JPH0737890A - 半田ボール接合装置およびその接合方法 - Google Patents
半田ボール接合装置およびその接合方法Info
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- JPH0737890A JPH0737890A JP5176392A JP17639293A JPH0737890A JP H0737890 A JPH0737890 A JP H0737890A JP 5176392 A JP5176392 A JP 5176392A JP 17639293 A JP17639293 A JP 17639293A JP H0737890 A JPH0737890 A JP H0737890A
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- JP
- Japan
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- solder ball
- solder
- joining
- electrode
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置および回路基板上の電極が狭い間隔
になっても安定した半田供給接合を可能とする半田ボー
ル接合装置を提供することを目的とする。 【構成】半導体装置１および複数の半田ボール３をメタ
ルマスク４で保持し、移送手段としてキャピラリー６を
用い、このキャピラリー６で前記半田ボール３を吸着し
て半導体装置１の金メッキ電極１６上に移送し、レーザ
ー光照射装置９で前記半田ボール３を溶融して接合する
半田ボール接合装置の構成とする。
になっても安定した半田供給接合を可能とする半田ボー
ル接合装置を提供することを目的とする。 【構成】半導体装置１および複数の半田ボール３をメタ
ルマスク４で保持し、移送手段としてキャピラリー６を
用い、このキャピラリー６で前記半田ボール３を吸着し
て半導体装置１の金メッキ電極１６上に移送し、レーザ
ー光照射装置９で前記半田ボール３を溶融して接合する
半田ボール接合装置の構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板上に実装する電
子部品への半田ボールを供給、接合する装置およびその
接合方法に関する。
子部品への半田ボールを供給、接合する装置およびその
接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品を回路基板上に実装する
方法として、回路基板上の電極にフェイスダウン実装す
るＣＯＢ（ＣＨＩＰ ＯＮ ＢＯＡＲＤ）実装が注目を
浴びている。
方法として、回路基板上の電極にフェイスダウン実装す
るＣＯＢ（ＣＨＩＰ ＯＮ ＢＯＡＲＤ）実装が注目を
浴びている。
【０００３】従来のＣＯＢ実装技術としては、接合材料
に半田を用いたものが主流であり、半田を供給する方法
として、クリーム半田を印刷法により形成する技術を用
いたものであった。
に半田を用いたものが主流であり、半田を供給する方法
として、クリーム半田を印刷法により形成する技術を用
いたものであった。
【０００４】以下図面を参照にしながら、上述した従来
のＣＯＢ実装技術の一例について説明する。図５は回路
基板１９上の銅電極２０に半田を形成する方法を示す図
である。回路基板１９上の銅電極２０に対応した開口部
を持つメタルマスク４を回路基板１９に位置合わせ後重
ね合わせ、クリーム半田２２をメタルマスク４上で印刷
スキージ２３を用いて移動させる。この動作により開口
部にはクリーム半田２２が残り、メタルマスク４を取り
外すことにより、回路基板１９上の銅電極２０にクリー
ム半田２２が形成される。次にアルミ電極１４にバリア
メタル１５と金メッキ１６の処理を施した半導体装置１
を、回路基板１９上の銅電極２０に位置合わせした後に
実装する。実装後、全体を加熱しクリーム半田２２を溶
融し、半導体装置１と回路基板１９の電気的接合を図
る。
のＣＯＢ実装技術の一例について説明する。図５は回路
基板１９上の銅電極２０に半田を形成する方法を示す図
である。回路基板１９上の銅電極２０に対応した開口部
を持つメタルマスク４を回路基板１９に位置合わせ後重
ね合わせ、クリーム半田２２をメタルマスク４上で印刷
スキージ２３を用いて移動させる。この動作により開口
部にはクリーム半田２２が残り、メタルマスク４を取り
外すことにより、回路基板１９上の銅電極２０にクリー
ム半田２２が形成される。次にアルミ電極１４にバリア
メタル１５と金メッキ１６の処理を施した半導体装置１
を、回路基板１９上の銅電極２０に位置合わせした後に
実装する。実装後、全体を加熱しクリーム半田２２を溶
融し、半導体装置１と回路基板１９の電気的接合を図
る。
【０００５】図６は、ＣＯＢ実装の１つであるＣＳＰ
（ＣＨＩＰ ＳＩＺＥ ＰＡＣＫＡＧＥ）実装技術に用
いられた、印刷方法では充分な半田が供給できない場合
の半田構成技術を示した図である。回路基板１９の裏面
に半導体装置１を実装し、封止樹脂２７で封止した後、
図５に示す方法で低温半田２４を印刷する。印刷後、低
温半田２４より高い融点の半田ボール３を前記低温半田
２４上に置き、低温半田２４が溶融し半田ボール３が溶
融しない温度で加熱することにより銅電極２０上に半田
ボール３を形成する。なお図中の２６は金ワイヤ、２８
はダイボンド樹脂である。
（ＣＨＩＰ ＳＩＺＥ ＰＡＣＫＡＧＥ）実装技術に用
いられた、印刷方法では充分な半田が供給できない場合
の半田構成技術を示した図である。回路基板１９の裏面
に半導体装置１を実装し、封止樹脂２７で封止した後、
図５に示す方法で低温半田２４を印刷する。印刷後、低
温半田２４より高い融点の半田ボール３を前記低温半田
２４上に置き、低温半田２４が溶融し半田ボール３が溶
融しない温度で加熱することにより銅電極２０上に半田
ボール３を形成する。なお図中の２６は金ワイヤ、２８
はダイボンド樹脂である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の構成では、半導体装置１のアルミニウム電極
１４の間隔が狭くなると、メタルマスク４の開口部の形
成が困難であるとともに、クリーム半田２２の微量印刷
も困難であり、接合の歩留まりが低下する。
うな従来の構成では、半導体装置１のアルミニウム電極
１４の間隔が狭くなると、メタルマスク４の開口部の形
成が困難であるとともに、クリーム半田２２の微量印刷
も困難であり、接合の歩留まりが低下する。
【０００７】また、回路基板１９の表面に部品がすでに
実装されている場合、メタルマスク４を回路基板１９に
重ね合わせることが不可能なため、印刷による半田供給
方法は不可能である。
実装されている場合、メタルマスク４を回路基板１９に
重ね合わせることが不可能なため、印刷による半田供給
方法は不可能である。
【０００８】さらに、回路基板１９の裏面にすでに半田
を用いた実装が行われている場合に、裏面の半田が溶融
する全体加熱が不可能であることや、回路基板１９の熱
膨張、部品の耐熱温度、熱ストレスによる接合不良な
ど、高温の全体加熱ができない回路基板が多い。
を用いた実装が行われている場合に、裏面の半田が溶融
する全体加熱が不可能であることや、回路基板１９の熱
膨張、部品の耐熱温度、熱ストレスによる接合不良な
ど、高温の全体加熱ができない回路基板が多い。
【０００９】本発明は以上の課題を解決するもので、電
極の間隔が狭くなっても半田の安定供給、接合が可能で
あり、耐熱温度が低い部品が実装された回路基板でも、
局部的に半田を供給・接合が可能である半田ボール接合
方法および接合装置を提供することを目的としている。
極の間隔が狭くなっても半田の安定供給、接合が可能で
あり、耐熱温度が低い部品が実装された回路基板でも、
局部的に半田を供給・接合が可能である半田ボール接合
方法および接合装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、電子部品を保持する手段と、球形の半田ボ
ールを前記電子部品の電極上に移送する手段と、前記半
田ボールを昇温溶融して電極に接合する手段を有する半
田ボール接合装置の構成とする。
に本発明は、電子部品を保持する手段と、球形の半田ボ
ールを前記電子部品の電極上に移送する手段と、前記半
田ボールを昇温溶融して電極に接合する手段を有する半
田ボール接合装置の構成とする。
【００１１】
【作用】上記構成の半田ボール接合装置は、球形の半田
ボールが電子部品の電極上に置かれたとき、前記電極間
が狭くても半田による短絡が生じなく、安定した半田の
供給と接合ができることとなる。
ボールが電子部品の電極上に置かれたとき、前記電極間
が狭くても半田による短絡が生じなく、安定した半田の
供給と接合ができることとなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例である半導体装
置および回路基板への半田ボールの接合装置について図
面を参照しながら説明する。なお、従来例として示した
ものと同一構成部材には同じ符号を用いる。
置および回路基板への半田ボールの接合装置について図
面を参照しながら説明する。なお、従来例として示した
ものと同一構成部材には同じ符号を用いる。
【００１３】図１は本発明の実施例における半導体装置
および回路基板に半田ボールを接合する装置を表す図で
ある。図１において２はステージであり、半導体装置吸
着板５を載置している。前記半導体装置吸着板５は半田
保持穴および半導体装置を表出する穴をもつメタルマス
ク４が配置され、メタルマスク４には球状の半田ボール
３と半導体装置１が配設されている。半導体装置１上に
は金メッキ電極１６が形成されている。６はキャピラリ
ーであり、吸着兼ブローホース８に接続されており、キ
ャピラリー６は超音波ホーン７に保持されている。そし
てキャピラリー６の先端部にはレーザー光照射装置９よ
りレーザー光１０が照射されるようになっている。前記
ステージ２は図２に示すように加熱ヒータ１１を有し、
かつ真空吸着ポンプ１３を備えている。１２は位置決め
ピンである。
および回路基板に半田ボールを接合する装置を表す図で
ある。図１において２はステージであり、半導体装置吸
着板５を載置している。前記半導体装置吸着板５は半田
保持穴および半導体装置を表出する穴をもつメタルマス
ク４が配置され、メタルマスク４には球状の半田ボール
３と半導体装置１が配設されている。半導体装置１上に
は金メッキ電極１６が形成されている。６はキャピラリ
ーであり、吸着兼ブローホース８に接続されており、キ
ャピラリー６は超音波ホーン７に保持されている。そし
てキャピラリー６の先端部にはレーザー光照射装置９よ
りレーザー光１０が照射されるようになっている。前記
ステージ２は図２に示すように加熱ヒータ１１を有し、
かつ真空吸着ポンプ１３を備えている。１２は位置決め
ピンである。
【００１４】以上のように構成された半田ボール接合装
置について、その工程および接合方法を説明する。まず
半導体装置吸着板５の上に、複数の半田ボール３が供給
されたメタルマスク４を位置決めピン１２により定めら
れた位置に重ね合わせる。つぎに半導体装置１をメタル
マスク４に開けられた電子部品用の穴に置く。つぎに半
導体吸着板５を、加熱ヒータ１１により加熱されたステ
ージ２上でスライドにより移動すると同時に昇温する。
つぎに加熱ヒータ１１により加熱されたステージ２で昇
温しながら半田ボール実装を行う作業範囲までスライド
移動する。つぎに作業範囲内で、加熱ヒータ１１により
１５０℃に昇温したまま真空ポンプ１３を動作させ、半
導体吸着板５と半導体装置１とメタルマスク４を固定す
る。以上の各工程により、半田ボール３と半導体装置１
を接合作業範囲までの移動と固定を完了する。
置について、その工程および接合方法を説明する。まず
半導体装置吸着板５の上に、複数の半田ボール３が供給
されたメタルマスク４を位置決めピン１２により定めら
れた位置に重ね合わせる。つぎに半導体装置１をメタル
マスク４に開けられた電子部品用の穴に置く。つぎに半
導体吸着板５を、加熱ヒータ１１により加熱されたステ
ージ２上でスライドにより移動すると同時に昇温する。
つぎに加熱ヒータ１１により加熱されたステージ２で昇
温しながら半田ボール実装を行う作業範囲までスライド
移動する。つぎに作業範囲内で、加熱ヒータ１１により
１５０℃に昇温したまま真空ポンプ１３を動作させ、半
導体吸着板５と半導体装置１とメタルマスク４を固定す
る。以上の各工程により、半田ボール３と半導体装置１
を接合作業範囲までの移動と固定を完了する。
【００１５】前記移動と固定を完了すると半田ボール３
を金メッキ電極１６に接触させる。半田ボール３と半導
体装置１の位置を認識装置により認識し、キャピラリー
６を認識装置により確認されたデータに基づき半田ボー
ル３の直上に移動させる。そして超音波ホーン７を降下
させ、キャピラリー６を半田ボール３に接触させる。つ
ぎに吸着兼ブローホース８により真空吸着を行い、キャ
ピラリー６の先端に半田ボール３を吸着させる。前記吸
着工程を行いながら超音波ホーン７を上昇させた後、半
導体装置１の金メッキ電極１６上に認識装置のデータに
基づき移動させる。前記真空吸着を行いながら超音波ホ
ーン７を降下させ、半田ボール３と金メッキ電極１６と
を接触させる。以上により半田ボール３を半導体装置１
上の金メッキ電極１６に移動させる。
を金メッキ電極１６に接触させる。半田ボール３と半導
体装置１の位置を認識装置により認識し、キャピラリー
６を認識装置により確認されたデータに基づき半田ボー
ル３の直上に移動させる。そして超音波ホーン７を降下
させ、キャピラリー６を半田ボール３に接触させる。つ
ぎに吸着兼ブローホース８により真空吸着を行い、キャ
ピラリー６の先端に半田ボール３を吸着させる。前記吸
着工程を行いながら超音波ホーン７を上昇させた後、半
導体装置１の金メッキ電極１６上に認識装置のデータに
基づき移動させる。前記真空吸着を行いながら超音波ホ
ーン７を降下させ、半田ボール３と金メッキ電極１６と
を接触させる。以上により半田ボール３を半導体装置１
上の金メッキ電極１６に移動させる。
【００１６】図３は半導体装置１上の金メッキ電極１６
に半田ボール３を金属接合する工程を示した図である。
図中の１７は超音波方向、１８は吸着・ブロー方向を示
している。
に半田ボール３を金属接合する工程を示した図である。
図中の１７は超音波方向、１８は吸着・ブロー方向を示
している。
【００１７】実施例では半導体装置１は４００μｍ、ア
ルミニウム電極１４は１μｍ、バリアメタル１５は５μ
ｍ、金メッキ電極１６は０．５μｍの厚み、半田ボール
３は径１４０μｍの仕様とした。
ルミニウム電極１４は１μｍ、バリアメタル１５は５μ
ｍ、金メッキ電極１６は０．５μｍの厚み、半田ボール
３は径１４０μｍの仕様とした。
【００１８】ここで１５０℃に昇温された半導体装置１
上の金メッキ電極１６に、キャピラリー６により吸着さ
れた半田ボール３を接触させる。そしてキャピラリー６
に半田ボール３を吸着したまま、超音波方向１７に５０
０ｍＷの超音波エネルギーを加え、かつキャピラリー６
により約５０ｇの荷重を加えながら、金メッキ電極１６
と半田ボール３とを接触から金属結合へと接合強度を増
大させる。
上の金メッキ電極１６に、キャピラリー６により吸着さ
れた半田ボール３を接触させる。そしてキャピラリー６
に半田ボール３を吸着したまま、超音波方向１７に５０
０ｍＷの超音波エネルギーを加え、かつキャピラリー６
により約５０ｇの荷重を加えながら、金メッキ電極１６
と半田ボール３とを接触から金属結合へと接合強度を増
大させる。
【００１９】半田ボール３の吸着を終了し、ブローを行
いながら、キャピラリー６を上昇させる。そして次の半
田ボール３にキャピラリー６を移動させる。以上により
半田ボール３と金メッキ電極１６の金属接合を終了す
る。なお、実施例では半導体装置１上の金メッキ電極１
６に対する接合であるが、ガラスエポキシ樹脂やセラミ
ック製の回路基板上の金メッキ電極にも同様な半田ボー
ル接合が可能である。また作業環境を９０％Ａｒ＋１０
％Ｈ2 還元ガス雰囲気にすると接合強度がより増大す
る。
いながら、キャピラリー６を上昇させる。そして次の半
田ボール３にキャピラリー６を移動させる。以上により
半田ボール３と金メッキ電極１６の金属接合を終了す
る。なお、実施例では半導体装置１上の金メッキ電極１
６に対する接合であるが、ガラスエポキシ樹脂やセラミ
ック製の回路基板上の金メッキ電極にも同様な半田ボー
ル接合が可能である。また作業環境を９０％Ａｒ＋１０
％Ｈ2 還元ガス雰囲気にすると接合強度がより増大す
る。
【００２０】以下、本発明の第２の実施例を説明する。
この実施例の接合装置は図１、図２に示す第１の実施例
で仕様した装置と同じものである。しかし第１の実施例
で使用しなかったガスブロー装置とレーザー光照射装置
９とレーザー光１０を使用し、超音波装置を使用しな
い。またヒータ１１を用いたステージ２の加熱は行わな
い。
この実施例の接合装置は図１、図２に示す第１の実施例
で仕様した装置と同じものである。しかし第１の実施例
で使用しなかったガスブロー装置とレーザー光照射装置
９とレーザー光１０を使用し、超音波装置を使用しな
い。またヒータ１１を用いたステージ２の加熱は行わな
い。
【００２１】本実施例で図４で示す回路基板１９は４層
４００μｍ厚、銅電極２０は１８μｍ、半田ボール３は
径１４０μｍの使用とした。図中２１は還元ガスであ
る。まず回路基板１９上の銅電極２０に、キャピラリー
６により吸着された半田ボール３を接触させる。つぎに
半田ボール３の吸着を終了し、９０％Ａｒ＋１０％Ｈ2
の還元ガス２１をブローしながらキャピラリー６を約１
０μｍ上昇させる。つぎに還元ガス２１をブローしなが
ら、レーザー光照射装置９よりＹＡＧレーザー光１０を
照射し、半田ボール３と銅電極２０を２００℃以上加熱
し、半田ボール３を溶融し、電極２０と金属溶融接合を
行う。つぎにレーザー光下の照射を止め、キャピラリー
６を上昇させ、次の半田ボール３にキャピラリー６を移
動させる。以上により半田ボール３と銅電極２０の金属
溶融接合を終了する。本実施例ではガラスエポキシ樹脂
製の回路基板１９上の銅電極２０への半田ボールの接合
であるが、セラミック製の回路基板上の銅電極や半導体
装置１上の金メッキ電極１６にも同様な半田ボール溶融
接合が可能である。また銅電極よりも金電極の方が、電
極表面酸化の影響を受けにくいので接合歩留まりが向上
する。
４００μｍ厚、銅電極２０は１８μｍ、半田ボール３は
径１４０μｍの使用とした。図中２１は還元ガスであ
る。まず回路基板１９上の銅電極２０に、キャピラリー
６により吸着された半田ボール３を接触させる。つぎに
半田ボール３の吸着を終了し、９０％Ａｒ＋１０％Ｈ2
の還元ガス２１をブローしながらキャピラリー６を約１
０μｍ上昇させる。つぎに還元ガス２１をブローしなが
ら、レーザー光照射装置９よりＹＡＧレーザー光１０を
照射し、半田ボール３と銅電極２０を２００℃以上加熱
し、半田ボール３を溶融し、電極２０と金属溶融接合を
行う。つぎにレーザー光下の照射を止め、キャピラリー
６を上昇させ、次の半田ボール３にキャピラリー６を移
動させる。以上により半田ボール３と銅電極２０の金属
溶融接合を終了する。本実施例ではガラスエポキシ樹脂
製の回路基板１９上の銅電極２０への半田ボールの接合
であるが、セラミック製の回路基板上の銅電極や半導体
装置１上の金メッキ電極１６にも同様な半田ボール溶融
接合が可能である。また銅電極よりも金電極の方が、電
極表面酸化の影響を受けにくいので接合歩留まりが向上
する。
【００２２】
【発明の効果】本発明は前記実施例の説明より明らかな
ように、半田ボールを１つ１つ個別に移動接合する方法
によるので、半導体装置および回路基板上の電極が狭い
間隔になっても安定した半田供給が可能となる。また同
時にレーザー光照射装置や超音波装置など、局部にエネ
ルギーを加える装置を持つために、局部加熱および１５
０度以下の加熱による半田の接合が可能になる。
ように、半田ボールを１つ１つ個別に移動接合する方法
によるので、半導体装置および回路基板上の電極が狭い
間隔になっても安定した半田供給が可能となる。また同
時にレーザー光照射装置や超音波装置など、局部にエネ
ルギーを加える装置を持つために、局部加熱および１５
０度以下の加熱による半田の接合が可能になる。
【図１】本発明の一実施例の半田ボール接合装置の斜視
図
図
【図２】同半田ボール接合装置の断面図
【図３】同半田ボール接合装置の要部断面図
【図４】本発明の他の実施例の半田ボール接合装置の要
部断面図
部断面図
【図５】従来の半田接合装置の構成図
【図６】従来の他の半田接合装置の構成図
１ 半導体装置 ２ ステージ ３ 半田ボール ４ メタルマスク ５ 半導体装置吸着板 ６ キャピラリー ７ 超音波ホーン ８ 吸着兼ブローホース ９ レーザー光照射装置 １０ レーザー光 １１ 加熱ヒータ １２ 位置決めピン １３ 真空吸着ポンプ １４ アルミニウム電極 １５ バリアメタル １６ 金メッキ電極 １７ 超音波方向 １８ 吸着・ブロー方向 １９ 回路基板 ２０ 銅電極 ２１ 還元ガス
Claims (8)
- 【請求項１】 電子部品を保持する手段と、球形の半田
ボールを前記電子部品の電極上に移送する手段と、前記
半田ボールを昇温溶融して電極に接合する手段を有する
半田ボール接合装置。 - 【請求項２】 半田ボールを移送する手段は吸着機能を
もつキャピラリーとした請求項１記載の半田ボール接合
装置。 - 【請求項３】 半田ボールを昇温溶融して電極に接合す
る手段は、前記半田ボール部にレーザー光を照射するレ
ーザー光照射装置である請求項１記載の半田ボール接合
装置。 - 【請求項４】 半田ボールを昇温溶融して電極に接合す
る手段は、前記半田ボール部に超音波を与える超音波装
置である請求項１記載の半田ボール接合装置。 - 【請求項５】 電子部品を保持する手段は、加熱手段お
よび吸着手段を有するステージと、半田ボールを保持す
る穴と電子部品を表出保持する穴をもつメタルマスクよ
りなる請求項１記載の半田ボール接合装置。 - 【請求項６】 半田ボールを電極に接合する手段は、半
田ボールに荷重を加える手段を有する請求項３または４
に記載の半田ボール接合装置。 - 【請求項７】 キャピラリーにより真空吸着保持した球
形の半田ボールを、台上に保持された電子部品の電極部
に移動する工程と、半田ボールを昇温溶融して接合する
工程よりなる半田ボール接合方法。 - 【請求項８】 半田ボールの接合工程において、還元ガ
スを供給する請求項７に記載の半田ボール接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176392A JPH0737890A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半田ボール接合装置およびその接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176392A JPH0737890A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半田ボール接合装置およびその接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737890A true JPH0737890A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16012860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176392A Pending JPH0737890A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 半田ボール接合装置およびその接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737890A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828031A (en) * | 1996-06-27 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Head transducer to suspension lead termination by solder ball place/reflow |
| US6046882A (en) * | 1996-07-11 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Solder balltape and method for making electrical connection between a head transducer and an electrical lead |
| DE19739481C2 (de) * | 1997-04-11 | 2001-02-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zum gleichzeitigen Aufbringen und Umschmelzen einer Mehrzahl von Lotkugeln auf ein Substrat |
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1993
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