JPS6297341A - ボンディング装置及びボンディング方法 - Google Patents

ボンディング装置及びボンディング方法

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JPS6297341A
JPS6297341A JP23666185A JP23666185A JPS6297341A JP S6297341 A JPS6297341 A JP S6297341A JP 23666185 A JP23666185 A JP 23666185A JP 23666185 A JP23666185 A JP 23666185A JP S6297341 A JPS6297341 A JP S6297341A
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JP
Japan
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semiconductor element
bonding tool
bonding
lead
heat
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Application number
JP23666185A
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English (en)
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JPH0666361B2 (ja
Inventor
Kenzo Hatada
畑田 賢造
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフィルムキャリヤのリードと半導体素子とを接
続する装置に関するものである。
従来の技術 フィルム状のリードと半導体素子上のアルミニウム電極
とを金属突起を介して接続するいわゆるフィルムキャリ
ヤ方式は、薄型あるいは小を化に適した実装方法として
活用されている。第2図において従来のフィルムキャリ
ヤ方式のフィルムリードと半導体素子上の電極との接合
方法についてのべる。
半導体素子1の電極2とフィルムキャリヤ3のCuiを
エツチング加工し、Srメッキ処理したリード4とが位
置合せされる。この時、金属突起6は前記半導体素子1
の電極2上に多層金属膜(バリヤメタル)を介して形成
しても良いし、転写バンプ方式によってリード側に形成
しても良い。
第2図は転写バンプ方式によってリード側に金属突起を
形成したものである。前記半導体素子1はステージ24
上に置かれ、ヒータ21を有するボンディングツール2
0によって、前記リード4上から加圧、加熱23する。
次で、加圧、加熱23を取去れば、金属突起6がムUで
構成されているならば、金属突起6と半導体素子1上の
アルミニウム電極2とはAu、人eの合金で接合される
ものである。また、前記ボンディングツール20の温度
は360〜650’Cに達する。
発明が解決しようとする問題点 この様な接合においてはボンディングツールの温度が比
較的高いために、ボンディングツール2oの底面とり一
部4とが癒着し、リード4を破損したり、金属突起6と
半導体素子1の電極2との接合強度も低下さすものであ
った。
また、接合時にボンディングツール20の底面にリード
4上に表面処理しであるSnが耐着し、これが高温のた
めに酸化物化し、熱伝導の悪い層を形成し、前記ボンデ
ィングツール底面からのリードへの熱伝導を悪く、接合
部の温度が不安定になる。このため接合強度の信頼性を
低下せしめるものであった。
問題点を解決するための手段 本発明は従来の問題点を一掃するため、前記半導体素子
の裏面に加圧、加熱する機構を設けたものである。
作用 ボンディングツールが直接リードと接触せず半導体素子
の裏面のみと接する構造であるから、前記ボンディング
ツールにリードが癒着したり、付着物によるボンディン
グツール底面の熱の伝導が悪くなるといった事がなくな
るものである。
実施例 第1図で本発明の詳細な説明する。フィルムキャリヤ3
のリード4には転写バンプ方式により金属突起6が接合
され、加圧、加熱するためボンディングツール6上には
、半導体素子1が設置されている。一方、前記リード4
の上方で、半導体素子1と対向する位置に耐熱ガラス1
0を有する治具9が設けられている。
この状態でボンディングツール6を上昇し治具9を下降
せしめれば、金属突起6と半導体素子1の電極2を接合
する事ができる。すなわち、ボンディングツール6のヒ
ータ7の熱は半導体素子1に伝達され、接合部を加熱す
る事になる。また第1図の構成でボンディングツール6
は固定しておき、耐熱ガラス1oを有する治具9のみを
下降。
上昇12して加圧しても良い。前記ボンディングツール
8は常時加熱式のものでも良いが、ボンディング時のみ
加熱するいわゆるパルス加熱方式を用いる事もでき、治
具9の耐熱性絶縁材10は。
石英、耐熱ガラスあるいはセラミック等を用いる事がで
き、治具9にヒータを設けある程度の温度で耐熱性絶縁
材1oを加熱しておれば、ボンディングツールの温度を
下げる事ができる。
次に他の実施例を第3図でのべる。ボンディング時にお
いてフィルムキャリヤ3のリード4は耐熱ガラスやセラ
ミックである耐熱性絶縁材で構成された治具43上に設
置され、半導体素子1はその裏面を加圧、加熱するだめ
のボンディングツール4oに保持されている。リード4
上の金属突起6と半導体素子1の電極との位置合せが終
れば、ボンディングツール40を下降42せしめ、ボン
ディングを行なうものである。
第1図、第3図の実施例において、金属突起6はリード
4上に形成した例を示したが、半導体素子の電極上に多
層金属膜を介して金属突起を形成した構成のものを用い
ても良い。
この様な構成であれば、高温のボンディングツールがリ
ードに直接接触する事がない。
発明の効果 次に本発明の効果についてのべる。
■ ボンディングツールとリードが直接接触せず、半導
体素子の裏面から加熱するから、ボンディングツールと
リードとの癒着がなく、リードの損傷が発生しないばか
りか、接合部の信頼性も著しるしく向上する。
■ リードからの付着物であるSnとの汚れがボンディ
ングツールに付着しないから、接合部に安定な温度を供
給でき、確実な接合が得られるばかりか、ボンディング
ツール底面の汚れをとるためのクリーニング工程が不要
となり、かつボンディングツールの磨耗が著しるしく小
さい。
■ 従来はフィルムキャリヤの開孔部からリードを加圧
、加熱する構造であるから、開孔部の寸法にボンディン
グツールの寸法が依存するところがちった。ところが本
発明は半導体素子の裏面から加熱加圧する構造であるか
ら、ボンディングツールは、その寸法、形状を自由に設
計できるから、温度分布の安定なボンディングツールが
得られ、安定で信頼性の高い接合が得られる。
■ また、ボンディングツールの材質を、従来はダイヤ
モンド等の高価なものを必要としていたが、本発明の構
造であれば癒着等の問題が発生しないので、通常の鋼材
を用いる事ができるから、ボンディングツールのコスト
を著しるしく安価できる。
■ 直接、高温のボンディングツールにフィルムキャリ
ヤテープがさらされないから、熱によるフィルムキャリ
ヤテープのたわみやリードピッチのずれが発生しない。
■ 更に、ボンディング時にリード側に石英や耐熱性ガ
ラスを設けて置くと、半導体素子の裏面から加えられた
熱は前記リードと接している石英や耐熱性ガラスにこも
り半導体素子裏面の温度よりも高くなるから、その分、
ボンディングツールの温度を下げられ、過度な温度を半
導体素子に加える必要がなく、熱から半導体素子を保護
する事ができる。
【図面の簡単な説明】
構造図、第3図は本発明の他の実施例のボンディング時
の断面構造図である。 1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・電極、3・
・・・・・フィルムキャリヤ、4・・・・・・リード、
6・・・・・・金属突起、6・・・・・・ボンディング
ツール。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フィルムリードと半導体素子の主面に形成した電
    極とを金属突起を介して接合する装置において、前記半
    導体素子の他面から加圧、加熱治具で、加圧、加熱する
    ことを特徴とするボンディング装置。
  2. (2)少なくとも半導体素子の他面を加圧、加熱する際
    、フィルムリード側に耐熱性絶縁材が設置されることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のボンディング装
    置。
JP60236661A 1985-10-23 1985-10-23 ボンディング装置及びボンディング方法 Expired - Lifetime JPH0666361B2 (ja)

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