブリの少なくと
も一部又は前記冷却アセンブリの表面の少なくとも一部
に形成された導電性の層によって提供されており、 導電層と絶縁層から成るＴＡＢテープが、前記冷却アセ
ンブリの前記ＬＤバーを配置する側の表面に前記絶縁層
が対向するように設けられ、 前記ＴＡＢテープの前記導電層は前記第２の電極手段を
提供するとともに、該第２の電極手段を前記ＬＤバーに
電気的に接続するためのウェブ状の延在部を含み、 前記ＴＡＢテープの前記絶縁層によって前記第１の電極
手段と前記第２の電極手段との間が電気的に絶縁されて
いる、前記２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項２】 前記冷却アセンブリには、冷却液の流入
用貫通穴及び流出用貫通穴に繋がった冷却液流路が形成
されており、 前記ＴＡＢテープには、前記冷却液の流入用貫通穴及び
前記流出用貫通穴に対応した位置に各々前記冷却液を通
過させる開口が設けられている、２次元ＬＤアレイ発光
装置。 - 【請求項３】 前記ＴＡＢテープと前記冷却アセンブリ
の間に第１のスペーサ薄板が挿入されている、請求項１
または請求項２に記載された２次元ＬＤアレイ発光装
置。 - 【請求項４】 前記第１のスペーサ薄板が熱作用により
接着力が現われる部材で構成されている、請求項３に記
載された２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項５】 前記ＴＡＢテープの前記導電層の上に、
金属薄板、あるいは導電層が表面に形成された絶縁物の
薄板が設置されている、請求項１または請求項２に記載
された２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項６】 前記導電層の上に設置される薄板が銅板
である、請求項５に記載された２次元ＬＤアレイ発光装
置。 - 【請求項７】 前記導電層の上に設置される薄板が、ハ
ンダメッキされた銅板である、請求項５に記載された２
次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項８】 前記ＬＤバーと前記冷却アセンブリの間
に第２のスペーサ薄板が挿入されている、請求頃１乃至
請求項７の何れか１項に記載された２次元ＬＤアレイ発
光装置。 - 【請求項９】 前記第２のスペーサ薄板が電導性材料、
あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料で構
成されている、請求項８に記載された２次元ＬＤアレイ
発光装置。 - 【請求項１０】 前記第２のスペーサ薄板が銅で構成さ
れている、請求項８に記載された２次元ＬＤアレイ発光
装置。 - 【請求項１１】 前記第２のスペーサ薄板が銅とタング
ステンからなる材料で構成されている、請求項８に記載
された２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項１２】 前記第２のスペーサ薄板の少なくとも
冷却アセンブリ側と前記ＬＤバー側にはハンダメッキが
施されている、請求項１０、又は請求項１１に記載され
た２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項１３】 前記ＴＡＢテープの前記延在部の前記
ＬＤアレイとの電気的接続部分にはハンダが形成され、
更に前記ハンダ上に金メッキが施されている、請求項１
乃至請求項１２の何れか１項に記載された２次元ＬＤア
レイ発光装置。 - 【請求項１４】 前記冷却アセンブリの表面に金メッキ
が施されている、請求項１乃至請求項１２の何れか１項
に記載された２次元ＬＤアレイ発光装置。 - 【請求項１５】 前記ＴＡＢテープは、前記ＬＤバーと
の電気的接続部分の近傍に、スリット状の切欠き部を有
している、請求項１乃至請求項１４の何れかＩ項に記載
された２次元ＬＤアレイ発光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001250314A JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | ２次元ｌｄアレイ発光装置 |
| US10/216,324 US6934309B2 (en) | 2001-08-21 | 2002-08-12 | Two-dimensional laser diode array light-emitting device |
| EP02255655A EP1286441B1 (en) | 2001-08-21 | 2002-08-14 | Two-dimensional laser diode array |
| DE60215892T DE60215892T2 (de) | 2001-08-21 | 2002-08-14 | Zweidimensionaler Vielfachdiodenlaser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001250314A JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | ２次元ｌｄアレイ発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060283A true JP2003060283A (ja) | 2003-02-28 |
| JP3643328B2 JP3643328B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=19079162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001250314A Expired - Fee Related JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | ２次元ｌｄアレイ発光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6934309B2 (ja) |
| EP (1) | EP1286441B1 (ja) |
| JP (1) | JP3643328B2 (ja) |
| DE (1) | DE60215892T2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005229095A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 光源装置および投射型表示装置 |
| JP2006019676A (ja) * | 2003-10-15 | 2006-01-19 | Nichia Chem Ind Ltd | ヒートシンク及びヒートシンクを備えた半導体装置 |
| JP2006032408A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2007019265A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 発光装置 |
| KR100910959B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2009-08-05 | 교토덴키키 가부시키가이샤 | 조명 장치 |
| WO2017183300A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
| DE102007009380A1 (de) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Impulslaser und Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung |
| DE102007016772A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Stapelbare mehrschichtige Mikrokanalwärmesenke |
| JP2008300596A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sony Corp | ヒートシンクおよび半導体レーザ装置 |
| US7623560B2 (en) * | 2007-09-27 | 2009-11-24 | Ostendo Technologies, Inc. | Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof |
| DE102008026229B4 (de) | 2008-05-29 | 2012-12-27 | Jenoptik Laser Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes |
| DE102008036439A1 (de) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeableitmodul mit einem Halbleiterelement und Herstellungsverfahren für ein solches Wärmeableitmodul |
| US20120292788A1 (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | The University Of Hong Kong | Chip stacking |
| JP2012248812A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光集積素子の製造方法 |
| US8787414B1 (en) * | 2011-09-07 | 2014-07-22 | Science Research Laboratory, Inc. | Methods and systems for providing a low stress electrode connection |
| CN104485576A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-01 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管 |
| KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
| CN106684707A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-05-17 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种粘接型半导体激光器叠阵及其制备方法 |
| US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
| US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
| US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11282981B2 (en) * | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
| US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
| US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
| US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
| US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
| RU2712764C1 (ru) * | 2019-06-11 | 2020-01-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Способ создания двумерной матрицы лазерных диодов и двумерная матрица лазерных диодов |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716568A (en) * | 1985-05-07 | 1987-12-29 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Stacked diode laser array assembly |
| US6274391B1 (en) * | 1992-10-26 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | HDI land grid array packaged device having electrical and optical interconnects |
-
2001
- 2001-08-21 JP JP2001250314A patent/JP3643328B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-12 US US10/216,324 patent/US6934309B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 EP EP02255655A patent/EP1286441B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-14 DE DE60215892T patent/DE60215892T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006019676A (ja) * | 2003-10-15 | 2006-01-19 | Nichia Chem Ind Ltd | ヒートシンク及びヒートシンクを備えた半導体装置 |
| JP2005229095A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 光源装置および投射型表示装置 |
| JP4654664B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
| JP2006032408A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP4600733B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2007019265A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 発光装置 |
| KR100910959B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2009-08-05 | 교토덴키키 가부시키가이샤 | 조명 장치 |
| WO2017183300A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JPWO2017183300A1 (ja) * | 2016-04-19 | 2019-02-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1286441B1 (en) | 2006-11-08 |
| US6934309B2 (en) | 2005-08-23 |
| JP3643328B2 (ja) | 2005-04-27 |
| DE60215892D1 (de) | 2006-12-21 |
| US20030039278A1 (en) | 2003-02-27 |
| EP1286441A3 (en) | 2004-01-02 |
| EP1286441A2 (en) | 2003-02-26 |
| DE60215892T2 (de) | 2007-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041029 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050111 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050127 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |