JP2007208065A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】温度変化に対する基板の反りを抑制し、光素子の発光点の位置ずれを防止し、光素子と光ファイバとの光結合状態の変化を小さくして安定した高性能の光モジュールを提供する。
【解決手段】基板3と、上記基板の一面に装着されたサブマウント2と、上記サブマウント上に装着された光素子1と、上記光素子と光学的に結合され上記基板の一面に装着された光ファイバ5と、上記基板の他面に装着された温度補償ブロック7とを備え、上記温度補償ブロックは、温度変化が生じた際の上記光素子と上記光ファイバとの相対位置を補償する構成とする。
【選択図】図1
【解決手段】基板3と、上記基板の一面に装着されたサブマウント2と、上記サブマウント上に装着された光素子1と、上記光素子と光学的に結合され上記基板の一面に装着された光ファイバ5と、上記基板の他面に装着された温度補償ブロック7とを備え、上記温度補償ブロックは、温度変化が生じた際の上記光素子と上記光ファイバとの相対位置を補償する構成とする。
【選択図】図1
Description
この発明は、CD(コンパクトディスク)、DVD(デジタルビデオディスク)等の光学ピックアップに用いられる光モジュールに関するものである。
従来のリードフレームを用いた光モジュールは、リードフレームの一方の面に発光素子と光ファイバとが装着されている。例えば、半導体レーザからなる発光素子がサブマウント上に搭載され、このサブマウントがリードフレーム上に半田及びこの半田とサブマウントとの濡れ性をよくするために設けられる金属膜とを介して取り付けられている。(例えば特許文献1参照)。
光モジュールは、異なった環境温度で動作させた時でも光結合効率の変化が小さいことが要求されるが、上述した従来の光モジュールにおいては、温度変化があった場合、発光素子、サブマウント、リードフレームの線膨張係数の違いによりリードフレームに反りが発生し、従って発光素子の位置も変位するため、発光点位置の変動を避けることができなかった。その結果、発光素子と光ファイバとの相対的な位置関係が変化して両者の光結合状態が変化し、特性が劣化するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、温度変化が生じた場合でも、発光素子と光ファイバとの相対位置関係を補償して両者の光結合状態の変化を小さくし、安定した高性能の光モジュールを提供することを目的とする。
この発明に係る光モジュールは、基板と、上記基板の一面に装着されたサブマウントと、上記サブマウント上に装着された光素子と、上記光素子と光学的に結合され上記基板の一面に装着された光ファイバと、上記基板の他面に装着された温度補償ブロックとを備え、上記温度補償ブロックは、温度変化が生じた際の上記光素子と上記光ファイバとの相対位置を補償するようにしたものである。
この発明に係る光モジュールは上記のように構成されているため、温度変化に対する基板の反りが抑制され、発光素子の発光点の位置ずれが防止されると共に、発光素子と光ファイバとの相対位置関係が補償され、両者の光結合状態の変化が小さくなるため、安定した高性能の光モジュールを得ることができる。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1による光モジュールの構成を示す概略図である。
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1による光モジュールの構成を示す概略図である。
図1に示すように光モジュールは、半導体レーザや発光ダイオードなどの光素子である発光素子1をサブマウント2を介して基板となるリードフレーム3の一面に装着すると共に、上記発光素子1と光学的に結合され、発光素子1からの光を外に取り出す受光素子としての光ファイバ5を接着剤6によってリードフレーム3の一面の他の個所に装着している。
また、リードフレーム3の他面の上記サブマウント2に対応した位置に温度補償ブロック7をAgペーストからなる高放熱性接着剤を用いて接着している。
発光素子1は、例えば波長1.3ミクロンで発振するファブリーペローレーザで、外形寸法は0.2mm × 0.2mm、厚さ0.1mmに加工されている。
発光素子1は、例えば波長1.3ミクロンで発振するファブリーペローレーザで、外形寸法は0.2mm × 0.2mm、厚さ0.1mmに加工されている。
発光素子1と光接続される光ファイバ5は、例えば直径が125μm程度の石英系のシングルモード光ファイバである。サブマウント2の材料は窒化アルミニウムであり、外形寸法は0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmに形成されている。リードフレーム3の材料は42アロイで、リードフレーム材料として一般によく使用されている鉄ニッケル合金であり、厚さは0.5mmとされている。
温度補償ブロック7の材料は、窒化アルミニウムであり、外形寸法は0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmに形成されている。即ち、温度変化に対する応力の変化がサブマウント2と等価となるようにサブマウント2と同じ材料かつ同じ形状とされ、温度補償ブロック7は、サブマウント2と同一の温度特性を有している。
温度補償ブロック7は、温度変化が生じた際の発光素子1と光ファイバ5との相対的な位置関係を補償する。
温度補償ブロック7は、温度変化が生じた際の発光素子1と光ファイバ5との相対的な位置関係を補償する。
次に、光モジュールの組立手順について説明する。第1のステップは、図2に示すように、発光素子1をサブマウント2上に予め形成されたAu−Sn合金からなる半田を溶融して実装固定する。
第2のステップは、図3に示すように、発光素子1とサブマウント2とが一体となったものをリードフレーム3の一面にAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第3のステップは、上記組立体を形成した後、図4に示すように、リードフレーム3の他面のサブマウント2に対応した位置に温度補償ブロック7をAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第3のステップは、上記組立体を形成した後、図4に示すように、リードフレーム3の他面のサブマウント2に対応した位置に温度補償ブロック7をAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第4のステップは、上記組立体を形成した後、図示しないプローブにて発光素子1を駆動させ、光ファイバ5の位置を移動させながら光パワーメータを用いて光ファイバ5へのモニタ出力光を検出し、所望の出力、即ち所望の光結合となった位置で光ファイバ5を接着剤6にてリードフレーム3の一面に固定する。
このようにリードフレーム3の他面のサブマウント2と対応した位置にサブマウント2と同じ材料、同じ形状の温度補償ブロック7を取り付けているため、温度変化があった場合、サブマウント2とリードフレーム3との線膨張係数の違いによるリードフレーム3の反りと、温度補償ブロック7とリードフレーム3との線膨張係数の違いによるリードフレーム3の反りとがほぼ同じ大きさで互いに逆方向となるため打ち消しあってリードフレーム3の反りを抑制する結果、発光素子1の発光点の位置ずれを防止することができ、発光素子1と光ファイバ5との相対位置関係のずれによる光結合状態の変化を小さくすることができる。
ただし、温度補償ブロック7はリードフレーム3の他面のサブマウント2と対応した位置に限らず、他の位置に設けてもよい。また、温度特性を同一にし、温度補償ができるように、温度補償ブロック7の材質及び形状を選択してもよい。
なお、上述した第3のステップにおける温度補償ブロック7のリードフレーム3の他面への実装は、第2のステップの前、即ち発光素子1とサブマウント2とが一体となったものをリードフレーム3の一面に実装する前に行ってもよい。
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図5は、実施の形態2による光モジュールの構成を示す概略図である。この図において、図1と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図1と異なる点は、サブマウント2とリードフレーム3との間にヒートスプレッダ4を設けると共に、温度補償ブロック7とリードフレーム3との間に第2の温度補償ブロック8を設けた点である。
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図5は、実施の形態2による光モジュールの構成を示す概略図である。この図において、図1と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図1と異なる点は、サブマウント2とリードフレーム3との間にヒートスプレッダ4を設けると共に、温度補償ブロック7とリードフレーム3との間に第2の温度補償ブロック8を設けた点である。
即ち、発光素子1の発熱により、発光素子1自体の特性劣化を防止するために熱伝導特性の高い銅を材料としたヒートスプレッダ4を設けたものである。
ヒートスプレッダ4の外形寸法は温度補償ブロック7と同じ0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmとされている。また、第2の温度補償ブロック8は、材料は銅、外形寸法は0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmとされ、ヒートスプレッダ4と同じ材料かつ同じ形状とされ、Agペーストからなる高放熱性接着剤で温度補償ブロック7に接着固定されている。
温度補償ブロック7及び第2の温度補償ブロック8は、ヒートスプレッダ4及びサブマウント2の温度特性と同一の温度特性を有する。
ヒートスプレッダ4の外形寸法は温度補償ブロック7と同じ0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmとされている。また、第2の温度補償ブロック8は、材料は銅、外形寸法は0.5mm × 0.5mm、厚さ0.2mmとされ、ヒートスプレッダ4と同じ材料かつ同じ形状とされ、Agペーストからなる高放熱性接着剤で温度補償ブロック7に接着固定されている。
温度補償ブロック7及び第2の温度補償ブロック8は、ヒートスプレッダ4及びサブマウント2の温度特性と同一の温度特性を有する。
次に、実施の形態2の光モジュールの組立手順について説明する。
第1のステップは、実施の形態1と同様に、発光素子1をサブマウント2上に予め形成されたAu−Sn合金からなる半田を溶融して実装固定する。第2のステップは、発光素子1とサブマウント2とが一体となったものをヒートスプレッダ4にAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第1のステップは、実施の形態1と同様に、発光素子1をサブマウント2上に予め形成されたAu−Sn合金からなる半田を溶融して実装固定する。第2のステップは、発光素子1とサブマウント2とが一体となったものをヒートスプレッダ4にAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第3のステップは、図6に示すように、発光素子1、サブマウント2、ヒートスプレッダ4が一体となったものをリードフレーム3の一面にAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。第4のステップは、上記組立体を形成した後、図7に示すように、リードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4に対応した位置に温度補償ブロック7と第2の温度補償ブロック8とを接合して一体化したものをAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
第5のステップは、実施の形態1と同様に、上記組立体を形成した後、図示しないプローブにて発光素子1を駆動させ、光ファイバ5の位置を移動させながら光パワーメータを用いて光ファイバ5へのモニタ出力光を検出し、所望の出力、即ち所望の光結合となった位置で光ファイバ5を接着剤にてリードフレーム3の一面に固定する。
このようにリードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4と対応した位置にサブマウント2と同じ材料、同じ形状の温度補償ブロック7及びヒートスプレッダ4と同じ材料、同じ形状の第2の温度補償ブロック8を取り付けることにより、温度変化があった場合、サブマウント2及びヒートスプレッダ4によるリードフレーム3の反りと、温度補償ブロック7及び第2の温度補償ブロック8によるリードフレーム3の反りとがほぼ同じ大きさで互いに逆方向となるため、打ち消しあってリードフレーム3の反りを抑制する結果、発光素子1の発光点の位置ずれを防止することができ、発光素子1と光ファイバ5との相対位置関係のずれによる光結合状態の変化を小さくすることができる。
ただし、温度補償ブロック7及び第2の温度補償ブロック8はリードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4と対応した位置に限らず、他の位置に設けてもよい。また、温度特性を同一にし、温度補償ができるように、温度補償ブロック7及び第2の温度補償ブロック8の材質及び形状を選択してもよい。
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3を図にもとづいて説明する。図8は、実施の形態3による光モジュールの構成を示す概略図である。この図において、図5と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図5と異なる点は、温度補償ブロック7と第2の温度補償ブロック8を一体化したものと温度変化に対する応力の変化が等価な単一の温度補償ブロック9を設けた点である。組立手順も第3のステップまでは上述した実施の形態2と同様である。
次に、この発明の実施の形態3を図にもとづいて説明する。図8は、実施の形態3による光モジュールの構成を示す概略図である。この図において、図5と同一または相当部分には同一符号を付して説明を省略する。図5と異なる点は、温度補償ブロック7と第2の温度補償ブロック8を一体化したものと温度変化に対する応力の変化が等価な単一の温度補償ブロック9を設けた点である。組立手順も第3のステップまでは上述した実施の形態2と同様である。
ここで、各材料の特性について説明する。サブマウント2の材料は窒化アルミニウムであり、線膨張係数は4.6×10−6/K、(これをα1とする)、縦弾性係数は33700kgf/mm2(これをE1とする)である。ヒートスプレッダ4の材料は銅であり、線膨張係数は17×10−6/K、(これをα2とする)、縦弾性係数は12500kgf/mm2(これをE2とする)である。また、リードフレーム3の材料は42アロイであり、線膨張係数は4.5×10−6/K(これをα0とする)、縦弾性係数は13600kgf/mm2(これをE0とする)である。温度変化時の力の釣り合いを考えると下記式が成り立つ。
ただし、図9に示すように、サブマウント2の縦、横及び厚さ寸法をそれぞれa1、b1、t1、ヒートスプレッダ4の縦、横及び厚さ寸法をそれぞれa2、b2、t2、温度補償ブロック9の縦、横及び厚さ寸法をそれぞれa3、b3、t3、リードフレーム3の厚さ寸法をt0とする。
(α1×△T×E1×a1×t1)×(t0/2+t2+t1/2)+(α2×△T×E2×a2×t2)×(t0/2+t2/2)=(α3×△T×E3×a3×t3)×(t0/2+t3/2)
△Tは変化温度である。ここでa1=a2=0.5mm、温度補償ブロック9の寸法a3=0.5mmとして式を整理すると、次のようになる。
△Tは変化温度である。ここでa1=a2=0.5mm、温度補償ブロック9の寸法a3=0.5mmとして式を整理すると、次のようになる。
α3×E3×t32+α3×E3×t0×t3−(α1×E1×t1×(t0+t1+2×t2)+α2×E2×t2×(t0+t2))=0
上記式をもって計算すると、温度補償ブロック9を1個にするには、温度補償ブロック9の材料を銅とした場合、厚みt3は0.352mmであればよい。
このようにして温度補償ブロック9を設計し、第4のステップとしては、実施の形態2と同様に、リードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4と対応した位置に温度補償ブロック9をAgペーストからなる高放熱性接着剤にて固定する。
次いで、第5のステップは、実施の形態2と同様に、上記組立体を形成した後、図示しないプローブにて発光素子1を駆動させ、光ファイバ5の位置を移動させながら光パワーメータを用いて光ファイバ5へのモニタ出力光を検出し、所望の光結合となった位置で光ファイバ5を接着剤にてリードフレーム3の一面に固定する。
なお、上記の説明では、温度補償ブロック9の材料として銅を選択したが、銅よりも縦弾性係数が大きい鉄を選択した場合は、鉄の線膨張係数が12.1×10−6/K、縦弾性係数が21000kgf/mm2なので、温度補償ブロック9の厚みは0.310mmでよいことになる。
このようにリードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4に対応した位置にサブマウント2、ヒートスプレッダ4の材料、外形寸法、剛性から計算される温度補償ブロック9を1個または複数個に分けて取り付けることにより、温度変化があっても全体の厚みを薄くした状態でリードフレーム3の反りを抑制し、発光素子1の発光点の位置ずれを防止することができるので、発光素子1と光ファイバ5との光結合状態の変化を小さくすることができる。
ただし、温度補償ブロック9は他の実施の形態と同様に、リードフレーム3の他面のヒートスプレッダ4と対応した位置に限らず、他の位置に設けてもよい。また、温度特性を同一にし、温度補償ができるように、温度補償ブロック9の材質及び形状を選択してもよい。
1 発光素子、 2 サブマウント、 3 リードフレーム、
4 ヒートスプレッダ、 5 光ファイバ、 6 接着剤、
7、8、9 温度補償ブロック。
4 ヒートスプレッダ、 5 光ファイバ、 6 接着剤、
7、8、9 温度補償ブロック。
Claims (8)
- 基板と、上記基板の一面に装着されたサブマウントと、上記サブマウント上に装着された光素子と、上記光素子と光学的に結合され上記基板の一面に装着された光ファイバと、上記基板の他面に装着された温度補償ブロックとを備えたことを特徴とする光モジュール。
- 温度補償ブロックは、温度変化が生じた際の光素子と光ファイバとの相対位置を補償することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 温度補償ブロックは、基板の一面のサブマウントに対応した位置に装着されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光モジュール。
- 温度補償ブロックは、サブマウントと同一の温度特性を有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 温度補償ブロックは、サブマウントと同一の材料で同一の形状に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 基板とサブマウントとの間にヒートスプレッダを設けたことを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 温度補償ブロックは、ヒートスプレッダ及びサブマウントの温度特性と同一の温度特性を有することを特徴とする請求項6に記載の光モジュール。
- 温度補償ブロックは、ヒートスプレッダと同一の材料で同一の形状に形成されたブロック及びサブマウントと同一の材料で同一の形状に形成されたブロックを接合して形成されていることを特徴とする請求項6に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006026069A JP2007208065A (ja) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006026069A JP2007208065A (ja) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 光モジュール |
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Family Applications (1)
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JP2006026069A Pending JP2007208065A (ja) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | 光モジュール |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2010109701A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュールおよび抑制部材 |
US9885602B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-02-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Particle sensor |
WO2018211644A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
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-
2006
- 2006-02-02 JP JP2006026069A patent/JP2007208065A/ja active Pending
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