JPH03235341A - アウター・リード・ボンディング用ツール - Google Patents

アウター・リード・ボンディング用ツール

Info

Publication number
JPH03235341A
JPH03235341A JP2967290A JP2967290A JPH03235341A JP H03235341 A JPH03235341 A JP H03235341A JP 2967290 A JP2967290 A JP 2967290A JP 2967290 A JP2967290 A JP 2967290A JP H03235341 A JPH03235341 A JP H03235341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer lead
lead bonding
lead
bonding
inner lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2967290A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Usada
和夫 羽佐田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2967290A priority Critical patent/JPH03235341A/ja
Publication of JPH03235341A publication Critical patent/JPH03235341A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 テープ・オートメイテッド・ボンディング方式による半
導体装置の製造時に用いるアウター・リード・ボンディ
ング用ツールに関し、 インナーリードボンディング部とアウターリードボンデ
ィング部との間隔を狭くしてもアウターリードボンディ
ング時にインナーリードボンディング部が再溶融しない
ことを目的とし、テープ・オートメイテッド・ボンディ
ング方式によりインナーリードを半導体チップにボンデ
ィングし、さらに該インナーリードに接続したアウター
リードを基板にボンディングする半導体装置の製造時に
使用するアウター・リード・ボンディング用ツールであ
って、アウターリードボンディング用発熱部とインナー
リードボンディング部との間に位置し、アウターリード
に接触してアウタ+ リードボンディング時の熱を放熱
するための放熱体を設けるように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テープ・オートメイテッド・ボンディング(
以下TABという)方式による半導体装置の製造時に用
いるアウター・リード・ボンディング用ツールに関する
〔従来の技術〕
第3図は従来のTAB方式による半導体装置の製造方法
を説明するための図である。これは先ず第3図(a)に
示すように、スプロケット孔1を有し、インナーリード
用の窓孔2及びアウターリード用の窓孔3が形成された
ポリイミドテープ4に第3図(b)に示すように銅箔5
をはり付け、この銅箔5をエツチングして第311D 
(C)に示すようにインナーリード6及びアウターリー
ド7を形成し、このインナーリード6及びアウターリー
ド7にSn又はPb−3nをめっきし次いで第3図(d
)に示すようにインナーリード6に半導体チップ8をバ
ンプ9を介してボンディングした後、A−A線及びB−
B線を切断し、これのアウターリード7を第3図(e)
に示すように基板10のAuめっきされたパターン11
にボンディング(アウターリードボンディング)して完
成する。
第4図は上記アウターリードのボンディングに用いる従
来のアウターリードボンディング用ツールを示す。これ
はツール本体12に半導体チップ8を保持するための真
空チャック13と、アウターリードボンディング用発熱
部14とが設けられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来のアウター・リード・ボンディング用ツールで
は、インナーリードボンディング部15とアウターリー
ドボンディング用発熱部14との距離が短かいと、アウ
ターリードボンディングにより基板10に実装するとき
、発熱部14からの熱でインナーリードボンディング部
15が再溶融し剥離して接合不良を起す。このため従来
はインナーリードボンディング部15とアウターリード
ボンディング部16との距離を長くとっていた。このた
め実装密度の低下を招くという問題を生じていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、インナーリードボン
ディング部とアウターリードボンディング部との間隔を
狭くしてもアウターリードボンディング時にインナーリ
ードボンディング部が再溶融しないアウターリードボン
ディング用ツールを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために本発明のアウター・リード・
ボンディング用ツールでは、テープ・オートメイテッド
・ボンディング方式によりインナーリード31を半導体
チップ21にボンディングし、さらに該インナーリード
31に接続したアウターリード28を基板にボンディン
グする半導体装置の製造時に使用するアウター・リード
・ボンディング用ツールであって、アウターリードボン
ディング用発熱部23と、インナーリードボンディング
部29との間に位置し、アウターリード28に接触して
アウターリードボンディング時の熱を放熱するための放
熱体24を設けたことを特徴とする。
〔作 用〕
アウターリードボンディング用発熱部23とインナーリ
ードボンディング部29との間に配置した放熱体24に
より、アウターリードボンディング時に発生する熱がイ
ンナーリードボンディング部29に伝導する途中で放熱
し、インナーリードボンディング部29が再溶融するの
を防止することができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例を示す図であり、(a)は縦断
面図、(b)はa図のb−b線における断面図である。
同図において、20はツール本体であり、該ツール本体
20には半導体チップ21を吸着保持する真空チャック
22と、アウターリードボンディング用加熱部23と、
該加熱部23に近接して本発明の要点である放熱体24
とが設けられている。そして前記真空チャック22は、
ツール本体20の下部中央に真空パイプ25により上下
可動に支持されており、ツール本体20に植設された2
本のガイドピン26により回転しないように位置決めさ
れ、且つ該ガイドピンに設けられたばね27により下方
に付勢されている。また加熱部23は半導体チップ21
にボンディングされた多数のアウターリード28に接触
できるようにその接触面はほぼ角形をなし、液面は直接
電流により発熱するようになっている。また本発明の要
点である放熱体24は熱伝導の良い材料で角筒状に形成
され、インナーリードボンディング部29と加熱部23
との間に配置され、インナーリードボンディング部29
とアウターリードボンディング部30との中間に接触で
きるようになっている。
このように形成された本実施例の作用を第2図により説
明する。同図は要部のみを示しており、21は半導体チ
ップ、23はアウターリードボンディング用加熱部、2
4は放熱体であり、31はバンプ32を介してボンディ
ングされたインナーリード、28は該インナーリードに
接続したアウターリード、29はインナーリードボンデ
ィング部、30はアウターリードボンディング部、33
は基板、34は該基板上に設けられたAuめっきパター
ンである。
本実施例は同図に示すように、加熱部23は、Auめっ
きパターン34上に載置したアウターリード28を押圧
しながら加熱することにより、アウターリード28のS
nめっきを溶融させ、Auめっきパターン34のAuと
合金化させて両者をボンディングすることができる。こ
のとき、放熱板24はアウターリードボンディング部3
0からインナーリードボンディング部29へ伝導する熱
をその途中で吸収し放熱する。従ってインナーリードボ
ンディング部20に到達する熱は少なくなり、核部が再
溶解されるという不具合は防止される。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明によれば、従来インナーリー
ドボンディング部とアウターリードボンディング部との
間がl mm以上必要であったものを、両者の途中に接
触し放熱する放熱体を設けたことにより、インナーリー
ドボンディング部の再溶解を防止しながらインナーリー
ドボンディング部とアウターリードボンディング間を0
.5 mm以下とすることができ、これにより半導体チ
ップの実装密度の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す図、 第2図は本発明の実施例の作用を説明するための図、 第3図は従来のTAB方式による半導体装置の製造方法
を説明するための図、 第4図は従来のアウター・リード・ボンディング用ツー
ルを示す図である。 図において、 20はツール本体、 21は半導体チップ、 22は真空チャック、 23は加熱部、 24は放熱体、 25は真空パイプ、 26はガイドピン、 27はばね、 28はアウターリード、 29はインナーリードボンディング部、30はアウター
リードボンディング部、31はインナーリード、 32はバンプ、 33は基板、 34はAuめっきパターン を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、テープ・オートメイテッド・ボンディング方式によ
    りインナーリード(31)を半導体チップ(21)にボ
    ンディングし、さらに該インナーリード(31)に接続
    したアウターリード(28)を基板(33)にボンディ
    ングする半導体装置の製造時に使用するアウター・リー
    ド・ボンディング用ツールであって、 アウターリードボンディング用発熱部(23)と、イン
    ナーリードボンディング部(29)との間に位置し、ア
    ウターリード(28)に接触してアウターリードボンデ
    ィング時の熱を放熱するための放熱体(24)を設けた
    ことを特徴とするアウター・リード・ボンディング用ツ
    ール。
JP2967290A 1990-02-13 1990-02-13 アウター・リード・ボンディング用ツール Pending JPH03235341A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2967290A JPH03235341A (ja) 1990-02-13 1990-02-13 アウター・リード・ボンディング用ツール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2967290A JPH03235341A (ja) 1990-02-13 1990-02-13 アウター・リード・ボンディング用ツール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03235341A true JPH03235341A (ja) 1991-10-21

Family

ID=12282604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2967290A Pending JPH03235341A (ja) 1990-02-13 1990-02-13 アウター・リード・ボンディング用ツール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03235341A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2733354A1 (fr) * 1995-04-24 1996-10-25 Samsung Electronics Co Ltd Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2733354A1 (fr) * 1995-04-24 1996-10-25 Samsung Electronics Co Ltd Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7443022B2 (en) Board-on-chip packages
JP2548350B2 (ja) テープ自動結合に使用される熱放散相互接続テープ
CN103035601B (zh) 在烧结银层上包括扩散焊接层的半导体器件
US6501160B1 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mount structure
JPH08139218A (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
JP2001196641A (ja) 表面実装型の半導体装置
JPH0555635A (ja) 電子部品のフリツプチツプ接続構造
JPH03235341A (ja) アウター・リード・ボンディング用ツール
JP2002280479A (ja) 表面実装型の半導体装置
JP4100685B2 (ja) 半導体装置
JP2716355B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001210676A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4201060B2 (ja) 半導体装置、およびその製造方法
JPH0391990A (ja) 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
JPH11340386A (ja) 半導体装置
JP2685900B2 (ja) フィルムキャリア
JPH08181168A (ja) 半導体装置
JPH06334059A (ja) 半導体搭載用基板及びその製造方法
JPH11150217A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000150756A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム
JP4668729B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0823067A (ja) リードフレーム
JPH0492460A (ja) 半導体装置
JPH0344050A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH04188642A (ja) 素子実装構造およびその実装方法