JP4599929B2 - 電力用半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図5(a),(b)は内部配線の接続導体にリードフレームを採用した電力用半導体装置のモデル図であり、図において、1は放熱用金属ベース板、2は絶縁基板(セラミック板)2aの表,裏両面に銅箔を直接接合して導体パターン2b,2cを形成し、前記金属ベース板1に半田接合した回路基板(Direct Bonding Copper基板)、3は回路基板2の導体パターン2aに半田マウントした電力用の半導体チップ(例えばIGBT)、4が内部配線用のリードフレームである。ここで、リードフレーム4は帯状の銅板(タフピッチ銅,無酸素銅,リン青銅等)を図示のような逆U字形に曲げ加工した形状になり、その両端に形成した接合脚部4aが回路基板2の導体パターン2bに超音波接合されている。
ところで、前記した回路基板2,リードフレーム4を接合ワークとして、超音波ボンディングツール8を使ってワーク間を超音波接合する場合に、超音波ボンディングツールに加える加圧力,振動エネルギーの設定条件によって次記のような接合欠陥が生じ易くなる問題がある。すなわち、図6(a)の超音波接合前の状態でリードフレーム4,導体パターン2bの表面をミクロ的に見ると、金属表面には埃,油分,水分からなる吸着層が付着しており、さらにその下の表面が大気の雰囲気中で生成した自然酸化皮膜5,6で覆われている。このために、ボンディングツール8に加える加圧力,超音波振動のエネルギーが低いと、酸化皮膜5,6が十分に破壊されず、導体パターン2b,リードフレーム4の金属組成(銅の新性面)が未接触のまま、図6(b)の符号7で表すように酸化皮膜同士が凝着して固相結合した状態になる。しかも、この酸化皮膜同士の結合部分は脆性が高く、図示の接合状態でヒートサイクルなどによってリードフレーム4の接合面に繰り返し応力が加わると、図7(a)で示すように酸化皮膜結合部7の層内に凝集破壊が生じてクラックcが発生し、図7(b)で表すようにリードフレーム4が導体パターン2bから剥離して回路が不導通となるトラブルを引き起すおそれがある。
そこで、このような問題の対策として、リードフレーム4を超音波接合する際の前処理として、前記導体パターン2b,リードフレーム4の接合面にプラズマエッチング処理あるいは酸を用いたウエットエッチング処理を施して自然酸化膜5,6を除去した上で、低加圧力,低超音波振動エネルギーの条件で超音波接合することを試みたが、このような前処理を施すことは半導体装置の製造工程が増してコスト高になる。
かかる点、予熱に伴う銅箔の酸化膜成長を防ぐには、超音波ボンディングツールを含む接合装置全体を窒素ガスなどの不活性ガスで満たした大きな容器内に収容し、接合ワークの予熱開始から超音波接合終了までの全工程を大気雰囲気から隔離して行うことが考えられる。しかしながら、この方法を実施するには大掛かりな設備が必要となり、その設備にかかるコストが高くなる問題がある。
前記接合ワークの少なくとも一方を高温状態に予熱し、かつその接合面に向け不活性ガスを吹き付けて超音波接合を行うものとし、具体的には次記の態様で実施,実現することができる。
(1)前記の超音波接合法で、その工程を接合ワークの予熱工程と、該予熱工程に続く超音波接合工程とに分け、予熱工程では接合ワークを不活性ガス雰囲気中で加熱して後段の超音波接合工程に送り、超音波接合工程ではワークの接合面近傍に配したガス噴射ノズルより不活性ガスを接合面に吹き付けて超音波接合を行う(請求項1)。
(2)接合ワークのうち、回路基板に対する予熱温度を、リードフレームの接合以前に他の部材を回路基板の導体パターンに半田接合した半田の溶融温度以下に設定し、回路基板を予熱する際に、先に施した接合半田が再溶融するのを防ぐようにする(請求項2)。
(3)不活性ガスの吹き付け手段として、超音波ボンディングツールに付設してその外周に分散配置したガス噴射ノズルを通じてワークの接合面に不活性ガスを吹き付けるようにする(請求項3)。
(4)不活性ガスの吹き付け手段として、超音波ボンディングツール自身に穿孔してその外周域に分散形成したガス噴射通路を通じてワークの接合面に不活性ガスを吹き付けるようにする(請求項4)。
しかも、予熱された接合ワークを超音波ボンディングツールにセットして超音波接合を行う際に、外部から不活性ガスを接合面に吹き付けることにより接合面が周囲の大気雰囲気から隔離されるので、高温状態に加熱されるにもかかわらず、予熱開始以前の常温の保管状態で接合面に生じた自然酸化膜(常温状態での保管中に生じる自然酸化膜の膜厚はごく僅かである)の成長が予熱により急速に進んで膜厚が増大するのを防止できる。
ここで、回路基板(接合ワーク)を接合位置に載置セットするテーブル(図示せず),および超音波ボンディングツール8には予熱用のヒータ(電熱ヒータ)9を装備して稼働中は通電加熱の状態を保つようにしている。また、導体パターン2aおよびリードフレーム4の接合面に向けて、ボンディングツール8の側方にはガス噴出ノズル10を配置して不活性ガス源11に配管接続し、その配管途中にはガス加熱器12を設けてガス噴出ノズル10に供給する不活性ガスを加熱するようにしている。
この超音波接合方法により、予熱開始以前に接合ワークの接合面に生成している自然酸化膜の成長を防ぎつつ、予熱により接合面が軟化し易い高温状態となるので、続くボンディングツール8による接合工程では加圧力,超音波振動エネルギーを低めに設定しても、接合面には容易に塑性流動,酸化膜の破壊が生じてリードフレーム4と絶縁基板2aの導体パターン2bとの間が強固に超音波接合されることになる。なお、図示例では絶縁基板2aの導体パターン2bとリードフレーム4を予熱しているが、いずれか一方,例えば絶縁基板側のみを予熱して実施してもよい。
[実施例1]
[実施例2]
[実施例3]
なお、図3,図4の実施例では、ガス噴出ノズル10,ガス噴出通路8aの断面形状を円形としているが、これに限定されるものではなく、任意の断面形状で実施することができる。
[図面の簡単な説明]
2a 絶縁基板
2b 導体パターン(銅箔)
3 半導体チップ
4 リードフレーム
4a 接合脚部
5,6 自然酸化膜
8 超音波ボンディングツール
8a ガス噴射通路
9 予熱用ヒータ
10 ガス噴射ノズル
11 不活性ガス源
12 ガス加熱器
13 予熱炉
13b 予熱用ヒータ
Claims (5)
- 絶縁基板に導体パターンを形成して半導体チップをマウントした回路基板,および前記回路基板の導体パターンに接続するリードフレームを接合ワークとして、前記導体パターンにリードフレームの接合端面を重ね合わせ、その上に押し当てた超音波ボンディングツールを介してワーク間の接合面に加圧力と超音波振動を加えて直接金属接合する電力用半導体装置の製造方法において、
接合ワークの予熱工程と、該予熱工程に続く超音波接合工程とからなり、
予熱工程では接合ワークの少なくとも一方を不活性ガス雰囲気中で加熱して高温状態に予熱して後段の超音波接合工程に送り、超音波接合工程ではワークの接合面近傍に配したガス噴射ノズルより不活性ガスを接合面に吹き付けて超音波接合を行うことを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法において、回路基板の予熱温度を、リードフレームの接合以前に他の部材を回路基板に半田接合した半田の溶融温度以下に設定したことを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。
- 請求項1または2のいずれかに記載の製造方法において、超音波ボンディングツールに付設してその外周に分散配置したガス噴射ノズルを通じてワークの接合面に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。
- 請求項1または2のいずれかに記載の製造方法において、超音波ボンディングツール自身に穿孔してその外周域に分散形成したガス噴射通路を通じてワークの接合面に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の製造方法において、不活性ガスを予熱して接合ワークの接合面に吹き付けることを特徴とする電力用半導体装置の製造方法。
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