JPH01136385A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH01136385A JPH01136385A JP62293928A JP29392887A JPH01136385A JP H01136385 A JPH01136385 A JP H01136385A JP 62293928 A JP62293928 A JP 62293928A JP 29392887 A JP29392887 A JP 29392887A JP H01136385 A JPH01136385 A JP H01136385A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザ装置、特に複数のレーザ光出射領
域を有する半導体レーザアレイ素子と、前記複数のレー
ザ光出射領域に信号を入力するための複数のリードとを
有する半導体レーザ装置に関する。
域を有する半導体レーザアレイ素子と、前記複数のレー
ザ光出射領域に信号を入力するための複数のリードとを
有する半導体レーザ装置に関する。
［従来の技術］
近年、半導体レーザ装置は、小型軽量、高信頼性のレー
ザ光源として光エレクトロニクスの分野で広く利用され
ているが、情報処理の高速化には、単一光源よりもレー
ザをアレイ化したほうが望ましく、そのために複数のレ
ーザを組込む必要がある。従来、アレイ化された半導体
レーザ素子を同一半導体レーザ装置内に組込んだ場合、
各レーザ光出射領域の電極とリードとは、ポールボンデ
ィングで接合されているのが通常である。
ザ光源として光エレクトロニクスの分野で広く利用され
ているが、情報処理の高速化には、単一光源よりもレー
ザをアレイ化したほうが望ましく、そのために複数のレ
ーザを組込む必要がある。従来、アレイ化された半導体
レーザ素子を同一半導体レーザ装置内に組込んだ場合、
各レーザ光出射領域の電極とリードとは、ポールボンデ
ィングで接合されているのが通常である。
ポールボンディングによるボンディング方法では半導体
レーザ素子の電極へはファーストボンディング、つまり
ボールをつぶしてボンディングすることになり、リード
へはセカンドボンディングになる。この時ファーストボ
ンディングしてつぶされたボールの大きさは、φ７０〜
１００μ程度であり、半導体レーザ素子の電極はつぶさ
れたボール径よりも大きいのが通常である。
レーザ素子の電極へはファーストボンディング、つまり
ボールをつぶしてボンディングすることになり、リード
へはセカンドボンディングになる。この時ファーストボ
ンディングしてつぶされたボールの大きさは、φ７０〜
１００μ程度であり、半導体レーザ素子の電極はつぶさ
れたボール径よりも大きいのが通常である。
［発明が解決しようとする問題点］
今後はアレイ化した複数の半導体レーザ素子はますます
小型化、複数化する傾向にあるが、現状の半導体レーザ
素子の電極とリードの接合方法であるポールボンディン
グでは、半導体レーザ素子の電極がボール径より大きく
なければならないので、今以上の小型化は困難である。
小型化、複数化する傾向にあるが、現状の半導体レーザ
素子の電極とリードの接合方法であるポールボンディン
グでは、半導体レーザ素子の電極がボール径より大きく
なければならないので、今以上の小型化は困難である。
また、ポールボンディングであると、半導体レーザ素子
の各電極とリードとを１対ずつ接合しなければならず、
半導体レーザアレイ素子への接合方法としては、時間、
コスト等がかかり、生産性という点でも不利である。さ
らに、ポールボンディングであると、リードと半導体レ
ーザアレイ素子の電極との接合面積が小さいので放熱効
果が悪く、自発熱および隣の素子の発熱等の影響を受け
やすくなり、しきい値が高くなり、発光効率の低下、寿
命の低下等、特性の劣化が生じる。
の各電極とリードとを１対ずつ接合しなければならず、
半導体レーザアレイ素子への接合方法としては、時間、
コスト等がかかり、生産性という点でも不利である。さ
らに、ポールボンディングであると、リードと半導体レ
ーザアレイ素子の電極との接合面積が小さいので放熱効
果が悪く、自発熱および隣の素子の発熱等の影響を受け
やすくなり、しきい値が高くなり、発光効率の低下、寿
命の低下等、特性の劣化が生じる。
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体レーザ装置は、複数のレーザ光出射領域
を有する半導体レーザアレイ素子と、前記複数のレーザ
光出射領域に信号を入力するための複数のリードとを有
する半導体レーザ装置であって、 前記リードが絶縁物基体により支持され、かつそれらリ
ードの端部が前記複数のレーザ光出射領域の各々の電極
に対応して配列されて、これら電極と接合されているこ
とを特徴とする。
を有する半導体レーザアレイ素子と、前記複数のレーザ
光出射領域に信号を入力するための複数のリードとを有
する半導体レーザ装置であって、 前記リードが絶縁物基体により支持され、かつそれらリ
ードの端部が前記複数のレーザ光出射領域の各々の電極
に対応して配列されて、これら電極と接合されているこ
とを特徴とする。
［作用］
半導体レーザアレイ素子の各電極パターンに対応したパ
ターンを有するリードを、相対位置関係を正確に維持し
ながら密着させて電極的導通をとるため、ワイヤボンデ
ィング時における位置ずれマージン等を何ら考慮する必
要がなく、この結果、半導体レーザアレイ素子の各電極
の小型化を図ること可能となる。また、四角型パターン
の電極に対してこれと対応するパターンのリード端部を
密着させるため、円形のポンデイグワイヤを接続する場
合に比べ、接触面積を広くすることができ、このため半
導体レーザアレイ素子とリード端部の接触面およびリー
ドを介して熱をより多く放散できるようになり、半導体
レーザアレイ素子の放熱効率が良好になる。また、放熱
効率の改善により、熱に起因する特性劣化を低減できる
。さらに、複数の電極に対して個別にリードを接続する
のではなく、一体的に、かつ正確に接続させるため、組
立効率の改善が図れる。
ターンを有するリードを、相対位置関係を正確に維持し
ながら密着させて電極的導通をとるため、ワイヤボンデ
ィング時における位置ずれマージン等を何ら考慮する必
要がなく、この結果、半導体レーザアレイ素子の各電極
の小型化を図ること可能となる。また、四角型パターン
の電極に対してこれと対応するパターンのリード端部を
密着させるため、円形のポンデイグワイヤを接続する場
合に比べ、接触面積を広くすることができ、このため半
導体レーザアレイ素子とリード端部の接触面およびリー
ドを介して熱をより多く放散できるようになり、半導体
レーザアレイ素子の放熱効率が良好になる。また、放熱
効率の改善により、熱に起因する特性劣化を低減できる
。さらに、複数の電極に対して個別にリードを接続する
のではなく、一体的に、かつ正確に接続させるため、組
立効率の改善が図れる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の斜
視図、第２図は第１図の実施例の側面図、第３図は本発
明の第２の実施例の側面図、第４図は第３の実施例の半
導体レーザアレイ素子３１の電極およびフレキシブルリ
ード３３を示す図、第５図は第４の実施例の半導体レー
ザアレイ素子４１の電極および板リード４３を示す図で
ある。
視図、第２図は第１図の実施例の側面図、第３図は本発
明の第２の実施例の側面図、第４図は第３の実施例の半
導体レーザアレイ素子３１の電極およびフレキシブルリ
ード３３を示す図、第５図は第４の実施例の半導体レー
ザアレイ素子４１の電極および板リード４３を示す図で
ある。
実施例１
第１図、第２図に示す半導体レーザ装置は、個々のレー
ザ光出射領域の電極の幅が３０鱗、長さが３００ＪＡｊ
である半導体レーザアレイ素子１１と、ヒートシンク１
２と、半導体レーザアレイ素子１１の電極と同数のリー
ド（不図示）が、同じ間隔で平行に配され、フレキシブ
ルなフィルム状の絶縁物基体中に一体成形されているフ
レキシブルリード１３と、受光素子１４と、フレキシブ
ルリード１３を固定する爪１５と、受光素子台１６と、
フレキシブルリード１３中の各リードの露出された端部
であるリード電極１７と、爪穴１８とから構成されてい
る。
ザ光出射領域の電極の幅が３０鱗、長さが３００ＪＡｊ
である半導体レーザアレイ素子１１と、ヒートシンク１
２と、半導体レーザアレイ素子１１の電極と同数のリー
ド（不図示）が、同じ間隔で平行に配され、フレキシブ
ルなフィルム状の絶縁物基体中に一体成形されているフ
レキシブルリード１３と、受光素子１４と、フレキシブ
ルリード１３を固定する爪１５と、受光素子台１６と、
フレキシブルリード１３中の各リードの露出された端部
であるリード電極１７と、爪穴１８とから構成されてい
る。
まず、この半導体レーザ装置の形成の手順を説明する。
半導体レーザアレイ素子１１と、受光素子台１６とをヒ
ートシンク１２上にダイボンディングし、受光素子台１
６に受光素子１４をダイボンディングする。そして、半
導体レーザアレイ素子１１の電極と同数のリード（不図
示）を、同じ間隔で平行に配し、フレキシブルなフィル
ム状の絶縁物基体中に一体成形してフレキシブルリード
１３とする。このフレキシブルリード１３中の各リード
の端部は露出されており、リード電極１７としである。
ートシンク１２上にダイボンディングし、受光素子台１
６に受光素子１４をダイボンディングする。そして、半
導体レーザアレイ素子１１の電極と同数のリード（不図
示）を、同じ間隔で平行に配し、フレキシブルなフィル
ム状の絶縁物基体中に一体成形してフレキシブルリード
１３とする。このフレキシブルリード１３中の各リード
の端部は露出されており、リード電極１７としである。
これらリード電極１７を、表面にハンダ薄をあらかじめ
付着させておいたり、あるいは、ハンダ薄を使用して、
半導体レーザアレイ素子１１の電極と熱圧着により接合
する。そして、受光素子台１６に設けられている爪穴１
８に爪１５をいれ、フレキシブルリード１３を固定する
。リード電極１フは、厚さが５０．で、幅、長さ共に半
導体レーザアレイ素子１１の各電極の幅、長さとほぼ同
じであり、半導体レーザアレイ素子１１の各電極面積は
ぼ一杯に接合する。
付着させておいたり、あるいは、ハンダ薄を使用して、
半導体レーザアレイ素子１１の電極と熱圧着により接合
する。そして、受光素子台１６に設けられている爪穴１
８に爪１５をいれ、フレキシブルリード１３を固定する
。リード電極１フは、厚さが５０．で、幅、長さ共に半
導体レーザアレイ素子１１の各電極の幅、長さとほぼ同
じであり、半導体レーザアレイ素子１１の各電極面積は
ぼ一杯に接合する。
このように、フレキシブルリード１３は柔軟性を持つの
で、半導体レーザアレイ素子１１の電極部と受光素子台
１６とに段差がありても、リード電極１７の面積を、接
合する半導体レーザアレイ素子１１の電極の面積とほぼ
同等に設計できるので、半導体レーザアレイ素子１１の
発熱を効率良く放熱する効果がある。
で、半導体レーザアレイ素子１１の電極部と受光素子台
１６とに段差がありても、リード電極１７の面積を、接
合する半導体レーザアレイ素子１１の電極の面積とほぼ
同等に設計できるので、半導体レーザアレイ素子１１の
発熱を効率良く放熱する効果がある。
なお、上述のフィルム状の絶縁物の材料としては、ポリ
イミド等の耐熱性のよいものが使用される。
イミド等の耐熱性のよいものが使用される。
実施例２
第３図に示す半導体レーザ装置は、個々のレーザ光出射
領域の電極の幅が３０μ、長さが３００−である半導体
レーザアレイ素子２１と、ヒートシンク２ｚと、半導体
レーザアレイ素子２１の電極と同数のリード（不図示）
が、同じ間隔で平行に配され、硬く薄い板状の絶縁物基
体中に一体成形されている板リード２３と、受光素子２
４と、板リードを固定する爪２５と、受光素子台２６と
、板リード２３中の各リードの露出された端部であるリ
ード電極２７と、爪穴（不図示）とから構成されている
。
領域の電極の幅が３０μ、長さが３００−である半導体
レーザアレイ素子２１と、ヒートシンク２ｚと、半導体
レーザアレイ素子２１の電極と同数のリード（不図示）
が、同じ間隔で平行に配され、硬く薄い板状の絶縁物基
体中に一体成形されている板リード２３と、受光素子２
４と、板リードを固定する爪２５と、受光素子台２６と
、板リード２３中の各リードの露出された端部であるリ
ード電極２７と、爪穴（不図示）とから構成されている
。
まず、この半導体レーザ装置の形成の手順を説明する。
半導体レーザアレイ素子２１と、受光素子台２６とをヒ
ートシンク２２上にダイボンディングし、受光素子台２
６に受光素子２４をダイボンディングする。そして、半
導体レーザアレイ素子２１の電極と同数のリード（不図
示）を、同じ間隔で平行に配し、硬く薄い板状の絶縁物
基体中に一体成形して板リード２３とする。この板リー
ド２３中の各リードの端部は露出されており、リード電
極２７としである。これらリード電極２７を、表面にハ
ンダ薄をあらかじめ付着させておいたり、あるいは、ハ
ンダ薄を使用して、半導体レーザアレイ素子２１の電極
と熱圧着により接合する。そして、受光素子台２６に設
けられている爪穴（不図示）に爪２５をいれ、板リード
２３を固定する。リード電極２フは、厚さが４００Ｑで
あり、幅は半導体レーザアレイ素子２１の電極の幅とほ
ぼ同じであるが、長さは半導体レーザアレイ素子２１の
電極の長さの１７３程度であり、半導体レーザアレイ素
子２１の電極面積の１７３程度を接合する。半導体レー
ザアレイ素子２１の電極と接合するリード電極２７の面
積は、板リード２３の傾きを変えることによって、もっ
と大きくすることもできる。
ートシンク２２上にダイボンディングし、受光素子台２
６に受光素子２４をダイボンディングする。そして、半
導体レーザアレイ素子２１の電極と同数のリード（不図
示）を、同じ間隔で平行に配し、硬く薄い板状の絶縁物
基体中に一体成形して板リード２３とする。この板リー
ド２３中の各リードの端部は露出されており、リード電
極２７としである。これらリード電極２７を、表面にハ
ンダ薄をあらかじめ付着させておいたり、あるいは、ハ
ンダ薄を使用して、半導体レーザアレイ素子２１の電極
と熱圧着により接合する。そして、受光素子台２６に設
けられている爪穴（不図示）に爪２５をいれ、板リード
２３を固定する。リード電極２フは、厚さが４００Ｑで
あり、幅は半導体レーザアレイ素子２１の電極の幅とほ
ぼ同じであるが、長さは半導体レーザアレイ素子２１の
電極の長さの１７３程度であり、半導体レーザアレイ素
子２１の電極面積の１７３程度を接合する。半導体レー
ザアレイ素子２１の電極と接合するリード電極２７の面
積は、板リード２３の傾きを変えることによって、もっ
と大きくすることもできる。
なお、上述の板状の材料としては、セラミックやガラス
エポキシ樹脂等が使用される。とくに、セラミック等の
比較的放熱効果が大きいものを使用すれば、接合面積を
より小さくできる。
エポキシ樹脂等が使用される。とくに、セラミック等の
比較的放熱効果が大きいものを使用すれば、接合面積を
より小さくできる。
実施例３
第４図の半導体レーザ装置は、個々の電極の幅が１５％
、長さが３００μである半導体レーザアレイ素子３１と
、リード電極３７の幅、長さは半導体レーザアレイ素子
３１の電極とほぼ同じであるが、接合が終了した所から
幅を広く設計したフレキシブルリード３３とを有し、ほ
かの部分は実施例１と同様に構成されている。このよう
に構成すれば、半導体レーザアレイ素子３１の電極の幅
が小さくても、良好な放熱効果を得ることができる。
、長さが３００μである半導体レーザアレイ素子３１と
、リード電極３７の幅、長さは半導体レーザアレイ素子
３１の電極とほぼ同じであるが、接合が終了した所から
幅を広く設計したフレキシブルリード３３とを有し、ほ
かの部分は実施例１と同様に構成されている。このよう
に構成すれば、半導体レーザアレイ素子３１の電極の幅
が小さくても、良好な放熱効果を得ることができる。
実施例４
第５図の半導体レーザ装置は、個々の電極の幅が１５μ
ｓ、長さが３００μである半導体レーザアレイ素子４１
と、リード電極４７の幅は半導体レーザアレイ素子４１
の電極とほぼ同じで、長さは半導体レーザアレイ素子の
ｌ／３程度であるが、接合が終了した所から幅を広く設
計した板リード４３とを有し、ほかの部分は実施例２と
同様に構成されている。このように構成すれば、半導体
レーザアレイ素子４１の電極の幅が小さくても、良好な
放熱効果を得ることができる。
ｓ、長さが３００μである半導体レーザアレイ素子４１
と、リード電極４７の幅は半導体レーザアレイ素子４１
の電極とほぼ同じで、長さは半導体レーザアレイ素子の
ｌ／３程度であるが、接合が終了した所から幅を広く設
計した板リード４３とを有し、ほかの部分は実施例２と
同様に構成されている。このように構成すれば、半導体
レーザアレイ素子４１の電極の幅が小さくても、良好な
放熱効果を得ることができる。
本発明は、以上の実施例に限定されず、所望に応じて、
種々の構成とすることができ、例えば、レーザ光出射領
域の個々の電極の幅を２鱗、長さを５−程度まで小さく
することが可能である。
種々の構成とすることができ、例えば、レーザ光出射領
域の個々の電極の幅を２鱗、長さを５−程度まで小さく
することが可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は、リードを絶縁物基体によ
り支持し、かつそれらリードの端部を複数のレーザ光出
射領域の各々の電極に対応して配列して、これら電極と
接合することにより、半導体レーザアレイ素子の電極の
小型化を図ることを可能とし、その結果レーザ装置自体
のコンパクト化が可能となる。更に、リードと半導体レ
ーザアレイ素子の電極との接合部における放熱効率が良
好となり、熱に起因する特性劣°化を低減できる。
り支持し、かつそれらリードの端部を複数のレーザ光出
射領域の各々の電極に対応して配列して、これら電極と
接合することにより、半導体レーザアレイ素子の電極の
小型化を図ることを可能とし、その結果レーザ装置自体
のコンパクト化が可能となる。更に、リードと半導体レ
ーザアレイ素子の電極との接合部における放熱効率が良
好となり、熱に起因する特性劣°化を低減できる。
更に、リードと半導体レーザアレイ素子側との接合工程
が大幅に簡略化され、生産性を向上させることができる
。
が大幅に簡略化され、生産性を向上させることができる
。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の第１の実施例の斜
視図、第２図は第１図の実施例の側面図、第３図は本発
明の第２の実施例の側面図、第４図は第３の実施例の半
導体レーザアレイ素子３１の電極場よびフレキシブルリ
ード３３を示す図、第５図は第４の実施例の半導体レー
ザアレイ素子４１の電極および板リード４３を示す図で
ある。 １１．２１．３１．４１ ・・・半導体レーザアレイ素子、 １２．２２・・・ヒートシンク、 １３．３３・・・フレキシブルリード、２３．４３・・
・板リード、 １４．２４・・・受光素子、 １５．２５・・・爪、 １６．２６・・・受光素子台、 １７％ ２７．３７．４７・ ・ ・リード電極、１８
・・・重大。 特許出願人 キャノン株式会社
視図、第２図は第１図の実施例の側面図、第３図は本発
明の第２の実施例の側面図、第４図は第３の実施例の半
導体レーザアレイ素子３１の電極場よびフレキシブルリ
ード３３を示す図、第５図は第４の実施例の半導体レー
ザアレイ素子４１の電極および板リード４３を示す図で
ある。 １１．２１．３１．４１ ・・・半導体レーザアレイ素子、 １２．２２・・・ヒートシンク、 １３．３３・・・フレキシブルリード、２３．４３・・
・板リード、 １４．２４・・・受光素子、 １５．２５・・・爪、 １６．２６・・・受光素子台、 １７％ ２７．３７．４７・ ・ ・リード電極、１８
・・・重大。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数のレーザ光出射領域を有する半導体レーザアレ
イ素子と、前記複数のレーザ光出射領域に信号を入力す
るための複数のリードとを有する半導体レーザ装置であ
って、 前記リードが絶縁物基体により支持され、かつそれらリ
ードの端部が前記複数のレーザ光出射領域の各々の電極
に対応して配列されて、これら電極と接合されているこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、前記絶縁物基体がフィルム状のポリイミド樹脂であ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３、前記絶縁物基体が板状のセラミックまたはガラスエ
ポキシ樹脂である特許請求の範囲第１項記載の半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293928A JPH01136385A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293928A JPH01136385A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136385A true JPH01136385A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17800977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293928A Pending JPH01136385A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136385A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2685561A1 (fr) * | 1991-12-20 | 1993-06-25 | Thomson Hybrides | Procede de cablage d'une barrette de lasers et barrette cablee par ce procede. |
| JP2007019265A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 発光装置 |
| JP2008258489A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP62293928A patent/JPH01136385A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2685561A1 (fr) * | 1991-12-20 | 1993-06-25 | Thomson Hybrides | Procede de cablage d'une barrette de lasers et barrette cablee par ce procede. |
| JP2007019265A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 発光装置 |
| JP2008258489A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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