JPS61168233A - 半導体装置の修理方法 - Google Patents
半導体装置の修理方法Info
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- JPS61168233A JPS61168233A JP752685A JP752685A JPS61168233A JP S61168233 A JPS61168233 A JP S61168233A JP 752685 A JP752685 A JP 752685A JP 752685 A JP752685 A JP 752685A JP S61168233 A JPS61168233 A JP S61168233A
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- mounting
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置の修理（ｒｅｐａｊ、ｒ）方法に
係り、特にフリップ・チップ方式半導体装置の修理技術
に適用して有効な技術に関するものである。
係り、特にフリップ・チップ方式半導体装置の修理技術
に適用して有効な技術に関するものである。
フリップ・チップ方式マルチチップモジュール等の半導
体装置は、不良品の半導体チップが発生した場合、それ
を新しい良品の半導体チップと交換して再び使用してい
る。この不良の半導体チップと新しい良品の半導体チッ
プとの交換は、不良品の半導体チップの半田バンプ等の
突起電極を溶して真空チャックで吸い上げて、塔載基板
から半導体チップを取りはずしていた。
体装置は、不良品の半導体チップが発生した場合、それ
を新しい良品の半導体チップと交換して再び使用してい
る。この不良の半導体チップと新しい良品の半導体チッ
プとの交換は、不良品の半導体チップの半田バンプ等の
突起電極を溶して真空チャックで吸い上げて、塔載基板
から半導体チップを取りはずしていた。
しかしながら、この方法では、半導体チップを塔載基板
から取りはずした後の塔載基板上に、半田バンプ等の突
起電極の材料が残る。この残った突起電極の材料の高さ
が不均一であるため、新しい良品の半導体チップを塔載
基板に取り付けた場合、半導体チップと塔載基板との接
合が適切にできないということを、本発明者は見出した
。
から取りはずした後の塔載基板上に、半田バンプ等の突
起電極の材料が残る。この残った突起電極の材料の高さ
が不均一であるため、新しい良品の半導体チップを塔載
基板に取り付けた場合、半導体チップと塔載基板との接
合が適切にできないということを、本発明者は見出した
。
フリップ・チップ方式半導体装置において、前記のよう
に、半導体チップと塔載基板との接続が適切でないと、
例えば、半導体チップと塔載基板との熱膨張係数差によ
って、半田接合部に半田バンプの歪みを発生する。周囲
湿度の変化や半導体チップの発熱の変化等によって、歪
みが繰り返されると、半田バンプは、クリープ疲労によ
って寿命にいたる（例えば、日経マグロウヒル社発行の
［日経エレク１へロニクス、別冊ｎｏ２．１９８４．６
．１１、ｐｌ、１４Ｊ参照）。
に、半導体チップと塔載基板との接続が適切でないと、
例えば、半導体チップと塔載基板との熱膨張係数差によ
って、半田接合部に半田バンプの歪みを発生する。周囲
湿度の変化や半導体チップの発熱の変化等によって、歪
みが繰り返されると、半田バンプは、クリープ疲労によ
って寿命にいたる（例えば、日経マグロウヒル社発行の
［日経エレク１へロニクス、別冊ｎｏ２．１９８４．６
．１１、ｐｌ、１４Ｊ参照）。
本発明の目的は、半導体チップを突起電極を介して塔載
基板に塔載するフリップ・チップ方式半導体装置の修理
方法において、前記半導体チップを塔載基板から取りは
ずす際に、塔載基板側にそれぞれ一定量の突起電極を残
すか、あるいは、はとんど残さないようにし、それを使
用して新しい半導体チップと塔載基板を適切に接合する
ことができる技術を提供することにある。
基板に塔載するフリップ・チップ方式半導体装置の修理
方法において、前記半導体チップを塔載基板から取りは
ずす際に、塔載基板側にそれぞれ一定量の突起電極を残
すか、あるいは、はとんど残さないようにし、それを使
用して新しい半導体チップと塔載基板を適切に接合する
ことができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体チップ側又は塔載基板側から前記突起
電極を加熱しながら、半導体チップ又は塔載基板を振動
させて取りはずすことにより、塔載基板上にそれぞれ一
定量の半田バンプ等の突起電極を残すか、あるいは、は
とんど残さないようにし、それを使用して新しい半導体
チップと塔載基板との接続を適切に接合することができ
るようにしたものである。
電極を加熱しながら、半導体チップ又は塔載基板を振動
させて取りはずすことにより、塔載基板上にそれぞれ一
定量の半田バンプ等の突起電極を残すか、あるいは、は
とんど残さないようにし、それを使用して新しい半導体
チップと塔載基板との接続を適切に接合することができ
るようにしたものである。
以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する
。
。
なお、全図において、同一の機能を有するものは同一の
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
第１図及び第２図は、本発明の実施例Ｉの半導体装置の
修理方法を説明するための図であり、第１図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、第２図は、
その実施装置の動作を説明するための図である。
修理方法を説明するための図であり、第１図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、第２図は、
その実施装置の動作を説明するための図である。
第１図及び第２図において、１は半導体チップ、２は半
田バンプ等からなる突起電極、３は塔載基板である。４
はその中央部に貫通孔又は貫通溝４にして載置するため
のものである。５は赤外線ランプであり、前記貫通孔又
は貫通溝４Ａに向けて赤外線を照射するためのものであ
る。６はその中央部に真空室６Ａを有する真空挟持治具
であり、図示していない支持装置に、水平及び上下方向
に移動可能に支持されている。この真空挟持治具６は、
図示していない超音波振動装置等の振動装置によって微
小振動するようになっている。また、真空挟持治具６の
真空室６Ａは、図示していない真空ポンプに接続されて
いる。
田バンプ等からなる突起電極、３は塔載基板である。４
はその中央部に貫通孔又は貫通溝４にして載置するため
のものである。５は赤外線ランプであり、前記貫通孔又
は貫通溝４Ａに向けて赤外線を照射するためのものであ
る。６はその中央部に真空室６Ａを有する真空挟持治具
であり、図示していない支持装置に、水平及び上下方向
に移動可能に支持されている。この真空挟持治具６は、
図示していない超音波振動装置等の振動装置によって微
小振動するようになっている。また、真空挟持治具６の
真空室６Ａは、図示していない真空ポンプに接続されて
いる。
次に、本実施例Ｉの修理方法を第１図及び第２図を用い
て説明する。
て説明する。
半導体装置の塔載基板３を下側にして載置台４に載せ、
載置台４の中央部の貫通孔又は貫通溝４Ａの位置に不良
品の半導体チップ１の部分がくるように位置調整する。
載置台４の中央部の貫通孔又は貫通溝４Ａの位置に不良
品の半導体チップ１の部分がくるように位置調整する。
次に、真空挟持治具６の真空室６Ａを真空ポンプで真空
にして半導体チップ１を吸引挟持し、それを超音波振動
装置等の振動装置によって水平方向（第１図の左右矢印
方向）に微小振動させながら、赤外線ランプ５により赤
外線を載置台４の貫通孔又は貫通溝４Ａに向けて照射す
る。これにより、半導体装置の塔載基板３側から加熱さ
れて行くので、半田バンプ等の突起電極２の塔載基板３
側から加熱される。そして、突起電極２と塔載基板３と
の界面部の突起電極２の材料が溶は始めると、半導体チ
ップ１が水平方向に微小振動されているため、突起電極
２は塔載基板３から剥離される。この時、真空挟持治具
６を第２図に示すように、上方向（図示の上向きの矢印
方向）に移動させて半導体チップを取りはずす。
にして半導体チップ１を吸引挟持し、それを超音波振動
装置等の振動装置によって水平方向（第１図の左右矢印
方向）に微小振動させながら、赤外線ランプ５により赤
外線を載置台４の貫通孔又は貫通溝４Ａに向けて照射す
る。これにより、半導体装置の塔載基板３側から加熱さ
れて行くので、半田バンプ等の突起電極２の塔載基板３
側から加熱される。そして、突起電極２と塔載基板３と
の界面部の突起電極２の材料が溶は始めると、半導体チ
ップ１が水平方向に微小振動されているため、突起電極
２は塔載基板３から剥離される。この時、真空挟持治具
６を第２図に示すように、上方向（図示の上向きの矢印
方向）に移動させて半導体チップを取りはずす。
これにより、塔載基板３の半導体チップ１が取り除かれ
た部分には、半［ｌバンプ等の突起電極２の材料はほと
んど残っていない。
た部分には、半［ｌバンプ等の突起電極２の材料はほと
んど残っていない。
したがって、この塔載基板３の載置面がほぼ平滑面とな
っているので、その上に新しい良品の半導体チップ１．
の突起電極２を適切に接合することができる。これによ
り、再生された信頼性の高い、長寿命の半導体装置を得
ることができる。
っているので、その上に新しい良品の半導体チップ１．
の突起電極２を適切に接合することができる。これによ
り、再生された信頼性の高い、長寿命の半導体装置を得
ることができる。
第３図及び第４図は、本発明の実施例Ｈの半導体装置の
修理方法を説明するための図であり、第３図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、第４図は、
その実施装置の動作を説明するための図である。
修理方法を説明するための図であり、第３図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、第４図は、
その実施装置の動作を説明するための図である。
第３図に示す本実施例■の実施装置は、第１図に示す実
施装置の真空挟持治具６の材料を金属等の熱伝湛の良い
材料で構成し、その側部に発熱コイル７を設けたもので
ある。
施装置の真空挟持治具６の材料を金属等の熱伝湛の良い
材料で構成し、その側部に発熱コイル７を設けたもので
ある。
本実施例Ｈの修理方法は、第３図に示す実施装置から理
解できるように、前記実施例■の修理方法の加熱手段を
、半導体チップ１側から行うようにしたものである。こ
のようにすることにより、半導体装置の半導体チップ１
側から加熱されて行くので、半田バンプ等の突起電極２
の半導体チップ１側から加熱される。そして、突起電極
２と半導体チップ１との界面部の突起電極２の材料が溶
は始めると、半導体チップｌが水平方向（第３図の左右
矢印方向）に微小振動されているため、塔載基板４から
突起電極２は塔載基板２から剥離される。この時、真空
挟持治具６を、第４図に示すように、上方向（図示の上
向きの矢印方向）に移動させて半導体チップは取りはず
される。これにより、塔載基板３の半導体チップ１が取
り除かれた部分にはほぼ原形の一定量の突起電極２が残
る。
解できるように、前記実施例■の修理方法の加熱手段を
、半導体チップ１側から行うようにしたものである。こ
のようにすることにより、半導体装置の半導体チップ１
側から加熱されて行くので、半田バンプ等の突起電極２
の半導体チップ１側から加熱される。そして、突起電極
２と半導体チップ１との界面部の突起電極２の材料が溶
は始めると、半導体チップｌが水平方向（第３図の左右
矢印方向）に微小振動されているため、塔載基板４から
突起電極２は塔載基板２から剥離される。この時、真空
挟持治具６を、第４図に示すように、上方向（図示の上
向きの矢印方向）に移動させて半導体チップは取りはず
される。これにより、塔載基板３の半導体チップ１が取
り除かれた部分にはほぼ原形の一定量の突起電極２が残
る。
したがって、この塔載基板３に残された突起電極２は、
それぞれほぼ原形の一定量であるので、その上に新しい
良品の半導体チップ１を適切に接合する８とができる。
それぞれほぼ原形の一定量であるので、その上に新しい
良品の半導体チップ１を適切に接合する８とができる。
これにより、再生された信頼性の高い長寿命の半導体装
置を得ることができ する。 。
置を得ることができ する。 。
また、前記塔載基板３に一定量の半田バンプ等の突起電
極材料が残り、それが修理再生時にそのまま使用するこ
とができるので、新しい半導体チップに突起電極２を設
ける工程を省略することができる。
極材料が残り、それが修理再生時にそのまま使用するこ
とができるので、新しい半導体チップに突起電極２を設
ける工程を省略することができる。
以上説明したように、本願で開示した新規な技術によれ
ば、次に述べるような効果を得ることができる。
ば、次に述べるような効果を得ることができる。
（１）前記半導体チップ側又は塔載基板側から前記突起
電極を加熱しながら、半導体チップ又は塔載基板を微小
振動させて取りはずすことにより、一定量の半田バンプ
等の突起電極が残るようにするか、あるいは、残らない
ようにすることできるので、それを使用して新しい半導
体チップと塔載基板とを適切に接合することができる。
電極を加熱しながら、半導体チップ又は塔載基板を微小
振動させて取りはずすことにより、一定量の半田バンプ
等の突起電極が残るようにするか、あるいは、残らない
ようにすることできるので、それを使用して新しい半導
体チップと塔載基板とを適切に接合することができる。
（２）前記（１）により、再生された信頼性の高い長寿
命の半導体装置を得ることができる。
命の半導体装置を得ることができる。
（３）前記（１）の半導体チップ側から加熱した場合に
は、塔載基板にほぼ原形のままの一定量の＝８− 半田バンプ等の突起電極材料が残り、それを修理再生時
にそのまま使用できるので、新しい半導体チップに突起
電極２を設ける工数を省略することができる。
は、塔載基板にほぼ原形のままの一定量の＝８− 半田バンプ等の突起電極材料が残り、それを修理再生時
にそのまま使用できるので、新しい半導体チップに突起
電極２を設ける工数を省略することができる。
以上、本発明を実施例にもとずき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものでなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものでなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
言うまでもない。
例えば、前記実施例では、加熱手段として赤外線ランプ
又は発熱コイルを用いたが、熱風を送風するようにして
もよい。
又は発熱コイルを用いたが、熱風を送風するようにして
もよい。
また、前記実施例では、半導体チップ側に振動を与える
ようにしたが、塔載基板側を振動させるようにしてもよ
い。
ようにしたが、塔載基板側を振動させるようにしてもよ
い。
第１図及び第２図は、本発明の実施例■の半導体装置の
修理方法を説明するための図であり、第１図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、 第２図は、その実施装置の動作を説明するための図であ
る。 第３図及び第４図は、本発明の実施例Ｈの半導体装置の
修理方法の装置を説明するための図であり、 第３図は、その修理方法の実施装置の要部構成を示す断
面図、 第４図は、その実施装置の動作を説明する図である。 図中、１・・・半導体チップ、２・半田バンプ等の突起
電極、３・・・塔載基板、４・・・載置台、４Ａ・・・
貫通孔又は溝、５・・・赤外線ランプ、６・真空挟持治
具、６Ａ・・・真空室、７・発熱コイルである。 ＝１１−
修理方法を説明するための図であり、第１図は、その修
理方法の実施装置の要部構成を示す断面図、 第２図は、その実施装置の動作を説明するための図であ
る。 第３図及び第４図は、本発明の実施例Ｈの半導体装置の
修理方法の装置を説明するための図であり、 第３図は、その修理方法の実施装置の要部構成を示す断
面図、 第４図は、その実施装置の動作を説明する図である。 図中、１・・・半導体チップ、２・半田バンプ等の突起
電極、３・・・塔載基板、４・・・載置台、４Ａ・・・
貫通孔又は溝、５・・・赤外線ランプ、６・真空挟持治
具、６Ａ・・・真空室、７・発熱コイルである。 ＝１１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを突起電極を介して塔載基板に塔載す
るフリップ・チップ方式半導体装置の修理方法において
、前記半導体チップ側又は塔載基板側から前記突起電極
を加熱しながら、半導体チップ又は塔載基板を振動させ
て取りはずすようにしたことを特徴とする半導体装置の
修理方法。 ２、前記加熱手段として、熱線を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の修理方法。 ３、前記加熱手段として、発熱コイルを用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の修理
方法。 ４、前記半導体チップ又は塔載基板を振動させて取りは
ずす手段として、半導体チップを真空挟持して振動させ
る真空挟持振動装置を用いたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の修理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP752685A JPS61168233A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の修理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP752685A JPS61168233A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の修理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168233A true JPS61168233A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11668224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP752685A Pending JPS61168233A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 半導体装置の修理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001097278A1 (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Solder bump and wire bonding by infrared heating |
| US8444044B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP752685A patent/JPS61168233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001097278A1 (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Solder bump and wire bonding by infrared heating |
| US6384366B1 (en) | 2000-06-12 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Top infrared heating for bonding operations |
| US8444044B2 (en) | 2008-03-10 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
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