JP2000036615A - 受光素子及び受光素子モジュール - Google Patents
受光素子及び受光素子モジュールInfo
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 λ１、λ２の２波長の信号を扱う光通信に用
いられ波長分波器が不要であり、信号遅れ成分を排除で
き、表面実装に適した受光素子を提供する事。 【解決手段】 λ１＜λｇ＜λ２であるバンドギャップ
波長を持つフィルタ層を基板の表面裏面の何れかに有
し、中央のｐｎ接合を囲んで周辺部のｐｎ接合を設け、
中央のｐ領域（又はｎ領域）にはｐ電極を、周辺の拡散
遮蔽層のｐｎ接合を横切るようにｎ電極（又はｐ電極）
を設ける。
いられ波長分波器が不要であり、信号遅れ成分を排除で
き、表面実装に適した受光素子を提供する事。 【解決手段】 λ１＜λｇ＜λ２であるバンドギャップ
波長を持つフィルタ層を基板の表面裏面の何れかに有
し、中央のｐｎ接合を囲んで周辺部のｐｎ接合を設け、
中央のｐ領域（又はｎ領域）にはｐ電極を、周辺の拡散
遮蔽層のｐｎ接合を横切るようにｎ電極（又はｐ電極）
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ファイバに２
つの異なる波長λ1 、λ2 の光信号を一方向或いは双方
向に通し、基地局と加入者の間で情報を伝送する光双方
向通信において、受信器として用いる受光素子に関す
る。或いは受光素子と発光素子を一体化した光送受信モ
ジュールに関する。
つの異なる波長λ1 、λ2 の光信号を一方向或いは双方
向に通し、基地局と加入者の間で情報を伝送する光双方
向通信において、受信器として用いる受光素子に関す
る。或いは受光素子と発光素子を一体化した光送受信モ
ジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】二つの波長の光を用いる波長多重光通信
においては、λ１とλ２の光を波長分波器によって分離
し、何れの波長にも感度を持つ受光素子によって受信し
ていた。λ１とλ２に光を分ける波長分波器は光ファイ
バ、光導波路、誘電体ミラーなどを用いたものが提案さ
れている。しかし何れも波長選択性が不十分で消光比が
不足する。また異なる波長の光を別異の光路に分けるの
で嵩高い装置になる。波長分波器自体高価な素子であっ
て光通信のコストを押し上げる。
においては、λ１とλ２の光を波長分波器によって分離
し、何れの波長にも感度を持つ受光素子によって受信し
ていた。λ１とλ２に光を分ける波長分波器は光ファイ
バ、光導波路、誘電体ミラーなどを用いたものが提案さ
れている。しかし何れも波長選択性が不十分で消光比が
不足する。また異なる波長の光を別異の光路に分けるの
で嵩高い装置になる。波長分波器自体高価な素子であっ
て光通信のコストを押し上げる。
【０００３】光通信に使われる光の波長は石英ファイバ
の損失の波長依存性からいくつかに決まっている。１．
３μｍ、１．５５μｍなどである。例えばλ１が１．３
μｍ、λ２が１．５５μｍというふうに二つの波長が決
まる。受光素子は、表面入射型、裏面入射型の２種類が
ある。
の損失の波長依存性からいくつかに決まっている。１．
３μｍ、１．５５μｍなどである。例えばλ１が１．３
μｍ、λ２が１．５５μｍというふうに二つの波長が決
まる。受光素子は、表面入射型、裏面入射型の２種類が
ある。
【０００４】図１は従来例にかかる表面入射型受光素子
（ＰＤ）の断面図である。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に、
ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ受光層
３、ｎ−ＩｎＰ窓層４がエピタキシャル成長してある。
ｎ−ＩｎＰ窓層、受光層の中央部にＺｎ拡散によってｐ
領域５が形成される。その上面の一部にｐ電極６が形成
される。ｐｎ接合を保護するため周辺部にはパッシベー
ション膜７が形成される。中央部は開口になっており透
明の反射防止膜８によって覆われる。入射光が表面側か
ら入りｐｎ接合を挟む空乏層で正孔電子対ができる。光
電流が流れるので光を検出できる。
（ＰＤ）の断面図である。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に、
ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ受光層
３、ｎ−ＩｎＰ窓層４がエピタキシャル成長してある。
ｎ−ＩｎＰ窓層、受光層の中央部にＺｎ拡散によってｐ
領域５が形成される。その上面の一部にｐ電極６が形成
される。ｐｎ接合を保護するため周辺部にはパッシベー
ション膜７が形成される。中央部は開口になっており透
明の反射防止膜８によって覆われる。入射光が表面側か
ら入りｐｎ接合を挟む空乏層で正孔電子対ができる。光
電流が流れるので光を検出できる。
【０００５】図２は従来例にかかる裏面入射型受光素子
の断面図である。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に、ｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層２、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ受光層３、ｎ−Ｉ
ｎＰ窓層４がエピタキシャル成長してある。ｎ−ＩｎＰ
窓層、受光層の中央部にＺｎ拡散によってｐ領域５が形
成される。表面から光を入れないから、ｐ領域５のほぼ
全面をｐ電極１６が覆う。パッシベーション膜１７と境
を接する。基板１の裏面の周辺部はｎ電極１９となる。
中央部が開口になる。ここに反射防止膜２０をつける。
裏面開口から入射光が入る。これは基板、バッファ層、
受光層を通って空乏層に至りここで電子正孔対を作る。
の断面図である。ｎ＋−ＩｎＰ基板１の上に、ｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層２、ｎ−−ＩｎＧａＡｓ受光層３、ｎ−Ｉ
ｎＰ窓層４がエピタキシャル成長してある。ｎ−ＩｎＰ
窓層、受光層の中央部にＺｎ拡散によってｐ領域５が形
成される。表面から光を入れないから、ｐ領域５のほぼ
全面をｐ電極１６が覆う。パッシベーション膜１７と境
を接する。基板１の裏面の周辺部はｎ電極１９となる。
中央部が開口になる。ここに反射防止膜２０をつける。
裏面開口から入射光が入る。これは基板、バッファ層、
受光層を通って空乏層に至りここで電子正孔対を作る。
【０００６】どの波長の光を受信できるか？というのは
受光層の結晶組成によって決まる。ＩｎＧａＡｓ受光層
は１．３μｍも１．５５μｍも受光できる。従来はこの
ような広範囲の波長範囲に感度をもつ受光素子が使われ
てきた。
受光層の結晶組成によって決まる。ＩｎＧａＡｓ受光層
は１．３μｍも１．５５μｍも受光できる。従来はこの
ような広範囲の波長範囲に感度をもつ受光素子が使われ
てきた。
【０００７】このようなＰＤチップが適当なパッケージ
に収容されるとフォトダイオードとなる。パッケージに
光ファイバの先端を取り付けるとＰＤモジュールとな
る。ＰＤチップは発光素子であるＬＤモジュールに使用
されることもある。ＬＤの背後に設けられＬＤの発光量
を監視するモニタＰＤとしてである。
に収容されるとフォトダイオードとなる。パッケージに
光ファイバの先端を取り付けるとＰＤモジュールとな
る。ＰＤチップは発光素子であるＬＤモジュールに使用
されることもある。ＬＤの背後に設けられＬＤの発光量
を監視するモニタＰＤとしてである。
【０００８】図３は従来例にかかる同軸型のＰＤモジュ
ールの一例を示す斜視図である。ここでは表面入射型の
ＰＤチップ２２を使っている。ＰＤチップ２２をサブマ
ウント２３にダイボンドし、サブマウント２３は金属製
の円形パッケージ２４の中央部に固定する。サブマウン
ト２３を入れるのはパッケージ（ケース）電位から、Ｐ
Ｄカソード電位を浮かせる必要があるためである。パッ
ケージ２４にはアノードピン２５、カソードピン２６、
ケースピン２７が取り付けられる。パッケージ２４の周
囲にスリーブ２８を入れて固定する。
ールの一例を示す斜視図である。ここでは表面入射型の
ＰＤチップ２２を使っている。ＰＤチップ２２をサブマ
ウント２３にダイボンドし、サブマウント２３は金属製
の円形パッケージ２４の中央部に固定する。サブマウン
ト２３を入れるのはパッケージ（ケース）電位から、Ｐ
Ｄカソード電位を浮かせる必要があるためである。パッ
ケージ２４にはアノードピン２５、カソードピン２６、
ケースピン２７が取り付けられる。パッケージ２４の周
囲にスリーブ２８を入れて固定する。
【０００９】パッケージ２４の上面には円筒形のキャッ
プ２８が固定される。キャップ２８の中央には球レンズ
２９がある。スリーブ２８には円筒形のフェルールホル
ダ−３０が固定される。光ファイバ３２の先端に固定し
たフェルール３３はフェルールホルダ−３０の中心軸穴
に挿入され調芯して固定される。光ファイバ３２の先に
波長分波器があって、λ１とλ２を分離して何れかの波
長の光のみをこのＰＤモジュールに導く。このようなＰ
Ｄモジュールは三次元的な構成であって部品点数が多く
調芯点も多くて自動化ラインに乗せることができない。
コスト削減がむずかしい。波長分波器を省く事これが一
つの課題である。
プ２８が固定される。キャップ２８の中央には球レンズ
２９がある。スリーブ２８には円筒形のフェルールホル
ダ−３０が固定される。光ファイバ３２の先端に固定し
たフェルール３３はフェルールホルダ−３０の中心軸穴
に挿入され調芯して固定される。光ファイバ３２の先に
波長分波器があって、λ１とλ２を分離して何れかの波
長の光のみをこのＰＤモジュールに導く。このようなＰ
Ｄモジュールは三次元的な構成であって部品点数が多く
調芯点も多くて自動化ラインに乗せることができない。
コスト削減がむずかしい。波長分波器を省く事これが一
つの課題である。
【００１０】まだ問題がある。最近では、フラットパッ
ケージに、表面実装によって光デバイスも実装すること
が要求されるようになってきている。このようにデバイ
スの全体がフラットになると、モジュールが小型で薄
く、コンパクトになる。その上一般の電子部品と同じよ
うに、光部品（ＰＤモジュール、ＬＤモジュール）もプ
リント基板に半田リフローによって実装できるようにな
る。そうなると光部品も自動化ラインに乗せることがで
きる。表面実装するためには図３のように光ファイバを
パッケージ面に垂直にしているようではいけない。光フ
ァイバはパッケージ面に平行にする必要がある。チップ
はパッケージに平行につけるとするとどこかでビームを
９０度曲げる必要がある。そのような工夫をしたフラッ
トパッケージのＰＤモジュールやＬＤモジュールがいく
つか提案される。いくつかの例を示そう。
ケージに、表面実装によって光デバイスも実装すること
が要求されるようになってきている。このようにデバイ
スの全体がフラットになると、モジュールが小型で薄
く、コンパクトになる。その上一般の電子部品と同じよ
うに、光部品（ＰＤモジュール、ＬＤモジュール）もプ
リント基板に半田リフローによって実装できるようにな
る。そうなると光部品も自動化ラインに乗せることがで
きる。表面実装するためには図３のように光ファイバを
パッケージ面に垂直にしているようではいけない。光フ
ァイバはパッケージ面に平行にする必要がある。チップ
はパッケージに平行につけるとするとどこかでビームを
９０度曲げる必要がある。そのような工夫をしたフラッ
トパッケージのＰＤモジュールやＬＤモジュールがいく
つか提案される。いくつかの例を示そう。
【００１１】Y.Oikawa, H.Kuwatsuka, T.Yamamoto,
T.Ihara, H.Hamano & T.Minami,"Packing Technology f
or a 10-Gb/s Photoreceiver Module", Journal of lig
htwaveTechnology, vol.12, no.2, p343 (1994)
T.Ihara, H.Hamano & T.Minami,"Packing Technology f
or a 10-Gb/s Photoreceiver Module", Journal of lig
htwaveTechnology, vol.12, no.2, p343 (1994)
【００１２】これはレンズを使わず、ＰＤ表面方向に平
行な光ファイバの光をＰＤに入れる構造の平面型パッケ
ージを提案している。図４はＳｉプラットフォームを使
った上面入射型のＰＤモジュールの例である。
行な光ファイバの光をＰＤに入れる構造の平面型パッケ
ージを提案している。図４はＳｉプラットフォームを使
った上面入射型のＰＤモジュールの例である。
【００１３】図４（１）は平面図、（２）は縦断面図で
ある。Ｓｉウエハを加工して長方形にしたＳｉベンチ３
５、３６が平面実装のための基板になっている。下Ｓｉ
ベンチ３５の前半分には上Ｓｉベンチ３６が固定され
る。上Ｓｉベンチ３６には軸方向にＶ溝３７が切ってあ
る。Ｖ溝３７には光ファイバ３８が挿入固定される。下
Ｓｉベンチ３５の後半部は絶縁層３９が覆い尽くすよう
になっている。絶縁層３９の上にメタライズパターン４
０が印刷される。その上にＰＤチップ４２がボンディン
グされる。このＰＤチップ４２は表面入射型である。光
ファイバ３８の後端は４５度の斜め角に切ってあり、コ
アを伝導してきた信号光は斜め切断面４５で反射されて
ＰＤ４２のｐ領域４３に入る。ＰＤのｐ電極はワイヤ４
６によってメタライズ４７に接続される。メタライズ４
７はワイヤ４９によってアノードピン４８に接続する。
ＰＤチップの裏面はｎ電極となっておりこれがメタライ
ズパターン４０に全面で接合される。メタライズパター
ン４０はワイヤ５０によってカソードピン５１につなが
れる。
ある。Ｓｉウエハを加工して長方形にしたＳｉベンチ３
５、３６が平面実装のための基板になっている。下Ｓｉ
ベンチ３５の前半分には上Ｓｉベンチ３６が固定され
る。上Ｓｉベンチ３６には軸方向にＶ溝３７が切ってあ
る。Ｖ溝３７には光ファイバ３８が挿入固定される。下
Ｓｉベンチ３５の後半部は絶縁層３９が覆い尽くすよう
になっている。絶縁層３９の上にメタライズパターン４
０が印刷される。その上にＰＤチップ４２がボンディン
グされる。このＰＤチップ４２は表面入射型である。光
ファイバ３８の後端は４５度の斜め角に切ってあり、コ
アを伝導してきた信号光は斜め切断面４５で反射されて
ＰＤ４２のｐ領域４３に入る。ＰＤのｐ電極はワイヤ４
６によってメタライズ４７に接続される。メタライズ４
７はワイヤ４９によってアノードピン４８に接続する。
ＰＤチップの裏面はｎ電極となっておりこれがメタライ
ズパターン４０に全面で接合される。メタライズパター
ン４０はワイヤ５０によってカソードピン５１につなが
れる。
【００１４】このようにＰＤはＩｎＰ基板側がｎ電極に
なっておりこれがメタライズパターンにダイボンドされ
る。このような回路基板であるとカソードのために予め
メタライズパターン４０を作っておかなければならな
い。ｎ電極についてはリフロー後にワイヤボンディング
するという訳にいかない。裏面ｎ電極は受光素子の場合
最もありふれた設計であるが平面実装に向かない。
なっておりこれがメタライズパターンにダイボンドされ
る。このような回路基板であるとカソードのために予め
メタライズパターン４０を作っておかなければならな
い。ｎ電極についてはリフロー後にワイヤボンディング
するという訳にいかない。裏面ｎ電極は受光素子の場合
最もありふれた設計であるが平面実装に向かない。
【００１５】図５は裏面入射型ＰＤを使った平面実装型
のモジュールを示す。Ｓｉベンチ５２の長手方向中央に
光導波路５３を形成する。Ｓｉベンチ５２の上面は絶縁
層５４によって被覆される。絶縁層５４の上にメタライ
ズパターン５５が印刷される。その上に裏面入射型のＰ
Ｄ５６を固定する。光導波路５３の前端に光ファイバ
（図示しない）を固定し光ファイバの光が光導波路５
３、ミラー５８を経てＰＤ５６に入るようになってい
る。ＰＤ５６のｐ電極５７がワイヤ６０によってメタラ
イズ５９につながれる。メタライズ５９はワイヤ６２に
よってピン６３につながる。ｎ電極は裏面にあってメタ
ライズ５５にダイボンドされている。このような導波路
を用いるものは、例えば
のモジュールを示す。Ｓｉベンチ５２の長手方向中央に
光導波路５３を形成する。Ｓｉベンチ５２の上面は絶縁
層５４によって被覆される。絶縁層５４の上にメタライ
ズパターン５５が印刷される。その上に裏面入射型のＰ
Ｄ５６を固定する。光導波路５３の前端に光ファイバ
（図示しない）を固定し光ファイバの光が光導波路５
３、ミラー５８を経てＰＤ５６に入るようになってい
る。ＰＤ５６のｐ電極５７がワイヤ６０によってメタラ
イズ５９につながれる。メタライズ５９はワイヤ６２に
よってピン６３につながる。ｎ電極は裏面にあってメタ
ライズ５５にダイボンドされている。このような導波路
を用いるものは、例えば
【００１６】B. Hillerich, A.Geyer,"Self-aligned
flat-pack fibre-photodiode coupling", ELECTRONICS
LETTERS, Vol.24, No.15,p918(1988)
flat-pack fibre-photodiode coupling", ELECTRONICS
LETTERS, Vol.24, No.15,p918(1988)
【００１７】によって提案されている。これもレンズが
不要である。光の進行方向とＰＤチップ面が平行であ
る。そういう利点がある。しかしなおｎ電極を付けるた
めのメタライズパターンが必要である。平面実装には最
適でない。
不要である。光の進行方向とＰＤチップ面が平行であ
る。そういう利点がある。しかしなおｎ電極を付けるた
めのメタライズパターンが必要である。平面実装には最
適でない。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】λ１とλ２の２つの波
長の光を使う光通信において、λ２だけを感受する受光
素子を作製し波長分波器を省くことが本発明の目的の第
１の目的である。平面実装に適した受光素子構造を提供
することが本発明の第２の目的である。ＰＤの周辺部に
入った光による信号の裾引きを防ぐことが本発明の第３
の目的である。
長の光を使う光通信において、λ２だけを感受する受光
素子を作製し波長分波器を省くことが本発明の目的の第
１の目的である。平面実装に適した受光素子構造を提供
することが本発明の第２の目的である。ＰＤの周辺部に
入った光による信号の裾引きを防ぐことが本発明の第３
の目的である。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の受光素子は、裏
面入射型であって、λ1 〜λ２ 間にバンドギャップの
ある波長選択性ある層をフィルタとして有し、エピタキ
シャル成長層の中央に設けたｐｎ接合の他にこれを囲む
円環状の第２のｐｎ接合を設け、第２のｐｎ接合のｐ領
域と隣接するｎ領域にまたがるようにｎ電極（或いはｐ
電極）を設けたところに特徴がある。
面入射型であって、λ1 〜λ２ 間にバンドギャップの
ある波長選択性ある層をフィルタとして有し、エピタキ
シャル成長層の中央に設けたｐｎ接合の他にこれを囲む
円環状の第２のｐｎ接合を設け、第２のｐｎ接合のｐ領
域と隣接するｎ領域にまたがるようにｎ電極（或いはｐ
電極）を設けたところに特徴がある。
【００２０】つまり３つの特徴がある。一つはフィルタ
層を介在させλ１を落とすようにしたという事である。
そのためλ１＜λｇ＜λ２であるようなバンドギャップ
波長λ ｇをもつフィルタ層を設ける。λ１の方が短いの
でバンドギャップエネルギーがその中間にある半導体結
晶の薄膜をどこかに挟めばλ１を吸収してしまうのでλ
２の光だけを感受できる素子となる。λ１に対するフィ
ルター効果は透過率が３％（−１５ｄB）以下が望まし
い。
層を介在させλ１を落とすようにしたという事である。
そのためλ１＜λｇ＜λ２であるようなバンドギャップ
波長λ ｇをもつフィルタ層を設ける。λ１の方が短いの
でバンドギャップエネルギーがその中間にある半導体結
晶の薄膜をどこかに挟めばλ１を吸収してしまうのでλ
２の光だけを感受できる素子となる。λ１に対するフィ
ルター効果は透過率が３％（−１５ｄB）以下が望まし
い。
【００２１】二つ目は周辺部に円環状の第２のｐｎ接合
を設けたことである。これは周辺部に入った光によって
できた電子正孔対を吸収して応答遅れがないようにする
という作用がある。円環状のｐ領域（或いはｎ領域）を
拡散遮蔽層という。正孔や電子の拡散を遮断するからそ
のような名称がある。
を設けたことである。これは周辺部に入った光によって
できた電子正孔対を吸収して応答遅れがないようにする
という作用がある。円環状のｐ領域（或いはｎ領域）を
拡散遮蔽層という。正孔や電子の拡散を遮断するからそ
のような名称がある。
【００２２】三つ目は周辺部のｐｎ接合のｐ領域とｎ領
域にまたがるようにｎ電極（ｐ電極）を設けたというこ
とである。拡散遮蔽層の内外のｐ領域とｎ領域が短絡さ
れるから周辺部に入射した光によってできる電子正孔対
もすぐに消滅する。さらに実装上の利点がある。ｐ電極
もｎ電極も表面側にあるから底面ｎ電極のためのメタラ
イズパターンが不要になる。表面にあるｎ電極とｐ電極
をワイヤボンデイングによってパターン、ピンと接続す
る。但し基板の底面リング状にメタライズ面を設け回路
基板やパッケージ面に半田付け（ボンディング）しても
良い。その場合でもそれは電極でない。またメタライズ
を底面に付けず、接着材によってチップを回路基板やパ
ッケージに接着するようにしても良い。
域にまたがるようにｎ電極（ｐ電極）を設けたというこ
とである。拡散遮蔽層の内外のｐ領域とｎ領域が短絡さ
れるから周辺部に入射した光によってできる電子正孔対
もすぐに消滅する。さらに実装上の利点がある。ｐ電極
もｎ電極も表面側にあるから底面ｎ電極のためのメタラ
イズパターンが不要になる。表面にあるｎ電極とｐ電極
をワイヤボンデイングによってパターン、ピンと接続す
る。但し基板の底面リング状にメタライズ面を設け回路
基板やパッケージ面に半田付け（ボンディング）しても
良い。その場合でもそれは電極でない。またメタライズ
を底面に付けず、接着材によってチップを回路基板やパ
ッケージに接着するようにしても良い。
【００２３】［特徴１：フィルタ層］ＩｎＰ基板の場
合、λ１＝１．３μｍ、λ２＝１．５５μｍとすると、
例えばバンドギャップ波長λｇがその間にある半導体混
晶をフィルタ層として入射面とＩｎＧａＡｓ受光層の間
に設ければよい。例えばλｇが１．４２μｍのＩｎＧａ
ＡｓＰ層をフィルタ層とすることができる。バンドギャ
ップが１．４２μｍに対応するＩｎＧａＡｓＰは詳しい
組成でいうとＩｎ0.66Ｇａ0.34Ａｓ0.76Ｐ0.24の４元混
晶である。これは１．３μｍを吸収し、１．５５μｍを
透過する。１．４２μｍに限らず、λg が１．３μｍと
１．５５μｍの間にある結晶であればそのような性質が
ある。このＩｎＧａＡｓＰ混晶を受光側に乗せると、
１．３μｍを吸収し１．５５μｍを通すものが得られ
る。
合、λ１＝１．３μｍ、λ２＝１．５５μｍとすると、
例えばバンドギャップ波長λｇがその間にある半導体混
晶をフィルタ層として入射面とＩｎＧａＡｓ受光層の間
に設ければよい。例えばλｇが１．４２μｍのＩｎＧａ
ＡｓＰ層をフィルタ層とすることができる。バンドギャ
ップが１．４２μｍに対応するＩｎＧａＡｓＰは詳しい
組成でいうとＩｎ0.66Ｇａ0.34Ａｓ0.76Ｐ0.24の４元混
晶である。これは１．３μｍを吸収し、１．５５μｍを
透過する。１．４２μｍに限らず、λg が１．３μｍと
１．５５μｍの間にある結晶であればそのような性質が
ある。このＩｎＧａＡｓＰ混晶を受光側に乗せると、
１．３μｍを吸収し１．５５μｍを通すものが得られ
る。
【００２４】フィルタ層を設けるのは、ＩｎＰ基板の表
面側（エピタキシャル層を積む方）であっても裏面側で
あってもよい。いずれにしても光がフィルタ層を通って
受光層に到達するようにしなければならないので裏面入
射型になる。フィルタ層はｎ型、ｐ型、半絶縁性の何れ
でも良い。エピタキシャル層がｎ型の場合、ｐ型のフィ
ルタを使うと裏面メタライズが絶縁されるから絶縁膜は
不要になる。基板、エピタキシャル層ともにｎ型の場合
は、ｎ型フィルタを使ったとき絶縁膜が必要になる。半
絶縁性のフィルタを使った時は絶縁膜は不要である。
面側（エピタキシャル層を積む方）であっても裏面側で
あってもよい。いずれにしても光がフィルタ層を通って
受光層に到達するようにしなければならないので裏面入
射型になる。フィルタ層はｎ型、ｐ型、半絶縁性の何れ
でも良い。エピタキシャル層がｎ型の場合、ｐ型のフィ
ルタを使うと裏面メタライズが絶縁されるから絶縁膜は
不要になる。基板、エピタキシャル層ともにｎ型の場合
は、ｎ型フィルタを使ったとき絶縁膜が必要になる。半
絶縁性のフィルタを使った時は絶縁膜は不要である。
【００２５】［特徴２：リング上の拡散遮蔽層］中央部
のｐｎ接合とは別にこれを囲むようにリング状のｐｎ接
合を設けここに電極を付ける。周辺部ｐｎ接合で囲まれ
る拡散遮蔽層と外側の部分にわたって電極を形成する。
周辺部ｐｎ接合にも逆バイアスを掛け空乏層を広げてお
く。周辺部空乏層に入った光によって電子正孔対ができ
光電流が流れる。これは周辺部のｐｎ接合を跨ぐ電極に
よって短絡され消滅する。信号電流には入らないので信
号遅れはなくなる。
のｐｎ接合とは別にこれを囲むようにリング状のｐｎ接
合を設けここに電極を付ける。周辺部ｐｎ接合で囲まれ
る拡散遮蔽層と外側の部分にわたって電極を形成する。
周辺部ｐｎ接合にも逆バイアスを掛け空乏層を広げてお
く。周辺部空乏層に入った光によって電子正孔対ができ
光電流が流れる。これは周辺部のｐｎ接合を跨ぐ電極に
よって短絡され消滅する。信号電流には入らないので信
号遅れはなくなる。
【００２６】［特徴３：ｐｎ接合を横切る電極］リング
状の第２のｐｎ接合の接合を横切る電極を設けて、これ
と中央の電極とで一対の電極とするから、基板底面に電
極を付ける必要がない。だから実装する場合もメタライ
ズパターンをパッケージに設ける必要がない。表面実装
に好適な構成になっている。
状の第２のｐｎ接合の接合を横切る電極を設けて、これ
と中央の電極とで一対の電極とするから、基板底面に電
極を付ける必要がない。だから実装する場合もメタライ
ズパターンをパッケージに設ける必要がない。表面実装
に好適な構成になっている。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明は、半絶縁性ＩｎＰ基板、
ｎ型ＩｎＰ基板、ｐ型ＩｎＰ基板のいずれにも適用する
ことができる。最も良いのは半絶縁性基板（ＳＩ−Ｉｎ
Ｐ基板）を使う事である。３つの種類の基板についてエ
ピタキシャル層（第１伝導型）、中央部の伝導型（第２
伝導型）、拡散遮蔽層（第２伝導型）の伝導型、中央電
極、周辺電極の伝導型、フィルタの伝導型などを以下に
示す。
ｎ型ＩｎＰ基板、ｐ型ＩｎＰ基板のいずれにも適用する
ことができる。最も良いのは半絶縁性基板（ＳＩ−Ｉｎ
Ｐ基板）を使う事である。３つの種類の基板についてエ
ピタキシャル層（第１伝導型）、中央部の伝導型（第２
伝導型）、拡散遮蔽層（第２伝導型）の伝導型、中央電
極、周辺電極の伝導型、フィルタの伝導型などを以下に
示す。
【００２８】［Ａ．半絶縁性ＩｎＰ基板でｎ型エピタキ
シャル層の場合］ｎ型エピタキシャル層。表面中央部＝
ｐ領域。拡散遮蔽層＝ｐ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又
はＳＩ型。中央電極＝ｐ電極。周辺電極＝ｎ電極。
シャル層の場合］ｎ型エピタキシャル層。表面中央部＝
ｐ領域。拡散遮蔽層＝ｐ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又
はＳＩ型。中央電極＝ｐ電極。周辺電極＝ｎ電極。
【００２９】［Ｂ．ｎ型ＩｎＰ基板でｎ型エピタキシャ
ル層の場合］ｎ型エピタキシャル層。表面中央部＝ｐ領
域。拡散遮蔽層＝ｐ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又はＳ
Ｉ型。中央電極＝ｐ電極。周辺電極＝ｎ電極。
ル層の場合］ｎ型エピタキシャル層。表面中央部＝ｐ領
域。拡散遮蔽層＝ｐ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又はＳ
Ｉ型。中央電極＝ｐ電極。周辺電極＝ｎ電極。
【００３０】［Ｃ．ｐ型ＩｎＰ基板でｐ型エピタキシャ
ル層の場合］ｐ型エピタキシャル層。表面中央部＝ｎ領
域。拡散遮蔽層＝ｎ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又はＳ
Ｉ型。中央電極＝ｎ電極。周辺電極＝ｐ電極。
ル層の場合］ｐ型エピタキシャル層。表面中央部＝ｎ領
域。拡散遮蔽層＝ｎ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又はＳ
Ｉ型。中央電極＝ｎ電極。周辺電極＝ｐ電極。
【００３１】［Ｄ．半絶縁性ＩｎＰ基板でｐ型エピタキ
シャル層の場合］ｐ型エピタキシャル層。表面中央部＝
ｎ領域。拡散遮蔽層＝ｎ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又
はＳＩ型。中央電極＝ｎ電極。周辺電極＝ｐ電極。
シャル層の場合］ｐ型エピタキシャル層。表面中央部＝
ｎ領域。拡散遮蔽層＝ｎ領域。フィルタ＝ｎ型、ｐ型又
はＳＩ型。中央電極＝ｎ電極。周辺電極＝ｐ電極。
【００３２】図６にＳＩ−ＩｎＰ基板或いはｎ型基板Ｉ
ｎＰの場合の概略のＰＤ構造を示す。ＩｎＰ基板６６と
あるのは、半絶縁性のＩｎＰ基板と、ｎ型ＩｎＰ基板の
両方を含む。ＩｎＰ基板６６の一方の面（表面とする）
上にｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層６７がエピタキシャル成長
している。これは単層であっても良いが、のちに詳しく
述べるようにいくつかのエピタキシャル層を重ねたもの
であっても良い。基板６６の反対側の面にはフィルタ層
６８がやはりエピタキシャル成長してある。先述のよう
に、バンドギャップに対応する波長が１．３μｍと１．
５５μｍの中間であるＩｎＧａＡｓＰ混晶である。先述
のように１．４２μｍならば、Ｉｎ0.66Ｇａ0.34Ａｓ
0.76Ｐ0.24である。そのほかの波長に対応するＩｎＧａ
ＡｓＰでも良い。４元混晶でありパラメータが二つある
からＩｎＰと格子整合して吸収端波長が１．３μｍ〜
１．５５μｍにあるというようなＩｎＧａＡｓＰは自在
に設計できる。
ｎＰの場合の概略のＰＤ構造を示す。ＩｎＰ基板６６と
あるのは、半絶縁性のＩｎＰ基板と、ｎ型ＩｎＰ基板の
両方を含む。ＩｎＰ基板６６の一方の面（表面とする）
上にｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層６７がエピタキシャル成長
している。これは単層であっても良いが、のちに詳しく
述べるようにいくつかのエピタキシャル層を重ねたもの
であっても良い。基板６６の反対側の面にはフィルタ層
６８がやはりエピタキシャル成長してある。先述のよう
に、バンドギャップに対応する波長が１．３μｍと１．
５５μｍの中間であるＩｎＧａＡｓＰ混晶である。先述
のように１．４２μｍならば、Ｉｎ0.66Ｇａ0.34Ａｓ
0.76Ｐ0.24である。そのほかの波長に対応するＩｎＧａ
ＡｓＰでも良い。４元混晶でありパラメータが二つある
からＩｎＰと格子整合して吸収端波長が１．３μｍ〜
１．５５μｍにあるというようなＩｎＧａＡｓＰは自在
に設計できる。
【００３３】ＩｎＧａＡｓ受光層６７の中央部には中央
ｐ領域６９がｐ型ドーパントの拡散やイオン注入によっ
て形成される。中央ｐ領域６９の上にはｐ電極７２が形
成される。裏面入射型であるからｐ電極７２は広くｐ領
域６９を覆うものであって良い。周辺部にリング状のｐ
領域７０が形成される。中央ｐ領域６９も周辺ｐ領域７
０も同一の工程で作製できる。実線で書いてあるのがｐ
ｎ接合である。周辺ｐ領域とｎ領域６７に渡って、ｐｎ
接合を横切って円環状のｎ電極７３が形成される。ｐ電
極７２、ｎ電極７３以外の部分はパッシベーション膜７
４によって被覆保護される。ｎ電極７３が逆バイアスを
掛けるべきカソード電極である。通常のＰＤのようにＩ
ｎＰ基板底面にｎ電極を作らない。
ｐ領域６９がｐ型ドーパントの拡散やイオン注入によっ
て形成される。中央ｐ領域６９の上にはｐ電極７２が形
成される。裏面入射型であるからｐ電極７２は広くｐ領
域６９を覆うものであって良い。周辺部にリング状のｐ
領域７０が形成される。中央ｐ領域６９も周辺ｐ領域７
０も同一の工程で作製できる。実線で書いてあるのがｐ
ｎ接合である。周辺ｐ領域とｎ領域６７に渡って、ｐｎ
接合を横切って円環状のｎ電極７３が形成される。ｐ電
極７２、ｎ電極７３以外の部分はパッシベーション膜７
４によって被覆保護される。ｎ電極７３が逆バイアスを
掛けるべきカソード電極である。通常のＰＤのようにＩ
ｎＰ基板底面にｎ電極を作らない。
【００３４】基板裏面側にはフィルタ層６８の下にボン
ディング用メタライズ７５が周辺部に形成される。これ
はｎ電極ではない。単にパッケージや回路基板に固定す
るためのメタライズである。裏面中央部には反射防止膜
７６が形成される。入射光７７は反射防止膜７６からチ
ップに裏面入射する。これはλ１＋λ２の光であるが、
フィルタ層６８でλ１が落ちて、λ２のみがｎ−ＩｎＧ
ａＡｓ受光層６７の空乏層近傍に到達する。
ディング用メタライズ７５が周辺部に形成される。これ
はｎ電極ではない。単にパッケージや回路基板に固定す
るためのメタライズである。裏面中央部には反射防止膜
７６が形成される。入射光７７は反射防止膜７６からチ
ップに裏面入射する。これはλ１＋λ２の光であるが、
フィルタ層６８でλ１が落ちて、λ２のみがｎ−ＩｎＧ
ａＡｓ受光層６７の空乏層近傍に到達する。
【００３５】逆バイアスは周辺部のｎ電極７３と、中央
部のｐ電極７２の間に掛かる。ＩｎＧａＡｓ受光層はｎ
型であるがドーパント濃度が低く抵抗が高い。ＩｎＰ基
板がｎ型の場合はＩｎＰ基板が低抵抗であるから、電界
はｐ電極−基板−ｎ電極の間にできる。ＩｎＰ基板が半
絶縁性の場合は基板の上に低抵抗バッファ層を設ける。
だから電界方向は依然として縦方向である。ｎ電極を正
に、ｐ電極を負にバイアスするから基板からｐ電極に向
けて電界が発生する。中央の空乏層でできた電子はｎ領
域へ、正孔はｐ領域へ流れて光電流が流れる。
部のｐ電極７２の間に掛かる。ＩｎＧａＡｓ受光層はｎ
型であるがドーパント濃度が低く抵抗が高い。ＩｎＰ基
板がｎ型の場合はＩｎＰ基板が低抵抗であるから、電界
はｐ電極−基板−ｎ電極の間にできる。ＩｎＰ基板が半
絶縁性の場合は基板の上に低抵抗バッファ層を設ける。
だから電界方向は依然として縦方向である。ｎ電極を正
に、ｐ電極を負にバイアスするから基板からｐ電極に向
けて電界が発生する。中央の空乏層でできた電子はｎ領
域へ、正孔はｐ領域へ流れて光電流が流れる。
【００３６】周辺部に光が入った場合、通常のＰＤでは
正孔電子対ができるが拡散によって進んでｎ領域やｐ領
域に入るので信号の遅れを引き起こす。これを裾引き電
流と呼ぶこともある。本発明はそのような周辺部に入っ
た迷光による裾引き電流の問題をも解決することができ
る。
正孔電子対ができるが拡散によって進んでｎ領域やｐ領
域に入るので信号の遅れを引き起こす。これを裾引き電
流と呼ぶこともある。本発明はそのような周辺部に入っ
た迷光による裾引き電流の問題をも解決することができ
る。
【００３７】周辺部ｐ領域７０の近くの空乏層で電子正
孔対ができたとする。正孔は近くのｐ領域７０に入る。
電子はｎ領域に進む。そのときに電極７３に電流が流れ
るが、ｎ領域とｐ領域がｎ電極７３によって短絡されて
いるから電流は電極７３を流れてすぐに消える。外部電
流とならない。裾引き電流が消える。ｎ領域とｐ領域を
短絡させて信号遅延を起こす光電流を直ちに消去する。
孔対ができたとする。正孔は近くのｐ領域７０に入る。
電子はｎ領域に進む。そのときに電極７３に電流が流れ
るが、ｎ領域とｐ領域がｎ電極７３によって短絡されて
いるから電流は電極７３を流れてすぐに消える。外部電
流とならない。裾引き電流が消える。ｎ領域とｐ領域を
短絡させて信号遅延を起こす光電流を直ちに消去する。
【００３８】周辺部にｐ領域を設けてｐｎ接合を作り信
号遅れを除くという受光素子は最初本出願によって提案
されている。特願平２−２３０２０８号「受光素子」
唐内一郎（特開平４−１１１４７９）である。これはｐ
ｎ接合の終端がチップ側面にでており自己短絡するよう
になっている。特願平１０−１７４２２７号「受光素
子と受光装置」工原美樹、寺内均はさらに一歩進めて周
辺部ｐｎ接合終端を表面に出し、周辺部ｐ領域に電極を
付けている。これによって周辺部のｐｎ接合に逆バイア
スを掛けられるようになった。ＵＳＰ５，４２０，４
１８、藤村康、唐内一郎は周辺部ｐ領域とそれに隣接す
るｎ領域にｎ電極を付け中央のｐ電極と、周辺部のｎ電
極の間に逆バイアスを掛けるような受光素子を提案して
いる。何れも本出願人の手になるものである。
号遅れを除くという受光素子は最初本出願によって提案
されている。特願平２−２３０２０８号「受光素子」
唐内一郎（特開平４−１１１４７９）である。これはｐ
ｎ接合の終端がチップ側面にでており自己短絡するよう
になっている。特願平１０−１７４２２７号「受光素
子と受光装置」工原美樹、寺内均はさらに一歩進めて周
辺部ｐｎ接合終端を表面に出し、周辺部ｐ領域に電極を
付けている。これによって周辺部のｐｎ接合に逆バイア
スを掛けられるようになった。ＵＳＰ５，４２０，４
１８、藤村康、唐内一郎は周辺部ｐ領域とそれに隣接す
るｎ領域にｎ電極を付け中央のｐ電極と、周辺部のｎ電
極の間に逆バイアスを掛けるような受光素子を提案して
いる。何れも本出願人の手になるものである。
【００３９】
【実施例】［実施例１］図７によってより詳しい構成を
説明する。ＩｎＰ基板６６はｎ型ＩｎＰ基板である。ｎ
−ＩｎＰ基板６６の上にｎ−ＩｎＰバッファ層７８、ｎ
−ＩｎＧａＡｓ受光層６７、ｎ−ＩｎＰ窓層７９がエピ
タキシャル成長しており、裏面にはフィルタ層６８が形
成されたようなエピタキシャルウエハ−を使う。図６の
基本形と比較すると、バッファ層７８と窓層７９が増え
ている。ＩｎＰ窓層７９はＩｎＧａＡｓ受光層より広い
バンドギャップを持つがそのバンドギャップ以上のエネ
ルギーを持つ光を通さない。だから表面入射型では窓層
を使う事が多い。裏面入射でも窓層を付けることもあ
る。ｎ型ＩｎＰ窓層のドーパント濃度は、ＩｎＧａＡｓ
のドーパント濃度より高いので電極までの抵抗を下げる
ことができる。
説明する。ＩｎＰ基板６６はｎ型ＩｎＰ基板である。ｎ
−ＩｎＰ基板６６の上にｎ−ＩｎＰバッファ層７８、ｎ
−ＩｎＧａＡｓ受光層６７、ｎ−ＩｎＰ窓層７９がエピ
タキシャル成長しており、裏面にはフィルタ層６８が形
成されたようなエピタキシャルウエハ−を使う。図６の
基本形と比較すると、バッファ層７８と窓層７９が増え
ている。ＩｎＰ窓層７９はＩｎＧａＡｓ受光層より広い
バンドギャップを持つがそのバンドギャップ以上のエネ
ルギーを持つ光を通さない。だから表面入射型では窓層
を使う事が多い。裏面入射でも窓層を付けることもあ
る。ｎ型ＩｎＰ窓層のドーパント濃度は、ＩｎＧａＡｓ
のドーパント濃度より高いので電極までの抵抗を下げる
ことができる。
【００４０】フィルタ層６８の上にはさらに反射防止膜
８０が形成される。これは全面にあって絶縁と反射防止
を兼ねる作用がある。素子はパッケージと絶縁する必要
があるから絶縁膜が必要である。さらに周辺部のみにメ
タライズ７５を設ける。これはｎ電極でなくてボンディ
ングのためのものに過ぎない。裏面入射であって、底面
の反射防止膜８０を通って（λ１＋λ２）の入射光７７
が進入してくる。λ１がフィルタ層６８で吸収される。
λ２だけがＩｎＰ基板６６、ＩｎＰバッファ層７８、Ｉ
ｎＧａＡｓ受光層６７を通って空乏層に至る。
８０が形成される。これは全面にあって絶縁と反射防止
を兼ねる作用がある。素子はパッケージと絶縁する必要
があるから絶縁膜が必要である。さらに周辺部のみにメ
タライズ７５を設ける。これはｎ電極でなくてボンディ
ングのためのものに過ぎない。裏面入射であって、底面
の反射防止膜８０を通って（λ１＋λ２）の入射光７７
が進入してくる。λ１がフィルタ層６８で吸収される。
λ２だけがＩｎＰ基板６６、ＩｎＰバッファ層７８、Ｉ
ｎＧａＡｓ受光層６７を通って空乏層に至る。
【００４１】図８の平面図を図１１に示す。これは図
７、８、９の素子に共通の平面図であある。中央部円形
にｐ領域６９がある（破線によって囲んでいる）。周辺
部にも円形のｐ領域７０がある（破線によって挟まれ
る）。それらの間にｎ領域がある。中央ｐ領域６９にｐ
電極７２を、周辺ｐ領域と隣接ｎ領域にｎ電極７３を設
ける。ｐ電極７２は中央ｐ領域６９の殆どを覆う。周辺
部のｎ電極７３はおもにｎ領域の上にある。組成もｎ電
極の材料である。ｎ電極材料であってもｐ領域とほぼオ
ーミックに接触する。ｐ電極はＡｕＺｎ系の合金で作
る。ｎ電極はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ系のもの
とする。これらの電極はオーミック性、密着性ともに優
れる。ｎ電極７３を正に、ｐ電極７２を負になるように
逆バイアスする。電界は受光層で横方向にも生ずるがこ
こは高抵抗であるから主に基板から受光層に向かう縦方
向に電界が強く生ずる。底面にｎ電極がある場合と余り
違わない。周辺部に光が入って電子正孔対ができてもｎ
電極７３を廻って電流が流れるだけで裾引き電流がなく
なる。
７、８、９の素子に共通の平面図であある。中央部円形
にｐ領域６９がある（破線によって囲んでいる）。周辺
部にも円形のｐ領域７０がある（破線によって挟まれ
る）。それらの間にｎ領域がある。中央ｐ領域６９にｐ
電極７２を、周辺ｐ領域と隣接ｎ領域にｎ電極７３を設
ける。ｐ電極７２は中央ｐ領域６９の殆どを覆う。周辺
部のｎ電極７３はおもにｎ領域の上にある。組成もｎ電
極の材料である。ｎ電極材料であってもｐ領域とほぼオ
ーミックに接触する。ｐ電極はＡｕＺｎ系の合金で作
る。ｎ電極はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ系のもの
とする。これらの電極はオーミック性、密着性ともに優
れる。ｎ電極７３を正に、ｐ電極７２を負になるように
逆バイアスする。電界は受光層で横方向にも生ずるがこ
こは高抵抗であるから主に基板から受光層に向かう縦方
向に電界が強く生ずる。底面にｎ電極がある場合と余り
違わない。周辺部に光が入って電子正孔対ができてもｎ
電極７３を廻って電流が流れるだけで裾引き電流がなく
なる。
【００４２】［実施例２（半絶縁性ＩｎＰ基板を使
う）］ｎ型基板よりも半絶縁性基板の方が絶縁に気を使
わなくて済む。図８は半絶縁性ＩｎＰ基板を使った場合
の受光素子構造を示す。鉄ドープＳＩ−ＩｎＰ基板８３
を使った。抵抗率は１０７Ωｃｍである。基板形状は
０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍである。厚み方向
の抵抗は１００ＭΩ以上である。ＳＩ−ＩｎＰ基板の一
方の面（表面）にｎ＋−ＩｎＰバッファ層８４、ｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層８５、ＩｎＧａＡｓ受光層６７、ｎ−Ｉ
ｎＰ窓層７９をエピタキシャル成長させている。裏面側
にはＩｎＧａＡｓPフィルタ層６８をエピタキシャル成
長させる。エピタキシャル層のパラメータは以下のよう
である。 ｎ＋−ＩｎＰバッファ層…Ｓドープ，ｎ＝１０１８ｃｍ−３、ｄ＝２μｍ〜４μ ｍ ｎ−ＩｎＰバッファ層…ｎ＝１〜５×１０１５ｃｍ−３、ｄ＝２μｍ〜４μｍ ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓＰ）受光層…ｎ＝１〜５×１０１５ｃｍ−３ ｄ＝３〜４μｍ ｎ−ＩｎＰ窓層…ｎ＝２〜５×１０１５ｃｍ−３ ｄ＝２〜３μｍ ＩｎＧａＡｓPフィルタ層…λｇ＝１．４μｍ ＩｎＰ窓層の中央部にｐ領域６９を、周辺部に第２のｐ
領域７０を亜鉛拡散によって作る。中央ｐ領域にはｐ電
極７２を設ける。周辺部のｐ領域７０と隣接するｎ領域
７９にまたがるようにｎ電極７３を形成する。フィルタ
層６８には周辺部にボンディング用のメタライズ７５を
中央部には反射防止膜７６を付ける。
う）］ｎ型基板よりも半絶縁性基板の方が絶縁に気を使
わなくて済む。図８は半絶縁性ＩｎＰ基板を使った場合
の受光素子構造を示す。鉄ドープＳＩ−ＩｎＰ基板８３
を使った。抵抗率は１０７Ωｃｍである。基板形状は
０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍである。厚み方向
の抵抗は１００ＭΩ以上である。ＳＩ−ＩｎＰ基板の一
方の面（表面）にｎ＋−ＩｎＰバッファ層８４、ｎ−Ｉ
ｎＰバッファ層８５、ＩｎＧａＡｓ受光層６７、ｎ−Ｉ
ｎＰ窓層７９をエピタキシャル成長させている。裏面側
にはＩｎＧａＡｓPフィルタ層６８をエピタキシャル成
長させる。エピタキシャル層のパラメータは以下のよう
である。 ｎ＋−ＩｎＰバッファ層…Ｓドープ，ｎ＝１０１８ｃｍ−３、ｄ＝２μｍ〜４μ ｍ ｎ−ＩｎＰバッファ層…ｎ＝１〜５×１０１５ｃｍ−３、ｄ＝２μｍ〜４μｍ ｎ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓＰ）受光層…ｎ＝１〜５×１０１５ｃｍ−３ ｄ＝３〜４μｍ ｎ−ＩｎＰ窓層…ｎ＝２〜５×１０１５ｃｍ−３ ｄ＝２〜３μｍ ＩｎＧａＡｓPフィルタ層…λｇ＝１．４μｍ ＩｎＰ窓層の中央部にｐ領域６９を、周辺部に第２のｐ
領域７０を亜鉛拡散によって作る。中央ｐ領域にはｐ電
極７２を設ける。周辺部のｐ領域７０と隣接するｎ領域
７９にまたがるようにｎ電極７３を形成する。フィルタ
層６８には周辺部にボンディング用のメタライズ７５を
中央部には反射防止膜７６を付ける。
【００４３】基板８３が絶縁性なのでそのすぐ上のｎ＋
−ＩｎＰバッファ層８４をキャリヤ濃度の高いｎ型にし
ている。ドーパント濃度は１０１８ｃｍ−３以上とす
る。ｎ電極７３を高電圧に、ｐ電極７２を低電圧になる
よう逆バイアスすると、電界はｎ＋−ＩｎＰバッファ層
８４から中央ｐ領域６９に向かう方向に形成される。λ
１＋λ２の信号光７７が裏面から入ってもλ１はフィル
タ層で吸収される。λ２だけが受光層に到達し感受され
る。基板が絶縁性だからメタライズ７５とフィルタ層を
絶縁する必要がない。
−ＩｎＰバッファ層８４をキャリヤ濃度の高いｎ型にし
ている。ドーパント濃度は１０１８ｃｍ−３以上とす
る。ｎ電極７３を高電圧に、ｐ電極７２を低電圧になる
よう逆バイアスすると、電界はｎ＋−ＩｎＰバッファ層
８４から中央ｐ領域６９に向かう方向に形成される。λ
１＋λ２の信号光７７が裏面から入ってもλ１はフィル
タ層で吸収される。λ２だけが受光層に到達し感受され
る。基板が絶縁性だからメタライズ７５とフィルタ層を
絶縁する必要がない。
【００４４】［実施例３（半絶縁性基板）］図９は半絶
縁性基板を使っておりしかも全面に絶縁膜を設けた例を
示す。ＳＩ−ＩｎＰ基板８３の一方の上にｎ＋−ＩｎＰ
バッファ層８４、ｎ−ＩｎＰバッファ層８５、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓ受光層６７、ｎ−ＩｎＰ窓層７９をエピタキシ
ャル成長させ、反対の面にはＩｎＧａＡｓPフィルタ層
６８をエピタキシャル成長させる。表面側にはＺｎ拡散
によって中央ｐ領域６９、周辺ｐ領域７０がある。中央
ｐ領域６９にはｐ電極７２が、周辺ｐ領域７０にはｎ電
極７３が設けられる。裏面のフィルタ層６８には反射防
止膜８０が全面に付けられる。その周辺部にはダイボン
ディング用のメタライズ７５が付けられる。反射防止膜
８０は反射防止とともに絶縁を兼ねる。ＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＯ２などによって作る。しかし基板が絶縁性な
のでことさら絶縁の必要はないのである。
縁性基板を使っておりしかも全面に絶縁膜を設けた例を
示す。ＳＩ−ＩｎＰ基板８３の一方の上にｎ＋−ＩｎＰ
バッファ層８４、ｎ−ＩｎＰバッファ層８５、ｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓ受光層６７、ｎ−ＩｎＰ窓層７９をエピタキシ
ャル成長させ、反対の面にはＩｎＧａＡｓPフィルタ層
６８をエピタキシャル成長させる。表面側にはＺｎ拡散
によって中央ｐ領域６９、周辺ｐ領域７０がある。中央
ｐ領域６９にはｐ電極７２が、周辺ｐ領域７０にはｎ電
極７３が設けられる。裏面のフィルタ層６８には反射防
止膜８０が全面に付けられる。その周辺部にはダイボン
ディング用のメタライズ７５が付けられる。反射防止膜
８０は反射防止とともに絶縁を兼ねる。ＳｉＯＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＳｉＯ２などによって作る。しかし基板が絶縁性な
のでことさら絶縁の必要はないのである。
【００４５】［実施例４（増幅器と結合）］図１０によ
って受光素子と増幅器を結合した基本回路を説明する。
ｎ電極７３に接続したＶｐｄには例えば３．３Ｖの電圧
を掛ける。ｐ電極７２は増幅器８６の入力端子に接続す
る。増幅器８６はＳｉやＧａＡｓのＩＣが使われる。ｐ
電極は低電圧、ｎ電極は高電圧がかかりｐｎ接合は逆バ
イアスされる。増幅信号はＶｏｕｔに出てくる。入射光
７７は底面から入る。フィルタ層６８でλ１が落ち、λ
２だけが受光層６７に達する。
って受光素子と増幅器を結合した基本回路を説明する。
ｎ電極７３に接続したＶｐｄには例えば３．３Ｖの電圧
を掛ける。ｐ電極７２は増幅器８６の入力端子に接続す
る。増幅器８６はＳｉやＧａＡｓのＩＣが使われる。ｐ
電極は低電圧、ｎ電極は高電圧がかかりｐｎ接合は逆バ
イアスされる。増幅信号はＶｏｕｔに出てくる。入射光
７７は底面から入る。フィルタ層６８でλ１が落ち、λ
２だけが受光層６７に達する。
【００４６】［実施例５（導波路型）］本発明の受光素
子チップは、ｎ電極が表面側にあり、底面にない。パッ
ケージに実装する場合ｎ電極を固定するためのメタライ
ズパターンが不要になる。図１２、図１３は図１０の回
路を実現する導波路型の受光素子モジュールを示す。Ｓ
ｉベンチ８８の中心線状に屈折率の高い光導波路８９を
作る。光導波路８９の中間にミラー９２を作る。これは
溝にミラー板を差し込んで作ることができる。或いはＳ
ｉを異方性エッチングして作る事もできる。
子チップは、ｎ電極が表面側にあり、底面にない。パッ
ケージに実装する場合ｎ電極を固定するためのメタライ
ズパターンが不要になる。図１２、図１３は図１０の回
路を実現する導波路型の受光素子モジュールを示す。Ｓ
ｉベンチ８８の中心線状に屈折率の高い光導波路８９を
作る。光導波路８９の中間にミラー９２を作る。これは
溝にミラー板を差し込んで作ることができる。或いはＳ
ｉを異方性エッチングして作る事もできる。
【００４７】ミラー９２の直上に本発明のＰＤチップ８
７を固定する。底面はｎ電極でなくメタライズが不要で
ある。樹脂によって固定しても良い。その背後に増幅器
チップ８６を固定する。ｐ電極７２はワイヤ９５によっ
て増幅器８６の入力に接続される。ｎ電極はワイヤ９３
によってＶｐｄピン９４に接続される。増幅器８６のグ
ランドパッドはワイヤ９８によってグランドピン９９に
接続する。電源パッドはワイヤ９６によってＶｃｃピン
９７につながる。増幅した信号はワイヤ１０２から出力
ピン１０３を通して外部に取り出される。光ファイバ９
０の先端を光導波路８９の始端に接合する。信号光は光
ファイバから光導波路を通りミラー９２で反射されＰＤ
チップ８７に裏面から入る。λ１＋λ２の信号光である
が、フィルタ層６８によってλ１が落ち、λ２のみが受
光層まで届く。これは底面にｎ電極がないのでＶｐｄ用
のメタライズパターンが入らない。ｎ電極もワイヤで接
続される。
７を固定する。底面はｎ電極でなくメタライズが不要で
ある。樹脂によって固定しても良い。その背後に増幅器
チップ８６を固定する。ｐ電極７２はワイヤ９５によっ
て増幅器８６の入力に接続される。ｎ電極はワイヤ９３
によってＶｐｄピン９４に接続される。増幅器８６のグ
ランドパッドはワイヤ９８によってグランドピン９９に
接続する。電源パッドはワイヤ９６によってＶｃｃピン
９７につながる。増幅した信号はワイヤ１０２から出力
ピン１０３を通して外部に取り出される。光ファイバ９
０の先端を光導波路８９の始端に接合する。信号光は光
ファイバから光導波路を通りミラー９２で反射されＰＤ
チップ８７に裏面から入る。λ１＋λ２の信号光である
が、フィルタ層６８によってλ１が落ち、λ２のみが受
光層まで届く。これは底面にｎ電極がないのでＶｐｄ用
のメタライズパターンが入らない。ｎ電極もワイヤで接
続される。
【００４８】この例においてＰＤは受光径８０μｍのも
のを使った。ミラーはＳｉの（１１１）面をエッチング
して４５度の角度をなす面とした。光ファイバはシング
ルモードファイバである。光ファイバ面と導波路は透明
樹脂によって接着した。パッケージ１０４は金属製であ
る。
のを使った。ミラーはＳｉの（１１１）面をエッチング
して４５度の角度をなす面とした。光ファイバはシング
ルモードファイバである。光ファイバ面と導波路は透明
樹脂によって接着した。パッケージ１０４は金属製であ
る。
【００４９】Ｖｃｃ＝Ｖｐｄ＝３Ｖを印加した。１５５
Ｍｂｐｓのデジタル信号によって変調されたレ−ザ光を
光ファイバから入射した。この状態でＢＥＲを測定し
た。誤り率１０−８であり、最小受信感度が−３５ｄＢ
ｍ、最大受信感度０ｄＢｍであった。裾引き電流がない
ので、ファイバの調芯トレランスが広くなり全数良好な
特性を示した。電極間の配線が全て上面においてワイヤ
によってなされるから組立工数も短縮された。
Ｍｂｐｓのデジタル信号によって変調されたレ−ザ光を
光ファイバから入射した。この状態でＢＥＲを測定し
た。誤り率１０−８であり、最小受信感度が−３５ｄＢ
ｍ、最大受信感度０ｄＢｍであった。裾引き電流がない
ので、ファイバの調芯トレランスが広くなり全数良好な
特性を示した。電極間の配線が全て上面においてワイヤ
によってなされるから組立工数も短縮された。
【００５０】［実施例６（埋め込み光ファイバ型）］図
１４、図１５は図１０の回路を実現する埋め込み光ファ
イバ型の受光素子モジュールを示す。Ｓｉベンチ１０５
の中心線状にＶ溝１０６を切り欠く。Ｖ溝１０６の中に
光ファイバ９０を差し込み固定する。先端部は４５度の
傾斜角をなすように切断してある。切断面１０７で光が
上向きに反射しＰＤ８７の下面から入って行く。ＰＤチ
ップ８７の背後に増幅器８６を固定した点は先例と同じ
である。これだと図４の例と違ってＳｉベンチを２段に
する必要もない。裏面入射型の利点である。
１４、図１５は図１０の回路を実現する埋め込み光ファ
イバ型の受光素子モジュールを示す。Ｓｉベンチ１０５
の中心線状にＶ溝１０６を切り欠く。Ｖ溝１０６の中に
光ファイバ９０を差し込み固定する。先端部は４５度の
傾斜角をなすように切断してある。切断面１０７で光が
上向きに反射しＰＤ８７の下面から入って行く。ＰＤチ
ップ８７の背後に増幅器８６を固定した点は先例と同じ
である。これだと図４の例と違ってＳｉベンチを２段に
する必要もない。裏面入射型の利点である。
【００５１】
【発明の効果】λ１＜λｇ＜λ２の関係を満たすバンド
ギャップのフィルタ層を設けこれに２波長の信号を通し
λ２だけを通すようにするから、受光素子自身に高い波
長選択性が与えられる。波長分波器が不要になる。周辺
部に入射して光によって生成される電子正孔対は周辺部
のｐｎ接合を横切る電極で短絡し消滅するから信号遅れ
がない。光学系の実装トレランスが緩和される。ｎ電
極、ｐ電極ともに表面にあるから表面実装に最適であ
る。
ギャップのフィルタ層を設けこれに２波長の信号を通し
λ２だけを通すようにするから、受光素子自身に高い波
長選択性が与えられる。波長分波器が不要になる。周辺
部に入射して光によって生成される電子正孔対は周辺部
のｐｎ接合を横切る電極で短絡し消滅するから信号遅れ
がない。光学系の実装トレランスが緩和される。ｎ電
極、ｐ電極ともに表面にあるから表面実装に最適であ
る。
【図１】従来例にかかる表面入射型受光素子の断面図。
【図２】従来例にかかる裏面入射型の受光素子の断面
図。
図。
【図３】従来例にかかる受光素子モジュールの一部縦断
斜視図。
斜視図。
【図４】従来例にかかる表面実装型の受光素子モジュー
ルの図。（１）が平面図、（２）が断面図である。
ルの図。（１）が平面図、（２）が断面図である。
【図５】従来例に掛かる導波路を用いる表面実装型受光
素子モジュールの図。（１）が平面図、（２）が概略断
面図。
素子モジュールの図。（１）が平面図、（２）が概略断
面図。
【図６】本発明の受光素子の基本構成を示す断面図。
【図７】ｎ型ＩｎＰ基板を用いる本発明の受光素子の第
１の類型を示す断面図。
１の類型を示す断面図。
【図８】半絶縁性ＩｎＰ基板を用いる本発明の受光素子
の第２の類型を示す断面図。
の第２の類型を示す断面図。
【図９】半絶縁性ＩｎＰ基板を用いる本発明の受光素子
の第３の類型を示す断面図。
の第３の類型を示す断面図。
【図１０】本発明の受光素子と増幅器を接続した場合の
回路図。
回路図。
【図１１】本発明の受光素子チップの平面図。
【図１２】光導波路を有するＳｉベンチに本発明の受光
素子を実装しパッケージに収容した状態の概略の平面
図。
素子を実装しパッケージに収容した状態の概略の平面
図。
【図１３】光導波路を有するＳｉベンチに本発明の受光
素子を実装した状態の概略の断面図。
素子を実装した状態の概略の断面図。
【図１４】Ｖ溝を切ったＳｉベンチに光ファイバを差し
入れ本発明の受光素子を実装してパッケージに収容した
状態の概略の平面図。
入れ本発明の受光素子を実装してパッケージに収容した
状態の概略の平面図。
【図１５】Ｖ溝を切ったＳｉベンチに光ファイバを差し
入れ本発明の受光素子を実装した状態の概略の断面図。
入れ本発明の受光素子を実装した状態の概略の断面図。
１ ｎ＋−ＩｎＰ基板 ２ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３ ｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層 ４ ｎ−ＩｎＰ窓層 ５ ｐ領域 ６ ｐ電極 ７ パッシベーション膜 ８ 反射防止膜 ９ ｎ電極 １６ ｐ電極 １７ パッシベーション膜 １９ ｎ電極 ２０ 反射防止膜 ２２ ＰＤチップ ２３ サブマウント ２４ パッケージ ２５ アノードピン ２６ カソードピン ２７ ケースピン ２８ スリーブ ２９ 球レンズ ３０ フェルールホルダ− ３１ キャップ ３２ 光ファイバ ３３ フェルール ３４ ベンドリミッタ ３５ Ｓｉ下ベンチ ３６ Ｓｉ上ベンチ ３７ Ｖ溝 ３８ 光ファイバ ３９ 絶縁層 ４０ メタライズパターン ４２ ＰＤチップ ４５ 斜め切断面 ４６ ワイヤ ４７ メタライズ ４８ ピン ４９ ワイヤ ５０ ワイヤ ５１ ピン ５２ Ｓｉベンチ ５３ 光導波路 ５４ 絶縁層 ５５ メタライズパターン ５６ ＰＤチップ ５７ ｐ電極 ５９ メタライズ ６０ ワイヤ ６２ ワイヤ ６３ ピン ６４ ワイヤ ６５ ピン ６６ ＩｎＰ基板 ６７ ｎ−ＩｎＧａＡｓ受光層 ６８ フィルタ層 ６９ 中央ｐ領域 ７０ 周辺ｐ領域 ７２ ｐ電極 ７３ ｎ電極 ７４ パッシベーション膜 ７５ ボンディング用メタライズ膜 ７６ 反射防止膜 ７７ 入射光 ７８ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ７９ ｎ−ＩｎＰ窓層 ８０ 反射防止膜 ８３ 半絶縁性ＩｎＰ基板 ８４ ｎ＋−ＩｎＰバッファ層 ８５ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ８６ 増幅器 ８７ ＰＤチップ ８８ Ｓｉベンチ ８９ 光導波路 ９０ 光ファイバ ９２ ミラー ９３ ワイヤ ９４ ピン ９５ ワイヤ ９６ ワイヤ ９７ ピン ９８ ワイヤ ９９ ピン １０２ ワイヤ １０３ ピン １０４ パッケージ １０５ Ｓｉベンチ １０６ Ｖ溝 １０７ 傾斜面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月３０日（１９９９．８．３
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
フロントページの続き (72)発明者 寺内 均 大阪府大阪市此花区島屋一丁目１番３号住 友電気工業株式会社大阪製作所内 Ｆターム(参考） 2H047 AA04 BB09 BB18 CC03 CC05 GG02 HH01 4M118 AA10 AB05 BA02 CA03 CA32 CB01 CB13 GA02 GA07 GA09 GA10 GC01 GD02 HA02 HA20 HA23 HA25 5F049 AA03 AB07 AB12 BB01 DA01 DA06 DA17 DA18 EA06 FA05 FA09 FA11 FA20 GA04 HA03 JA03 JA05 JA13 LA09
Claims (11)
- 【請求項１】 第１の波長λ1 の光とそれより長い第２
の波長λ2 の光（λ 1 ＜λ2 ）を用いた光通信において
第２の波長λ2 の光のみを感受するための受光素子であ
って、半絶縁性或いはｎ型又はｐ型の何れかである第１
伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタ
キシャル成長させた波長λ1 の光のエネルギーより低く
波長λ2 の光のエネルギーより高いバンドギャップを持
ちλ1の光の透過率が３％以下である厚みを有するｎ型
又はｐ型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層
の上或いはフィルタ層と反対側の基板の上にエピタキシ
ャル成長させた第１伝導型の受光層と、第１伝導型受光
層の一部に第２伝導型の不純物をドープして形成したｐ
型又はｎ型の何れかである第２伝導型の中央受光領域
と、第２伝導型中央受光領域と第１伝導型半導体層の境
界にできる第１のｐｎ接合と、第２伝導型中央受光領域
の上に形成される第２伝導型用の電極と、中央受光領域
を囲むように周辺部に第２伝導型不純物をドープするこ
とによって設けられる第２伝導型拡散遮蔽層と、第２伝
導型拡散遮蔽層と第１伝導型半導体層の境界にできる第
２のｐｎ接合と、拡散遮蔽層、第２ｐｎ接合と第１伝導
型層にまたがって設けられる第１伝導型電極とを含み、
波長λ１、λ２の信号光が基板側から入射し、λ１はフ
ィルタ層に吸収され、λ２はフィルタ層、第１伝導型基
板、第１伝導型受光層、第１のｐｎ接合を経て第２伝導
型中央受光領域に至るようにした裏面入射型であり、第
１伝導型電極は第２のｐｎ接合を短絡する作用をもつよ
うにしたことを特徴とする受光素子。 - 【請求項２】 半導体基板が裏面の一部にボンディング
用メタライズ面を有することを特徴とする請求項１に記
載の受光素子。 - 【請求項３】 受光層と電極の間に、第１伝導型の窓層
を設けたことを特徴とする請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項４】 半導体基板と第１伝導型受光層の間に第
１伝導型フィルタ層が設けられている事を特徴とする請
求項１に記載の受光素子。 - 【請求項５】 基板の裏面の全体或いは一部に誘電体反
射防止膜を設けた事を特徴とする請求項１に記載の受光
素子。 - 【請求項６】 第１伝導型がｎ型であり、第２伝導型が
ｐ型であって、半導体基板が半絶縁性のＩｎＰ基板であ
り、バッファ層が二つに分かれ第１のバッファ層が硫黄
添加低抵抗ｎ−ＩｎＰであり、第２のバッファ層が高抵
抗のｎ−ＩｎＰであり、受光層がｎ−ＩｎＧａＡｓ又は
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰであって、窓層がｎ−ＩｎＰであ
り、第２伝導型領域はＺｎ拡散によって形成されたもの
である事を特徴とする請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項７】 第１伝導型がｎ型であり、第２伝導型が
ｐ型であって、半導体基板がｎ−ＩｎＰ基板であり、バ
ッファ層がｎ−ＩｎＰであり、受光層がｎ−ＩｎＧａＡ
ｓ又はｎ−ＩｎＧａＡｓＰであって、窓層がｎ−ＩｎＰ
であり、第２伝導型領域はＺｎ拡散によって形成された
ものである事を特徴とする請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項８】 第１伝導型がｎ型であり、第２伝導型が
ｐ型であって、ｐ電極がＡｕＺｎ系であり、ｎ電極がＡ
ｕＧｅＮｉ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ系である事を特徴とする
請求項１に記載の受光素子。 - 【請求項９】 第１の波長λ1 の光とそれより長い第２
の波長λ2 の光（λ 1 ＜λ2 ）を用いた光通信において
第２の波長λ2 の光のみを感受するための受光素子であ
って、半絶縁性或いはｎ型又はｐ型の何れかである第１
伝導型の半導体基板と、半導体基板の一方の面にエピタ
キシャル成長させた波長λ1 の光のエネルギーより低く
波長λ2 の光のエネルギーより高いバンドギャップを持
ちλ1の光の透過率が３％以下である厚みを有するｎ型
又はｐ型半導体結晶よりなるフィルタ層と、フィルタ層
の上或いはフィルタ層と反対側の基板の上にエピタキシ
ャル成長させた第１伝導型の受光層と、第１伝導型受光
層の一部に第２伝導型の不純物をドープして形成したｐ
型又はｎ型の何れかである第２伝導型の中央受光領域
と、第２伝導型中央受光領域と第１伝導型半導体層の境
界にできる第１のｐｎ接合と、第２伝導型中央受光領域
の上に形成される第２伝導型用の電極と、中央受光領域
を囲むように周辺部に第２伝導型不純物をドープするこ
とによって設けられる第２伝導型拡散遮蔽層と、第２伝
導型拡散遮蔽層と第１伝導型半導体層の境界にできる第
２のｐｎ接合と、拡散遮蔽層、第２ｐｎ接合と第１伝導
型層にまたがって設けられる第１伝導型電極とを含み、
波長λ１、λ２の信号光が基板側から入射し、λ１はフ
ィルタ層に吸収され、λ２はフィルタ層、第１伝導型基
板、第１伝導型受光層、第１のｐｎ接合を経て第２伝導
型中央受光領域に至るようにした裏面入射型であり、第
１伝導型電極は第２のｐｎ接合を短絡する作用をもつよ
うにした受光素子と増幅器を同一のパッケージに収容し
た事を特徴とする受光素子モジュール。 - 【請求項１０】 Ｓｉベンチに光導波路を設け光導波路
の一部にミラーを形成し、ミラー上の位置に前記の受光
素子を接着あるいは半田付けし、Ｓｉベンチの上面に増
幅器を固定し、Ｓｉベンチをパッケージに収容した事を
特徴とする請求項９に記載の受光素子モジュール。 - 【請求項１１】 ＳｉベンチにＶ溝を設け、Ｖ溝に先端
を４５度の傾斜面に切った光ファイバを挿入し、光ファ
イバの切断面の直上位置に前記の受光素子を接着あるい
は半田付けし、Ｓｉベンチの上面に増幅器を固定し、Ｓ
ｉベンチをパッケージに収容した事を特徴とする請求項
９に記載の受光素子モジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20506798A JP3419312B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 受光素子及び受光素子モジュール |
| US09/146,101 US6043550A (en) | 1997-09-03 | 1998-09-03 | Photodiode and photodiode module |
| US09/525,222 US6340831B1 (en) | 1997-09-03 | 2000-03-14 | Photodiode and photodiode module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20506798A JP3419312B2 (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 受光素子及び受光素子モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000036615A true JP2000036615A (ja) | 2000-02-02 |
| JP3419312B2 JP3419312B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=16500890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20506798A Expired - Fee Related JP3419312B2 (ja) | 1997-09-03 | 1998-07-21 | 受光素子及び受光素子モジュール |
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|---|---|
| JP (1) | JP3419312B2 (ja) |
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- 1998-07-21 JP JP20506798A patent/JP3419312B2/ja not_active Expired - Fee Related
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