JP3443170B2

JP3443170B2 - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP3443170B2
Application number: JP14913794A
Authority: JP
Inventors: 勝小川; 和幸八尾; 英樹市川; 克栄増井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1994-06-30
Filing date: 1994-06-30
Publication date: 2003-09-02
Anticipated expiration: 2018-09-02
Also published as: JPH0818151A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に光ディスク装置の光源として用いられる半導体
レーザ装置や、ディスクで変調された反射光を受光し変
調信号を出力する機能をもつホログラムレーザ型半導体
レーザ装置、ＬＤ励起固体レーザ、或は変位測定器やポ
インタとして使用される半導体レーザ装置等に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術について、図９（ａ）及び
（ｂ）を参照して説明する。図９（ａ）及び（ｂ）はそ
れぞれ、従来例による半導体レーザ装置の斜視図及びそ
の斜視図をＹ−Ｚ軸を含む平面で切断した断面図であ
る。この従来例は、光軸を中心として円形状のステムを
有する構造例を示している。

【０００３】図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、この
半導体レーザ装置は、ステム１０１上に、半導体レーザ
チップ１０２と光出力検出用受光素子１０３（以下、受
光素子と記す）とが、略直角をなす位置に配置されてい
る。そして、受光素子１０３は、そのキャリア拡散面１
０４が、半導体レーザチップ１０２の後方から出射され
る光１０５に対向するように配置されている。つまり、
受光素子１０３は半導体レーザチップ１０２の後方から
出射した光１０５をモニターして半導体レーザチップ１
０２の光出力を検出するためのものである。半導体レー
ザチップ１０２の前面からはレーザ光１０６が出射され
る。

【０００４】また、図中、１０７は受光素子１０３の電
気信号を出力する電極、１０８は半導体レーザチップ１
０２の電極である。１０９、１１０はリード端子であ
り、それぞれリード端子１０９が半導体レーザチップ１
０２に、またリード端子１１０が受光素子１０３の電極
１０７に金線１１１によって接続されている。ステム１
０１の大きさは、その直径が例えばφ５．６ｍｍであ
る。

【０００５】図１０（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、他の
従来例による半導体レーザ装置の斜視図及びそのＹ−Ｚ
軸を含む平面で切断した断面図である。

【０００６】図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、樹
脂パッケージ２０１内に設けられた金属板２０２上にＳ
ｉサブマウント２０３が配置されている。そして、Ｓｉ
サブマウント２０３の端部上面には半導体レーザチップ
２０４が搭載され、また、他端方向には光検出用受光素
子２０５（以下、受光素子２０５と記す）が設けられて
いる。ここで、受光素子２０５と半導体レーザチップ２
０４との位置関係は、半導体レーザチップ２０４の後面
から出射されたモニター光２０７の内の斜線部の光２０
７’のみが受光素子２０５に入射する構造となってい
る。

【０００７】一方、半導体レーザチップ２０４の前面か
らＹ方向へ出射した光２０８は、プリズム２０６で反射
されＺ方向に立ちあげられる。

【０００８】図中、２０９は受光素子２０５のキャリア
の拡散面、２１０は受光素子２０５の電気信号を出力す
る電極、２１１は半導体レーザチップ２０４に設けられ
た電極、２１２〜２１５はリード端子で、リード端子２
１２は金属板２０２に接続されアースされている。

【０００９】また、受光素子２０５の電極２１０とリー
ド端子２１４間、及び半導体レーザチップ２０４の電極
２１１とリード端子２１３間が、金線２１６によってワ
イヤボンディングされている。また、リード端子２１５
は電気的に浮いた状態となっている。

【００１０】樹脂パッケージ２０１の大きさは、例えば
φ８．２ｍｍ×ｔ４．８ｍｍ程度である。また、図９及
び図１０ともに、受光素子の拡散層の深さは約１μｍ程
度である。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示し
た従来例においては、半導体レーザチップ１０２の電極
１０８を含む面と、受光素子１０３の電極１０７を含む
面とが略直角の方向に配置されている。このため、製造
時において、以下のような不都合が生じる。

【００１２】即ち、半導体レーザチップ１０２の電極１
０８とリード端子１０９間のワイヤボンディングは、キ
ャピラリをＹ軸方向から電極１０８とリード端子１０９
とに近付けて行う必要がある。一方、受光素子１０３の
電極１０７とリード端子１１０間のワイヤボンディング
はキャピラリをＺ軸方向から近付けて行わなければなら
ない。

【００１３】つまり、一旦装置をある位置にセットした
状態のままでは、一方のワイヤボンディングしかでき
ず、結局、半導体レーザチップ１０２のワイヤボンディ
ング時と受光素子１０３のワイヤボンディング時では、
装置全体をそれぞれのワイヤボンディングに必要な向き
に回転させるという作業が必要であった。

【００１４】これに対して、図１０に示す従来例におい
ては、半導体レーザチップ２０４の電極２１１を含む面
と受光素子２０５の電極２１０を含む面とは平行となる
構造であり、ワイヤボンディング時にはいづれもキャピ
ラリをＺ軸方向から近付ければよくえ、ワイヤボンディ
ングの作業性に関する限り、図９のような問題はない。
しかし、図１０の従来例は以下に示すような問題点があ
る。

【００１５】つまり、図１０の構造では、受光素子２０
５がＳｉサブマウント２０３に形成される一方、同じＳ
ｉサブマウント２０３上に受光素子２０５と水平方向に
半導体レーザチップ２０１がダイボンドされているの
で、図１０（ｂ）からも明らかなように、受光素子２０
５は半導体レーザチップ２０４の後面から出射されるモ
ニター光２０７の一部の光２０７’しか受光できない。
従って、受光素子２０５が出力する電気信号は非常に小
さいレベルとなってしまう。

【００１６】これに対して、受光素子２０５の出力を大
きくする方法として、受光素子２０５の拡散面２０９を
図中、Ａ方向に拡大することも考えられるが、これは即
ち、Ｓｉサブマウント２０３及び樹脂パッケージ２０１
の外形を大きくすることにつながる。受光素子２０５の
出力を大きくすることは、レーザチップのＡＰＣ（Ａｕ
ｔｏｍａｔｉｃＰｏｗｅｒＣｏｎｔｏｒｏｌ）動作
にとって望ましいが、そのためにパッケージの外形を大
きくすることは、半導体レーザ装置の小型化とトレード
オフの関係にあり問題点が残る。

【００１７】そこで、本発明の目的は、ワイヤボンディ
ング作業時、キャピラリの接近方向を変える等の操作が
不要で、しかも受光素子の出力を大きくできるととも
に、装置全体の小型化を図れる半導体レーザ装置を実現
することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップのレーザ光出射面に対向する端面から出射される
光をモニターして前記半導体レーザチップの光出力を検
出する受光素子と、を少なくとも備えた半導体レーザ装
置において、前記半導体レーザチップから出射されるモ
ニター光を、前記受光素子のキャリア拡散面と直交する
側面部で受光すると共に、前記受光素子の拡散層の深さ
を１０μｍ以上とし、且つ、前記受光素子の側面と前記
拡散層間の距離を５０μｍ程度としてなり、前記受光素
子は、側面が微細な凹凸構造であり、前記半導体レーザ
チップとの距離が３００〜５００μｍであることを特徴
とする。また、前記拡散面は、受光素子の電極を形成す
るのに充分な広さであることを特徴とする。

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【作用】上記したように、半導体レーザチップのモニタ
ー光は受光素子のキャリア拡散面と直交する方向の側面
で受光するようにしているので、半導体レーザチップ及
び受光素子の両素子を同一実装面に平行にダイボンドで
きる。従って、従来であれば、両素子が互いに直角方向
に設置されているが故に、各素子のワイヤボンディング
の際にそれぞれ別方向からキャピラリを近接させる必要
のある場合があったが、本発明では同一方向からキャピ
ラリを近付けてワイヤボンディングすれば良いので、従
来のような手間が不要となる。

【００２２】また、モニター光の受光は受光素子の側面
で行うので、受光素子のキャリア拡散面の面積は電極を
設ける分のみあれば良く、従来に比べ格段の小型化が図
れる（約１／５）。また、この際、このままの構造であ
れば、従来に比べ受光素子の出力が十分得られないが、
本発明ではこれを解消し、さらに大きな出力が得られる
構造を供している。

【００２３】即ち、キャリア拡散層の深さを従来よりも
深く、１０倍以上の１０μｍ以上に設け、受光素子の側
面と拡散層間の距離を５０μｍ程度とする。これによ
り、側面方向からモニター光が入射する構造であって
も、光電変換効率を向上できＡＰＣ回路を駆動できる程
度の十分な光出力が得られる。

【００２４】

【００２５】

【実施例】本発明の一実施例について、図１を参照して
説明する。

【００２６】図１（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ、本実施
例による半導体レーザ装置の外観斜視図、要部断面図及
び半導体レーザチップの拡散部拡大図である。

【００２７】本実施例の大きな特徴は、半導体レーザチ
ップの後面から出射される光（モニター光）が受光素子
の側面（キャリアの拡散面と垂直な面）に入射される構
造とした点と、受光素子の拡散を深くした点にある。以
下、図面に基づいて詳細に説明する。

【００２８】図１（ａ）に示すように、リードフレーム
型樹脂モールドパッケージ１（以下、単にパッケージ１
と記す）内に設けた金属板２（後述するリード端子に一
体）上に、ステム３及びレーザ光立ち上げプリズム４
（以下、単にプリズム４と記す）を配している。そし
て、ステム３上に半導体レーザチップ５及び受光素子６
をダイボンドしている。

【００２９】ここで、半導体レーザチップ５の後面から
のモニター光１５は受光素子６の側面に入射するよう配
置されている。また、半導体レーザチップ５の前面から
の出射光１６はプリズム４の斜面に当たるよう配置され
ている。

【００３０】また、７乃至１０は外部接続用のリード端
子であり、半導体レーザチップ５はリード端子７に、受
光素子６はリード端子９にそれぞれ金線１１によってワ
イヤボンディングされている。金属板２はリード端子８
と一体的に形成されている。リード端子１０は電気的に
浮いた状態となっている。

【００３１】なお、受光素子６は本発明に特定の特殊な
素子ではなく、一般的な構造のものでよい。例えば、拡
散面表面キャリア濃度については以下のようである。
１）ＳｉのＮ型基板にＢ（ボロン）拡散する場合、１０
¹⁸〜１０¹⁹個／ｃｍ²、２）ＳｉのＰ型基板にＰ（リ
ン）拡散する場合、１０¹⁹〜１０²⁰個／ｃｍ²となる。
また、基板の濃度は一般的に１０¹⁴〜１０¹⁵個／ｃｍ²
である。

【００３２】次に、半導体レーザチップ５と受光素子６
の位置関係について、図１（ｂ）を参照して詳細に説明
する。図１（ｂ）において、１２は半導体レーザチップ
５上の電極、１３は受光素子６におけるキャリアの拡散
層、１４は受光素子６の電気信号出力用の電極である。
なお、金線１１は省略している。図１（ａ）でも説明し
たように、半導体レーザチップ５の後面からのモニター
光１５は、受光素子６の側面（キャリアの拡散面と垂直
な面）に入射される構造としている。半導体レーザチッ
プ５の前面から出射される光１６はプリズム４で反射し
て上方に立ちあげられる。

【００３３】この構造においては、拡散面１３は電極１
４を形成するに充分な広さがあれば良いので、図１
（ｂ）におけるａの長さを従来に比べて約１／５以下、
１００μｍ程度とすることができる。従って、特に半導
体レーザチップ５及び受光素子６を結ぶ方向の距離を短
縮でき、半導体レーザ装置としての小型化を図れる。

【００３４】ところで、上記のように半導体レーザチッ
プ５からの光を受光素子６の拡散面に対して垂直な面で
受光すると、単にその構造のままでは従来に比して出力
電気信号のレベルが小さくなる。これに対して、本実施
例は下記のような構造としているので十分な出力信号が
得られる。

【００３５】即ち、本実施例においては、受光素子６の
拡散層の深さｆを通常の受光素子の１０倍以上深く拡散
するようにしている。ここではｆ＝１０μｍとした。こ
のような構造によって、光電変換に寄与するキャリア密
度を約１０倍にできる。

【００３６】また、受光素子６の側面と拡散層１３’間
の距離ｂを従来構造の１／２以下、５０μｍ程度として
いる。このように側面−拡散層１３’間を狭くすること
によって、側面に入射したモニター光は容易に拡散層１
３’に到達し、有効な光電変換が行われるので光出力を
より向上できる。

【００３７】ところで、拡散層１３’の深さｆを深くす
るには拡散時間を長くする等のプロセスによって実現で
きるが、拡散層１３’を深くすればするほど、拡散層１
３’の形状が変化する。図１（ｃ）に受光素子６の拡散
部の拡大図を示している。図１（ｃ）に示すように、拡
散層１３’はバスタブ型に拡散する特徴があるため、拡
散層深さ１に対して０．８の長さ分だけ拡散面１３が広
がる。従って、実際の拡散層深さを決定する際には、こ
のバスタブ型の広がりを考慮して設計する必要がある。
ここでは、ｆ＝１０μｍとして各部の寸法を示してい
る。

【００３８】また、半導体レーザチップ５と受光素子６
間の距離ｃは、３００〜５００μｍとしている。従来の
ように、半導体レーザチップのモニター光を受光素子の
キャリア拡散面で受光する構造においては、半導体レー
ザチップ−受光素子間の距離は約１ｍｍであった。これ
に対して両素子間の距離をより短くできるのは以下のよ
うな理由による。

【００３９】即ち、一般にキャリア拡散面は鏡面に近
く、このため従来構造にあって両素子間の距離が短い
と、半導体レーザチップからのモニター光は受光素子面
で反射して再度半導体レーザチップに入射し、この結果
発振が不安定になるという問題があった。このため、従
来は１ｍｍ程度の距離を置いていた。

【００４０】これに対して、本実施例の場合、モニター
光は受光素子６の側面に入射する訳であるが、この受光
素子６の側面は通常ダイシングカットによって切断され
た面であるので、その表面は微細な凹凸構造となってい
る。従って、キャリア拡散面のような鏡面ではないの
で、その面には光が入射し易くなっている。このため、
上述の距離まで近接することができる。

【００４１】このように、半導体レーザチップ５からの
モニター光１５は近接した位置の受光素子６で受光でき
るので、さらに光電変換の効率を向上できる。

【００４２】上記図１に示した構造の半導体レーザ装置
においては、レーザ出力５ｍＷ時において、受光素子の
出力電流は０．０２ｍＡを得た。これにより、半導体レ
ーザ装置をＡＰＣ駆動できた。また、試作では、直径φ
５．０ｍｍ、厚さｔ２．８ｍｍの外形寸法を実現した。
従来構造においては、直径φ８．２ｍｍ、厚さｔ４．８
ｍｍであったので、かなりの小型化を図れた。

【００４３】なお、図２は半導体レーザのＡＰＣ駆動回
路の一例を示した回路図である。

【００４４】図１と同一機能部分には同一記号を付して
いる。点線部２０がＡＰＣ駆動回路部であり、受光素子
６が半導体レーザチップ５のモニター光１５を受光する
ことによって、半導体レーザチップ５の光出力を検出
し、一定出力を維持するように制御する。

【００４５】以上のように、本実施例によれば、半導体
レーザチップ５からの光を受光素子６の拡散面１３に対
して垂直な側面で受光する構造とし小型化を実現できる
一方、半導体レーザ装置をＡＰＣ駆動するのに十分な高
出力電気信号も得ることができる。

【００４６】図３は本発明の他の実施例による半導体レ
ーザ装置の斜視図である。本実施例は、図１に示した半
導体レーザチップと受光素子の配置関係を、円形型金属
アイレット型ステムを使用した半導体レーザ装置に適用
したものである。

【００４７】図３に示すように、円形金属板２０上に設
けられたステム２１上に半導体レーザチップ２２及び受
光素子２３が搭載されている。２４はプリズム、２５乃
至２７はリード端子であり、リード端子２５と半導体レ
ーザチップ２２、リード端子２７と受光素子２３がそれ
ぞれ金線２４でワイヤボンディングされている。リード
端子２６はステム２１と一体となっている。半導体レー
ザチップ２２、受光素子２３、プリズム２４の位置関係
については、図１と同じであるので説明は省略する。

【００４８】上記構造によれば、半導体レーザチップ２
２及び受光素子２３のワイヤボンディングの際、キャピ
ラリはＺ方向より近付けるだけでよく、図９の従来例の
ように各素子のワイヤボンディング毎に装置の位置を変
更するといった繁雑な工程がない。

【００４９】また、この半導体レーザ装置においては、
レーザ出力５ｍＷ時において、受光素子の出力は０．０
２ｍＡを得た。これにより、半導体レーザ装置をＡＰＣ
駆動できる。また、この半導体レーザ装置の直径はφ
４．５である。従来構造の、例えば図７に示した装置の
直径はφ５．６であり、従来例に比較して小型化が図れ
た。

【００５０】図４は本発明のさらに他の実施例による半
導体レーザ装置の断面図である。なお、ここでは、半導
体レーザチップと受光素子の位置関係のみを拡大図にて
説明する。

【００５１】一般に、半導体レーザチップの発光点は、
該チップのダイボンド面から極めて近い位置にある。特
に、活性層下型（Ｔｈｉｎ−Ｃａｐ型）半導体レーザチ
ップでは、ダイボンド面から１〜１０μｍの位置に発光
点がある。このような半導体レーザチップを用いる場合
には、これに対向する受光素子の内部の光電変換に寄与
する領域が、ダイボンド面に近接した位置にある方が、
光電変換効率が良く、受光素子の出力信号レベルが大き
くなる。

【００５２】本実施例では上記のような点を考慮し、キ
ャリアの拡散面側をステムにダイボンドしたものであ
る。具体的には、図４に示すようにステム３０上にダイ
ボンド面から２μｍの位置に発光点がある活性層下（Ｔ
ｈｉｎ−Ｃａｐ型）の半導体レーザチップ３１と、これ
に対向する受光素子３２を搭載している。そして、この
受光素子３２はキャリアの拡散層３３側をステム３０に
対してダイボンドしている。ここで、拡散層３３の厚み
を約１０μｍとしている。

【００５３】図５に図４の受光素子３２のステム３０へ
のボンディング状態を示す。なお、受光素子３２の大き
さを相対的に大きく描いている。

【００５４】図４及び図５中、３４はＳｉＯ₂膜で、受
光素子３２の半導体基板３５とステム３０とが電気的に
接触しないようにするための絶縁膜である。その他の受
光素子３２の側面とキャリア拡散層３３間の距離、拡散
面の広さ、半導体レーザチップ３１と受光素子３２間の
距離等は図１および図２の実施例と同じである。また、
３６はモニター光、３７は半導体レーザチップ３１の前
方から出射されるレーザ光、３８は受光素子３２の上面
電極、３９は受光素子３２の拡散層３３の拡散面全面に
形成した電極である。

【００５５】上記構造による半導体レーザ装置は、レー
ザ出力５ｍＷ時において、受光素子３２の出力電流は
０．０５ｍＡが得られ、ＡＰＣ駆動ができた。

【００５６】ところで、図４及び図５に示した受光素子
３２の拡散層の深さｆは、半導体レーザチップ３１の発
光点−ステム３０間の距離程度かそれ以上とすることに
より、受光素子３２の側面が半導体レーザチップ３１か
らの光を確実に受光することができ、光電変換効率を十
分確保できる。

【００５７】従って、例えば図６に示すように、半導体
レーザチップ４０の発光点の位置がダイボンド面から５
０μｍの位置にある場合には、これに対する受光素子４
１の拡散層の深さｆもやはり約５０μｍ程度とするのが
望ましい。図６において、受光素子４１の側面からキャ
リア拡散層４２までの距離、拡散層４２の拡散面の広
さ、半導体レーザチップ４０と受光素子４１間の距離等
は図１乃至図５の実施例と同じである。また、図４と同
一機能部分には同一記号を付している。

【００５８】図６の実施例においては、レーザ出力５ｍ
Ｗ時において、受光素子の出力電流は０．０７ｍＡを得
た。

【００５９】図７は本発明のさらに他の実施例の断面図
である。ここでも、半導体レーザチップと受光素子のみ
を取り上げて説明する。図６に示すように、セラミック
ヒート型基板５０（以下、単に基板５０と記す）上に半
導体レーザチップ５１と受光素子５２とが搭載されてい
る。半導体レーザチップ５１の光が受光素子５２の側面
（キャリア拡散面と垂直方向の面）に入射される点、及
びキャリアの拡散面側をダイボンドする点は図４乃至図
６の実施例と同じである。なお、図８に受光素子５２を
基板５０に搭載する状態を示している。ここでは、受光
素子５２を相対的に大きく描いている。

【００６０】本実施例の特徴は、基板５０に、受光素子
５２のアノード、カソードと電気的に接続するようなパ
ターン５３、５４を形成し、これによって受光素子５２
の電気信号を取り出すよう構成した点にある。図中、５
５はＳｉＯ₂等の膜で、この膜５５が回路パターン３３
及び３４で挟まれた基板５０の部分に対向するように受
光素子５２が搭載される。電極５６と回路パターン５４
が、また電極５７と回路パターン５３がそれぞれ接触し
ないように絶縁する絶縁膜である。なお、５８は受光素
子５２の拡散層、５９は上面電極、６０、６１は半導体
レーザチップ５１の下面電極、６２は上面電極、６３は
モニター光、６４は前面からのレーザ光、６５はワイヤ
である。

【００６１】本実施例によれば、基板５０上に設けられ
た電極から受光素子５２の出力電気信号を取り出すこと
ができ、受光素子５２のワイヤボンディングが不要とな
る効果が得られる。

【００６２】なお、この構造は図１に示したリードフレ
ーム型樹脂モールドパッケージ及び図３に示した金属ア
イレット型ステムのいづれの場合にも適用できる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置においては、半導体レーザチップのモニター光
は受光素子の側面で受光するようにしているので、両素
子を同一実装面に平行にダイボンドできる。従って、従
来であれば、両素子が互いに直角方向に設置されている
が故に、各素子のワイヤボンディングの際にそれぞれ別
方向からキャピラリを近接させる必要のある場合があっ
たが、本発明では同一方向からキャピラリを近付けてワ
イヤボンディングすれば良いので、従来のような手間が
不要となる。

【００６４】また、モニター光の受光は受光素子の側面
で行うので、受光素子のキャリア拡散面の面積は電極を
設ける分のみあれば良く、従来に比べ格段の小型化が図
れる（約１／５）。また、この際、このままの構造であ
れば、従来に比べ受光素子の出力が十分得られないが、
本発明ではこれを解消する構造を供している。

【００６５】即ち、受光素子のキャリア拡散面が上方に
あり、その反対面がダイボンドされている構造において
は、キャリア拡散層の深さを従来よりも深く、１０倍以
上の１０μｍ以上に設け、受光素子の側面と拡散層間の
距離を５０μｍ程度とする。これにより、側面方向から
モニター光が入射する構造であっても、光電変換効率を
向上できＡＰＣ回路を駆動できる程度の十分な光出力が
得られる。

【００６６】

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ、本発明の一実施
例による半導体レーザ装置の斜視図、断面図及び受光素
子の部分拡大図である。

【図２】ＡＰＣ駆動回路の一例の回路図である。

【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図である。

【図４】本発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。

【図５】図４の実施例の素子搭載状態を示す図である。

【図６】本発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。

【図７】本発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。

【図８】図７の実施例の素子搭載状態を示す図である。

【図９】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、従来例による半
導体レーザ装置の斜視図および断面図である。

【図１０】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、他の従来例に
よる半導体レーザ装置の斜視図および断面図である。

【符号の説明】

３ステム（実装面）５半導体レーザチップ６受光素子

フロントページの続き (72)発明者市川英樹大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者増井克栄大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平３−105985（ＪＰ，Ａ) 実開昭59−93157（ＪＰ，Ｕ) 米国特許4358676（ＵＳ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップのレーザ光出射面に対向する端面から出射される
光をモニターして前記半導体レーザチップの光出力を検
出する受光素子と、を少なくとも備えた半導体レーザ装
置において、前記半導体レーザチップから出射されるモニター光を、
前記受光素子のキャリア拡散面と直交する側面で受光す
ると共に、前記受光素子の拡散層の深さを１０μｍ以上とし、且
つ、前記受光素子の側面と前記拡散層間の距離を５０μ
ｍ程度としてなり、前記受光素子は、側面が微細な凹凸構造であり、前記半
導体レーザチップとの距離が３００〜５００μｍである
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】前記拡散面は、受光素子の電極を形成す
るのに充分な広さであることを特徴とする請求項１に記
載の半導体レーザ装置。