JP3643328B2 - 2次元ldアレイ発光装置 - Google Patents
2次元ldアレイ発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3643328B2 JP3643328B2 JP2001250314A JP2001250314A JP3643328B2 JP 3643328 B2 JP3643328 B2 JP 3643328B2 JP 2001250314 A JP2001250314 A JP 2001250314A JP 2001250314 A JP2001250314 A JP 2001250314A JP 3643328 B2 JP3643328 B2 JP 3643328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- emitting device
- cooling
- bar
- tab tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザダイオードアレイを用いた2次元発光装置に関し、特に多量の熱を発生するLDバーを実装した平板状の冷却パッケージを多数積層した構造を有する2次元LDアレイ発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LD(レーザダイオード;半導体レーザとも呼ばれる。以下、同じ。)を発光源に用いた面発光装置が注目を集めており、例えばYAGレーザのような固体レーザ発生装置の励起光源に用いられ、高い励起効率の実現に貢献している。また、従来のキセノンランプ等の放電ランプと比べて装置の小型化も容易であり、寿命も長い等の利点も有している。
【0003】
良く知られているように、LDを発光源に用いて面発光装置を構成する場合には、多数のLD素子を各々の発光領域が直線状に整列するように構成された1次元アレイが利用される。このLDの1次元アレイは棒状の形状を有し、一般に「LDバー」と呼ばれている。このLDバーを複数本並べて配列することで2次元LDアレイ発光装置が構成される。
【0004】
ところでLDを駆動すると当然熱を発生し、LDバー全体が高温となる。特に、面状光源の発光面にできるだけ隙間(非発光部)を作らないために隣同士のLDバーを接近して配置した場合、その熱の効率的な除去が重要な課題となる。例えば、高出力固体レーザの励起用光源として2次元LDアレイ発光装置を用いる場合、面光源としての平均出力パワーは100〜200W/cm2 に達し、それに伴う発熱量は200〜400W/cm2 程度にもなる。
【0005】
そこで、このような多量の熱を逃がしてLDバーの昇温を抑制するために、LDバーを水冷式の冷却アセンブリを備えた平板状の冷却パッケージに実装し、これを多数積層して面発光装置を構成する手法が採用されている。図5は、この手法に従って構成された面発光装置の従来構造を説明する部分断面図である。
【0006】
面発光装置全体は多数(例えば数百個)の冷却パッケージの積層体で構成されており、図5には、積層体の1方の端部から数えてn−1番目、n番目及びn+1番目(但し、nは2以上の整数)の冷却パッケージRn-1 、Rn 及びRn+1 の断面が示されている。図示は省略されているが、図5において冷却パッケージRn-1 の下側には冷却パッケージRn-2 が連なり、冷却パッケージRn+1 の上側には冷却パッケージRn+2 が連なっている。
【0007】
各冷却パッケージは基本的に同じものなので、冷却パッケージRn を例にとってその構造と作用を簡単に記す。符号10は冷却パッケージRn に装備される冷却アセンブリで、図4に分解斜視図で示したような3枚の金属薄板11、12、13を結合した構造を有している。各金属薄板11、12、13の所定位置には冷却水流入/排出のための水路となる開口16、17が設けられている。
【0008】
本例では、開口16は冷却水流入用に用いられ、開口17は冷却水排出用に用いられる。冷却水は開口16から、金属薄板11、12、13の相互間に形成される冷却水路15を通って流通し、開口17へ排出される。
【0009】
冷却水路15は、LDバー60から熱を効率的に除去するために、図5に示した如く、LDバー60の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、各冷却パッケージの冷却アセンブリ間等において、冷却水が開口16、17の周辺あるいは冷却水路15から漏れ出すことを防止するために、オーリング(O−リング)、ラバーシート等の封止手段が適所に用いられている。
【0010】
LDバー60は、金属薄板13の縁部の近くに固定(ハンダ付け)された導電性のダイスペーサ55上に、LDバー60の一方の極側(例えば陰極側)の端子部と導通する状態で搭載されている。LDバー60の他方の極側(例えば陽極側)の端子部には、金線などのボンディングワイヤ53の一端がハンダ付けされている。符号54は、ハンダ付けされたボンディング部を表わしている。
【0011】
これに対して、ダイスペーサ55と所定の間隔をとって金属薄板13上には絶縁シート51が設けられ、更にこの絶縁シート51上に導電性の接続基板52が設けられている。そして、接続基板52のLDバー60に比較的近い位置には、ボンディングワイヤ53の他端がハンダ付けされている。また、接続基板52の一部には、必要に応じて凸部52aが設けられ、この凸部52aと隣の冷却パッケージRn+1 の冷却アセンブリ10の金属薄板11と導通するようになっている。同様に、冷却パッケージRn の金属薄板11は冷却パッケージRn-1 の接続基板52no凸部52aと導通している。
【0012】
このようにして、各冷却パッケージにおいて、冷却アセンブリ10が一方の電極(第1の電極;例えば接地される陰極)を提供し、接続基板52が他方の電極(第2の電極;例えば陽極)を提供する。そして、多数の冷却パッケージは各LDバー60を駆動電流が流れるように直列に接続されている。なお、一方の端部側の冷却パッケージR1 の冷却アセンブリ10が電源(図示せず)の一方の極(例えば陰極)に接続され、他方の端部側の冷却パッケージRN (Nは積層冷却パッケージ数)の接続基板52が電源(図示せず)の他方の極(例えば陽極)に接続されることは言うまでもない。
【0013】
また、絶縁シート51及び接続基板52にも、金属薄板11〜13の開口16、17と対応する位置に同サイズの開口(図示省略)が設けられており、これにより、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッケージを貫いて形成されることになる。冷却水の流入路及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの吐出側及び吸入側に接続される。
【0014】
以上のような構造を採用した場合、冷却アセンブリの部分については製造コストのかなりの低コスト化が可能であることが報告されている。これに伴い、残る冷却パッケージ内の配線部品等の部材コストや取り付けコスト、あるいは冷却パッケージを積層して面発光化するための組立コストなどが、面発光装置の原価中に占める割合が相対的に大きくなってきている。従って、面発光装置の原価の一層の低廉化の要求が強まる中、このような実装関連コストの低下を可能にする構造の改良が望まれている。
【0015】
この観点で上述の従来構造を見た時、第2の電極(非接地側の電極)から金(Au)等からなるワイヤを延ばしてボンディングを行い、また、そのための配線を取り出すために、冷却アセンブリ10から絶縁された接続基板52を設ける必要があるという点に難点がある。先ず、絶縁シート51により絶縁された接続基板52を設け、更にそこにAuワイヤ53等でボンディングすると、少なくとも絶縁シート51、金属板を含む接続基板52及びワイヤ53が、部品として必要となる。冷却パッケージの使用総数は一般に多数(例えば数百)にのぼるので、部品数が一つでも多いとそれだけ関連部材費と組立工数が大きくなる。
【0016】
更に、上述の冷却パッケージ構造では、特殊な構造や形状の部品(特に、細い金線など)を使用することでも部材費は高くなる。部材費を安くするために量産品を使用すると厚さが変更できない等の制約が出ることが多く、何らかの手段でその制約をなくすことが必要である。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、上記のような従来技術の問題点を解決し、簡素な構成でLDバーを実装した冷却パッケージを積層して、低コスト化が容易な面発光装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、LDバー(1次元LDアレアイ)と熱的に接続された平板状の冷却パッケージを複数個積層して構成され、該各冷却パッケージには、冷却アセンブリと、前記LDバーに電気的に接続された第1及び第2の電極手段とが含まれており、前記複数個の冷却パッケージは互いに電気的に直列接続されている、2次元LDアレイ発光装置に適用され、上記課題を解決するように改良された構造を有する。
【0019】
同改良に係る構造の基本的な特徴に従えば、前記第1の電極手段は、前記冷却アセンブリの少なくとも一部又は前記冷却アセンブリの表面の少なくとも一部に形成された導電性の層によって提供されており、導電層と絶縁層から成るTABテープが、前記冷却アセンブリの前記LDバーを配置する側の表面に前記絶縁層が対向するように設けられいる。
【0020】
このTABテープの前記導電層は、前記第2の電極手段を提供するとともに、該第2の電極手段を前記LDバーに電気的に接続するためのウェブ状の延在部を含む。そして、前記TABテープの前記絶縁層によって前記第1の電極手段と前記第2の電極手段との間が電気的に絶縁される。
【0021】
ここで、冷却アセンブリは典型的には水冷式のものであり、冷却液の流入用貫通穴及び流出用貫通穴に繋がった冷却液流路が形成されている。そして、前記TABテープには、前記冷却液の流入用貫通穴及び前記流出用貫通穴に対応した位置に各々前記冷却液を通過させる開口が設けられている。
【0022】
また、前記TABテープと前記冷却アセンブリの間には、諸要素間の水準調整のために、第1のスペーサ薄板が挿入されていても良い。この第1のスペーサ薄板は、例えば熱作用により接着力が現われる部材(例えば表面にハンダ層を設けた金属薄板)で構成することが出来る。
【0023】
また、前記TABテープの前記導電層の上には、金属薄板、あるいは、導電層が表面に形成された絶縁物の薄板が設置されていても良い。この金属薄板の典型例としては、銅板、あるいは、ハンダメッキされた銅板がある。
【0024】
次に、諸要素間の水準調整のために、前記LDバーと前記冷却アセンブリの間に第2のスペーサ薄板が挿入されても良い。この第2のスペーサ薄板は、電導性材料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料で構成することが出来る。ここで、典型的な電導性材料としては、銅、銅とタングステンからなる材料がある。更に、前記第2のスペーサ薄板の少なくとも冷却アセンブリ側と前記LDバー側にはハンダメッキが施されていても良い。
【0025】
一方、前記TABテープの前記延在部の前記LDアレイとの電気的接続部分にはハンダが形成され、更にこのハンダ上に金メッキが施されていても良い。前記冷却アセンブリの表面についても、金メッキが施されていても良い。
【0026】
前記TABテープは、前記LDバーとの電気的接続部分の近傍に、スリット状の切欠き部を有していても良い。スリット状の切欠き部は、LDバーにストレスがかからないようにするためのものであり、延在部がウェブ状の形態を失わないように形成される。
【0027】
以上の本発明の構成を従来構造(図5参照)とを比較して直ちに判ることは、本発明では、接続基板、前記絶縁シート及びAuワイヤ等でボンディングしていた従来の配線構造全体をウェブ状の延在部(導電性)を持つTABテープで置き換えているということである。この基本的な特徴により、配線構造全体が大幅に簡素化されている。
【0028】
ここで、TABテープは一般には、例えば銅製の導電路を絶縁材(通常、ポリイミド樹脂)からなる薄膜で一部を残して覆った構造を有するテープ状乃至ストリップ状の部材として知られ、シリコンチップへの配線工程で使用されている。使用の際には、ポリイミド(絶縁材)が欠落して銅(導電材)が露出した部分を、半導体チップなどの素子の端子部にハンダ付けし、電気的結合を得ている。
【0029】
但し、従来のTABテープの使用態様では、シリコンチップのチャンネル数に対応した多数の端子に個別に接続するものであり、いわば多チャンネルの信号線を一括担持する集合線路部材として使用されていたに過ぎない。
【0030】
従って、当然、TABテープの導電路は多数形成され、銅(導電材)の露出部分も多数の線状部分に分かれている。これに対して本発明では、この使用態様に簡単な修正を加えることで、LDバーへのいわば単チャンネルの電流供給路を提供するようにしている。
【0031】
即ち、本発明で用いられるTABテープは、その導電路部分、絶縁材部分のいずれも板状乃至層状で良く、その露出部をLDバーとの橋渡しをするウェブ状の延在部として利用出来るようにしている。本発明で用いられるTABテープの銅板(導電材)は、従来構造における冷却アセンブリから絶縁された金属板(配線基板52)に対応し、ポリイミド膜は絶縁シート51に対応する。従来構造においてボンディングワイヤ(金線)53に対応する部分は、本発明ではTABテープの延在部(導電性)に対応する。なお、LDバーに対向する延在部の先端付近には予備ハンダを施しておけば、ボンディングは容易である。あるいは、TABテープの銅板部分全体がハンダメッキされていても構わない。
【0032】
このようなTABテープは更に構造簡素で、量産性に富んでいる。また、金線などに比べて非常に大きな断面積を持つ導電路を形成出来るので、銅などの比較的安価な材料で低い電気抵抗が実現出来る。従って、従来の接続基板、前記絶縁シート及びAuワイヤ等でボンディングしていた従来の配線構造全体をウェブ状の延在部(導電性)を持つTABテープで置き換えることで、配線構造全体の簡素化と、低コスト化が同時に実現可能になる。
【0033】
本発明による構造を別の観点から見ると、TABテープの銅板(一般には、導電性の板状部)は、その一部が前記接続基板の役割も果たしており、LDバーと接続基板を直接電気的に結合させたような形状が実現されており、配線構造全体の低抵抗化にも寄与していると言うことが出来る。
【0034】
なお、TABテープは量産性に富む部材であるため、コスト面の利点を保持することを考慮すると、厚さが一定で自由には選べない等の制約を受け易い。金型により成形することにより、成形形状の選択性には自由度があるが厚さを変更することは難しい。
【0035】
本発明は、このような事情に対しても、スペーサ薄板を設けて諸部材間の水準調整(高さ合わせ)を行なうことで容易に対処出来る。ここで、スペーサ薄板を冷却アセンブリとTABテープの間に挿入する場合(第2のスペーサ薄板)の材料には導電性の有無は問われないが、TABテープの上にスペーサ薄板(第1のスペーサ薄板)を挿入する場合には、スタックする際に上に来る冷却パッケージ(LDバーモジュール)と電気的に結合する必要があるので導電性材料を使用する必要がある。第2のスペーサ薄板としては、加熱により接着力が発生する導電性フィルムや導電性の両面テープを用いると良い。
【0036】
本発明では、冷却アセンブリにメッキを施しても良く、これはLDバーのボンディングを安定したものにする上で有利な一策である。このメッキは、金メッキでも良いが、高価であるためハンダメッキの方がコスト的に望ましい。なお、ここでいうハンダメッキの材料は、極く一般的な、「鉛と錫の合金」でも良いし、錫単体のハンダ及び銀錫銅合金等でも構わない。
【0037】
なお、冷却アセンブリとLDバーの間にLDバーに熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材料をダイスペーサとして挟み込んでも良い。これは、冷却アセンブリとLDバーの間のボンディングによるストレスを回避する上で好ましい措置である。この場合、ダイスペーサは、冷却アセンブリ側とLDバー側の双方について電気的結合を必要とするので、その固着にはハンダを使用すれば良い。ダイスペーサ自身の材料については、バリが少なく平面度の良い加工が容易なSiCやA1N及びダイヤモンドなどは好ましいが、これらは絶縁物であるため表面(側面)をメタライズする。CuWのような材料を用いる場合には、導電性があるのでその必要はない。銅を使用すればコスト的に有利になる。
【0038】
TABテープのLDバー側近傍にスリットを入れることは、LDバーとTABテープ間のボンディングによるストレスを低減させる上で好ましい。スリットはLDバー側の端まで入れても構わないし、途中まででも構わない。最終的に冷却パッケージ(LDバーモジュール)はスタックされて2次元LDアレイとなる。その際にLDバーモジュールに位置決め用ガイドやピン穴を設けておくことでスタックが容易になる。そのためにTABテープにも位置決め用ガイドやピン穴を設けておいて良い。
【0039】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る2次元LDアレイ面発光装置について説明する図で、LDが実装されて多数積層される冷却パッケージの断面構造を、3つの順次隣合う冷却パッケージに代表させて表わした部分断面図である。図5の場合と同様、3つの冷却パッケージPn-1 、Pn 及びPn+1 は、積層体の1方の端部から数えてn−1番目、n番目及びn+1番目(但し、nは2以上の整数)の冷却パッケージであり、冷却パッケージPn-1 の下側には冷却パッケージPn-2 が連なり、冷却パッケージPn+1 の上側には冷却パッケージPn+2 が連なっている。
【0040】
各冷却パッケージは基本的に同じものなので、冷却パッケージPn を例にとってその構造と作用を説明する。符号10は冷却パッケージPn に装備される冷却アセンブリで、従来と同様の構成が採用されている。即ち、図4に分解斜視図で示したような3枚の金属薄板11、12、13を結合した構造を有し、それらのの所定位置には冷却水流入/排出のための水路となる開口16、17が設けられている。本例では、開口16は冷却水流入用に用いられ、開口17は冷却水排出用に用いられる。冷却水は開口16から、金属薄板11、12、13の相互間に形成される冷却水路15を通って流通し、開口17へ排出される。
【0041】
冷却水路15は、LDバー60から熱を効率的に除去するために、図1に示した如く、LDバー60の直下位置を通っている。なお、図示は省略したが、各冷却パッケージの冷却ブリ間等において、冷却水が開口16、17の周辺あるいは冷却水路15から漏れ出すことを防止するために、オーリング(O−リング)、ラバーシート等の封止手段が適所に用いられている。これら冷却水のシーリングに関連した構成は、本発明と特に関連がないので詳しい説明及び図示は省略する。
【0042】
LDバー60は、金属薄板13の縁部の近くに固定(ハンダ層43)された導電性のダイスペーサ41上に、LDバー60の一方の極側(例えば陰極側)の端子部と導通する状態で搭載(ハンダ層42)されている。LDバー60の他方の極側(例えば陽極側)の端子部の電気的接続には、TABテープ20が利用されている。
【0043】
なお、ダイスペーサ41を構成する材料には、LDバー60に熱膨張率が近く、熱伝導率が高い材料が用いられることが好ましい。これは、冷却アセンブリ10とLDバー60の間のボンディングによるストレスを回避するためである。ダイスペーサの具体的な材料の例としては、バリが少なく平面度の良い加工が容易なSiCやA1N及びダイヤモンドなどがあるが、これらを使用する場合には絶縁物であるため表面(側面)をメタライズする。CuWのような材料を用いる場合には、導電性があるのでその必要はない。銅を使用すればコスト的に有利になる。
【0044】
さて、ここで用いられるTABテープ20は、その概要を既述したように、銅版21とその一部を覆うポリイミド樹脂層28で構成されている。図2には、このTABテープ20を銅板21側から見た様子が平面図で例示されている。図2に示したように、TABテープ20の基部側には、冷却アセンブリ10に設けられる開口16、17に対応して、開口27、28が、銅板21とポリイミド樹脂層28を貫いて形成されている。TABテープ20のLDバー60に近い側は途中からやや幅が狭くなっており、そこにはスリット24、25が数本形成されている。ここで、スリット24はテープ先端まで届かない切欠部を形成し、スリット25はテープ先端まで届く切欠部を形成している。
【0045】
TABテープ20は、このスリット形成部分から適当な範囲が、図1に示したように、ポリイミド樹脂層28で被覆されていない延在部22を形成している。この延在部22の先端側(LDバー60側)にスリット24、25が形成され、延在部22の先端がLDバー60に接続される電気的接続部23として使用される。延在部22を含む銅板21の全面あるいは一部表面には、ハンダメッキが施されていることが好ましい。特に、電気的接続部23については、ハンダメッキに加えて金メッキを施し、より良好な導通を確保する場合もある。
【0046】
なお、冷却アセンブリ(LDバーモジュール)に位置決め用ガイドやピン穴を設けらておくことでスタックが容易になるが、それに対応して、TABテープ20にも位置決め用ガイド29やピン穴を設けておいて良い。
【0047】
本実施形態では、図1に示した通り、ポリイミド樹脂層28が冷却アセンブリ10の金属薄板13側を向くようにTABテープ20が配設され、TABテープ20と金属薄板13の間には、スペーサ薄板31が介挿されている。このスペーサ薄板31はTABテープ20の水準を調整してLDバー60との水準の不整合を解消するために用いられるもので、水準調整の必要が無ければ省かれる。ここで、水準調整は、LDバー60の上に位置するTABテープの電気的接続部23がスタックした際に隣の冷却アセンブリPn+1 の冷却アセンブリ10と押し付け合ってLDバー60に外力が加わらないように(両者間に隙間が出来るように)行なわれる。
【0048】
スペーサ薄板31の使用に有無に関わらず、銅板21と冷却アセンブリ10(金属薄板13)は少なくともポリイミド樹脂層28を挟んで電気的に隔てられることになり、従来構造(図5参照)で使用されていた絶縁シート51の配設は不要になる。また、第1のスペーサ薄板31を用いる場合、その導電性の有無は問われないが、特段の固着手段を用いなくとも安定した配設状態を得るために、熱作用により接着力が現われる部材で構成されていることが好ましい。例えば、金属板の表面に適当な軟化点を有するハンダ層を設けたものを使用すれば、熱作用により接着力が現われる。
【0049】
一方、銅板21のポリイミド樹脂層28と反対側の面は、隣の冷却パッケージPn+1 の冷却アセンブリ10の金属薄板11と電気的に接触し、これと導通している。なお、より良い導通状態を確保するために、冷却アセンブリ10の表面(金属薄板11、13の表面)の全部または一部にハンダメッキが施されていても良い。
【0050】
このようにして、各冷却パッケージにおいて、冷却アセンブリ10が一方の電極(第1の電極;例えば接地される陰極)を提供し、TABテープ20の銅板21が他方の電極(第2の電極;例えば陽極)を提供する。そして、多数の冷却パッケージは積層された状態で、各LDバー60を駆動電流が流れるように直列に接続される。
【0051】
なお、一方の端部側の冷却パッケージP1 の冷却アセンブリ10が電源(図示せず)の一方の極(例えば陰極)に接続され、他方の端部側の冷却パッケージPN (Nは積層冷却パッケージ数)の銅板21が電源(図示せず)の他方の極(例えば陽極)に接続されることは言うまでもない。
【0052】
また、スペーサ薄板31にも、金属薄板11〜13の開口16、17と対応する位置に同サイズの開口(図示省略)が設けられており、これにより、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッケージを貫いて形成されることになる。冷却水の流入路及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの吐出側及び吸入側に接続される。
【0053】
以上のように、第1の実施形態では、TABテープ20をポリイミド層28が冷却アセンブリ10側に来るような向きで用い、水準調整のためのスペーサ薄板31を冷却アセンブリ10との間に介挿した構造を採用しているが、水準調整のためのスペーサ薄板をLD60を実装する側で隣接する冷却パッケージ側に配設することも出来る。その例を第2の実施形態として、図1と同様の描示形式で図3に示した。
【0054】
図3において、3つの順次隣合う冷却パッケージQn-1 、Qn 及びQn+1 は、積層体の1方の端部から数えてn−1番目、n番目及びn+1番目(但し、nは2以上の整数)の冷却パッケージであり、冷却パッケージQn-1 の下側には冷却パッケージQn-2 が連なり、冷却パッケージQn+1 の上側には冷却パッケージQn+2 が連なっている。
【0055】
各冷却パッケージは基本的に同じものなので、冷却パッケージQn を例にとってその構造と作用を説明する。符号10は冷却パッケージQn に装備される冷却アセンブリで、従来構造あるいは第1の実施形態で用いたものと同じ構成が採用されている。即ち、所定位置には冷却水流入/排出のための水路となる開口16、17が設けられた3枚の金属薄板11、12、13が結合され、冷却水路15が内部に形成されている。その他、冷却アセンブリ10に関する事項は、第1の実施形態と同様なので、冷却アセンブリ10自体の詳しい説明は省略する。
【0056】
LDバー60は、第1の実施形態と同様、金属薄板13の縁部の近くに固定(ハンダ層43)された導電性のダイスペーサ41上に、LDバー60の一方の極側(例えば陰極側)の端子部と導通する状態で搭載(ハンダ層42)されている。ダイスペーサ41の材料等については、第1の実施形態で説明した通りである。
【0057】
LDバー60の他方の極側(例えば陽極側)の端子部の電気的接続には、TABテープ20が利用される。ここで用いられるTABテープ20は、第1の実施形態で用いたものと同じものであって良い。即ち、TABテープ20は、銅版21とその一部を覆うポリイミド樹脂層28で構成され、銅板21側から見た様子は図2に示した通りである。開口27、28は、銅板21とポリイミド樹脂層28を貫いて形成された冷却水流入/流出用のものである。スリット24、25についても、第1の実施形態の説明中で述べた通りである。
【0058】
また、図3に示したように、ポリイミド樹脂層28で一部が被覆されている銅版21の延在部22は、その先端部がLDバー60に接続される電気的接続部23として使用される点も同様である。延在部22を含む銅板21の全面あるいは一部表面には、ハンダメッキが施されていることが好ましい。特に、電気的接続部23については、ハンダメッキに加えて金メッキを施し、より良好な導通を確保する場合もある。
【0059】
本実施形態の特徴は、TABテープ20の銅板21と、隣の冷却アセンブリQn+2 の冷却アセンブリ10の金属薄板11の間に、スペーサ薄板(第2のスペーサ薄板)32が介挿されている点にある。このスペーサ薄板32は、TABテープの電気的接続部23が隣の冷却アセンブリQn+2 の冷却アセンブリ10にぶつからないように水準調整を行なうために配設される。水準調整の必要が無ければ省かれて良い。
【0060】
本実施形態では、スペーサ薄板32の使用に有無に関わらず、ポリイミド樹脂層28は冷却アセンブリ10とスペーサなしで対向するが、ポリイミド樹脂の高い絶縁性により、両者は電気的に隔てられる。従って、第1の実施形態と同様、従来構造(図5参照)で使用されていた絶縁シート51の配設は不要になる。
【0061】
また、スペーサ薄板32を用いる場合、スペーサ薄板32には銅板21と隣の冷却アセンブリQn+2 の冷却アセンブリ10との間の導通を確保する機能が要求される。そのために、スペーサ薄板32は電導性材料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料で構成される。典型的な電導性材料としては、銅や銅とタングステンからなる材料がある。また、その一部、特に隣の冷却アセンブリQn+2 の冷却アセンブリ10側とLDバー60側には、ハンダメッキが施されていれば導通の確保がより容易になる。
【0062】
このようにして、本実施形態においても、各冷却パッケージの冷却アセンブリ10が一方の電極(第1の電極;例えば接地される陰極)を提供し、TABテープ20の銅板21が他方の電極(第2の電極;例えば陽極)を提供する。そして、多数の冷却パッケージは積層された状態で、各LDバー60を駆動電流が流れるように直列に接続される。
【0063】
なお、一方の端部側の冷却パッケージQ1 の冷却アセンブリ10が電源(図示せず)の一方の極(例えば陰極)に接続され、他方の端部側の冷却パッケージQN (Nは積層冷却パッケージ数)の銅板21が電源(図示せず)の他方の極(例えば陽極)に接続されることは言うまでもない。
【0064】
また、スペーサ薄板32についても、金属薄板11〜13の開口16、17と対応する位置に同サイズの開口(図示省略)が設けられており、これにより、冷却水の流入路及び排出路は、積層された冷却パッケージを貫いて形成されることになる。冷却水の流入路及び排出路の一端あるいは両端は、例えば循環ポンプの吐出側及び吸入側に接続される。
【0065】
なお、いずれの実施形態においても、冷却アセンブリ10の表面の全体あるいは所要部分に金メッキやハンダメッキを施すことが安定したボンディングを得る上で有利である。ここで、ハンダの材料(即ち、ハンダ合金)には例えばPbSnハンダやSn単体のものを使用出来るが、LDバー60のボンディングの際に融解しないようにSiあるいはPbの組成比率の高いハンダ(融点が高い)を使用することが好ましい。組成比率で80%程度のSnを含むPbSnハンダメッキは、一般的に良く利用されており、安価である。
【0066】
【発明の効果】
本発明においては、従来の構造で配線に使用する絶縁シート、接続基板、ボンディングワイヤが、安価で量産性に富んだTABテープで置き換えられるため、部材費、組立工数の低減が容易に実現出来る。
また、ワイヤ等でボンディングした場合と比較して、TABテープは配線部分の断面積が大きく、接続基板に相当する部分(TABテープの導電材料板)と直接に電気的な結合がなされるので、抵抗も低くすることが出来る。それに伴い、動作電圧を低くすることも可能になり、電気から光への変換効率の向上ももたらされる。
【0067】
TABテープの厚さの自由度の制約に対しても、水準調整用のスペーサ薄板を追加する簡単な構成で対応出来るので、支障なくTABテープの高い量産性を活かすことが出来る。また、必要に応じて、金メッキやハンダメッキを施すことにより、安定したボンディングや所要部分間の良好な導通確保等を図る上で、本発明の提案する構造は何の妨げにもならない。
【0068】
ボンディングワイヤに代えてウェブ状の導体を用いたことによりLDバーにかかり得るストレスについても、スリット状の切欠を設けることでボンディングストレスを容易に小さく出来る。更に付帯的な利点としては、TABテープに位置決め用ガイドやピン穴を設ければ、スタックが容易になることが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態について説明する図で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示されている。
【図2】本発明の第1及び第2の実施形態に使用されるTABテープを、銅板側から見た平面図で表わしたものである。
【図3】本発明の第2の実施形態について説明する図で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示されている。
【図4】従来構造及び本発明の第1及び第2の実施形態で使用されている冷却アセンブリについて説明する分解斜視図である。
【図5】従来技術について説明する図で、積層される冷却パッケージの断面構造が抽出描示されている。
【符号の説明】
10 冷却アセンブリ
11、12、13 冷却アセンブリの構成に用いられる金属薄板
15 冷却水路
16、17 開口
20 TABテープ
21 銅板
22 銅板の延在部
23 LDバ−への接続部
24、25 スリット
26、27 開口
28 ポリイミド層
29 位置決め用ガイド
31、32 スペーサ薄板
41、55 ダイスペーサ
42 ハンダ層
51 絶縁シート
52 配線基板(金属板)
52a 突起部
60 LDバー
Pn-1 、Pn 、Pn+1 冷却パッケージ(第1の実施形態)
Qn-1 、Qn 、Qn+1 冷却パッケージ(第2の実施形態)
Rn-1 、Rn 、Rn+1 冷却パッケージ(従来構造)
Claims (15)
- LDバーと熱的に接続された平板状の冷却パッケージを複数個積層して構成され、該各冷却パッケージには、冷却アセンブリと、前記LDバーに電気的に接続された第1及び第2の電極手段とが含まれており、前記複数個の冷却パッケージは互いに電気的に直列接続されている、2次元LDアレイ発光装置において、
前記第1の電極手段は、前記冷却アセンブリの少なくとも一部又は前記冷却アセンブリの表面の少なくとも一部に形成された導電性の層によって提供されており、
導電層と絶縁層から成るTABテープが、前記冷却アセンブリの前記LDバーを配置する側の表面に前記絶縁層が対向するように設けられ、
前記TABテープの前記導電層は前記第2の電極手段を提供するとともに、該第2の電極手段を前記LDバーに電気的に接続するためのウェブ状の延在部を含み、
前記TABテープの前記絶縁層によって前記第1の電極手段と前記第2の電極手段との間が電気的に絶縁されている、前記2次元LDアレイ発光装置。 - 前記冷却アセンブリには、冷却液の流入用貫通穴及び流出用貫通穴に繋がった冷却液流路が形成されており、
前記TABテープには、前記冷却液の流入用貫通穴及び前記流出用貫通穴に対応した位置に各々前記冷却液を通過させる開口が設けられている、請求項1に記載された2次元LDアレイ発光装置。 - 前記TABテープと前記冷却アセンブリの間に第1のスペーサ薄板が挿入されている、請求項1または請求項2に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記第1のスペーサ薄板が熱作用により接着力が現われる部材で構成されている、請求項3に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記TABテープの前記導電層の上に、金属薄板、あるいは導電層が表面に形成された絶縁物の薄板が設置されている、請求項1または請求項2に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記導電層の上に設置される薄板が銅板である、請求項5に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記導電層の上に設置される薄板が、ハンダメッキされた銅板である、請求項5に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記LDバーと前記冷却アセンブリの間に第2のスペーサ薄板が挿入されている、請求頃1乃至請求項7の何れか1項に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記第2のスペーサ薄板が電導性材料、あるいは、表面に導電性薄層を形成した絶縁性材料で構成されている、請求項8に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記第2のスペーサ薄板が銅で構成されている、請求項8に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記第2のスペーサ薄板が銅とタングステンからなる材料で構成されている、請求項8に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記第2のスペーサ薄板の少なくとも冷却アセンブリ側と前記LDバー側にはハンダメッキが施されている、請求項10、又は請求項11に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記TABテープの前記延在部の前記LDアレイとの電気的接続部分にはハンダが形成され、更に前記ハンダ上に金メッキが施されている、請求項1乃至請求項12の何れか1項に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記冷却アセンブリの表面に金メッキが施されている、請求項1乃至請求項12の何れか1項に記載された2次元LDアレイ発光装置。
- 前記TABテープは、前記LDバーとの電気的接続部分の近傍に、スリット状の切欠き部を有している、請求項1乃至請求項14の何れか1項に記載された2次元LDアレイ発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001250314A JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 2次元ldアレイ発光装置 |
US10/216,324 US6934309B2 (en) | 2001-08-21 | 2002-08-12 | Two-dimensional laser diode array light-emitting device |
DE60215892T DE60215892T2 (de) | 2001-08-21 | 2002-08-14 | Zweidimensionaler Vielfachdiodenlaser |
EP02255655A EP1286441B1 (en) | 2001-08-21 | 2002-08-14 | Two-dimensional laser diode array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001250314A JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 2次元ldアレイ発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003060283A JP2003060283A (ja) | 2003-02-28 |
JP3643328B2 true JP3643328B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=19079162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001250314A Expired - Fee Related JP3643328B2 (ja) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | 2次元ldアレイ発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6934309B2 (ja) |
EP (1) | EP1286441B1 (ja) |
JP (1) | JP3643328B2 (ja) |
DE (1) | DE60215892T2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4934954B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2012-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | ヒートシンク及びヒートシンクを備えた半導体装置 |
JP4654664B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置および投射型表示装置 |
JP4600733B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2007019265A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 発光装置 |
DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
JP2008139279A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-06-19 | Kyoto Denkiki Kk | 照明装置 |
DE102007009380A1 (de) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Impulslaser und Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung |
DE102007016772A1 (de) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Stapelbare mehrschichtige Mikrokanalwärmesenke |
JP2008300596A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sony Corp | ヒートシンクおよび半導体レーザ装置 |
US7623560B2 (en) * | 2007-09-27 | 2009-11-24 | Ostendo Technologies, Inc. | Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof |
DE102008026229B4 (de) | 2008-05-29 | 2012-12-27 | Jenoptik Laser Gmbh | Wärmeübertragungsvorrichtung zur doppelseitigen Kühlung eines Halbleiterbauelementes |
DE102008036439A1 (de) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeableitmodul mit einem Halbleiterelement und Herstellungsverfahren für ein solches Wärmeableitmodul |
KR101622930B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2016-05-31 | 벌시테크 리미티드 | 칩 적층 방법 |
JP2012248812A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光集積素子の製造方法 |
US8787414B1 (en) * | 2011-09-07 | 2014-07-22 | Science Research Laboratory, Inc. | Methods and systems for providing a low stress electrode connection |
CN104485576A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-01 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种多芯组高功率塑封脉冲半导体激光二极管 |
KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
EP3447863B1 (en) * | 2016-04-19 | 2021-03-31 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for manufacturing same |
CN106684707A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-05-17 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种粘接型半导体激光器叠阵及其制备方法 |
US11282981B2 (en) * | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10892297B2 (en) * | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
RU2712764C1 (ru) * | 2019-06-11 | 2020-01-31 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Способ создания двумерной матрицы лазерных диодов и двумерная матрица лазерных диодов |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4716568A (en) * | 1985-05-07 | 1987-12-29 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Stacked diode laser array assembly |
US6274391B1 (en) * | 1992-10-26 | 2001-08-14 | Texas Instruments Incorporated | HDI land grid array packaged device having electrical and optical interconnects |
-
2001
- 2001-08-21 JP JP2001250314A patent/JP3643328B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-12 US US10/216,324 patent/US6934309B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 EP EP02255655A patent/EP1286441B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 DE DE60215892T patent/DE60215892T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60215892T2 (de) | 2007-03-01 |
JP2003060283A (ja) | 2003-02-28 |
US6934309B2 (en) | 2005-08-23 |
EP1286441A3 (en) | 2004-01-02 |
DE60215892D1 (de) | 2006-12-21 |
US20030039278A1 (en) | 2003-02-27 |
EP1286441B1 (en) | 2006-11-08 |
EP1286441A2 (en) | 2003-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3643328B2 (ja) | 2次元ldアレイ発光装置 | |
US7391153B2 (en) | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation | |
US20180342653A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device using conductive adhesive and semiconductor device fabricated by the same | |
US7964892B2 (en) | Light emitting device | |
US20170070028A1 (en) | Laser Light Modules | |
US7332802B2 (en) | Package for semiconductor light emitting element and semiconductor light emitting device | |
US20110019420A1 (en) | Light-emitting diode apparatus | |
JP4670985B2 (ja) | パッケージおよび半導体装置 | |
EP3799229B1 (en) | Semiconductor laser device | |
KR20060134969A (ko) | 표면 장착 발광 칩 패키지 | |
KR20060121671A (ko) | 전력 모듈 패키지 구조체 | |
US20190044303A1 (en) | Semiconductor laser light source device | |
US7026712B2 (en) | Peltier module with durable power supply lines and exothermic module with built-in cooler | |
JP2003008078A (ja) | 表面実装型半導体発光装置 | |
JP2009246053A (ja) | フレーム板を備えたダイオード | |
CN115206905A (zh) | 半导体装置和使用该半导体装置的半导体模块 | |
CN114530757A (zh) | 光半导体模块 | |
JP2018113377A (ja) | レーザー光源装置 | |
JP4192619B2 (ja) | 発光ダイオードランプ装置 | |
CN114512462A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US10243125B2 (en) | Light emitting device | |
JP2008147592A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
CN114402491A (zh) | 半导体激光装置 | |
CN117559215B (zh) | 一种巴条叠阵封装结构及方法 | |
EP3817041B1 (en) | Electronic element mounting substrate, electronic device, and electronic module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |