JP3229695B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP3229695B2 JP3229695B2 JP03668193A JP3668193A JP3229695B2 JP 3229695 B2 JP3229695 B2 JP 3229695B2 JP 03668193 A JP03668193 A JP 03668193A JP 3668193 A JP3668193 A JP 3668193A JP 3229695 B2 JP3229695 B2 JP 3229695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- light receiving
- lead
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は安定した光出力モニタ電
流を確保し易い半導体レーザ装置に関する。
流を確保し易い半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図６に
示す。この図に於て、リード３１上に受光素子３２が載
置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置されてい
る。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２のＰ型
拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。他のリー
ド３６がリード３１と離れて設けられている。半導体レ
ーザ素子３３と他のリード３６との間に、金属細線３７
が配線されている。この半導体レーザ装置が支持具３８
に固定され、その上に光学部品３９が固定されている。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図６に
示す。この図に於て、リード３１上に受光素子３２が載
置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置されてい
る。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２のＰ型
拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。他のリー
ド３６がリード３１と離れて設けられている。半導体レ
ーザ素子３３と他のリード３６との間に、金属細線３７
が配線されている。この半導体レーザ装置が支持具３８
に固定され、その上に光学部品３９が固定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の半導体
レーザ装置に於ては、Ｐ型拡散領域３４への受光量がば
らつくという第１の欠点がある。本発明者がその原因を
究明したところ、絶縁枠の内壁４０が他のリード３６に
対して垂直に形成されているからである。すなわち半導
体レーザ素子３３の後面からの出射光の１部が透光性樹
脂３５を貫き、絶縁枠の内壁４０で略水平に反射され、
この反射光４１の１部が再び透光性樹脂３５に入り、Ｐ
型拡散領域３４に入る。しかし透光性樹脂３５の樹脂形
状により、反射光４１が透光性樹脂３５内に入る光量が
ばらつくので、Ｐ型拡散領域３４への受光量がばらつ
く。その他の原因として、半導体レーザ素子３３の後面
からの出射光の１部は透光性樹脂３５の表面で反射さ
れ、この反射光４２がＰ型拡散領域３４に入るが、透光
性樹脂３５の表面の形状がばらつくので、反射量も不均
一になるから受光量がばらつくためである。図７に於
て、上述の半導体レーザ装置を１４個製造し、３ｍＷの
光出力で動作させた時の後方の出射光によるモニタ電流
値の分布を示すが、電流値のばらつきが大きいことがわ
かる。
レーザ装置に於ては、Ｐ型拡散領域３４への受光量がば
らつくという第１の欠点がある。本発明者がその原因を
究明したところ、絶縁枠の内壁４０が他のリード３６に
対して垂直に形成されているからである。すなわち半導
体レーザ素子３３の後面からの出射光の１部が透光性樹
脂３５を貫き、絶縁枠の内壁４０で略水平に反射され、
この反射光４１の１部が再び透光性樹脂３５に入り、Ｐ
型拡散領域３４に入る。しかし透光性樹脂３５の樹脂形
状により、反射光４１が透光性樹脂３５内に入る光量が
ばらつくので、Ｐ型拡散領域３４への受光量がばらつ
く。その他の原因として、半導体レーザ素子３３の後面
からの出射光の１部は透光性樹脂３５の表面で反射さ
れ、この反射光４２がＰ型拡散領域３４に入るが、透光
性樹脂３５の表面の形状がばらつくので、反射量も不均
一になるから受光量がばらつくためである。図７に於
て、上述の半導体レーザ装置を１４個製造し、３ｍＷの
光出力で動作させた時の後方の出射光によるモニタ電流
値の分布を示すが、電流値のばらつきが大きいことがわ
かる。
【０００４】更に出射光はビーム状であっても広がりが
あるので、水平方向に傾いた光があるから、反射光４１
も水平より傾いて進行するものもある。この光が光学部
品３９へ進入するため、半導体レーザ素子３３の前面か
らの出射光の邪魔になるという第２の欠点がある。本発
明はかかる従来の欠点に鑑みてなされたものであり、受
光量のばらつきの少ないかつ全面からの出射光のみ光学
部品に入る半導体レーザ装置を提供するものである。
あるので、水平方向に傾いた光があるから、反射光４１
も水平より傾いて進行するものもある。この光が光学部
品３９へ進入するため、半導体レーザ素子３３の前面か
らの出射光の邪魔になるという第２の欠点がある。本発
明はかかる従来の欠点に鑑みてなされたものであり、受
光量のばらつきの少ないかつ全面からの出射光のみ光学
部品に入る半導体レーザ装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに第１の本発明は、位置決め手段を有するリード上に
載置された受光素子と、受光素子の受光面より高い位置
に光軸中心が位置する様にリードの上方に配置された半
導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の光出射面と受光
面を一体に覆う透光性樹脂と、少なくともリードの周辺
に形成された絶縁枠とを具備し、絶縁枠は前記半導体レ
ーザ素子の光出射側に於て外向きに傾斜した内壁を有す
る様に設けるものである。
めに第１の本発明は、位置決め手段を有するリード上に
載置された受光素子と、受光素子の受光面より高い位置
に光軸中心が位置する様にリードの上方に配置された半
導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の光出射面と受光
面を一体に覆う透光性樹脂と、少なくともリードの周辺
に形成された絶縁枠とを具備し、絶縁枠は前記半導体レ
ーザ素子の光出射側に於て外向きに傾斜した内壁を有す
る様に設けるものである。
【０００６】第２の本発明は、位置決め手段を有するリ
ード上に載置された受光素子と、受光素子の受光面より
高い位置に光軸中心が位置する様にリードの上方に配置
された半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の光出射
面と受光面を一体に覆い、かつ拡散剤を混合された透光
性樹脂又は拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂からなる
モールド樹脂と、少なくともリードの周辺に形成された
絶縁枠とを設けるものである。
ード上に載置された受光素子と、受光素子の受光面より
高い位置に光軸中心が位置する様にリードの上方に配置
された半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の光出射
面と受光面を一体に覆い、かつ拡散剤を混合された透光
性樹脂又は拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂からなる
モールド樹脂と、少なくともリードの周辺に形成された
絶縁枠とを設けるものである。
【０００７】
【作用】上述の様に第１の本発明は、光軸中心を受光面
より上に設けているので、半導体レーザ素子の出射光は
受光面上を進行する。そして、半導体レーザ素子の出射
側に於て外向きに傾斜した絶縁枠の内壁を設けるので、
半導体レーザ素子の後面からの略水平な出射光は１部、
透光性樹脂を貫いて絶縁枠の内壁で反射され斜め上方に
進行する。故にこの反射光は受光面と光学部品に進入し
ない。
より上に設けているので、半導体レーザ素子の出射光は
受光面上を進行する。そして、半導体レーザ素子の出射
側に於て外向きに傾斜した絶縁枠の内壁を設けるので、
半導体レーザ素子の後面からの略水平な出射光は１部、
透光性樹脂を貫いて絶縁枠の内壁で反射され斜め上方に
進行する。故にこの反射光は受光面と光学部品に進入し
ない。
【０００８】また第２の本発明は、半導体レーザ素子の
光出射面と受光面を一体に覆う様に拡散剤を混合された
透光性樹脂又は拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂から
なるモールド樹脂を設ける。故に、半導体レーザ素子か
らの出射光は、ばらつきの大きい樹脂形状による界面で
の反射量よりも、樹脂内の拡散剤での反射量が多くな
る。また拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易いの
で、拡散剤による反射量のばらつきは少ないから、この
反射量による受光量のばらつきも少なくなる。
光出射面と受光面を一体に覆う様に拡散剤を混合された
透光性樹脂又は拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂から
なるモールド樹脂を設ける。故に、半導体レーザ素子か
らの出射光は、ばらつきの大きい樹脂形状による界面で
の反射量よりも、樹脂内の拡散剤での反射量が多くな
る。また拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易いの
で、拡散剤による反射量のばらつきは少ないから、この
反射量による受光量のばらつきも少なくなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
図である。これらの図に於て、リード１は厚みが０．２
乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩形部２と切
欠部３と端子部４からできている。リード１は端面５に
形成されたＶ字状溝の様な位置決め手段６を有してい
る。その他に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面略コ
字状の凹部に形成しても良く、またはＶ字状、Ｕ字状、
断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
い説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図２はその半導体レーザ装置の平面
図である。これらの図に於て、リード１は厚みが０．２
乃至１．０ｍｍの銅等の金属材料からなり矩形部２と切
欠部３と端子部４からできている。リード１は端面５に
形成されたＶ字状溝の様な位置決め手段６を有してい
る。その他に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面略コ
字状の凹部に形成しても良く、またはＶ字状、Ｕ字状、
断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
【００１０】受光素子７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からな
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリード
１上に固着されている。
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリード
１上に固着されている。
【００１１】半導体レーザ素子１２は例えば、活性層と
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らなる。半導体レーザ素子１２の両端は劈開されその上
に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１２は、
前方に出射面が位置する様に受光素子７の表面電極８上
に銀ペースト又は半田を介して固着されている。半導体
レーザ素子１２は後方にモニター用の出射が行われる様
に、後面の反射膜の反射率が前面のそれよりも高い様に
形成されている。また用途によっては後面の反射率を前
面より低く形成しても良い。上述の様に半導体レーザ素
子１２の光軸中心からの出射光１２ａは、受光素子７の
受光面１１より高い位置にある様に設けられている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らなる。半導体レーザ素子１２の両端は劈開されその上
に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１２は、
前方に出射面が位置する様に受光素子７の表面電極８上
に銀ペースト又は半田を介して固着されている。半導体
レーザ素子１２は後方にモニター用の出射が行われる様
に、後面の反射膜の反射率が前面のそれよりも高い様に
形成されている。また用途によっては後面の反射率を前
面より低く形成しても良い。上述の様に半導体レーザ素
子１２の光軸中心からの出射光１２ａは、受光素子７の
受光面１１より高い位置にある様に設けられている。
【００１２】他のリード１３、１４は銅等の金属材料か
らなり、リード１の切欠き部３に位置し、半導体レーザ
素子１２の前面の出射方向と逆に延びている。金属細線
１５と他の金属細線１６は共に金等からなり、それぞれ
半導体レーザ素子１２と他のリード１３との間、および
受光素子７の表面電極９と他のリード１４との間を接続
する様に配線されている。他の金属細線１７は受光素子
７の表面電極８とリード１との間を接続する様に配線さ
れている。
らなり、リード１の切欠き部３に位置し、半導体レーザ
素子１２の前面の出射方向と逆に延びている。金属細線
１５と他の金属細線１６は共に金等からなり、それぞれ
半導体レーザ素子１２と他のリード１３との間、および
受光素子７の表面電極９と他のリード１４との間を接続
する様に配線されている。他の金属細線１７は受光素子
７の表面電極８とリード１との間を接続する様に配線さ
れている。
【００１３】モールド樹脂１８は例えばエポキシ樹脂か
らなり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子
７の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。モー
ルド樹脂１８は望ましくは、酸化珪素（ＳｉＯ2）や酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの拡散剤を１０〜５０
重量％の比率で混合された透光性樹脂が良い。透光性樹
脂としてはエポキシ樹脂やシリコン樹脂やアクリル樹脂
が用いられる。また、モールド樹脂１８として、上述の
拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂を用いても良い。紫
外線硬化樹脂はエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂やアク
リル系樹脂が用いられる。また拡散剤入りの透光性樹脂
はポッティングした後に加熱器まで移動されるので、そ
の間に樹脂形状が変わることがあるが、拡散剤入りの紫
外線硬化樹脂はポッティングした場所に於て、硬化でき
るので樹脂形状が変わらないという利点がある。
らなり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子
７の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。モー
ルド樹脂１８は望ましくは、酸化珪素（ＳｉＯ2）や酸
化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの拡散剤を１０〜５０
重量％の比率で混合された透光性樹脂が良い。透光性樹
脂としてはエポキシ樹脂やシリコン樹脂やアクリル樹脂
が用いられる。また、モールド樹脂１８として、上述の
拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂を用いても良い。紫
外線硬化樹脂はエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂やアク
リル系樹脂が用いられる。また拡散剤入りの透光性樹脂
はポッティングした後に加熱器まで移動されるので、そ
の間に樹脂形状が変わることがあるが、拡散剤入りの紫
外線硬化樹脂はポッティングした場所に於て、硬化でき
るので樹脂形状が変わらないという利点がある。
【００１４】絶縁枠１９は例えば、ポリカーボネート樹
脂又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２
の出射面を露出する様に平面略コ字状に、かつリード１
と、他のリード１３と１４の各表面と裏面を挟む様に、
トランスファーモールドによって形成されている。絶縁
枠１９は受光素子７の後方に於て、すなわち半導体レー
ザ素子１２の後方の出射側に於て、外向きに傾斜した内
壁２０が形成されている。すなわち内壁２０はリード１
との角度が鈍角になる様に、上方に行く程、空間が広が
る方向に傾斜している。これらの部品により半導体レー
ザ装置２１は構成されている。
脂又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２
の出射面を露出する様に平面略コ字状に、かつリード１
と、他のリード１３と１４の各表面と裏面を挟む様に、
トランスファーモールドによって形成されている。絶縁
枠１９は受光素子７の後方に於て、すなわち半導体レー
ザ素子１２の後方の出射側に於て、外向きに傾斜した内
壁２０が形成されている。すなわち内壁２０はリード１
との角度が鈍角になる様に、上方に行く程、空間が広が
る方向に傾斜している。これらの部品により半導体レー
ザ装置２１は構成されている。
【００１５】金属細線１５を他のリード１３に接続する
ために、通常はワイヤボンダーのキャピラリ２２により
ワイヤボンディングされている。本実施例の様に絶縁枠
の内壁２０が外向きに傾斜しているので、キャピラリ２
２の先端の傾斜部と接触せずにかつ近接してボンディン
グできる。故にキャピラリ２２の入る空間を従来より狭
くできるので、半導体レーザ装置２１の小型化が計れ
る。
ために、通常はワイヤボンダーのキャピラリ２２により
ワイヤボンディングされている。本実施例の様に絶縁枠
の内壁２０が外向きに傾斜しているので、キャピラリ２
２の先端の傾斜部と接触せずにかつ近接してボンディン
グできる。故にキャピラリ２２の入る空間を従来より狭
くできるので、半導体レーザ装置２１の小型化が計れ
る。
【００１６】そして支持具２３に形成された凸部又は凹
部とリード１の端面５に形成された位置決め手段６、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
２１が支持具２３に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品２４が半導体レーザ素
子１２の前方の出射方向に設けられている。
部とリード１の端面５に形成された位置決め手段６、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
２１が支持具２３に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品２４が半導体レーザ素
子１２の前方の出射方向に設けられている。
【００１７】更に望ましくは本半導体レーザ装置２１に
於て、受光素子７の略真下にて、絶縁枠１９に孔２５と
支持具２３に孔２６を設けると良い。この孔２５と２６
により温度上昇した受光素子７が放熱し易くなるからで
ある。
於て、受光素子７の略真下にて、絶縁枠１９に孔２５と
支持具２３に孔２６を設けると良い。この孔２５と２６
により温度上昇した受光素子７が放熱し易くなるからで
ある。
【００１８】この様に従来では、後方の出射光は制御し
にくい透光性樹脂の表面で反射されその反射光が受光面
に進入しているので、モニタ光量の制御が困難である。
これに対して本実施例では、モールド樹脂１８の中に拡
散剤を混合することにより、半導体レーザ素子１２の後
面からの副出射光が拡散剤で反射され、受光面１１に進
入する。故に拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易い
ので、モニタ光量の制御も容易である。
にくい透光性樹脂の表面で反射されその反射光が受光面
に進入しているので、モニタ光量の制御が困難である。
これに対して本実施例では、モールド樹脂１８の中に拡
散剤を混合することにより、半導体レーザ素子１２の後
面からの副出射光が拡散剤で反射され、受光面１１に進
入する。故に拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易い
ので、モニタ光量の制御も容易である。
【００１９】次に本実施例の半導体レーザ装置のモニタ
電流値を図３に従い説明する。１４個の半導体レーザ装
置をそれぞれ３ｍＷの出力で動作させた時のモニタ電流
値を測定する。この図の横軸はモニタ電流値（ｍＡ）で
あり、縦軸は装置の個数である。この図により、図７の
従来品に比べてモニタ電流値のばらつきが少ないことが
わかる。
電流値を図３に従い説明する。１４個の半導体レーザ装
置をそれぞれ３ｍＷの出力で動作させた時のモニタ電流
値を測定する。この図の横軸はモニタ電流値（ｍＡ）で
あり、縦軸は装置の個数である。この図により、図７の
従来品に比べてモニタ電流値のばらつきが少ないことが
わかる。
【００２０】更に、図４に示した第２実施例の半導体レ
ーザ装置では、モールド樹脂１８ａは金属細線１５ａを
含めて、絶縁枠１９の凹部を略覆う様に形成されてい
る。これにより、金属細線１５ａを電気的に保護すると
共に、製造中又は検査中に金属細線１５ａが損傷されな
い。
ーザ装置では、モールド樹脂１８ａは金属細線１５ａを
含めて、絶縁枠１９の凹部を略覆う様に形成されてい
る。これにより、金属細線１５ａを電気的に保護すると
共に、製造中又は検査中に金属細線１５ａが損傷されな
い。
【００２１】次に、第１実施例より受光素子の温度上昇
が低くなる第３実施例を図５の断面図に従い説明する。
受光素子７ａは例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からなるシリコン
系結晶に表面電極９ａと裏面電極１０ａを設けられたも
のである。表面電極９ａはＰ型拡散領域からなる受光面
１１ａとオーミック接触して形成されている。受光素子
７ａは導電性接着剤を介してリード１上に固着されてい
る。
が低くなる第３実施例を図５の断面図に従い説明する。
受光素子７ａは例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からなるシリコン
系結晶に表面電極９ａと裏面電極１０ａを設けられたも
のである。表面電極９ａはＰ型拡散領域からなる受光面
１１ａとオーミック接触して形成されている。受光素子
７ａは導電性接着剤を介してリード１上に固着されてい
る。
【００２２】サブマウント２７は例えばシリコン等から
なり表面電極８ａと裏面電極（図示せず）を設けられた
ものであり、導電性接着剤によりリード１上に固着され
ている。半導体レーザ素子１２はサブマウント２７の表
面電極８ａと合金化することにより固定されている。こ
の様に、半導体レーザ素子１２は受光素子７ａの前方の
リード１上にサブマウント２７を介して載置され、その
光軸中心からの出射光１２ａはａは受光面１１ａより高
い位置にありかつ前方に出射面を有している。
なり表面電極８ａと裏面電極（図示せず）を設けられた
ものであり、導電性接着剤によりリード１上に固着され
ている。半導体レーザ素子１２はサブマウント２７の表
面電極８ａと合金化することにより固定されている。こ
の様に、半導体レーザ素子１２は受光素子７ａの前方の
リード１上にサブマウント２７を介して載置され、その
光軸中心からの出射光１２ａはａは受光面１１ａより高
い位置にありかつ前方に出射面を有している。
【００２３】モールド樹脂１８ｂは半導体レーザ素子１
２の後面近傍から受光面１１ａまで覆う様に形成されて
いる。図５の番号と図１、図２の番号と同じものは同じ
部品である事を示す。上述の様に、半導体レーザ素子１
２と受光素子７ａを離してリード１上に載置するので、
半導体レーザ素子１２の温度上昇により受光素子７ａの
温度が余り上がらない。故に受光素子７ａの受光特性
（受光量に対するモニタ電流値）が安定するのでモニタ
電流も安定する。また第１実施例と同じ様に、サブマウ
ント２７と受光素子７ａの略真下に於て、絶縁枠１９と
支持具２３に孔を設けても良い。
２の後面近傍から受光面１１ａまで覆う様に形成されて
いる。図５の番号と図１、図２の番号と同じものは同じ
部品である事を示す。上述の様に、半導体レーザ素子１
２と受光素子７ａを離してリード１上に載置するので、
半導体レーザ素子１２の温度上昇により受光素子７ａの
温度が余り上がらない。故に受光素子７ａの受光特性
（受光量に対するモニタ電流値）が安定するのでモニタ
電流も安定する。また第１実施例と同じ様に、サブマウ
ント２７と受光素子７ａの略真下に於て、絶縁枠１９と
支持具２３に孔を設けても良い。
【００２４】本実施例の他に、リードに凹部を形成しそ
の凹部上に受光素子を載置し、その前方のリード上に直
接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心が受光面より
高い位置にある様に設けても良い。
の凹部上に受光素子を載置し、その前方のリード上に直
接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心が受光面より
高い位置にある様に設けても良い。
【００２５】
【発明の効果】第１の本発明は上述の様に、光軸中心線
を受光面より上に設け、半導体レーザ素子の後面から受
光面までを透光性樹脂で覆うので、受光面への受光量を
十分に確保できる。そして、受光素子の後方に於て外向
きに傾斜した絶縁枠の内壁を設けるので、半導体レーザ
素子の後面からの副出射光は１部、透光性樹脂を貫いた
後、略水平に内壁にあたり、傾斜した内壁に反射して斜
め上方に進行する。故にこの反射光は受光面と光学部品
に進入しないので、受光面への受光量がばらつかずに安
定する。従って、受光素子による安定したモニタ電流が
得られるので、半導体レーザ素子の出力制御が正確とな
る。又、この反射光は光学部品に進入しなく、出射光の
みが光学部品に進入するので、所定の出射光を光学部品
に正確に供給できる。
を受光面より上に設け、半導体レーザ素子の後面から受
光面までを透光性樹脂で覆うので、受光面への受光量を
十分に確保できる。そして、受光素子の後方に於て外向
きに傾斜した絶縁枠の内壁を設けるので、半導体レーザ
素子の後面からの副出射光は１部、透光性樹脂を貫いた
後、略水平に内壁にあたり、傾斜した内壁に反射して斜
め上方に進行する。故にこの反射光は受光面と光学部品
に進入しないので、受光面への受光量がばらつかずに安
定する。従って、受光素子による安定したモニタ電流が
得られるので、半導体レーザ素子の出力制御が正確とな
る。又、この反射光は光学部品に進入しなく、出射光の
みが光学部品に進入するので、所定の出射光を光学部品
に正確に供給できる。
【００２６】本発明は更に、絶縁枠の内壁が外向きに傾
斜しているので、内壁がワイヤボンダーのキャピラリの
先端の傾斜部と接触せずに、かつ近接してボンディング
できる。故にキャピラリの入る空間を従来より狭くでき
るので、半導体レーザ装置の小型化が計れる。更に半導
体レーザ装置のリードに設けられた位置決め手段と支持
具の凸部又は凹部をはめ合わす事により、半導体レーザ
装置の位置ずれを防止し、出射ビームと光学部品の関係
位置を正確に保持することができる。
斜しているので、内壁がワイヤボンダーのキャピラリの
先端の傾斜部と接触せずに、かつ近接してボンディング
できる。故にキャピラリの入る空間を従来より狭くでき
るので、半導体レーザ装置の小型化が計れる。更に半導
体レーザ装置のリードに設けられた位置決め手段と支持
具の凸部又は凹部をはめ合わす事により、半導体レーザ
装置の位置ずれを防止し、出射ビームと光学部品の関係
位置を正確に保持することができる。
【００２７】第２の本発明は、モールド樹脂の中に拡散
剤を混合することにより、半導体レーザ素子の後面から
の出射光が拡散剤で反射され、受光面に進入する。故に
拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易いので、モニタ
光量の制御も容易である。故に受光量のばらつきが少な
い。
剤を混合することにより、半導体レーザ素子の後面から
の出射光が拡散剤で反射され、受光面に進入する。故に
拡散剤の種類と粒径と混合量は制御し易いので、モニタ
光量の制御も容易である。故に受光量のばらつきが少な
い。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの側面
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの平面
図である。
図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る半導体レーザのモニ
タ電流値の分布図である。
タ電流値の分布図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図である。
側面断面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図である。
側面断面図である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の側面断面図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置のモニタ電流値の分布
図である。
図である。
１ リード ６ 位置決め手段 ７、７ａ 受光素子 １１、１１ａ 受光面 １２ 半導体レーザ素子 １８、１８ａ、１８ｂ モールド樹脂 １９ 絶縁枠 ２０ 内壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−274781（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−296593（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−23563（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−45676（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、その受光素子の受光面より高い位置に
光軸中心が位置する様にリードの上方に配置された半導
体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の光出射面と前
記受光面を一体に覆う透光性樹脂と、少なくとも前記リ
ードの周辺に形成された絶縁枠とを具備し、その絶縁枠
は前記半導体レーザ素子の光出射側に於て外向きに傾斜
した内壁を有する事を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、その受光素子の受光面より高い位置に
光軸中心が位置する様にリードの上方に配置された半導
体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の光出射面と前
記受光面を一体に覆い、かつ拡散剤を混合された透光性
樹脂又は拡散剤を混合された紫外線硬化樹脂からなるモ
ールド樹脂と、少なくとも前記リードの周辺に形成され
た絶縁枠とを具備する事を特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03668193A JP3229695B2 (ja) | 1992-07-29 | 1993-02-25 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237792 | 1992-07-29 | ||
| JP4-202377 | 1992-07-29 | ||
| JP03668193A JP3229695B2 (ja) | 1992-07-29 | 1993-02-25 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697595A JPH0697595A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3229695B2 true JP3229695B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=26375762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03668193A Expired - Fee Related JP3229695B2 (ja) | 1992-07-29 | 1993-02-25 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229695B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP03668193A patent/JP3229695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697595A (ja) | 1994-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5309460A (en) | Semiconductor laser with encapsulated lead members | |
| US5130531A (en) | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens | |
| JP2930213B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP1041419A1 (en) | Optical semiconductor module with fiber connection and its assembly process | |
| JP3186684B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3187482B2 (ja) | パッケージ型半導体レーザ装置 | |
| JP3229695B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3524579B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH10132558A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2000156510A (ja) | 光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置 | |
| JPS63136684A (ja) | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム | |
| JP3101434B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3059831B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04280487A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3074092B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2005026333A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2935925B2 (ja) | モールド型半導体レーザ装置 | |
| JP2000031582A (ja) | 光モジュール | |
| JP3204464B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3889742B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP3443170B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0645703A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0653597A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3238970B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070907 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090907 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |