JPH01274440A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
- Publication number
- JPH01274440A JPH01274440A JP63105208A JP10520888A JPH01274440A JP H01274440 A JPH01274440 A JP H01274440A JP 63105208 A JP63105208 A JP 63105208A JP 10520888 A JP10520888 A JP 10520888A JP H01274440 A JPH01274440 A JP H01274440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heater
- wire bonding
- terminal
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
- H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はワイヤボンディング方法に関し、特に半導体ペ
レットとリードフレームとのワイヤボンディング方法に
関する。
レットとリードフレームとのワイヤボンディング方法に
関する。
従来の半導体装置のワイヤボンディング方法の1つに、
第4図に示すように、直径25〜50μmの金線2の先
端を水素炎(図示せず)で融解し、金線2の先端にでき
た球をタングステン又はセラミックなどの加圧治具とし
てのキャピラリ1で半導体ペレット(以下ペレットと記
す)3の端子4上にボールボンディングした後、キャピ
ラリ1を引上げリードフレーム5の端子部6にスティッ
チボンディングし、ペレット3とリードフレーム5を配
線接続するネールへットボンディングがある。ネールへ
ットボンデイングによる接合作業中は、ペレット3.キ
ャピラリ1及びリードフレーム5は300〜350℃に
加熱され、同時に金線2は端子4及び端子部6上に一定
の加圧力で短時間押付けられ熱圧着される。
第4図に示すように、直径25〜50μmの金線2の先
端を水素炎(図示せず)で融解し、金線2の先端にでき
た球をタングステン又はセラミックなどの加圧治具とし
てのキャピラリ1で半導体ペレット(以下ペレットと記
す)3の端子4上にボールボンディングした後、キャピ
ラリ1を引上げリードフレーム5の端子部6にスティッ
チボンディングし、ペレット3とリードフレーム5を配
線接続するネールへットボンディングがある。ネールへ
ットボンデイングによる接合作業中は、ペレット3.キ
ャピラリ1及びリードフレーム5は300〜350℃に
加熱され、同時に金線2は端子4及び端子部6上に一定
の加圧力で短時間押付けられ熱圧着される。
加熱のためのヒータブロック9及びヒータプレート7は
、第5図に示すような構成になっていて、ペレット3の
端子部分及びリードフレーム5の端子部分のみでなく、
全体が加熱される構造になっている、又、第6図に示す
ように、確実にスティッチボンディングを行うためにリ
ードフレーム5の端子部6からやや離れた外周を治具と
してのワーク押え13により押えている。
、第5図に示すような構成になっていて、ペレット3の
端子部分及びリードフレーム5の端子部分のみでなく、
全体が加熱される構造になっている、又、第6図に示す
ように、確実にスティッチボンディングを行うためにリ
ードフレーム5の端子部6からやや離れた外周を治具と
してのワーク押え13により押えている。
上述した従来のワイヤボンディング方法は、接合作業中
にワーク押えによりリードフレームを固定する必要があ
るので、その調整作業に時間を要し、かつ、調整不十分
によるリードフレームの送り誤りで不良品が発生すると
いう欠点がある。
にワーク押えによりリードフレームを固定する必要があ
るので、その調整作業に時間を要し、かつ、調整不十分
によるリードフレームの送り誤りで不良品が発生すると
いう欠点がある。
又、最近、熱伝導性の面で銅製のリードフレームの使用
が多くなり全面加熱のためにリードフレーム表面が酸化
されるという欠点がある。
が多くなり全面加熱のためにリードフレーム表面が酸化
されるという欠点がある。
更に、工期及び工数削減の目的でめっき工程を省略する
ために内装めっきとともに外装めっきがすでに施された
いわゆる色めっきリードフレームがあるが、色めっきリ
ードフレームを用いた場合外装めっきの半田の融点(約
184℃)より全面加熱のヒータプレート上の温度の方
が高いなめ、半田めっきが融解してしまい半田実装前に
一度半田が融解するので、半田付は性が劣化するという
欠点がある。
ために内装めっきとともに外装めっきがすでに施された
いわゆる色めっきリードフレームがあるが、色めっきリ
ードフレームを用いた場合外装めっきの半田の融点(約
184℃)より全面加熱のヒータプレート上の温度の方
が高いなめ、半田めっきが融解してしまい半田実装前に
一度半田が融解するので、半田付は性が劣化するという
欠点がある。
本発明のワイヤボンディング方法は、半導体ベレットの
第1の端子部分とリードフレームの第2の端子部分を金
属細線で接続する際に多数の気孔を有するポーラス部と
金属板部とから成るヒータプレートを用い前記第1の端
子部分と前記第2の端子部分とを前記ヒータプレートの
金属板部で加熱し、前記ヒータプレートのポーラス部で
前記リードフレームを真空吸着するように構成される。
第1の端子部分とリードフレームの第2の端子部分を金
属細線で接続する際に多数の気孔を有するポーラス部と
金属板部とから成るヒータプレートを用い前記第1の端
子部分と前記第2の端子部分とを前記ヒータプレートの
金属板部で加熱し、前記ヒータプレートのポーラス部で
前記リードフレームを真空吸着するように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の第1の実施
例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体装置
の平面図及び要部拡大断面図、第2図は第1図のヒータ
部の斜視図である。
例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体装置
の平面図及び要部拡大断面図、第2図は第1図のヒータ
部の斜視図である。
第1図及び第2図に示すように、ベレット3の端子4と
リードフレーム5の端子部6とを金線2にて接続時に、
加熱すべき端子部下面に金属板部10が接触し他の部分
にはセラミックの無数の気孔を有するポーラス部8(第
2図において理解しやすいよう上面を網状に表示する)
が接触するような形状のヒータプレート71Iにより、
第1図(a)に破線と破線で囲って示す、金属板部10
に対向する領域を局部的に加熱しながらワイヤボンディ
ングを行う。
リードフレーム5の端子部6とを金線2にて接続時に、
加熱すべき端子部下面に金属板部10が接触し他の部分
にはセラミックの無数の気孔を有するポーラス部8(第
2図において理解しやすいよう上面を網状に表示する)
が接触するような形状のヒータプレート71Iにより、
第1図(a)に破線と破線で囲って示す、金属板部10
に対向する領域を局部的に加熱しながらワイヤボンディ
ングを行う。
この際ポーラス部8の無数の気孔(#1000で直径的
10μm)から、リードフレーム5をヒータ12を有す
るヒータブロック9.に設けた真空吸引口11により吸
引してリードの浮きやそりを抑える。なお、直径10μ
m程度の気孔のポーラステーブルでは、ある程度、真空
吸着時に漏れがあっても吸引に支障を生じないため、リ
ードフレーム5のリード部の吸着は可能である。
10μm)から、リードフレーム5をヒータ12を有す
るヒータブロック9.に設けた真空吸引口11により吸
引してリードの浮きやそりを抑える。なお、直径10μ
m程度の気孔のポーラステーブルでは、ある程度、真空
吸着時に漏れがあっても吸引に支障を生じないため、リ
ードフレーム5のリード部の吸着は可能である。
更に、第1図に示すように、ベレット3をリードフレー
ム5の搭載部にダイボンディングしているが、搭載部の
ないリードフレームのワイヤボンディングでも本発明を
適用できる。
ム5の搭載部にダイボンディングしているが、搭載部の
ないリードフレームのワイヤボンディングでも本発明を
適用できる。
第3図は本発明の第2の実施例に用いるヒータプレート
の斜視図である。
の斜視図である。
第3図に示すように、ヒータプレート7bは無数の気孔
を有するポーラス部81 (第3図において理解しやす
いよう上面を網状に表示する)と加熱部の金属板部10
.が一体化した金属から成るメタルポーラスプレートと
なっている。
を有するポーラス部81 (第3図において理解しやす
いよう上面を網状に表示する)と加熱部の金属板部10
.が一体化した金属から成るメタルポーラスプレートと
なっている。
このようなヒータプレート7bはポーラス部8、に対面
する部分の温度をあまり下げる必要のない場合に用いる
ことができる。なお、ヒータプレート7bの場合も金属
板101に比べて低温となるなめ気孔の径及び形状の変
更により温度設定ができる。
する部分の温度をあまり下げる必要のない場合に用いる
ことができる。なお、ヒータプレート7bの場合も金属
板101に比べて低温となるなめ気孔の径及び形状の変
更により温度設定ができる。
以上説明したように本発明は、半導体装置のワイヤボン
ディングの際にポーラス部分を有するヒータプレートで
加熱することにより加熱を要しない領域の温度を下げる
ことができるので、銅製のリードフレームの酸化及び色
めっきリードフレームの半田めっき融解を防止でき、が
っ、ボーラス部分でベレットおよびリードフレームを真
空吸着することによりリードフレームのリード部の浮き
やそりを防ぎ、ワーク押えの調整に必要な工数の削減及
び調整不十分による不良品の発生を防止できる効果があ
る。又、ポーラス部分から真空吸着しているので、冷却
を促進できる副次的効果もある。
ディングの際にポーラス部分を有するヒータプレートで
加熱することにより加熱を要しない領域の温度を下げる
ことができるので、銅製のリードフレームの酸化及び色
めっきリードフレームの半田めっき融解を防止でき、が
っ、ボーラス部分でベレットおよびリードフレームを真
空吸着することによりリードフレームのリード部の浮き
やそりを防ぎ、ワーク押えの調整に必要な工数の削減及
び調整不十分による不良品の発生を防止できる効果があ
る。又、ポーラス部分から真空吸着しているので、冷却
を促進できる副次的効果もある。
第1図(a)及び(b)は本発明の第1の実施例を説明
するためのワイヤボンディング時の半導体装置の平面図
及び要部拡大断面図、第2図は第1図のヒータ部の斜視
図、第3図は本発明の第2の実施例に用いるヒータプレ
ートの斜視図、第4図は従来のワイヤボンディング方法
の一例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体
装置の要部拡大断面図、第5図は第4図のヒータ部の分
解斜視図、第6図は第4図のワイヤボンディング時の半
導体装置の斜視図である。 1・・・キャピラリ、2・・・金線、3・・・ペレット
、4・・・端子、5・・・リードフレーム、6・・・端
子部、7.7..7b・・・ヒータプレート、8,8.
・・・ポーラス部、9,9.・・・ヒータブロック、1
0゜10@・・・金属板部、11・・・真空吸引口、1
2・・・ヒータ、13・・・ワーク押え。
するためのワイヤボンディング時の半導体装置の平面図
及び要部拡大断面図、第2図は第1図のヒータ部の斜視
図、第3図は本発明の第2の実施例に用いるヒータプレ
ートの斜視図、第4図は従来のワイヤボンディング方法
の一例を説明するためのワイヤボンディング時の半導体
装置の要部拡大断面図、第5図は第4図のヒータ部の分
解斜視図、第6図は第4図のワイヤボンディング時の半
導体装置の斜視図である。 1・・・キャピラリ、2・・・金線、3・・・ペレット
、4・・・端子、5・・・リードフレーム、6・・・端
子部、7.7..7b・・・ヒータプレート、8,8.
・・・ポーラス部、9,9.・・・ヒータブロック、1
0゜10@・・・金属板部、11・・・真空吸引口、1
2・・・ヒータ、13・・・ワーク押え。
Claims (1)
- 半導体ペレットの第1の端子部分とリードフレームの
第2の端子部分を金属細線で接続する際に多数の気孔を
有するポーラス部と金属板部とから成るヒータプレート
を用い前記第1の端子部分と前記第2の端子部分とを前
記ヒータプレートの金属板部で加熱し、前記ヒータプレ
ートのポーラス部で前記リードフレームを真空吸着する
ことを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63105208A JPH01274440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63105208A JPH01274440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01274440A true JPH01274440A (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=14401251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63105208A Pending JPH01274440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01274440A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5971256A (en) * | 1997-02-05 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Quick change precisor |
JP2002231745A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプボンディング装置 |
US7181835B2 (en) * | 2001-02-01 | 2007-02-27 | National Semiconductor Corporation | Universal clamping mechanism |
US20140014708A1 (en) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Phui Phoong Chuang | Lead frame support plate and window clamp for wire bonding machines |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63105208A patent/JPH01274440A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5971256A (en) * | 1997-02-05 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Quick change precisor |
US6390350B2 (en) | 1997-02-05 | 2002-05-21 | Micron Technology, Inc. | Quick change precisor |
JP2002231745A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプボンディング装置 |
US7181835B2 (en) * | 2001-02-01 | 2007-02-27 | National Semiconductor Corporation | Universal clamping mechanism |
US20140014708A1 (en) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Phui Phoong Chuang | Lead frame support plate and window clamp for wire bonding machines |
US8752751B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-06-17 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Lead frame support plate and window clamp for wire bonding machines |
US9070762B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-06-30 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Lead frame support plate and window clamp for wire bonding machines |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10275827A (ja) | フェイスダウンボンディング用リードフレーム | |
US7259088B2 (en) | Apparatus for singulating and bonding semiconductor chips, and method for the same | |
JPH01274440A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH0555635A (ja) | 電子部品のフリツプチツプ接続構造 | |
JP3275396B2 (ja) | Icチップのボンディング方法およびボンディングヘッド | |
JP2000349099A (ja) | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 | |
JPH118270A (ja) | 半導体チップの搭載方法、チップオンチップ構造体の製造方法及びチップオンボード構造体の製造方法 | |
JP2937954B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS6123329A (ja) | 半導体装置製造法 | |
JPH065652A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2004071648A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0737890A (ja) | 半田ボール接合装置およびその接合方法 | |
JPH04163925A (ja) | 半導体装置の組立方法 | |
JPH0645377A (ja) | 半導体製造装置及び半導体パッケージ並びにチップ実装方法 | |
JPH06232132A (ja) | バンプ形成装置 | |
JPH04142042A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO1996037914A1 (en) | Manufacturing process for hybrid circuit modules including electronic chip devices | |
JPH01205538A (ja) | ボンディング装置 | |
JPS63299348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1117103A (ja) | バンプを備える基材同士の接合方法 | |
JPS6386442A (ja) | Tab用icチツプ | |
JPS61108140A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JPH03235341A (ja) | アウター・リード・ボンディング用ツール | |
JPH088352A (ja) | 半導体装置および半導体実装基板の製造方法 | |
JPS6324630A (ja) | ワイヤボンデイング装置 |