JPH03291938A - 半導体装置のバンプ形成方法 - Google Patents
半導体装置のバンプ形成方法Info
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- JPH03291938A JPH03291938A JP2092165A JP9216590A JPH03291938A JP H03291938 A JPH03291938 A JP H03291938A JP 2092165 A JP2092165 A JP 2092165A JP 9216590 A JP9216590 A JP 9216590A JP H03291938 A JPH03291938 A JP H03291938A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＴＡＢ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｅ＋ａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装に用いられるバンプ形成方法に
関するものである。
Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装に用いられるバンプ形成方法に
関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
２−２８５４４７号に示すようなものがあった。
２−２８５４４７号に示すようなものがあった。
第２図は、従来の半導体素子の電気的接続点の形成工程
図である。
図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、キャピラリ４を通し
た金属ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボー
ル３を形成する。該ボール３をＩＣ基材１上の電極パッ
ド２に固着した後、ボール３のつけ根の金属ワイヤの部
分で切断することによって、第２図（ｂ）に示すように
、突出電極５を形成する０次いで、第２図（ｃ）に示す
ように、加熱ヘッド９上の別に用意された支持基材７上
の低融点合金又は金属８を溶融させる。その後、全ての
電極バッド２上に突出電極５が形成されたＩＣチップ６
上の突出電極５を溶融した低融点合金又は金属８と対向
させて圧着すると、第２図（ｄ）に示すように、潰れた
突出電極ｌＯ上のみに低融点合金又は金属８が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第２図（ｅ）に
示すように、ＩＣチップ６の電極バッド２上に形成され
た突出電極５と低融点合金又は金属８とからなる電気的
接続接点と、ガラス基板１１上のＩＴＯ電極１２とを対
向させ圧着した後、加熱へンド１３によって潰れた突出
電極１０上の低融点合金又は金属８を溶融させて固着す
ると、ＩＣチップ６とガラス基板１１とを接続すること
ができる。
た金属ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボー
ル３を形成する。該ボール３をＩＣ基材１上の電極パッ
ド２に固着した後、ボール３のつけ根の金属ワイヤの部
分で切断することによって、第２図（ｂ）に示すように
、突出電極５を形成する０次いで、第２図（ｃ）に示す
ように、加熱ヘッド９上の別に用意された支持基材７上
の低融点合金又は金属８を溶融させる。その後、全ての
電極バッド２上に突出電極５が形成されたＩＣチップ６
上の突出電極５を溶融した低融点合金又は金属８と対向
させて圧着すると、第２図（ｄ）に示すように、潰れた
突出電極ｌＯ上のみに低融点合金又は金属８が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第２図（ｅ）に
示すように、ＩＣチップ６の電極バッド２上に形成され
た突出電極５と低融点合金又は金属８とからなる電気的
接続接点と、ガラス基板１１上のＩＴＯ電極１２とを対
向させ圧着した後、加熱へンド１３によって潰れた突出
電極１０上の低融点合金又は金属８を溶融させて固着す
ると、ＩＣチップ６とガラス基板１１とを接続すること
ができる。
（発明が解決しようとする課！り
しかしながら、以上述べた方法では、金属ワイヤの先端
を各電極にボール３を熱圧着して固着した後、ボール３
のつけ根の金属ワイヤの部分で切断し、突出電極５を形
成していたが、各電極ごとにキャピラリ４を通した金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボール３を
形成しなければならない０通常キャピラリ４を用いてボ
ール３を作る場合には金属以外の金属接点（ダミー）に
−度ボンディングして、ガス炎又は静電放電によってボ
ール３を形成するが、ボール３を１個作るたびにダミ一
部に配線しなければならないという問題点があった。
を各電極にボール３を熱圧着して固着した後、ボール３
のつけ根の金属ワイヤの部分で切断し、突出電極５を形
成していたが、各電極ごとにキャピラリ４を通した金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボール３を
形成しなければならない０通常キャピラリ４を用いてボ
ール３を作る場合には金属以外の金属接点（ダミー）に
−度ボンディングして、ガス炎又は静電放電によってボ
ール３を形成するが、ボール３を１個作るたびにダミ一
部に配線しなければならないという問題点があった。
本発明は、上記問題点を除去し、電極上に直接バンプを
形成し、作業性に優れた半導体装置のバンプ形成方法を
提供することを目的とする。
形成し、作業性に優れた半導体装置のバンプ形成方法を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、半導体装置のバンプ形成方法において、半導
体装置の主表面に形成された複数の電極上に金属を含有
したクリームを形成する工程と、前記電極上のクリーム
を選択的に加熱し、前記金属を溶融させる工程とを施す
ようにしたものである。
体装置の主表面に形成された複数の電極上に金属を含有
したクリームを形成する工程と、前記電極上のクリーム
を選択的に加熱し、前記金属を溶融させる工程とを施す
ようにしたものである。
特に、前記加熱はレーザにより行うようにしている。
（作用）
本発明によれば、上記のように、半導体装置主表面に形
成された電極上にハンダ粒子を混入させたハンダクリー
ムをシルク印刷等の方法で形成し、各電極部をレーザに
よって加熱し、電極上のハンダクリームのハンダ粒子を
溶融させ、前記電極上にバンプを形成する。
成された電極上にハンダ粒子を混入させたハンダクリー
ムをシルク印刷等の方法で形成し、各電極部をレーザに
よって加熱し、電極上のハンダクリームのハンダ粒子を
溶融させ、前記電極上にバンプを形成する。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す半導体素子のバンプ形成
工程断面図である。
工程断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、主表面に電極２２が
形成されている半導体素子２１をセットする。
形成されている半導体素子２１をセットする。
次に、第１図（ｂ）に示すように、電極２２が形成され
ている主表面の全面にハンダクリーム２３を形成する。
ている主表面の全面にハンダクリーム２３を形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、ハンダクリーム２３
を形成した半導体素子２１の電極２２の上方を、レーザ
２５で加熱し、ハンダクリーム２３を蒸発、溶融させて
バンプ２４を形成する。
を形成した半導体素子２１の電極２２の上方を、レーザ
２５で加熱し、ハンダクリーム２３を蒸発、溶融させて
バンプ２４を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、バンプ２４が形成さ
れた箇所以外に残されたハンダクリーム２３′を、有機
溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
れた箇所以外に残されたハンダクリーム２３′を、有機
溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
第３図は本発明の他の実施例を示す半導体素子のバンプ
形成工程断面図である。
形成工程断面図である。
まず、第３図（ａ）に示すように、主表面に電極２２が
形成されている半導体素子２１をセットする。
形成されている半導体素子２１をセットする。
次に、第３図（ｂ）に示すように、半導体素子２１主表
面の電極２２の表面のみに、ハンダクリーム２６を形成
する。
面の電極２２の表面のみに、ハンダクリーム２６を形成
する。
次に、第３図（ｃ）に示すように、ハンダクリーム２６
を形成した半導体素子２１の電極２２の上方を、レーザ
２５で加熱し、ハンダクリーム２６を蒸発、溶融させて
バンプ２７を形成する。
を形成した半導体素子２１の電極２２の上方を、レーザ
２５で加熱し、ハンダクリーム２６を蒸発、溶融させて
バンプ２７を形成する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、バンプ２７が形成さ
れた箇所以外に残されたハンダクリーム２６′は、有Ｉ
Ｉ溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
れた箇所以外に残されたハンダクリーム２６′は、有Ｉ
Ｉ溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
このように構成すると、バンプ２７を形成後に残ったハ
ンダクリームを除去するのが容易である。
ンダクリームを除去するのが容易である。
上記したように、ハンダクリームの加熱をレーザで行う
時には、レーザによる微小スポットを得ることが容易で
あり、また、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅
速、かつ的確に実施することができる。
時には、レーザによる微小スポットを得ることが容易で
あり、また、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅
速、かつ的確に実施することができる。
なお、ハンダクリームの厚さ及びハンダ粒の濃度によっ
て、種々バンプの高さを調節することができる。従って
、−度限りでなく、−度バンプを形成した後、再度ハン
ダクリームを表面に形成し、バンプを形成することによ
って、バンプの高さ、いわゆる金属量を確保することが
できることはもとよりで複数回、繰り返してバンプを形
成するようにしてもよい。
て、種々バンプの高さを調節することができる。従って
、−度限りでなく、−度バンプを形成した後、再度ハン
ダクリームを表面に形成し、バンプを形成することによ
って、バンプの高さ、いわゆる金属量を確保することが
できることはもとよりで複数回、繰り返してバンプを形
成するようにしてもよい。
また、電極２２の表面には、種々の金属膜を形成してお
くことにより、密着、拡散等の向上を図ることができる
。
くことにより、密着、拡散等の向上を図ることができる
。
これらの工程は、不活性雰囲気で行うことによりて、酸
化等の影響をなくすようにするのが望ましい。
化等の影響をなくすようにするのが望ましい。
更に、ハンダクリーム形成後に、必要であれば、予熱を
行うようにしてもよい、また、レーザ加熱時に高温雰囲
気で行うこともできる。
行うようにしてもよい、また、レーザ加熱時に高温雰囲
気で行うこともできる。
なお、上記実施例におけるハンダクリームの成分につい
てはインジウム、スズ、金−錫等を用いることができ、
その成分を限定するものではない。
てはインジウム、スズ、金−錫等を用いることができ、
その成分を限定するものではない。
また、ハンダクリームを用いたが、ハンダに限定するも
のではな（、金属を含有したクリームをもって足りる。
のではな（、金属を含有したクリームをもって足りる。
また、上記したバンプの形成は、個片に分割された半導
体素子の状態で行っているが、個片に分割される以前の
ウェハの状態で行うようにしてもよい。従って、電極が
形成されるものは半導体装置であればよい。
体素子の状態で行っているが、個片に分割される以前の
ウェハの状態で行うようにしてもよい。従って、電極が
形成されるものは半導体装置であればよい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
装置電極上に金属を含有するクリームを形成し、該電極
上のクリームに含有される金属を溶融してバンプを形成
するようにしたので、作業が簡略化され、生産性の向上
を図ることができる。
装置電極上に金属を含有するクリームを形成し、該電極
上のクリームに含有される金属を溶融してバンプを形成
するようにしたので、作業が簡略化され、生産性の向上
を図ることができる。
また、ハンダクリームの加熱をレーザで行う時には、レ
ーザによる微小スポットを得ることが容易であり、また
、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅速、かつ的
確に行うことができる。
ーザによる微小スポットを得ることが容易であり、また
、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅速、かつ的
確に行うことができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体素子のバンプ形成
工程断面図、第２図は従来の半導体素子の電気的接続点
の形成工程図、第３図は本発明の他の実施例を示す半導
体素子のバンプ形成工程断面図である。 ２２・・・電極、２１・・・半導体素子、２３．２６・
・・ハンダクリーム、２５・・・レーザ、 ２４．２７
・・・バンプ。
工程断面図、第２図は従来の半導体素子の電気的接続点
の形成工程図、第３図は本発明の他の実施例を示す半導
体素子のバンプ形成工程断面図である。 ２２・・・電極、２１・・・半導体素子、２３．２６・
・・ハンダクリーム、２５・・・レーザ、 ２４．２７
・・・バンプ。
Claims (2)
- （１） （ａ）半導体装置の主表面に形成された複数の電極上に
金属を含有したクリームを形成する工程と、（ｂ）前記
電極上のクリームを選択的に加熱し、前記金属を溶融さ
せる工程とを有する半導体装置のバンプ形成方法。 - （２）前記加熱はレーザによることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092165A JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2092165A JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291938A true JPH03291938A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14046817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2092165A Pending JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027307A1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von lothöckern |
| JP2000208918A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Ueda Japan Radio Co Ltd | プリント配線基板へのパタ―ン状のはんだバンプの形成方法 |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092165A patent/JPH03291938A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027307A1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von lothöckern |
| JP2000208918A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Ueda Japan Radio Co Ltd | プリント配線基板へのパタ―ン状のはんだバンプの形成方法 |
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