JPH01274440A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH01274440A
JPH01274440A JP63105208A JP10520888A JPH01274440A JP H01274440 A JPH01274440 A JP H01274440A JP 63105208 A JP63105208 A JP 63105208A JP 10520888 A JP10520888 A JP 10520888A JP H01274440 A JPH01274440 A JP H01274440A
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lead frame
heater
wire bonding
terminal
porous
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Keiki Eto
衛藤　敬基
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    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はワイヤボンディング方法に関し、特に半導体ペ
レットとリードフレームとのワイヤボンディング方法に
関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置のワイヤボンディング方法の１つに、
第４図に示すように、直径２５〜５０μｍの金線２の先
端を水素炎（図示せず）で融解し、金線２の先端にでき
た球をタングステン又はセラミックなどの加圧治具とし
てのキャピラリ１で半導体ペレット（以下ペレットと記
す）３の端子４上にボールボンディングした後、キャピ
ラリ１を引上げリードフレーム５の端子部６にスティッ
チボンディングし、ペレット３とリードフレーム５を配
線接続するネールへットボンディングがある。ネールへ
ットボンデイングによる接合作業中は、ペレット３．キ
ャピラリ１及びリードフレーム５は３００〜３５０℃に
加熱され、同時に金線２は端子４及び端子部６上に一定
の加圧力で短時間押付けられ熱圧着される。
加熱のためのヒータブロック９及びヒータプレート７は
、第５図に示すような構成になっていて、ペレット３の
端子部分及びリードフレーム５の端子部分のみでなく、
全体が加熱される構造になっている、又、第６図に示す
ように、確実にスティッチボンディングを行うためにリ
ードフレーム５の端子部６からやや離れた外周を治具と
してのワーク押え１３により押えている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のワイヤボンディング方法は、接合作業中
にワーク押えによりリードフレームを固定する必要があ
るので、その調整作業に時間を要し、かつ、調整不十分
によるリードフレームの送り誤りで不良品が発生すると
いう欠点がある。
又、最近、熱伝導性の面で銅製のリードフレームの使用
が多くなり全面加熱のためにリードフレーム表面が酸化
されるという欠点がある。
更に、工期及び工数削減の目的でめっき工程を省略する
ために内装めっきとともに外装めっきがすでに施された
いわゆる色めっきリードフレームがあるが、色めっきリ
ードフレームを用いた場合外装めっきの半田の融点（約
１８４℃）より全面加熱のヒータプレート上の温度の方
が高いなめ、半田めっきが融解してしまい半田実装前に
一度半田が融解するので、半田付は性が劣化するという
欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のワイヤボンディング方法は、半導体ベレットの
第１の端子部分とリードフレームの第２の端子部分を金
属細線で接続する際に多数の気孔を有するポーラス部と
金属板部とから成るヒータプレートを用い前記第１の端
子部分と前記第２の端子部分とを前記ヒータプレートの
金属板部で加熱し、前記ヒータプレートのポーラス部で
前記リードフレームを真空吸着するように構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施
例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体装置
の平面図及び要部拡大断面図、第２図は第１図のヒータ
部の斜視図である。
第１図及び第２図に示すように、ベレット３の端子４と
リードフレーム５の端子部６とを金線２にて接続時に、
加熱すべき端子部下面に金属板部１０が接触し他の部分
にはセラミックの無数の気孔を有するポーラス部８（第
２図において理解しやすいよう上面を網状に表示する）
が接触するような形状のヒータプレート７１Ｉにより、
第１図（ａ）に破線と破線で囲って示す、金属板部１０
に対向する領域を局部的に加熱しながらワイヤボンディ
ングを行う。
この際ポーラス部８の無数の気孔（＃１０００で直径的
１０μｍ）から、リードフレーム５をヒータ１２を有す
るヒータブロック９．に設けた真空吸引口１１により吸
引してリードの浮きやそりを抑える。なお、直径１０μ
ｍ程度の気孔のポーラステーブルでは、ある程度、真空
吸着時に漏れがあっても吸引に支障を生じないため、リ
ードフレーム５のリード部の吸着は可能である。
更に、第１図に示すように、ベレット３をリードフレー
ム５の搭載部にダイボンディングしているが、搭載部の
ないリードフレームのワイヤボンディングでも本発明を
適用できる。
第３図は本発明の第２の実施例に用いるヒータプレート
の斜視図である。
第３図に示すように、ヒータプレート７ｂは無数の気孔
を有するポーラス部８１　（第３図において理解しやす
いよう上面を網状に表示する）と加熱部の金属板部１０
．が一体化した金属から成るメタルポーラスプレートと
なっている。
このようなヒータプレート７ｂはポーラス部８、に対面
する部分の温度をあまり下げる必要のない場合に用いる
ことができる。なお、ヒータプレート７ｂの場合も金属
板１０１に比べて低温となるなめ気孔の径及び形状の変
更により温度設定ができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置のワイヤボン
ディングの際にポーラス部分を有するヒータプレートで
加熱することにより加熱を要しない領域の温度を下げる
ことができるので、銅製のリードフレームの酸化及び色
めっきリードフレームの半田めっき融解を防止でき、が
っ、ボーラス部分でベレットおよびリードフレームを真
空吸着することによりリードフレームのリード部の浮き
やそりを防ぎ、ワーク押えの調整に必要な工数の削減及
び調整不十分による不良品の発生を防止できる効果があ
る。又、ポーラス部分から真空吸着しているので、冷却
を促進できる副次的効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明
するためのワイヤボンディング時の半導体装置の平面図
及び要部拡大断面図、第２図は第１図のヒータ部の斜視
図、第３図は本発明の第２の実施例に用いるヒータプレ
ートの斜視図、第４図は従来のワイヤボンディング方法
の一例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体
装置の要部拡大断面図、第５図は第４図のヒータ部の分
解斜視図、第６図は第４図のワイヤボンディング時の半
導体装置の斜視図である。 １・・・キャピラリ、２・・・金線、３・・・ペレット
、４・・・端子、５・・・リードフレーム、６・・・端
子部、７．７．．７ｂ・・・ヒータプレート、８，８．
・・・ポーラス部、９，９．・・・ヒータブロック、１
０゜１０＠・・・金属板部、１１・・・真空吸引口、１
２・・・ヒータ、１３・・・ワーク押え。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体ペレットの第１の端子部分とリードフレームの
    第２の端子部分を金属細線で接続する際に多数の気孔を
    有するポーラス部と金属板部とから成るヒータプレート
    を用い前記第１の端子部分と前記第２の端子部分とを前
    記ヒータプレートの金属板部で加熱し、前記ヒータプレ
    ートのポーラス部で前記リードフレームを真空吸着する
    ことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP63105208A 1988-04-26 1988-04-26 ワイヤボンディング方法 Pending JPH01274440A (ja)

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