JPH02288345A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH02288345A
JPH02288345A JP1109302A JP10930289A JPH02288345A JP H02288345 A JPH02288345 A JP H02288345A JP 1109302 A JP1109302 A JP 1109302A JP 10930289 A JP10930289 A JP 10930289A JP H02288345 A JPH02288345 A JP H02288345A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
tool
inert gas
tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1109302A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Yamamoto
章博 山本
Shinya Matsumura
信弥 松村
Yutaka Makino
豊 牧野
Masato Hirano
正人 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1109302A priority Critical patent/JPH02288345A/ja
Publication of JPH02288345A publication Critical patent/JPH02288345A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/781—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/7828—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating
    • H01L2224/78282—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H01L2224/78302—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85238—Applying energy for connecting using electric resistance welding, i.e. ohmic heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ワイヤボンディング方法に関し、詳しくは
、導電材料からなる細線すなわちボンディングワイヤを
被接合面に加圧と同時に加熱して接合し、ＩＣチップ等
の電子部品の搭載もしくは実装における電気的接続を行
う方法に関するものである。
〔従来の技術〕
ワイヤボンディング方法は、ＩＣチップの各端子とＩＣ
パッケージのリード回路等、微細な回路同士の電気的接
続を行う方法として利用されている。ワイヤボンディン
グ方法のなかに、ボンディングワイヤを加圧および加熱
することによって、被接合面に金属接合させる、いわゆ
る熱圧着法があり、広く採用されている。また、ボンデ
ィングワイヤおよび被接合面に超音波振動を与えること
によって圧着する方法、いわゆる超音波法もあり、前記
熱圧着法と超音波法を併用することも行われている。
第４図は従来のワイヤボンディング工程を示しており、
ＩＣチップ１０を搭載基板２ｏの上に載せ、ＩＣチップ
ｌＯの端子電極１１と搭載基板２０のボンディングバソ
ト２１とを金線等からなるボンディングワイヤ３０で接
続する。ボンディングツール４０は、先端のキャピラリ
４１の中央の貫通孔４２にボンディングワイヤ３０を通
して、キャピラリ４１の先端からボンディングワイヤ３
０を引き出し、被接合面である電極１１もしくはパッド
２１にキャピラリ４１でワイヤ３０を加圧すると同時に
、ワイヤ３０と被接合面１１．２１の接触部分を加熱す
ることによって、両者が接合一体化される。
ワイヤ３０と被接合面１１．２１を加熱する手段として
は、従来、搭載基板２０全体を加熱板の上に搭載して加
熱する方法が採用されている。この場合、被接合面１１
．２１を構成する導電材料が、銅等の酸化され易い材料
からなるものであると、加熱雰囲気中の酸素等の作用で
酸化されてしまい、電気的性能等が低下するという問題
がある。そのため、従来は、搭載基板２０を加熱板とと
もに加熱炉の中に入れ、加熱炉の空気を窒素等の不活性
ガスで置換して、不活性ガス雰囲気中で加熱することが
行われている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、上記のように、不活性ガス雰囲気で加熱する
には、搭載基板２０全体を密封収容できる加熱炉等の設
備が必要であり、加熱できる搭載基板２０の大きさが加
熱炉の容量によって制限されるため、ＩＣパンケージ等
の搭載基板２０の大型化に適応できないという問題があ
った。加熱炉等の容量を大きくすれば上記問題は解決で
きるのであるが、そうすると、加熱炉等の設備が大型化
するとともに、使用する不活性ガスの量が増え、加熱に
要するエネルギーも増大する等、設備コストおよび稼動
コストが上昇するという問題が発生する。また、ＩＣチ
ップや搭載基板を加熱炉から出し入れする度に、炉内の
空気を不活性ガスで完全に置換してから、ボンディング
作業を行う必要がある等、作業時間が長くかかり、ボン
ディング作業の能率化あるいはＩＣパフケージ製造の生
産性を向上するのに障害となっている。
そこで、この発明の課題は、上記のようなワイヤボンデ
ィング方法において、ワイヤと被接合面との加熱手段を
改良し、従来技術における加熱炉等、大掛かりな設備を
必要とせずに、被接合面の酸化を確実に防止することが
でき、また、ボンディング作業の能率化を図ることので
きる方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決する、この発明にかかるワイヤボンディ
ング方法のうち、請求項１記載の方法は、ボンディング
ツール先端でボンディングワイヤを被接合面に加圧する
とともに、ボンディングツール先端付近のみに加熱され
た不活性ガスを供給してボンディングワイヤおよび被接
合面を加熱するようにしている。
ボンディングツールの基本的構造や、ボンブイフラール
先端の形状等は、通常のボンディングツールと同様のも
ので実施できる。ボンディングツールは、加圧および加
熱のみでボンディングワイヤを被接合面に接合させる、
単なる熱圧着法によるもの、および、ボンディング個所
に超音波振動を与える超音波法と前記熱圧着法を併用す
るもの等、加熱を必要とする任意の方法に適用すること
ができる。
不活性ガスとしては、窒素等、既知のボンディング方法
で使用されているのと同様の、通常の不活性ガスが用い
られる。不活性ガスの加熱温度はボンディングワイヤや
被接合面の材料の組み合わせや必要な接合強度等によっ
ても異なるが、通常のワイヤボンディング方法と同じよ
うな温度範囲で実施することができ、例えば、３５０℃
程度で実施できる。
不活性ガスをボンディングツールの先端付近に供給する
手段としては、ボンディングツールの別の部分において
通常の加熱手段で加熱された不活性ガスを、ボンディン
グツール内に設けられたガス通路を経て、ボンディング
ツールの先端に供給すればよい。例えば、ボンディング
ツールがキャピラリ構造を備えている場合には、キャピ
ラリの先端を囲むようにガス通路を設けておき、キャピ
ラリの中心から引き出されるボンディングワイヤの周辺
に不活性ガスを吹き付けるようにすればよい。また、ウ
ェッジ状のボンディングツール先端に、ガス通路となる
配管の端部を開口させておくものでもよい。その他、ボ
ンディングツール先端で、ワイヤと被接合面の加熱が必
要な一定範囲のみに確実に不活性ガスを供給できる構造
であれば、通常の機械装置等におけるガス供給構造や加
熱機構を組み合わせて実施することができる。
請求項２記載の方法は、ボンディングツール先端でボン
ディングワイヤを被接合面に加圧するとともに、ボンデ
ィングツールに電流を流し抵抗発熱させてボンディング
ワイヤおよび被接合面を加熱するようにしている。
ボンディングツールを抵抗発熱させるには、ボンディン
グツールの材料として、通電抵抗が高く発熱効率の良い
材料を用いる。具体的には、例えば、通常のツール材で
ある超硬合金等の材料が好ましい。ボンディングツール
のうち、抵抗発熱させるのは、ボンディングツールの先
端に近い部分等、ボンディングツールの一部でよい。少
なくともボンディングツール先端を所定の温度まで加熱
できるように、抵抗発熱部分の大きさおよび場所を設定
しておき、抵抗発熱させない部分は、絶縁体あるいは発
熱しない良導電体で形成しておいてもよい。ボンディン
グツールの抵抗発熱部分には、適当な配線および電源装
置が接続され、電流が供給される。電源装置などの電流
供給手段は、既知の一般的な手段が採用され、供給電流
の電圧や電力は、抵抗発熱体の材料および必要な加熱温
度等にしたがって適当に設定される。
ボンディングツール全体の構造や形状は、前記の抵抗発
熱部分および電流の供給手段を備えておく以外は、通常
の各種ボンディングツールと同様の構造および形状で実
施できる。
ボンディングツールを抵抗発熱させる方法と、前記した
ボンディングツール先端に不活性ガスを供給する方法を
併用して、ワイヤおよび被接合面を加熱することも可能
である。
〔作　　用〕
請求項１記載の発明によれば、加熱された不活性ガスを
供給することによって、加熱の必要なワイヤと被接合面
のみを効率良く加熱することができるとともに、加熱が
不活性ガスによって行われるので、被接合面が酸化され
る心配がない。したがって、従来のように、搭載基板全
体を加熱炉等の加熱雰囲気中に置いて加熱する必要がな
くなる請求項２記載の発明によれば、ボンディングツー
ルを抵抗発熱させることによって、ボンディングツール
先端が当接するボンディングワイヤおよび被接合面の、
極めて限定された狭い範囲のみを加熱することができる
。したがって、搭載基板および被接合面の他の場所や、
周囲の空気が高熱に加熱されることがないので、搭載基
板全体を不活性ガスで覆わなくても、被接合面が酸化さ
れる心配はない。したがって、請求項１記載の発明と同
様に、搭載基板全体を加熱炉等の加熱雰囲気中に置いて
加熱する必要がない。
〔実　施　例〕
ついで、この発明を、実施例を示す図面を参照しながら
以下に詳しく説明する。
第１図は、請求項１記載の発明にかかる実施例を示して
おり、キャピラリ構造のボンディングツールである。
ボンディングツール５０の水平なアーム部５１の先端に
、下方に向けて突出するキャピラリ部５２を備え、キャ
ピラリ部５２およびアーム部５１を上下方向に貫通して
ワイヤ挿通孔５３が設けられている。ボンディングワイ
ヤ３０がワイヤ挿通孔５３の上方から挿通されてキャピ
ラリ部５２の先端から引き出され、キャピラリ部５２の
先端面でワイヤ３０を被接合面に加圧する。これらの基
本的な構造は、従来の通常のキャピラリ構造を有するボ
ンディングツールと同様である。
キャピラリ部５２の外周を、ガス通路となる筒状体５４
が囲んでおり、筒状体５４の先端は、キャピラリ部５２
の先端付近に開口している。筒状体５４の上方側面には
、ガス供給口５５が設けられている。ガス供給口５５は
、図示していないが、適当なガス配管を経てガス供給装
置に接続されている。ガス供給装置は、窒素等の不活性
ガスのタンクおよび加熱用ヒータ等を備えており、適当
な温度まで加熱した不活性ガスを、ガス供給口５５から
筒状体５４に送り込み、筒状体５４の先端から吹き出す
ようになっている。
以上のような構造のボンディングツールを用いるワイヤ
ボンディング方法を説明する。
ＩＣチップ１０を搭載基板２０に載せ、まず、ボンディ
ングワイヤ３０の端部をＩＣチップ１０の端子電極１１
に接合し、つぎに、ボンディングワイヤ３０を引き出し
ながらキャピラリ部５２を搭載基板２０のボンディング
パット２１の上まで移動させて、搭載基板２０のポンデ
ィングパッド２１にボンディングワイヤ３０を接合する
のは、通常のボンディング方法と同じである。ボンディ
ングワイヤ３０の材料は、金やアルミ、銅等、通常のワ
イヤボンディング方法で用いられているのと同様の材料
で実施できる。ボンディングパ・７ド２１の材料も、金
、銅、アルミ等、通常の被接合面を構成する材料が用い
られるが、この発明は、被接合面の材料が、銅等、加熱
によって酸化され易い材料からなる場合に、特に有効で
ある。
第１図に示すように、キャピラリ部５２の先端でワイヤ
３０をボンディングパット２１に加圧しながら、筒状体
５４の先端から加熱された不活性ガスを吹き出すと、ワ
イヤ３０およびポンディングパッド２１が不活性ガスに
覆われ、不活性ガスに接触するワイヤおよびポンディン
グパッド２１が加熱させられる。なお、高熱の不活性ガ
スは筒状体５４内でキャピラリ部５２自体を加熱するこ
とにもなるので、加熱されたキャピラリ部５２がワイヤ
３０に接触することによってもワイヤ３０およびボンデ
ィングパット２１が加熱されたり、キャピラリ部５２の
中央を通るワイヤ３０が予備的に加熱されることもある
。また、ワイヤ３０およびボンディングパット２１を加
熱した不活性ガスは、熱を失って周囲に放出されるので
、ボンディングツール先端付近以外の搭載基板２０等が
高い温度に加熱されることはない。
不活性ガスによって加熱されると同時にキャピラリ部５
２の先端で加圧されたワイヤ３０およびポンディングパ
ッド２１は、いわゆる熱圧着によって一体的に接合する
ので、その後、ワイヤ３０を切断する等の、通常のワイ
ヤボンディング方法と同様の工程を行って、ＩＣチップ
１０と搭載基板２０のワイヤボンディング接続が完了す
る。
なお、上記方法において、ボンディングツールのキャピ
ラリ部５２を超音波振動させて、超音波によるワイヤ３
０とボンディングパット２１の接合作用を併用すれば、
不活性ガスによる加熱温度を低くすることができ、被接
合面の酸化防止をより確実に果たすことができるととも
に、加熱エネルギーを削減できる。
第２図および第３図は、請求項２記載の発明にかかる実
施例を示しており、ウェッジ構造のボンディングツール
を示している。
ボンディングツール６０は、抵抗発熱体である超硬合金
等からなり、クサビ状をなすツール先端部６１と、ツー
ル先端部６１の側面を両側から挟んで保持する一対の支
持アーム６２を備えている。支持アーム６２は、真鍮等
の良導電材料がらなり、ツール先端部６１の側面の外側
で上方に直角に屈曲した後、水平方向に屈曲するように
延長形成されている。支持アーム６２の水平な延長部分
の端部には、それぞれ配線６２．６２が接続され、配線
６２．６２は電源装置６４に接続されている。電源装置
６４は、抵抗発熱体部６１を所定の温度に加熱できるよ
うに、適当な電圧や電力に制御された、直流もしくは交
流の電流を供給できるようになっており、電流供給およ
び制御のための手段や電源装置６４の具体的な構造は、
既知の各種電源装置等と同様であるので、詳細な説明は
省略する。
上記のような構造を有するボンディングツールを用いる
ボンディング方法について、第２図および第３図にした
がって説明する。
第３図に示すように、ＩＣチップｌＯの端子電極１１と
搭載基板２０のボンディングパ・７ド２１をボンディン
グワイヤ３０で接続するという基本的な工程は、従来の
ボンディング方法と同じである。図示したように、搭載
基板２０のボンディングパット２１に、端部がＩＣチッ
プ１０の電極端子ｌｌに接合されたワイヤ３０を載せ、
その上をツール先端部６１で加圧する。なお、ツール先
端部６１の側方には、斜め方向にワイヤ保持孔６５が設
けてあり、ワイヤ３０の余長部分を保持しておけるよう
になっている。電源装置６４を作動させて、ツール先端
部６１に通電して抵抗発熱を起こすと、ツール先端部６
１の発熱が、直接ワイヤ３０の接触部分からポンディン
グパッド２１に伝わって、その部分を加熱することにな
り、ワイヤ３０がポンディングパッド２１に接合される
。ツール先端部６１の発熱は、ツール先端部６１が接触
しているワイヤ３０およびポンディングパッド２１の狭
い範囲にしか伝達されないので、搭載基板２０の他の部
分が加熱されたり酸化されたりすることはない。この実
施例のボンディング方法においても、前記した超音波法
を併用することができる。
〔発明の効果〕
以上に述べた、この発明にかかるボンディング方法のう
ち、請求項１記載の発明によれば、ボンディングツール
の先端で加圧する部分のボンディングワイヤおよび被接
合面のみを、不活性ガスで加熱できるので、従来のよう
に、搭載基板全体を不活性雰囲気中に置いて加熱する方
法に比べ、設備が小型化でき、稼動コストを削減できる
とともに、ボンディング作業全体の能率化を図ることが
できる。すなわち、従来の方法における、搭載基板全体
を密封収容して加熱する加熱炉のような大掛かりな設備
が不要になる。また、ボンディングを行う狭い範囲のみ
を加熱するので、加熱エネルギーも少なくて済む。従来
のように、加熱炉全体を不活性ガスで置換する必要がな
いので、不活性ガスの無駄も少なく、大量の不活性ガス
を置換したり加熱したりするための作業時間の無駄も無
くなる。搭載基板全体を高熱に加熱しないので、被接合
面の酸化を防止できるだけでなく、搭載基板のその他の
部分にも、高熱に曝されると悪影響が生じるような構造
部分や材料を使用することが可能になる。
請求項２記載の発明によれば、ボンディングツールを抵
抗発熱させることによって、ボンディングツールの先端
が当接するワイヤおよび被接合面の極めて限定された狭
い範囲のみを加熱するので、その他の部分が高熱に加熱
されて被接合面の酸化を起こすことがない。したがって
、前記請求項１記載の発明と同様に、従来の方法に比べ
て、加熱炉等の設備が不要になって設備が小型化でき、
稼動コストを削減できるとともに、ボンディング作業全
体の能率化を図ることができる。特に、この発明の場合
、不活性ガスを全く使用しな（でもよいので、不活性ガ
スの加熱設備も不要であり、設備の簡略化を一層図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例に用いるボンディング装置の
一部断面構造図、第２図は別の実施例に用いるボンディ
ング装置の概略構造斜視図、第３図は使用状態の正面図
、第４図は従来例の斜視図である。 １０・・・ＩＣチップ　２０・・・搭載基板　１１，２
１・・・被接合面　３０・・・ボンディングワイヤ　５
０・・・ボンディングツール　５４・・・筒状体（ガス
通路）　　６０・・・ボンディングツール　６１・・・
ツール先端部（抵抗発熱部分） 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第 図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　ボンディングツール先端でボンディングワイヤを被
    接合面に加圧するとともに、ボンディングツール先端付
    近のみに、加熱された不活性ガスを供給してボンディン
    グワイヤおよび被接合面を加熱するワイヤボンディング
    方法。 ２　ボンディングツール先端でボンディングワイヤを被
    接合面に加圧するとともに、ボンディングツールに電流
    を流し抵抗発熱させてボンディングワイヤおよび被接合
    面を加熱するワイヤボンディング方法。
JP1109302A 1989-04-28 1989-04-28 ワイヤボンディング方法 Pending JPH02288345A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1109302A JPH02288345A (ja) 1989-04-28 1989-04-28 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1109302A JPH02288345A (ja) 1989-04-28 1989-04-28 ワイヤボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02288345A true JPH02288345A (ja) 1990-11-28

Family

ID=14506746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1109302A Pending JPH02288345A (ja) 1989-04-28 1989-04-28 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02288345A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049456A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8186562B1 (en) * 2010-12-14 2012-05-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus for increasing coverage of shielding gas during wire bonding

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049456A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4599929B2 (ja) * 2004-08-03 2010-12-15 富士電機システムズ株式会社 電力用半導体装置の製造方法
US8186562B1 (en) * 2010-12-14 2012-05-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus for increasing coverage of shielding gas during wire bonding

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003197669A (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
JP3573133B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
KR880008437A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법과 이에 사용하는 와이어 본딩장치
US6698646B2 (en) Room temperature gold wire bonding
JPH02288345A (ja) ワイヤボンディング方法
TW200400575A (en) Initial ball forming method of wire bonding lead and wire bonding apparatus
JP3704113B2 (ja) ボンディングステージ及び電子部品実装装置
JP3728918B2 (ja) 基板、基板の製造方法及び突起製造装置
JPH0296342A (ja) ワイヤボンド装置
JPS61194735A (ja) 半導体装置
JPS6313337A (ja) 半導体素子の実装方法
JPH07283221A (ja) バンプの形成方法
KR100752664B1 (ko) 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치
JPS6379331A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP2929934B2 (ja) リードの熱圧着ヘッド
JP2846095B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6178128A (ja) 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル
JPS61237441A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP4201060B2 (ja) 半導体装置、およびその製造方法
JPH11163028A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2005251997A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS61190951A (ja) ボンデイング装置
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH05109809A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPS63208236A (ja) 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法