JPH0645703A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0645703A JPH0645703A JP19712792A JP19712792A JPH0645703A JP H0645703 A JPH0645703 A JP H0645703A JP 19712792 A JP19712792 A JP 19712792A JP 19712792 A JP19712792 A JP 19712792A JP H0645703 A JPH0645703 A JP H0645703A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- light
- lead
- receiving element
- laser device
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体レーザ素子の後面からの出射光の受光
素子への受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置を
提供する。 【構成】 位置決め手段を有する第１のリード１上に受
光素子７を載置し、前方に主出射面を有する半導体レー
ザ素子１２を受光素子７上又はその前方の第１のリード
１上に載置する。半導体レーザ素子の後面近傍から受光
素子の受光面までを透光性樹脂１９で覆う。半導体レー
ザ素子と第２のリード１３、および受光素子と第３のリ
ード１４をそれぞれ接続する第１、第２の金属細線１
６，１７を半導体レーザ素子の光軸中心線に対して左右
に振分けて設ける。
素子への受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置を
提供する。 【構成】 位置決め手段を有する第１のリード１上に受
光素子７を載置し、前方に主出射面を有する半導体レー
ザ素子１２を受光素子７上又はその前方の第１のリード
１上に載置する。半導体レーザ素子の後面近傍から受光
素子の受光面までを透光性樹脂１９で覆う。半導体レー
ザ素子と第２のリード１３、および受光素子と第３のリ
ード１４をそれぞれ接続する第１、第２の金属細線１
６，１７を半導体レーザ素子の光軸中心線に対して左右
に振分けて設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は安定した光出力モニタ電
流を確保し易い半導体レーザ装置に関する。
流を確保し易い半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ装置の改良が数多く
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図３に
示す。この図に於て、第１のリード３１上に受光素子３
２が載置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置さ
れている。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２
のＰ型拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。Ｐ
型拡散領域３４とオーミック接触して電極３６が設けら
れている。第２、第３のリード３７、３８が第１のリー
ド３１と離れて設けられている。半導体レーザ素子３３
と第２のリード３７、および電極３６と第３のリード３
８との間に、第１、第２の金属細線３９、４０が配線さ
れている。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平４−
１３８６９６号にて出願した半導体レーザ装置を図３に
示す。この図に於て、第１のリード３１上に受光素子３
２が載置され、その上に半導体レーザ素子３３が載置さ
れている。半導体レーザ素子３３の後面と受光素子３２
のＰ型拡散領域３４を透光性樹脂３５が覆っている。Ｐ
型拡散領域３４とオーミック接触して電極３６が設けら
れている。第２、第３のリード３７、３８が第１のリー
ド３１と離れて設けられている。半導体レーザ素子３３
と第２のリード３７、および電極３６と第３のリード３
８との間に、第１、第２の金属細線３９、４０が配線さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の半導体
レーザ装置に於ては、第１の金属細線３９が半導体レー
ザ素子３３の後方の略光軸中心線上にある。そのため、
半導体レーザ素子３３の後面からの出射光がこの金属細
線３９に干渉し、出射光が１部散乱する。それ故に、Ｐ
型拡散領域３４への受光量がばらつく。更に第１の金属
細線３９が光軸中心線上にあるため、透光性樹脂３５を
モールドするのに第１の金属細線３９が邪魔となり作業
が困難である。そのため透光性樹脂３５の形状が定まら
なく、ばらつくので、Ｐ型拡散領域３４への受光量がば
らつく。従って本発明はかかる従来の欠点に鑑みてなさ
れたもので、半導体レーザ素子の後面からの出射光の受
光素子への受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置
を提供するものである。
レーザ装置に於ては、第１の金属細線３９が半導体レー
ザ素子３３の後方の略光軸中心線上にある。そのため、
半導体レーザ素子３３の後面からの出射光がこの金属細
線３９に干渉し、出射光が１部散乱する。それ故に、Ｐ
型拡散領域３４への受光量がばらつく。更に第１の金属
細線３９が光軸中心線上にあるため、透光性樹脂３５を
モールドするのに第１の金属細線３９が邪魔となり作業
が困難である。そのため透光性樹脂３５の形状が定まら
なく、ばらつくので、Ｐ型拡散領域３４への受光量がば
らつく。従って本発明はかかる従来の欠点に鑑みてなさ
れたもので、半導体レーザ素子の後面からの出射光の受
光素子への受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置
を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、位置決め手段を有する第１のリード上に
受光素子を載置し、前方に主出射面を有する半導体レー
ザ素子を受光素子上又はその前方の第１のリード上に載
置する。半導体レーザ素子の後面近傍から前記受光素子
の受光面まで覆う様に透光性樹脂を設ける。半導体レー
ザ素子の主出射方向と逆に延びた第２、第３のリードを
第１のリードと離して設ける。半導体レーザ素子と第２
のリード、および受光素子と第３のリードをそれぞれ接
続する第１、第２の金属細線を半導体レーザ素子の光軸
中心線に対して左右に振分けて設ける。
決するために、位置決め手段を有する第１のリード上に
受光素子を載置し、前方に主出射面を有する半導体レー
ザ素子を受光素子上又はその前方の第１のリード上に載
置する。半導体レーザ素子の後面近傍から前記受光素子
の受光面まで覆う様に透光性樹脂を設ける。半導体レー
ザ素子の主出射方向と逆に延びた第２、第３のリードを
第１のリードと離して設ける。半導体レーザ素子と第２
のリード、および受光素子と第３のリードをそれぞれ接
続する第１、第２の金属細線を半導体レーザ素子の光軸
中心線に対して左右に振分けて設ける。
【０００５】
【作用】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子と第２
のリードを接続する第１の金属細線を半導体レーザ素子
の光軸中心線に対して左又は右に設けている。故に半導
体レーザ素子の後面からの出射光が第１の金属細線に干
渉しない。そして本発明は第１、第２の金属細線を左右
に振分けて設けているので、その両細線の中間に透光性
樹脂をモールドすれば良く、透光性樹脂が再現性良く形
状が定まる。故に受光素子への受光量のばらつきが少な
くなる。
のリードを接続する第１の金属細線を半導体レーザ素子
の光軸中心線に対して左又は右に設けている。故に半導
体レーザ素子の後面からの出射光が第１の金属細線に干
渉しない。そして本発明は第１、第２の金属細線を左右
に振分けて設けているので、その両細線の中間に透光性
樹脂をモールドすれば良く、透光性樹脂が再現性良く形
状が定まる。故に受光素子への受光量のばらつきが少な
くなる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１と図２に従い説
明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面
図であり、図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図
に於て、第１のリード１は厚みが０．２乃至１．０ｍｍ
の銅等の金属材料からなり矩形部２と切欠部３と端子部
４からできている。第１のリード１は端面５に形成され
たＶ字状溝の様な位置決め手段６を有している。その他
に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面略コ字状の凹部
に形成しても良く、又はＶ字状、Ｕ字状、断面略コ字状
の凸部に形成しても良い。
明する。図１は本実施例に係る半導体レーザ装置の断面
図であり、図２は図１のＡＡ断面図である。これらの図
に於て、第１のリード１は厚みが０．２乃至１．０ｍｍ
の銅等の金属材料からなり矩形部２と切欠部３と端子部
４からできている。第１のリード１は端面５に形成され
たＶ字状溝の様な位置決め手段６を有している。その他
に位置決め手段６はＵ字状溝でも、断面略コ字状の凹部
に形成しても良く、又はＶ字状、Ｕ字状、断面略コ字状
の凸部に形成しても良い。
【０００７】受光素子７は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造からな
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介して第１の
リード１上に固着されている。
るシリコン系結晶に表面電極８、９と裏面電極１０を設
けられたものである。表面電極９はＰ型拡散領域からな
る受光面１１とオーミック接触して形成されている。受
光素子７は銀ペースト等の導電性接着剤を介して第１の
リード１上に固着されている。
【０００８】半導体レーザ素子１２は例えば、活性層と
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射面が位置する様に、半導体レーザ素子
１２の裏面電極８が受光素子７上に銀ペースト又は半田
を介して固着されている。半導体レーザ素子１２は後方
にモニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の
反射率が前面のそれよりも高い様に形成されている。
それを挟むクラッド層からなるＧａＡｌＡｓの発光層か
らできている。半導体レーザ素子１２の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子１
２は前方に主出射面が位置する様に、半導体レーザ素子
１２の裏面電極８が受光素子７上に銀ペースト又は半田
を介して固着されている。半導体レーザ素子１２は後方
にモニター用の副出射が行われる様に、後面の反射膜の
反射率が前面のそれよりも高い様に形成されている。
【０００９】第２、第３のリード１３、１４は銅等の金
属材料からなり、第１のリード１の切欠き部３に位置
し、半導体レーザ素子１２の主出射方向と逆に延びてい
る。第１、第２の金属細線１６、１７は共に金等からな
り、それぞれ半導体レーザ素子１２と第２のリード１３
との間、および受光素子７の表面電極９と第３のリード
１４との間を結ぶ様に配線されている。光軸中心線１８
は半導体レーザ素子１２の前面と後面を結ぶ線であり、
出射ビームの進行方向を示している。第１、第２の金属
細線１６、１７は半導体レーザ素子１２の光軸中心線１
８に対して、略ハ字状に左右に振分けて配置されてい
る。
属材料からなり、第１のリード１の切欠き部３に位置
し、半導体レーザ素子１２の主出射方向と逆に延びてい
る。第１、第２の金属細線１６、１７は共に金等からな
り、それぞれ半導体レーザ素子１２と第２のリード１３
との間、および受光素子７の表面電極９と第３のリード
１４との間を結ぶ様に配線されている。光軸中心線１８
は半導体レーザ素子１２の前面と後面を結ぶ線であり、
出射ビームの進行方向を示している。第１、第２の金属
細線１６、１７は半導体レーザ素子１２の光軸中心線１
８に対して、略ハ字状に左右に振分けて配置されてい
る。
【００１０】透光性樹脂１９は例えばエポキシ樹脂から
なり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子７
の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。
なり、半導体レーザ素子１２の後面近傍から受光素子７
の受光面１１を一体に覆う様に形成されている。
【００１１】絶縁枠２０は例えばポリカーボネート樹脂
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２の
出射面を露出する様に平面略コ字状に、かつ第１、第
２、第３のリード１、１３、１４の各表面と裏面を挟む
様にトランスファーモールドによって形成されている。
これらの部品により半導体レーザ装置２１は構成されて
いる。
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子１２の
出射面を露出する様に平面略コ字状に、かつ第１、第
２、第３のリード１、１３、１４の各表面と裏面を挟む
様にトランスファーモールドによって形成されている。
これらの部品により半導体レーザ装置２１は構成されて
いる。
【００１２】そして支持具２２に形成された凸部又は凹
部と第１のリード１の端面５に形成された位置決め手段
６、すなわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２１が支持具２２に固定されている。回折格子や
ハーフミラーや対物レンズ等の光学部品２３が半導体レ
ーザ素子１２の主出射方向に設けられている。
部と第１のリード１の端面５に形成された位置決め手段
６、すなわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レー
ザ装置２１が支持具２２に固定されている。回折格子や
ハーフミラーや対物レンズ等の光学部品２３が半導体レ
ーザ素子１２の主出射方向に設けられている。
【００１３】上述の如く、半導体レーザ素子１２は受光
素子７上に載置されているが、半導体レーザ素子１２は
受光素子７の前方の第１のリード１上に直接又はサブマ
ウントを介して載置されても良い。
素子７上に載置されているが、半導体レーザ素子１２は
受光素子７の前方の第１のリード１上に直接又はサブマ
ウントを介して載置されても良い。
【００１４】
【発明の効果】本発明は上述の様に、半導体レーザ素子
と第２のリードを接続する第１の金属細線を半導体レー
ザ素子の光軸中心線に対して左又は右に設けている。故
に半導体レーザ素子の後面からの出射光が第１の金属細
線に干渉しないので、受光素子への受光量が十分確保で
きる。そして本発明は第１、第２の金属細線を左右に振
分けているので、その両細線の中間にある透光性樹脂は
両細線に邪魔されないでモールドできる。故に透光性樹
脂は再現性良く形状が定まるので、受光素子への受光量
のばらつきが少なくなる。従って受光素子へ十分かつば
らつきの少ないモニタ電流を供給できるので、半導体レ
ーザ素子の出力制御が正確となる。
と第２のリードを接続する第１の金属細線を半導体レー
ザ素子の光軸中心線に対して左又は右に設けている。故
に半導体レーザ素子の後面からの出射光が第１の金属細
線に干渉しないので、受光素子への受光量が十分確保で
きる。そして本発明は第１、第２の金属細線を左右に振
分けているので、その両細線の中間にある透光性樹脂は
両細線に邪魔されないでモールドできる。故に透光性樹
脂は再現性良く形状が定まるので、受光素子への受光量
のばらつきが少なくなる。従って受光素子へ十分かつば
らつきの少ないモニタ電流を供給できるので、半導体レ
ーザ素子の出力制御が正確となる。
【００１５】更に、本発明は半導体レーザ装置のリード
に設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をは
め合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止
し出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持するこ
とができる。
に設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をは
め合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止
し出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体レーザの断面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】従来の半導体レーザの断面図である。
１ 第１のリード ６ 位置決め手段 ７ 受光素子 １１ 受光面 １２ 半導体レーザ素子 １３ 第２のリード １４ 第３のリード １６ 第１の金属細線 １７ 第２の金属細線 １８ 光軸中心線 １９ 透光性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水口 公秀 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 別所 靖之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 吉年 慶一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 位置決め手段を有する第１のリード上に
載置された受光素子と、その受光素子上に又はその前方
の前記第１のリード上に載置されかつ前方に主出射面を
有する半導体レーザ素子と、その半導体レーザ素子の後
面近傍から前記受光素子の受光面まで覆う様に設けられ
た透光性樹脂と、前記半導体レーザ素子の主出射方向と
逆に延びかつ前記第１のリードと離れて設けられた第
２、第３のリードとを具備し、前記半導体レーザ素子と
前記第２のリード、および前記受光素子と前記第３のリ
ードをそれぞれ接続する第１、第２の金属細線が前記半
導体レーザ素子の光軸中心線に対して左右に振分けて設
けられている事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712792A JPH0645703A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712792A JPH0645703A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645703A true JPH0645703A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16369196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19712792A Pending JPH0645703A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645703A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
| JP2006270129A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザ装置 |
| JP2008283228A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2008283227A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US7970033B2 (en) | 2008-08-20 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and electronic equipment using same |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP19712792A patent/JPH0645703A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007275A1 (fr) * | 2000-07-17 | 2002-01-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteur |
| US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2005-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JP2006270129A (ja) * | 2006-06-23 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | レーザ装置 |
| US7970033B2 (en) | 2008-08-20 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and electronic equipment using same |
| JP2008283228A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2008283227A (ja) * | 2008-08-29 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
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