JP3168889B2 - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板にフェー
スダウンに実装する半導体素子の実装方法に関する。
スダウンに実装する半導体素子の実装方法に関する。
【０００２】近年のＬＳＩ等の半導体素子は、表面に格
子状に少ないもので数百個多いもので数千個の電極が配
列したものがある。このような半導体素子はそれぞれの
電極にバンプを形成して、フェースダウンに回路基板に
実装される。
子状に少ないもので数百個多いもので数千個の電極が配
列したものがある。このような半導体素子はそれぞれの
電極にバンプを形成して、フェースダウンに回路基板に
実装される。
【０００３】バンプは一般に半田バンプであって、その
直径は 100μm 程度である。バンプは、電極上にバリア
メタル（多層金属膜) を形成しその上に半田めっきして
バンプとする。或いはガラス等の基板に形成したバンプ
を、半導体素子に転写する等して形成される。
直径は 100μm 程度である。バンプは、電極上にバリア
メタル（多層金属膜) を形成しその上に半田めっきして
バンプとする。或いはガラス等の基板に形成したバンプ
を、半導体素子に転写する等して形成される。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体素子の実装方法を図６に示
す。図において、２は半導体素子１の表面に格子状に配
列形成された電極である。10は、それぞれの電極２の表
面に形成された例えば半田等のバンプである。５は、半
導体素子１をフェースダウンに実装する回路基板であっ
て、実装面にそれぞれのバンプ10に対応してパッド６を
形成してある。
す。図において、２は半導体素子１の表面に格子状に配
列形成された電極である。10は、それぞれの電極２の表
面に形成された例えば半田等のバンプである。５は、半
導体素子１をフェースダウンに実装する回路基板であっ
て、実装面にそれぞれのバンプ10に対応してパッド６を
形成してある。
【０００５】20は、下端面を半導体素子１の裏面に密接
させ、軸心に設けた吸引孔21から空気を吸引すること
で、半導体素子１を吸着するツールである。ツール20は
熱膨張係数が小さい例えばモリブデン等の焼結合金から
構成され、ツール20の側壁から電線を導出し、スイッチ
25を介して電線を図示省略した電源に接続している。
させ、軸心に設けた吸引孔21から空気を吸引すること
で、半導体素子１を吸着するツールである。ツール20は
熱膨張係数が小さい例えばモリブデン等の焼結合金から
構成され、ツール20の側壁から電線を導出し、スイッチ
25を介して電線を図示省略した電源に接続している。
【０００６】スイッチ25をオンにしてツール20を加熱し
(400℃〜 470℃) 、その熱を半導体素子１を経てバンプ
10に伝達し、バンプ10を溶融温度（例えば 320℃) に加
熱するようにしている。
(400℃〜 470℃) 、その熱を半導体素子１を経てバンプ
10に伝達し、バンプ10を溶融温度（例えば 320℃) に加
熱するようにしている。
【０００７】このようなツール20を用いて半導体素子１
を回路基板５にフェースダウンに実装するには、図６の
(A) のようにそれぞれの電極２にバンプ10を形成した半
導体素子１を、ツール20で吸着する。
を回路基板５にフェースダウンに実装するには、図６の
(A) のようにそれぞれの電極２にバンプ10を形成した半
導体素子１を、ツール20で吸着する。
【０００８】そして、スイッチ25をオンにしてツール20
を加熱しバンプ10をほぼ融点温度に加熱し、図６の(B)
のようにツール20を押下して、半導体素子１の表面が回
路基板５の表面との距離が所定の設定高Ｈになるよう
に、半導体素子１を降下して、それぞれのバンプ10を対
応するパッド６に押圧し（押圧力はバンプ１個あたり約
６ｇ）、バンプ10をパッド６に熱圧着する。
を加熱しバンプ10をほぼ融点温度に加熱し、図６の(B)
のようにツール20を押下して、半導体素子１の表面が回
路基板５の表面との距離が所定の設定高Ｈになるよう
に、半導体素子１を降下して、それぞれのバンプ10を対
応するパッド６に押圧し（押圧力はバンプ１個あたり約
６ｇ）、バンプ10をパッド６に熱圧着する。
【０００９】この設定高Ｈとは、配列した状態で背丈の
低いバンプに所定の押圧力（約６ｇ）が付加される高さ
をいう。熱圧着終了後、ツール20の吸着を解除して半導
体素子１を切離すことで、図６の(C) に図示したように
半導体素子１がフェースダウンに回路基板５に実装され
る。
低いバンプに所定の押圧力（約６ｇ）が付加される高さ
をいう。熱圧着終了後、ツール20の吸着を解除して半導
体素子１を切離すことで、図６の(C) に図示したように
半導体素子１がフェースダウンに回路基板５に実装され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】多数のバンプを形成し
た半導体素子は、半導体素子にバンプを形成した状態で
配列したバンプの高さのばらつきは避けられない。
た半導体素子は、半導体素子にバンプを形成した状態で
配列したバンプの高さのばらつきは避けられない。
【００１１】熱圧着時に半導体素子の設定高を、背丈の
低いバンプに合わせて設定するという従来の実装方法
は、ツールを押下して半導体素子を設定高まで降下した
後でも、ツールが加熱され膨張するので半導体素子の高
さは設定高よりも小さくなる。
低いバンプに合わせて設定するという従来の実装方法
は、ツールを押下して半導体素子を設定高まで降下した
後でも、ツールが加熱され膨張するので半導体素子の高
さは設定高よりも小さくなる。
【００１２】したがって、背丈の高いバンプはより大き
く押圧されて横方向に伸び、隣接したバンプに接触しバ
ンプショートが発生するという問題点があった。本発明
はこのような点に鑑みて創作されたもので、バンプショ
ートが発生する恐れがない半導体素子の実装方法を提供
することを目的としている。
く押圧されて横方向に伸び、隣接したバンプに接触しバ
ンプショートが発生するという問題点があった。本発明
はこのような点に鑑みて創作されたもので、バンプショ
ートが発生する恐れがない半導体素子の実装方法を提供
することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は図１及び図４に例示したように、半導体素
子１を回路基板５にフェースダウンに実装する実装方法
において、それぞれの電極２にバンプ10を形成した半導
体素子１をツール20で吸着し、バンプ10が回路基板５の
パッド６に接触するまで半導体素子１を押下し、次に所
定量ａだけ半導体素子１を引き上げる。
めに本発明は図１及び図４に例示したように、半導体素
子１を回路基板５にフェースダウンに実装する実装方法
において、それぞれの電極２にバンプ10を形成した半導
体素子１をツール20で吸着し、バンプ10が回路基板５の
パッド６に接触するまで半導体素子１を押下し、次に所
定量ａだけ半導体素子１を引き上げる。
【００１４】ツール20に所定時間通電してツール20及び
バンプ10を加熱し、ツール20の熱膨張によりバンプ10を
パッド６に加圧し融着させる。その後通電をオフにする
と同時に半導体素子１の吸着を解除するものとする。
バンプ10を加熱し、ツール20の熱膨張によりバンプ10を
パッド６に加圧し融着させる。その後通電をオフにする
と同時に半導体素子１の吸着を解除するものとする。
【００１５】図３及び図５に例示したように、それぞれ
の電極２にバンプ10を形成した半導体素子１をツール20
で吸着し、バンプ10が回路基板５のパッド６に接触する
まで半導体素子１を押下し、次に所定量ａだけ該半導体
素子１を引き上げる。
の電極２にバンプ10を形成した半導体素子１をツール20
で吸着し、バンプ10が回路基板５のパッド６に接触する
まで半導体素子１を押下し、次に所定量ａだけ該半導体
素子１を引き上げる。
【００１６】ツール20に所定時間通電してツール20及び
バンプ10を加熱し、ツール20の熱膨張によりバンプ10を
パッド６に加圧し融着させる。その後通電をオフにし、
通電オフ後の所定時間後に、半導体素子１の吸着を解除
するものとする。
バンプ10を加熱し、ツール20の熱膨張によりバンプ10を
パッド６に加圧し融着させる。その後通電をオフにし、
通電オフ後の所定時間後に、半導体素子１の吸着を解除
するものとする。
【００１７】或いは、バンプ数量が多い半導体素子１に
は熱膨張係数が大きいツール20を使用し、バンプ数量が
少ない半導体素子１には熱膨張係数が小さいツール20を
使用する構成とする。
は熱膨張係数が大きいツール20を使用し、バンプ数量が
少ない半導体素子１には熱膨張係数が小さいツール20を
使用する構成とする。
【００１８】さらにまた、バンプ径が大きい半導体素子
１には熱膨張係数が大きいツール20を使用し、バンプ径
が小さい半導体素子１には熱膨張係数が小さいツール20
を使用する構成とする。
１には熱膨張係数が大きいツール20を使用し、バンプ径
が小さい半導体素子１には熱膨張係数が小さいツール20
を使用する構成とする。
【００１９】バンプ10をパッド６に接触した後に、所定
量半導体素子１を引き上げ、ツール20の熱膨張量だけで
バンプ10を回路基板５のパッド６に熱圧着するという請
求項１の本発明によれば、背丈の高いバンプ10も必要量
以上に大きく圧縮されることがない。よってバンプショ
ートの発生が抑制される。
量半導体素子１を引き上げ、ツール20の熱膨張量だけで
バンプ10を回路基板５のパッド６に熱圧着するという請
求項１の本発明によれば、背丈の高いバンプ10も必要量
以上に大きく圧縮されることがない。よってバンプショ
ートの発生が抑制される。
【００２０】通電オフ後の所定時間後に半導体素子の吸
着を解除するという請求項２の発明によれば、通電オフ
することでツール20が収縮するので、バンプ10がパッド
６に融着した状態で半導体素子１が引き上げられる。よ
って、バンプが背丈の高い好ましい鼓形になる。
着を解除するという請求項２の発明によれば、通電オフ
することでツール20が収縮するので、バンプ10がパッド
６に融着した状態で半導体素子１が引き上げられる。よ
って、バンプが背丈の高い好ましい鼓形になる。
【００２１】請求項３，４の発明によれば、ツール20及
びバンプ10の加熱条件を一定に設定して、バンプ10に望
ましい加圧力を付与することができるので、バンプとパ
ッドとの接合の信頼度が高い。
びバンプ10の加熱条件を一定に設定して、バンプ10に望
ましい加圧力を付与することができるので、バンプとパ
ッドとの接合の信頼度が高い。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下図を参照しながら、本発明を
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。
具体的に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一
対象物を示す。
【００２３】図１は第１の実施の形態を説明する図、図
２は第１の実施の形態による半導体素子の実装図、図３
は第２の実施の形態を説明する図である。図４は第１の
実施の形態のフローチャートであり、図５は第２の実施
の形態のフローチャートである。
２は第１の実施の形態による半導体素子の実装図、図３
は第２の実施の形態を説明する図である。図４は第１の
実施の形態のフローチャートであり、図５は第２の実施
の形態のフローチャートである。
【００２４】図において、２は半導体素子１の表面に格
子状に配列形成した電極である。10は、それぞれの電極
２の表面に形成された例えば半田等のバンプである。図
１に示すバンプ数は数百個であり、その直径は 100μm
より小さい。
子状に配列形成した電極である。10は、それぞれの電極
２の表面に形成された例えば半田等のバンプである。図
１に示すバンプ数は数百個であり、その直径は 100μm
より小さい。
【００２５】５は、半導体素子１をフェースダウンに実
装する回路基板であって、実装面にそれぞれのバンプ10
に対応してパッド６を形成してある。20は、下端面を半
導体素子１の裏面に密接させ、軸心に設けた吸引孔21か
ら空気を吸引することで、半導体素子１を吸着するツー
ルである。
装する回路基板であって、実装面にそれぞれのバンプ10
に対応してパッド６を形成してある。20は、下端面を半
導体素子１の裏面に密接させ、軸心に設けた吸引孔21か
ら空気を吸引することで、半導体素子１を吸着するツー
ルである。
【００２６】ツール20は熱膨張係数が半導体素子１の熱
膨張係数にほぼ等しい例えばモリブデン等の焼結合金か
ら構成されている。そしてツール20の側壁から電線を導
出し図示省略した電源に接続している。
膨張係数にほぼ等しい例えばモリブデン等の焼結合金か
ら構成されている。そしてツール20の側壁から電線を導
出し図示省略した電源に接続している。
【００２７】また、電線にスイッチ25を介在させ、スイ
ッチ25をオンにすることでツール20を所定の温度(440℃
〜470 ℃) に加熱し、ツール20の温度を半導体素子１を
経てバンプ10に伝達しバンプ10を溶融温度（約 320℃)
に加熱するようにしている。
ッチ25をオンにすることでツール20を所定の温度(440℃
〜470 ℃) に加熱し、ツール20の温度を半導体素子１を
経てバンプ10に伝達しバンプ10を溶融温度（約 320℃)
に加熱するようにしている。
【００２８】このようなツール20を用いて半導体素子１
を回路基板５にフェースダウンに実装するには、図１の
(A),(B),(C),(D) に示す工程図、及び図４のフローチャ
ートに示すように、それぞれの電極２にバンプ10を形成
した半導体素子１を、ツール20で吸着する。
を回路基板５にフェースダウンに実装するには、図１の
(A),(B),(C),(D) に示す工程図、及び図４のフローチャ
ートに示すように、それぞれの電極２にバンプ10を形成
した半導体素子１を、ツール20で吸着する。
【００２９】そして、ツール20を降下してバンプ10の下
部を回路基板５の対応するパッド６に接触させる。バン
プ10がパッド６に接触した後に、ツール20を真っ直ぐ上
方に引き上げ、所定量ａだけ半導体素子１を引き上げ、
回路基板５の表面と半導体素子１の下面との距離をｂ1
とする。
部を回路基板５の対応するパッド６に接触させる。バン
プ10がパッド６に接触した後に、ツール20を真っ直ぐ上
方に引き上げ、所定量ａだけ半導体素子１を引き上げ、
回路基板５の表面と半導体素子１の下面との距離をｂ1
とする。
【００３０】半導体素子１を引き上げる所定量ａとは、 （所定温度に加熱した時のツールの熱膨張量ｃ−バンプ
を圧縮使用とする寸法） をいう。
を圧縮使用とする寸法） をいう。
【００３１】そして、ツール20に通電し（通電時間は約
６秒）し、ツール20を所定の温度(440℃〜470 ℃) に加
熱し、ツール20の温度を半導体素子１を経てバンプ10に
伝達し、バンプ10を溶融温度（約 320℃) に加熱する。
６秒）し、ツール20を所定の温度(440℃〜470 ℃) に加
熱し、ツール20の温度を半導体素子１を経てバンプ10に
伝達し、バンプ10を溶融温度（約 320℃) に加熱する。
【００３２】このことにより、ツール20が膨張（熱膨張
量ｃ）し、半導体素子１が降下し、回路基板５の表面と
半導体素子１の下面との距離がｂ2 になる。即ち、バン
プ10が押圧され（熱膨張量ｃ−所定量ａ）だけ圧縮さ
れ、それぞれのバンプ10が対応するパッド６に押圧され
（押圧力はバンプ１個あたり約６ｇ）パッド６に熱圧着
する。
量ｃ）し、半導体素子１が降下し、回路基板５の表面と
半導体素子１の下面との距離がｂ2 になる。即ち、バン
プ10が押圧され（熱膨張量ｃ−所定量ａ）だけ圧縮さ
れ、それぞれのバンプ10が対応するパッド６に押圧され
（押圧力はバンプ１個あたり約６ｇ）パッド６に熱圧着
する。
【００３３】所定時間通電（約６秒）後、スイッチ25を
オフにすると同時に、半導体素子１の吸着を解除して、
図２に図示したように、半導体素子１をフェースダウン
に回路基板５に実装する。
オフにすると同時に、半導体素子１の吸着を解除して、
図２に図示したように、半導体素子１をフェースダウン
に回路基板５に実装する。
【００３４】上述のような半導体素子の実装方法である
ので、ツール20の熱膨張量だけでバンプ10を回路基板５
のパッド６に熱圧着するのであるから、配列形成された
バンプ10の背丈にばらつきがあっても、背丈の高いバン
プ10も必要量以上に大きく圧縮されることがない。よっ
てバンプショートの発生が抑制される。
ので、ツール20の熱膨張量だけでバンプ10を回路基板５
のパッド６に熱圧着するのであるから、配列形成された
バンプ10の背丈にばらつきがあっても、背丈の高いバン
プ10も必要量以上に大きく圧縮されることがない。よっ
てバンプショートの発生が抑制される。
【００３５】バンプ個数が数千個と多い半導体素子１を
実装する際には、熱膨張係数が大きいツール（例えば鋼
系合金）を使用する。また、バンプ径が大きい（例えば
120μm)半導体素子１には熱膨張係数が大きいツール20
を使用する。
実装する際には、熱膨張係数が大きいツール（例えば鋼
系合金）を使用する。また、バンプ径が大きい（例えば
120μm)半導体素子１には熱膨張係数が大きいツール20
を使用する。
【００３６】このようにツールの材質を選択すること
で、ツール及びバンプの加熱条件を一定に設定してまま
で、バンプに望ましい加圧力を付与することができるの
で、バンプとパッドとの接合の信頼度が向上する。
で、ツール及びバンプの加熱条件を一定に設定してまま
で、バンプに望ましい加圧力を付与することができるの
で、バンプとパッドとの接合の信頼度が向上する。
【００３７】また他の半導体素子の実装方法は、図３及
び図５のフローチャートに示すように、それぞれの電極
２にバンプ10を形成した半導体素子１を、ツール20で吸
着する。
び図５のフローチャートに示すように、それぞれの電極
２にバンプ10を形成した半導体素子１を、ツール20で吸
着する。
【００３８】そして、ツール20を降下してバンプ10の下
部を回路基板５の対応するパッド６に接触させる。バン
プ10がパッド６に接触した後に、ツール20を真っ直ぐ上
方に引き上げ、所定量だけ半導体素子１を引き上げる。
部を回路基板５の対応するパッド６に接触させる。バン
プ10がパッド６に接触した後に、ツール20を真っ直ぐ上
方に引き上げ、所定量だけ半導体素子１を引き上げる。
【００３９】そして、ツール20に通電し（通電時間は約
６秒）し、ツール20を所定の温度(440℃〜470 ℃) に加
熱し、ツール20の温度を半導体素子１を経てバンプ10に
伝達し、バンプ10を溶融温度（約 320℃) に加熱する。
６秒）し、ツール20を所定の温度(440℃〜470 ℃) に加
熱し、ツール20の温度を半導体素子１を経てバンプ10に
伝達し、バンプ10を溶融温度（約 320℃) に加熱する。
【００４０】このことにより、ツール20が膨張し半導体
素子が降下し、バンプ10が押圧され圧縮されて、それぞ
れのバンプ10が対応するパッド６に押圧され（押圧力は
バンプ１個あたり約６ｇ）パッド６に融着する。
素子が降下し、バンプ10が押圧され圧縮されて、それぞ
れのバンプ10が対応するパッド６に押圧され（押圧力は
バンプ１個あたり約６ｇ）パッド６に融着する。
【００４１】所定時間通電（約６秒）後、スイッチ25を
オフにして、ツール20を冷却し収縮させ、ツール20の収
縮に伴い半導体素子１を僅かに引き上げ、所定時間後
（ツールが20μm 程度収縮する時間でほぼ５秒) に、半
導体素子１の吸着を解除する。
オフにして、ツール20を冷却し収縮させ、ツール20の収
縮に伴い半導体素子１を僅かに引き上げ、所定時間後
（ツールが20μm 程度収縮する時間でほぼ５秒) に、半
導体素子１の吸着を解除する。
【００４２】このことにより、図３の(B) に図示したよ
うに背丈の高い鼓形のバンプ10-1になる。一般に半導体
素子と回路基板とは熱膨張係数が異なる。したがって環
境温度が変化するとバンプに剪断力が付与されるが、鼓
形のバンプは樽形のバンプよりも耐剪断応力が強い。し
たがって、上述のような半導体素子の実装方法によると
バンプと回路基板との接合の信頼度がさらに向上する。
うに背丈の高い鼓形のバンプ10-1になる。一般に半導体
素子と回路基板とは熱膨張係数が異なる。したがって環
境温度が変化するとバンプに剪断力が付与されるが、鼓
形のバンプは樽形のバンプよりも耐剪断応力が強い。し
たがって、上述のような半導体素子の実装方法によると
バンプと回路基板との接合の信頼度がさらに向上する。
【００４３】一方、鼓形のバンプは背丈が高いので、半
導体素子１と回路基板５との間に合成樹脂を封入する作
業が容易になる。
導体素子１と回路基板５との間に合成樹脂を封入する作
業が容易になる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように構成されているので、本発
明は下記のような効果を有する。半導体素子をリフロー
半田付けしてフェースダウンに実装する方法に比べて、
実装時間が非常に短い。
明は下記のような効果を有する。半導体素子をリフロー
半田付けしてフェースダウンに実装する方法に比べて、
実装時間が非常に短い。
【００４５】バンプ数が多い半導体素子に適用して、バ
ンプの背丈にばらつきがあっても、バンプと回路基板と
の接合の信頼度が高く、且つバンプショートの発生が抑
制される。
ンプの背丈にばらつきがあっても、バンプと回路基板と
の接合の信頼度が高く、且つバンプショートの発生が抑
制される。
【００４６】熱膨張係数の異なるツールを選択すること
で、バンプ個数の数量、或いはバンプ径の大小ある半導
体素子に適用して、ツール及びバンプの加熱条件を一定
に設定してままで、バンプに望ましい加圧力を付与する
ことができ、バンプと回路基板との接合の信頼度が高
い。
で、バンプ個数の数量、或いはバンプ径の大小ある半導
体素子に適用して、ツール及びバンプの加熱条件を一定
に設定してままで、バンプに望ましい加圧力を付与する
ことができ、バンプと回路基板との接合の信頼度が高
い。
【００４７】ツールの冷却収縮を利用して鼓形のバンプ
とする実装方法は、引張応力に強いバンプを容易に得ら
れる。また半導体素子と回路基板との間に合成樹脂を封
入する作業が容易になる。
とする実装方法は、引張応力に強いバンプを容易に得ら
れる。また半導体素子と回路基板との間に合成樹脂を封
入する作業が容易になる。
【図１】第１の実施の形態を説明する図である。
【図２】第１の実施の形態による半導体素子の実装図で
ある。
ある。
【図３】第２の実施の形態を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態のフローチャートである。
【図５】第２の実施の形態のフローチャートである。
【図６】従来方法を説明する図である。
１ 半導体素子 ２ 電極 ５ 回路基板 ６ パッド 10,10-1 バンプ 21 吸引孔 25 スイッチ
Claims (3)
- 【請求項１】 バンプを形成した半導体素子をツールを
用いて吸着し、 ツールを加熱し、ツールの熱膨張によりバンプを回路基
板が有するパッドに加圧し融着させる半導体素子の実装
方法であって、 前記バンプが前記パッドに接触するまで半導体素子を押
下し、 次に所定量だけ半導体素子を引き上げてからツールを加
熱することを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項２】 バンプを形成した半導体素子をパッドを
形成した回路基板にツールを用いて実装する実装方法で
あって、 半導体素子をツールで吸着し、 バンプがパッドに接触するまで半導体素子を押下し、 次に所定量だけ半導体素子を引き上げ、 ツールを加熱し、ツールの熱膨張によりバンプをパッド
に加圧し融着させた後、半導体素子の吸着を解除するこ
とを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項３】 半導体素子の種類に応じて熱膨張係数が
異なるツールを使用することを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27301595A JP3168889B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27301595A JP3168889B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115948A JPH09115948A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3168889B2 true JP3168889B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=17521978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27301595A Expired - Fee Related JP3168889B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3168889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3471531B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2003-12-02 | 松下電器産業株式会社 | バンプ付きワークのボンディング方法 |
| JP4097333B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2008-06-11 | 松下電器産業株式会社 | Ｉｃチップ実装機 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP27301595A patent/JP3168889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115948A (ja) | 1997-05-02 |
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