JPH03291938A - 半導体装置のバンプ形成方法 - Google Patents
半導体装置のバンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH03291938A JPH03291938A JP2092165A JP9216590A JPH03291938A JP H03291938 A JPH03291938 A JP H03291938A JP 2092165 A JP2092165 A JP 2092165A JP 9216590 A JP9216590 A JP 9216590A JP H03291938 A JPH03291938 A JP H03291938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- cream
- metal
- semiconductor device
- bumps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000006071 cream Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、TAB (Tape Autoe+ated
Bonding)実装に用いられるバンプ形成方法に
関するものである。
Bonding)実装に用いられるバンプ形成方法に
関するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭6
2−285447号に示すようなものがあった。
2−285447号に示すようなものがあった。
第2図は、従来の半導体素子の電気的接続点の形成工程
図である。
図である。
まず、第2図(a)に示すように、キャピラリ4を通し
た金属ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボー
ル3を形成する。該ボール3をIC基材1上の電極パッ
ド2に固着した後、ボール3のつけ根の金属ワイヤの部
分で切断することによって、第2図(b)に示すように
、突出電極5を形成する0次いで、第2図(c)に示す
ように、加熱ヘッド9上の別に用意された支持基材7上
の低融点合金又は金属8を溶融させる。その後、全ての
電極バッド2上に突出電極5が形成されたICチップ6
上の突出電極5を溶融した低融点合金又は金属8と対向
させて圧着すると、第2図(d)に示すように、潰れた
突出電極lO上のみに低融点合金又は金属8が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第2図(e)に
示すように、ICチップ6の電極バッド2上に形成され
た突出電極5と低融点合金又は金属8とからなる電気的
接続接点と、ガラス基板11上のITO電極12とを対
向させ圧着した後、加熱へンド13によって潰れた突出
電極10上の低融点合金又は金属8を溶融させて固着す
ると、ICチップ6とガラス基板11とを接続すること
ができる。
た金属ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボー
ル3を形成する。該ボール3をIC基材1上の電極パッ
ド2に固着した後、ボール3のつけ根の金属ワイヤの部
分で切断することによって、第2図(b)に示すように
、突出電極5を形成する0次いで、第2図(c)に示す
ように、加熱ヘッド9上の別に用意された支持基材7上
の低融点合金又は金属8を溶融させる。その後、全ての
電極バッド2上に突出電極5が形成されたICチップ6
上の突出電極5を溶融した低融点合金又は金属8と対向
させて圧着すると、第2図(d)に示すように、潰れた
突出電極lO上のみに低融点合金又は金属8が転写され
、電気的接続接点が形成される。また、第2図(e)に
示すように、ICチップ6の電極バッド2上に形成され
た突出電極5と低融点合金又は金属8とからなる電気的
接続接点と、ガラス基板11上のITO電極12とを対
向させ圧着した後、加熱へンド13によって潰れた突出
電極10上の低融点合金又は金属8を溶融させて固着す
ると、ICチップ6とガラス基板11とを接続すること
ができる。
(発明が解決しようとする課!り
しかしながら、以上述べた方法では、金属ワイヤの先端
を各電極にボール3を熱圧着して固着した後、ボール3
のつけ根の金属ワイヤの部分で切断し、突出電極5を形
成していたが、各電極ごとにキャピラリ4を通した金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボール3を
形成しなければならない0通常キャピラリ4を用いてボ
ール3を作る場合には金属以外の金属接点(ダミー)に
−度ボンディングして、ガス炎又は静電放電によってボ
ール3を形成するが、ボール3を1個作るたびにダミ一
部に配線しなければならないという問題点があった。
を各電極にボール3を熱圧着して固着した後、ボール3
のつけ根の金属ワイヤの部分で切断し、突出電極5を形
成していたが、各電極ごとにキャピラリ4を通した金属
ワイヤの先端に熱によるエネルギーを加えてボール3を
形成しなければならない0通常キャピラリ4を用いてボ
ール3を作る場合には金属以外の金属接点(ダミー)に
−度ボンディングして、ガス炎又は静電放電によってボ
ール3を形成するが、ボール3を1個作るたびにダミ一
部に配線しなければならないという問題点があった。
本発明は、上記問題点を除去し、電極上に直接バンプを
形成し、作業性に優れた半導体装置のバンプ形成方法を
提供することを目的とする。
形成し、作業性に優れた半導体装置のバンプ形成方法を
提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、半導体装置のバンプ形成方法において、半導
体装置の主表面に形成された複数の電極上に金属を含有
したクリームを形成する工程と、前記電極上のクリーム
を選択的に加熱し、前記金属を溶融させる工程とを施す
ようにしたものである。
体装置の主表面に形成された複数の電極上に金属を含有
したクリームを形成する工程と、前記電極上のクリーム
を選択的に加熱し、前記金属を溶融させる工程とを施す
ようにしたものである。
特に、前記加熱はレーザにより行うようにしている。
(作用)
本発明によれば、上記のように、半導体装置主表面に形
成された電極上にハンダ粒子を混入させたハンダクリー
ムをシルク印刷等の方法で形成し、各電極部をレーザに
よって加熱し、電極上のハンダクリームのハンダ粒子を
溶融させ、前記電極上にバンプを形成する。
成された電極上にハンダ粒子を混入させたハンダクリー
ムをシルク印刷等の方法で形成し、各電極部をレーザに
よって加熱し、電極上のハンダクリームのハンダ粒子を
溶融させ、前記電極上にバンプを形成する。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す半導体素子のバンプ形成
工程断面図である。
工程断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、主表面に電極22が
形成されている半導体素子21をセットする。
形成されている半導体素子21をセットする。
次に、第1図(b)に示すように、電極22が形成され
ている主表面の全面にハンダクリーム23を形成する。
ている主表面の全面にハンダクリーム23を形成する。
次に、第1図(c)に示すように、ハンダクリーム23
を形成した半導体素子21の電極22の上方を、レーザ
25で加熱し、ハンダクリーム23を蒸発、溶融させて
バンプ24を形成する。
を形成した半導体素子21の電極22の上方を、レーザ
25で加熱し、ハンダクリーム23を蒸発、溶融させて
バンプ24を形成する。
次に、第1図(d)に示すように、バンプ24が形成さ
れた箇所以外に残されたハンダクリーム23′を、有機
溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
れた箇所以外に残されたハンダクリーム23′を、有機
溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
第3図は本発明の他の実施例を示す半導体素子のバンプ
形成工程断面図である。
形成工程断面図である。
まず、第3図(a)に示すように、主表面に電極22が
形成されている半導体素子21をセットする。
形成されている半導体素子21をセットする。
次に、第3図(b)に示すように、半導体素子21主表
面の電極22の表面のみに、ハンダクリーム26を形成
する。
面の電極22の表面のみに、ハンダクリーム26を形成
する。
次に、第3図(c)に示すように、ハンダクリーム26
を形成した半導体素子21の電極22の上方を、レーザ
25で加熱し、ハンダクリーム26を蒸発、溶融させて
バンプ27を形成する。
を形成した半導体素子21の電極22の上方を、レーザ
25で加熱し、ハンダクリーム26を蒸発、溶融させて
バンプ27を形成する。
次に、第3図(d)に示すように、バンプ27が形成さ
れた箇所以外に残されたハンダクリーム26′は、有I
I溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
れた箇所以外に残されたハンダクリーム26′は、有I
I溶剤、アルコール等で洗浄除去する。
このように構成すると、バンプ27を形成後に残ったハ
ンダクリームを除去するのが容易である。
ンダクリームを除去するのが容易である。
上記したように、ハンダクリームの加熱をレーザで行う
時には、レーザによる微小スポットを得ることが容易で
あり、また、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅
速、かつ的確に実施することができる。
時には、レーザによる微小スポットを得ることが容易で
あり、また、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅
速、かつ的確に実施することができる。
なお、ハンダクリームの厚さ及びハンダ粒の濃度によっ
て、種々バンプの高さを調節することができる。従って
、−度限りでなく、−度バンプを形成した後、再度ハン
ダクリームを表面に形成し、バンプを形成することによ
って、バンプの高さ、いわゆる金属量を確保することが
できることはもとよりで複数回、繰り返してバンプを形
成するようにしてもよい。
て、種々バンプの高さを調節することができる。従って
、−度限りでなく、−度バンプを形成した後、再度ハン
ダクリームを表面に形成し、バンプを形成することによ
って、バンプの高さ、いわゆる金属量を確保することが
できることはもとよりで複数回、繰り返してバンプを形
成するようにしてもよい。
また、電極22の表面には、種々の金属膜を形成してお
くことにより、密着、拡散等の向上を図ることができる
。
くことにより、密着、拡散等の向上を図ることができる
。
これらの工程は、不活性雰囲気で行うことによりて、酸
化等の影響をなくすようにするのが望ましい。
化等の影響をなくすようにするのが望ましい。
更に、ハンダクリーム形成後に、必要であれば、予熱を
行うようにしてもよい、また、レーザ加熱時に高温雰囲
気で行うこともできる。
行うようにしてもよい、また、レーザ加熱時に高温雰囲
気で行うこともできる。
なお、上記実施例におけるハンダクリームの成分につい
てはインジウム、スズ、金−錫等を用いることができ、
その成分を限定するものではない。
てはインジウム、スズ、金−錫等を用いることができ、
その成分を限定するものではない。
また、ハンダクリームを用いたが、ハンダに限定するも
のではな(、金属を含有したクリームをもって足りる。
のではな(、金属を含有したクリームをもって足りる。
また、上記したバンプの形成は、個片に分割された半導
体素子の状態で行っているが、個片に分割される以前の
ウェハの状態で行うようにしてもよい。従って、電極が
形成されるものは半導体装置であればよい。
体素子の状態で行っているが、個片に分割される以前の
ウェハの状態で行うようにしてもよい。従って、電極が
形成されるものは半導体装置であればよい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
装置電極上に金属を含有するクリームを形成し、該電極
上のクリームに含有される金属を溶融してバンプを形成
するようにしたので、作業が簡略化され、生産性の向上
を図ることができる。
装置電極上に金属を含有するクリームを形成し、該電極
上のクリームに含有される金属を溶融してバンプを形成
するようにしたので、作業が簡略化され、生産性の向上
を図ることができる。
また、ハンダクリームの加熱をレーザで行う時には、レ
ーザによる微小スポットを得ることが容易であり、また
、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅速、かつ的
確に行うことができる。
ーザによる微小スポットを得ることが容易であり、また
、レーザ照射の位置決めもロボットにより迅速、かつ的
確に行うことができる。
第1図は本発明の実施例を示す半導体素子のバンプ形成
工程断面図、第2図は従来の半導体素子の電気的接続点
の形成工程図、第3図は本発明の他の実施例を示す半導
体素子のバンプ形成工程断面図である。 22・・・電極、21・・・半導体素子、23.26・
・・ハンダクリーム、25・・・レーザ、 24.27
・・・バンプ。
工程断面図、第2図は従来の半導体素子の電気的接続点
の形成工程図、第3図は本発明の他の実施例を示す半導
体素子のバンプ形成工程断面図である。 22・・・電極、21・・・半導体素子、23.26・
・・ハンダクリーム、25・・・レーザ、 24.27
・・・バンプ。
Claims (2)
- (1) (a)半導体装置の主表面に形成された複数の電極上に
金属を含有したクリームを形成する工程と、(b)前記
電極上のクリームを選択的に加熱し、前記金属を溶融さ
せる工程とを有する半導体装置のバンプ形成方法。 - (2)前記加熱はレーザによることを特徴とする請求項
1記載の半導体装置のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092165A JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2092165A JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03291938A true JPH03291938A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14046817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2092165A Pending JPH03291938A (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | 半導体装置のバンプ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03291938A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995027307A1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von lothöckern |
JP2000208918A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Ueda Japan Radio Co Ltd | プリント配線基板へのパタ―ン状のはんだバンプの形成方法 |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP2092165A patent/JPH03291938A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995027307A1 (de) * | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von lothöckern |
JP2000208918A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Ueda Japan Radio Co Ltd | プリント配線基板へのパタ―ン状のはんだバンプの形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5284796A (en) | Process for flip chip connecting a semiconductor chip | |
JPH0644584B2 (ja) | 合金結合インジュウムバンプおよびその処理方法 | |
JPH07226416A (ja) | 半導体チップパッケージおよびその製造方法 | |
JP2000031204A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2002507838A (ja) | フリップチップアセンブリのための洗浄不要フラックス | |
JP3232872B2 (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
JPH03291938A (ja) | 半導体装置のバンプ形成方法 | |
JPH0831848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03116838A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPH05190599A (ja) | 半導体装置の組立方法 | |
Hilleringmann | Packaging of Integrated Circuits | |
JPH05136201A (ja) | 半導体装置用電極と実装体 | |
JPH0778847A (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
JPH0483353A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPH0357223A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5953708B2 (ja) | フリツプチツプのフエイスボンデイング法 | |
JP3346169B2 (ja) | バンプの形成方法 | |
JPH098046A (ja) | 半導体チップの突起電極形成方法 | |
JPS55110048A (en) | Pellet bonding method | |
JPH05315337A (ja) | 半導体装置用電極とその実装体 | |
JPS62174931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05144872A (ja) | バンプ電極の接合方法 | |
JP2000151085A (ja) | 電子回路装置及び電子部品の配線基板実装方法 | |
KR20020052569A (ko) | 반도체패키지용 회로기판의 도전성볼 융착 방법 | |
JPH05190552A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |