JPS61255032A - 半導体集積回路素子交換方法 - Google Patents
半導体集積回路素子交換方法Info
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- JPS61255032A JPS61255032A JP60096880A JP9688085A JPS61255032A JP S61255032 A JPS61255032 A JP S61255032A JP 60096880 A JP60096880 A JP 60096880A JP 9688085 A JP9688085 A JP 9688085A JP S61255032 A JPS61255032 A JP S61255032A
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフェースダウンボンディング方式により接合さ
れている半導体集積回路素子（以下工Ｃチップと呼ぶ。
れている半導体集積回路素子（以下工Ｃチップと呼ぶ。
）の交換方法に関する。
本発明はフェースダウンボンディング方式により回路基
板ら接合されたＩＣチップの不良交換方法において、１
０チップ外周部からフラックスを浸透させ、ＩＣチップ
と回路基板の接合部をおおい、次に工０チップ裏面にヒ
ーターチップを加圧接触させて、接合部の金ａｔ溶融さ
せ、この溶融状態において、ヒーターチップに設けた真
空ｒｌｋ着機構により、工０チップを吸引しつつ、さら
にヒーターチップを回路基板から遠ざけることにより、
ＩＣチップを回路基板から離脱させる方法を用いること
によシ、熱衝撃に弱い材質の基板に対してでも、クラッ
ク等のダメージを与えずにＩＯ交換作業を行なうことを
可能にしたものである。
板ら接合されたＩＣチップの不良交換方法において、１
０チップ外周部からフラックスを浸透させ、ＩＣチップ
と回路基板の接合部をおおい、次に工０チップ裏面にヒ
ーターチップを加圧接触させて、接合部の金ａｔ溶融さ
せ、この溶融状態において、ヒーターチップに設けた真
空ｒｌｋ着機構により、工０チップを吸引しつつ、さら
にヒーターチップを回路基板から遠ざけることにより、
ＩＣチップを回路基板から離脱させる方法を用いること
によシ、熱衝撃に弱い材質の基板に対してでも、クラッ
ク等のダメージを与えずにＩＯ交換作業を行なうことを
可能にしたものである。
従来のＩＣチップの交換方法は、第２図に示すように、
ｌの回路基板ペース上の回路基板導体２Ｋ・４の工０バ
ンプを介して接合された工Ｏチップ３が不良の場合の交
換時において、８で示すエアーヒートユニットにより、
Ｎ８等の不活性ガスの熱風９を吹き出し、この熱風９を
工０チップ３に吹きつけ、バンプ４を溶融させ、この状
態において回路基板導体２から工０チップ３を離脱させ
るという方法であつた。
ｌの回路基板ペース上の回路基板導体２Ｋ・４の工０バ
ンプを介して接合された工Ｏチップ３が不良の場合の交
換時において、８で示すエアーヒートユニットにより、
Ｎ８等の不活性ガスの熱風９を吹き出し、この熱風９を
工０チップ３に吹きつけ、バンプ４を溶融させ、この状
態において回路基板導体２から工０チップ３を離脱させ
るという方法であつた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、熱ＪＥ９が工０チップ３のみではな
く、回路基板ペース１にも吹きつけられてしまい、この
回路基板ペースが熱膨張係数が大きく、かつ機械的強度
が小さく、もろい性質をもったセラミック等の場合には
、熱風による局部的な熱衝撃のために１回路基板ベース
１にクラックがはいり割れてしまうことがあるという問
題点を有する。そこで本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、回路基板にクラ
ック等のダメージを与えることなく、不良のＩＯチップ
を交換のため除去することを可能とする方法を提供する
ところにある。
述の従来技術では、熱ＪＥ９が工０チップ３のみではな
く、回路基板ペース１にも吹きつけられてしまい、この
回路基板ペースが熱膨張係数が大きく、かつ機械的強度
が小さく、もろい性質をもったセラミック等の場合には
、熱風による局部的な熱衝撃のために１回路基板ベース
１にクラックがはいり割れてしまうことがあるという問
題点を有する。そこで本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは、回路基板にクラ
ック等のダメージを与えることなく、不良のＩＯチップ
を交換のため除去することを可能とする方法を提供する
ところにある。
本発明の半導体集積回路素子交換方法は、フェースダウ
ンボンディング方式によシ、回路基板に接合された半導
体集積回路素子の不良交換時において、始めに、不良で
ある集積回路素子に対して、集積回路素子外周部から集
積回路素子中心に向けてフラックスを浸透させ、集積回
路素子と基板との接合部をフラックスにておおい、次に
、集積回路素子裏面にヒーターチップを加圧接触させる
ことにより、接合部の金属を溶融させ、この溶融状態が
保たれているうちに、ヒーターチップに設けた真空吸着
機構により、集積回路素子を吸引したままヒーターチッ
プを基板から遠ざけることにより、基板から半導体集積
回路素子を離脱させることを特徴とする。
ンボンディング方式によシ、回路基板に接合された半導
体集積回路素子の不良交換時において、始めに、不良で
ある集積回路素子に対して、集積回路素子外周部から集
積回路素子中心に向けてフラックスを浸透させ、集積回
路素子と基板との接合部をフラックスにておおい、次に
、集積回路素子裏面にヒーターチップを加圧接触させる
ことにより、接合部の金属を溶融させ、この溶融状態が
保たれているうちに、ヒーターチップに設けた真空吸着
機構により、集積回路素子を吸引したままヒーターチッ
プを基板から遠ざけることにより、基板から半導体集積
回路素子を離脱させることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、接合部を溶融させるため
の熱はＩＯチップ裏面からの熱伝導によりのみ供給され
るため、回路基板へ供給される熱は工０バングを介して
のみであυ、従来技術のように熱源から直接的に基板へ
供給される熱は無い。
の熱はＩＯチップ裏面からの熱伝導によりのみ供給され
るため、回路基板へ供給される熱は工０バングを介して
のみであυ、従来技術のように熱源から直接的に基板へ
供給される熱は無い。
したがりて回路基板へ供給される総熱量は非常に小さく
てすみ、回路基板へクラック等のダメージを与えること
は無い。
てすみ、回路基板へクラック等のダメージを与えること
は無い。
第１図は本発明の実施例における半導体集積回路素子交
換方法の構成図であって、１の回路基板ペース上の回路
基板導体２に、４の工０バングを介して供給された工ａ
チッグ３が不良の場合の交換時において、始めに不良で
あるＩＣチップ３に対して、工０チップ３の外周部から
ＩＣチップ中心に向けてフラックス５を浸透させ、ＩＣ
バンプ４と回路基板導体２との接合部を７シツクス５に
ておおい、次に、工０チップ３の裏面にインコネル等の
材質で３５０℃〜４００℃に加熱したヒーターチップ６
を加圧接触させることにより、接合部の金属すなわちＩ
Ｃバンプ４を伝導熱によシ溶融させ、この溶融状態が保
たれているうちに、ヒーターチップ６に設けた真空吸着
穴７により、工Ｏチップ４を吸引したまま、ヒーターチ
ップ６を回路基板ペース１から遠ざけることＫより、基
板から工０チップ３ｔ−離脱させ、工０チップを交換す
る。
換方法の構成図であって、１の回路基板ペース上の回路
基板導体２に、４の工０バングを介して供給された工ａ
チッグ３が不良の場合の交換時において、始めに不良で
あるＩＣチップ３に対して、工０チップ３の外周部から
ＩＣチップ中心に向けてフラックス５を浸透させ、ＩＣ
バンプ４と回路基板導体２との接合部を７シツクス５に
ておおい、次に、工０チップ３の裏面にインコネル等の
材質で３５０℃〜４００℃に加熱したヒーターチップ６
を加圧接触させることにより、接合部の金属すなわちＩ
Ｃバンプ４を伝導熱によシ溶融させ、この溶融状態が保
たれているうちに、ヒーターチップ６に設けた真空吸着
穴７により、工Ｏチップ４を吸引したまま、ヒーターチ
ップ６を回路基板ペース１から遠ざけることＫより、基
板から工０チップ３ｔ−離脱させ、工０チップを交換す
る。
以上述べたように本発明によれば、不良ＩＯチップを回
路基板から離脱させるために、ヒーターチップによる熱
伝導加熱を用いることにより、熱衝撃に弱い回路基板ペ
ース素材に対してであっても、クラック等のダメージを
与えることなく、不良工０チップの交換が可能となると
いう効果を有する。
路基板から離脱させるために、ヒーターチップによる熱
伝導加熱を用いることにより、熱衝撃に弱い回路基板ペ
ース素材に対してであっても、クラック等のダメージを
与えることなく、不良工０チップの交換が可能となると
いう効果を有する。
第１図は本発明の集積回路素子交換方法の一実施例を示
す構成図。 第２図は従来の集積回路素子交換方法を示す構成図。 ｌ・・・・・・回路基板べ−３ ２・・・・・・回路基板導体 ３・・・・・・工０チップ ４・・・・・・ＩＣバンプ ５・・・・・・フラックス ６・・・・・・ヒーターチップ ７・・・・・・真空吸着穴 ８・・１・・エアーヒートユニット ９・・・・・・不活性ガスの熱風 以上 出願人 株式会社 諏訪精工台 ４ＩＬ稽回語１手交換方逸の構成記 第１国
す構成図。 第２図は従来の集積回路素子交換方法を示す構成図。 ｌ・・・・・・回路基板べ−３ ２・・・・・・回路基板導体 ３・・・・・・工０チップ ４・・・・・・ＩＣバンプ ５・・・・・・フラックス ６・・・・・・ヒーターチップ ７・・・・・・真空吸着穴 ８・・１・・エアーヒートユニット ９・・・・・・不活性ガスの熱風 以上 出願人 株式会社 諏訪精工台 ４ＩＬ稽回語１手交換方逸の構成記 第１国
Claims (1)
- フェースダウンボンディング方式により、回路基板に接
合された半導体集積回路素子の不良交換時において、始
めに、不良である集積回路素子に対して、集積回路素子
外周部から集積回路素子中心に向けてフラックスを浸透
させ、集積回路素子と基板との接合部をフラックスにて
おおい、次に、集積回路素子裏面にヒーターチップを加
圧接触させることにより、接合部の金属を溶融させ、こ
の溶融状態が保たれているうちに、ヒーターチップに設
けた真空吸着機構により、集積回路素子を吸引したまま
ヒーターチップを基板から遠ざけることにより、基板か
ら半導体集積回路素子を離脱させることを特徴とする半
導体集積回路素子変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096880A JPS61255032A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体集積回路素子交換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096880A JPS61255032A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体集積回路素子交換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255032A true JPS61255032A (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14176726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096880A Pending JPS61255032A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体集積回路素子交換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391501A (en) * | 1992-11-12 | 1995-02-21 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing integrated circuits with a step for replacing defective circuit elements |
| EP0970520A4 (en) * | 1997-01-17 | 2000-08-30 | Loctite Corp | ASSEMBLY STRUCTURE AND ASSEMBLY METHOD FOR SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| US6274389B1 (en) | 1997-01-17 | 2001-08-14 | Loctite (R&D) Ltd. | Mounting structure and mounting process from semiconductor devices |
| US6316528B1 (en) | 1997-01-17 | 2001-11-13 | Loctite (R&D) Limited | Thermosetting resin compositions |
| US7836583B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Integrated circuit dismounter |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60096880A patent/JPS61255032A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391501A (en) * | 1992-11-12 | 1995-02-21 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing integrated circuits with a step for replacing defective circuit elements |
| EP0970520A4 (en) * | 1997-01-17 | 2000-08-30 | Loctite Corp | ASSEMBLY STRUCTURE AND ASSEMBLY METHOD FOR SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
| US6274389B1 (en) | 1997-01-17 | 2001-08-14 | Loctite (R&D) Ltd. | Mounting structure and mounting process from semiconductor devices |
| US6316528B1 (en) | 1997-01-17 | 2001-11-13 | Loctite (R&D) Limited | Thermosetting resin compositions |
| US7836583B2 (en) | 2007-12-28 | 2010-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | Integrated circuit dismounter |
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