JPH01264234A - 被覆細線のボンディング装置 - Google Patents

被覆細線のボンディング装置

Info

Publication number
JPH01264234A
JPH01264234A JP63091404A JP9140488A JPH01264234A JP H01264234 A JPH01264234 A JP H01264234A JP 63091404 A JP63091404 A JP 63091404A JP 9140488 A JP9140488 A JP 9140488A JP H01264234 A JPH01264234 A JP H01264234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
thin wire
capillary
coated thin
connection part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63091404A
Other languages
English (en)
Inventor
Tosaku Kojima
東作 小島
Takeshi Kawana
川名 武
Satoshi Urayama
浦山 敏
Michio Okamoto
道夫 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63091404A priority Critical patent/JPH01264234A/ja
Priority to US07/277,645 priority patent/US4950866A/en
Priority to KR1019880016177A priority patent/KR910009779B1/ko
Publication of JPH01264234A publication Critical patent/JPH01264234A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268Discharge electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置やプリント基板において、導電材
の外周を絶縁材で被覆し九被覆細線を用いて電極間の配
線を行うのく好適な被覆細線のボンディング装置に関す
る。
〔従来の技術〕
従来、プリント基板等において、電極間を被覆細線LD
配線する必要がある場合には、「溶接技術J 1985
年3月号、第23〜27頁に記載のように、あらかじめ
電極面に半田めっきを施しておき、その上に被覆細線を
重ね、加熱したボンディングヘッドを押し当てて電極面
の半田を溶融させて、リフローソルダリング法により接
合する方法がとられてい九。この場合、被覆細線として
ポリウレタン被覆線などを使用すれば、500を程度で
被覆材が溶融し、電極面の半田が芯線の上に乗り移って
、接合が可能となる。
しかし、半導体装置の内部配線のように、電極面に金ま
几はアルミニウムなどの金属がめつきされている場合に
は、ボンディングワイヤは熱圧着のみで電極面に接合さ
れなければならない。この場合、前記のような絶縁被覆
ワイヤをそのまま熱圧着しても、溶融した被覆材が妨害
して完全な接合が困難であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術では、被覆細線をそのまま熱圧着し次場合
、ボンディングヘッドの熱により、当該チップに直接触
れない絶縁被覆部分まで溶は出し、接合すべき相手の電
極面に接触して芯線と電極面の接合を妨害するという問
題があり、完全な接合が得にくい原因となっていた。
本発明の目的は、上記し九従来技術の問題点を解決し、
金ま九はアルミニウムなどの金属がめっきされ九電極面
と被覆細線との圧着による接合が確実に行える被覆細線
のボンディング装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、被覆除去用の熱風ノズルと、第1ボンディ
ング終了後に上記熱風ノズルを待機位置から被覆細線の
第2ボンディング接続部に対向する所定高さ位置へ揺動
させる駆動手段とをボンディングヘッドに塔載して、上
記熱風ノズルから吹き出す熱風により第2ボンディング
接続部およびその周辺部の被覆を除去し、この被覆除去
された第2ボンディング接続部を超音波が印加されたキ
ャピラリで加圧し、相手の電極面に超音波溶接すること
により達成される〇 〔作用〕 本発明によるボンディング装置は、被覆細線を用いて半
導体装置等の電極間の配線を行う場合に使用されるもの
で、ネイルヘッドボンディング法により被覆細線の第1
ボンディングを行った後、立ち上がった被覆細線の第2
ボンディング接続部と対向する所定高さ位置に熱風ノズ
ルを揺動させて、第2ボンディング接続部およびその周
辺部に熱風を吹きつける。この場合、被覆細線の被覆材
としてポリウレタンのような加熱により気化する昇華性
の絶縁材を使用すれば、第2ボンディング接続部および
その周辺部の被覆は熱風によって残らず除去される。そ
の後、ボンディングヘッドをXY移動させるとともに、
被覆細線が貫通しているキャピラリを下降させて線材の
ルーピングを行い、超音波が印加され九キャピラリで線
材の第2ボンディング接続部を加圧して相手の電極面に
超音波溶接する。その際、前記のように第2ボンディン
グ接続部およびその周辺部の被覆は既に除去されておシ
、また超音波溶接ではヘッド部が高温にならないので、
従来のように第2ボンディングにおいて接続部周辺から
溶は出した被覆材により接合が妨害されることなく、確
実な接合ができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面により詳しく説明する。
第5図は本発明の対象製品の一例として示したフラット
パッケージICの内部構造の概略図であ!+、ICチッ
プ4上のポンディングパッドとリード8とは被覆細線1
によりワイヤボンディングされている。10はそのパッ
ケージである。
第4図は本発明の対象製品の他の例として示したフラッ
トパッケージICの内部構造の概略図であり、ICチッ
プ4のボンディングワイヤとして被覆細線、すなわち絶
縁被覆ワイヤ1を用いることによシ、ICの高密度実装
化に伴い、ワイヤ同志の交差や飛び越し配線が可能とな
ることを示している。
第5図は本発明による被覆細線を用いたICチップのボ
ンディング状態を示す図である。ボンディングワイヤと
しては、20〜100μm程度の直径をもつ金、アルミ
ニウムま九は銅等の導電材2の外周をポリウレタンのよ
うな加熱により気化する昇華性の絶縁材3で被覆した被
覆細線1が使用されている。被覆細線1とICチップ4
のポンディングパッド5とはネールへラドボンディング
法によって接合されてお9、具体的には第6図に示すよ
うに、導電材2と放電電極12との間に放電を生じさせ
ることにより、前記昇華性絶縁材3を揮発させて金ボー
ル15を形成し、さらに熱圧着により、ポンディングパ
ッド5と接合するボール圧縮部(第1ボンディング接続
部)6が形成されている。ま九、被覆細線1のリード側
接続部(第2ボンディング接続部)7は、後述するよう
にリード8のポンディングパッド9に超音波溶接によυ
接合されている。
第6図は被覆細線1のボール形成状態を示す図である。
特願昭62−40168号に記載のように、被覆細線の
導電材2を陽極側とし、放電電極12を陰極側として放
電を生じさせると、絶縁材3の溶は上がる童を最小とし
て、安定に金ボール15を形成することができる。11
はキャピラリである。
第1図に本発明によるボンディング装置の一実施例を示
す。14が熱風ノズルであり、圧送されてき九空気等の
ガス15ft内蔵し几ヒータ16により所定温度まで加
熱して噴射する。この熱風ノズル14は、駆動手段であ
るロータリアクチュエータ17により、被覆細線1に対
して揺動されるようになっている。ロータリアクチエエ
ータ17は、例えばベース21上に設置したりニアモー
タ20により軸22を支点として上下(X軸方向)に揺
動されるようなボンディングヘッド19にブラケット1
8を介して塔載されている。ボンディングヘッド19に
は、超音波振動子25と結合したボンディングツール2
4が固定されておυ、ボンディングツール24の先端に
取り付けられ九キャピラリ11は、ステージ25上に載
置されたICチップ4に対して上下動する。被覆細線1
は、ボンディングヘッド19上の線材ガイド27と線材
クランプ28の中を通ってキャピラリ11に導かれる。
第1図は、被覆細線1がキャピラリ11を貫通してIC
チップ4に第1ボンディングされ喪後、立ち上がったと
ころを示しており、立ち上かつ友被覆細線1の第2ボン
ディング接続部に熱風ノズル14から熱風26が噴射さ
れている状態である。
第2図は、ボンディングヘッド19、リニアモータ20
、ベース21ヲ含むボンディング部がXテーブル29、
Xテーブル50に塔載され、ボンディングツール24を
任意のXY座標位置に移動できることを示している。
第7図は本実施例による被覆細線のボンディング工程を
示す図である。
同図(α)は、キャピラリ11が下降し、被覆細線1を
ボール圧縮部6でICチップ上のポンディングパッド5
に接合する第1ボンディング工程を示し、このとき、熱
風′ノズル14はキャピラリ11と干渉しない側方位置
に待機している。
(AIは、第1ボンディング終了後、キャピラリ11が
上昇しているところを示し、熱風ノズル14は待機し九
ままである。
(C1は、キャピラリ11が配線の所定長さに相当する
高さで停止し、被覆細線1を線材クランプ28で把持し
た状態で、第2ボンディング接続部7と対向する位置に
熱風ノズル14を揺動させ、第2ボンディング接続部7
およびその周辺部の被覆を除去している工程を示す図で
ある。
(d)は、被覆除去後、熱風ノズル14が退避し、キャ
ピラリ11が下降して第2ボンディング接続部7で停止
した状態を示し、被覆細線1は線材クランプ28で把持
されている。
(−)は、被覆細線1を把持し之まま1キヤピラリ11
ヲさらに下降させ、同時に第2図に示すXYXテーブル
2950を移動させて、配線のルーピングを行っている
工程を示す図である。
(イ)は、XYテーブルを停止させ、被覆細線1を把持
し九まま、超音波が印加されたキャピラリ11で第2ボ
ンディング接続部7を加圧し、リード側ボンディングパ
プド9に超音波溶接する第2ボンディング工程を示す図
である。
なお、熱風ノズル14は、第1図に示すようにボンディ
ングヘッド19に塔載されているので、接続する配線の
長さに応じてリニアモータ20に信号を与えることによ
り、配線の所定高さ位置で被覆除去が可能である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、第1ボンディング終了後、立ち上、つ
た被覆細線の第2ボンディング接続部およびその周辺部
に熱風を噴射して被覆を除去し、この被覆除去された第
2ボンディング接続部が超音波溶接によってボンディン
グされるので、従来のように溶は出した被覆材により第
2ボンディング接続部の接合が妨害されることなく、確
実な接合が得られる。これにより、ICチップの内部配
線に絶縁被覆ワイヤの使用が可能となり、ICの高密度
実装化に伴い、内部配線がICチップの外周エツジに接
触し次場合のリーク電流の障害の発生金なくシ、また配
線同志の交差や飛び越し配線を行った場合にも短絡を防
止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるボンディング装置の一実施例を示
す縦断面図、第2図は第1図に示すボンディング部をX
Yテーブルに塔載しt状態を示す概略図、第5図は本発
明の対象製品の一例として示したフラットパッケージI
Cの内部構造の概略図、第4図は本発明の対象製品の他
の例として示したフラットパッケージICの内部構造の
概略図、第5図は本発明による被覆細線を用いたICチ
ップのボンディング状態を示す斜視図、第6図は被覆細
線のボール形成状態を示す図、第7図は上記実施例によ
るボンディング工程を示す図である。 1・・・被覆細線、2・・・導電材、5・・・絶縁材、
6・・・第1ボンディング接続部、7・・・第2ボンデ
ィング接続部、11・・・キャピラリ、14・・・熱風
ノズル、17・・・熱風ノズルの駆動手段であるロータ
リアクチ、エータ、19・・・ボンディングヘッド、2
0・・・リニアモータ、25・・・超音波振動子、24
・・・ボンディングツール、29・・・Xテーブル、5
0・・・Yテーブル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、導電材の外周を絶縁材で被覆した被覆細線のボンデ
    ィング装置において、被覆除去用の熱風ノズルと、第1
    ボンディング終了後に上記熱風ノズルを待機位置から被
    覆細線の第2ボンディング接続部に対向する所定高さ位
    置へ揺動させる駆動手段とをボンディングヘッドに搭載
    して、上記熱風ノズルから吹き出す熱風により第2ボン
    ディング接続部およびその周辺部の被覆を除去し、この
    被覆除去された第2ボンディング接続部を超音波が印加
    されたキャピラリで加圧し、相手の電極面に超音波溶接
    するようにしたことを特徴とする被覆細線のボンディン
    グ装置。
JP63091404A 1987-12-08 1988-04-15 被覆細線のボンディング装置 Pending JPH01264234A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63091404A JPH01264234A (ja) 1988-04-15 1988-04-15 被覆細線のボンディング装置
US07/277,645 US4950866A (en) 1987-12-08 1988-11-29 Method and apparatus of bonding insulated and coated wire
KR1019880016177A KR910009779B1 (ko) 1987-12-08 1988-12-05 절연피복 와이어의 와이어 본딩방법 및 그 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63091404A JPH01264234A (ja) 1988-04-15 1988-04-15 被覆細線のボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01264234A true JPH01264234A (ja) 1989-10-20

Family

ID=14025443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63091404A Pending JPH01264234A (ja) 1987-12-08 1988-04-15 被覆細線のボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01264234A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006050691A3 (de) * 2004-11-02 2006-09-21 Imasys Ag Verlegevorrichtung, kontaktiervorrichtung, zustellsystem, verlege- und kontaktiereinheit herstellungsanlage, verfahren zur herstellung und eine transpondereinheit
US7261230B2 (en) * 2003-08-29 2007-08-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonding insulated wire and capillary therefor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7261230B2 (en) * 2003-08-29 2007-08-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonding insulated wire and capillary therefor
WO2006050691A3 (de) * 2004-11-02 2006-09-21 Imasys Ag Verlegevorrichtung, kontaktiervorrichtung, zustellsystem, verlege- und kontaktiereinheit herstellungsanlage, verfahren zur herstellung und eine transpondereinheit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009779B1 (ko) 절연피복 와이어의 와이어 본딩방법 및 그 장치
US5795818A (en) Integrated circuit chip to substrate interconnection and method
US7064425B2 (en) Semiconductor device circuit board, and electronic equipment
JPH05283474A (ja) 半導体チップ・パッケージの形成方法およびそのためのチップ・ボンディング・テープ
US20030166333A1 (en) Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment
JPS59110128A (ja) 半導体装置にリ−ドを接続する方法
JPH04338648A (ja) 半導体装置のバンプ電極形成方法、表示装置及び電子印字装置
JPH01264234A (ja) 被覆細線のボンディング装置
JPH08107123A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法、その製造装置および半導体集積回路装置
JP4599929B2 (ja) 電力用半導体装置の製造方法
JP2009212258A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007035863A (ja) 半導体装置
JP2803211B2 (ja) 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
JPH0737890A (ja) 半田ボール接合装置およびその接合方法
JP2000323515A (ja) Icチップと回路基板との接続方法
JPH05347473A (ja) 配線基板
JP2504466B2 (ja) 熱圧着ヘッド
JPH0888249A (ja) フェイスダウンボンディング方法
JPH0644585B2 (ja) 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法
JPH09214128A (ja) ボンディングツール
JPH06216197A (ja) フリップチップボンディング装置
JPH04359457A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3548671B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3003435B2 (ja) 電子部品の製造方法および電子部品のボンディング方法
JPH0566982U (ja) 半田バンプの形成方法