JPH019158Y2 - - Google Patents
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- JPH019158Y2 JPH019158Y2 JP1982021904U JP2190482U JPH019158Y2 JP H019158 Y2 JPH019158 Y2 JP H019158Y2 JP 1982021904 U JP1982021904 U JP 1982021904U JP 2190482 U JP2190482 U JP 2190482U JP H019158 Y2 JPH019158 Y2 JP H019158Y2
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- wire
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- lead
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
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- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
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- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はワイヤボンデイング装置の改良に関す
るもので、特にワイヤボンデイング時にリードフ
レームを加熱或いは冷却するための部材に関する
ものである。
るもので、特にワイヤボンデイング時にリードフ
レームを加熱或いは冷却するための部材に関する
ものである。
半導体チツプは外部回路との電気的接続を容易
にするため、リード端子が延ばされた金属製リー
ドフレームのダイボンド部にボンデイングされ、
ダイボンドされた半導体チツプ面の電極と他のリ
ード端子との間が金細線等でワイヤボンデイング
されて、各リード端子の他方の先端が外部回路と
の電気的接続端子となつている。
にするため、リード端子が延ばされた金属製リー
ドフレームのダイボンド部にボンデイングされ、
ダイボンドされた半導体チツプ面の電極と他のリ
ード端子との間が金細線等でワイヤボンデイング
されて、各リード端子の他方の先端が外部回路と
の電気的接続端子となつている。
例えば発光ダイオード装置では、第１図に示す
ように、発光ダイオードチツプ２をダイボンドす
る第１のリード端子３と、発光ダイオードチツプ
２上の電極に一端が接続されたワイヤ４の他端を
接続する第２のリード端子５とが一体的に成型さ
れたリードフレーム１を用いて作製されている。
即ち半導体装置製造工程の段階では多数のリード
端子が繰返しパターンをもつて一体的に作製され
たリードフレーム１が用いられ、このようなリー
ドフレーム１はチツプのダイボンド、ワイヤボン
ド及び樹脂封止等の工程を終えた段階で各半導体
装置の単位に切断される。
ように、発光ダイオードチツプ２をダイボンドす
る第１のリード端子３と、発光ダイオードチツプ
２上の電極に一端が接続されたワイヤ４の他端を
接続する第２のリード端子５とが一体的に成型さ
れたリードフレーム１を用いて作製されている。
即ち半導体装置製造工程の段階では多数のリード
端子が繰返しパターンをもつて一体的に作製され
たリードフレーム１が用いられ、このようなリー
ドフレーム１はチツプのダイボンド、ワイヤボン
ド及び樹脂封止等の工程を終えた段階で各半導体
装置の単位に切断される。
上述のようなリードフレーム１を用いた半導体
装置において、リードフレーム１のチツプダイボ
ンド部Ａ及びワイヤボンド部Ｂは、チツプ及びワ
イヤとの接続をより確実にするため銀メツキが施
こされ、またリードフレーム１の外部回路と接続
するためのリード端子先端部分Ｃ，Ｄは錫メツキ
されている。図中銀メツキ部分とは斜線方向を相
異させて区別する。処でリードフレーム１にチツ
プをダイボンドし続いてワイヤボンドする場合、
ボンデイングの信頼性を高めるためには、ダイボ
ンド部Ａ及びワイヤボンド部Ｂを350℃前後の温
度に加熱することが望ましい。しかし上記のよう
にメツキが施こされたリードフレーム１では、リ
ード端子先端部分Ｃ，Ｄが融点の低い錫メツキさ
れているため、リードフレーム全体を上記のよう
な望ましい温度にもたらすことができず、低い温
度に制約されることになつてボンデイングの信頼
性を損う一因になつており、製品の歩留りを低下
させる惧れがあつた。
装置において、リードフレーム１のチツプダイボ
ンド部Ａ及びワイヤボンド部Ｂは、チツプ及びワ
イヤとの接続をより確実にするため銀メツキが施
こされ、またリードフレーム１の外部回路と接続
するためのリード端子先端部分Ｃ，Ｄは錫メツキ
されている。図中銀メツキ部分とは斜線方向を相
異させて区別する。処でリードフレーム１にチツ
プをダイボンドし続いてワイヤボンドする場合、
ボンデイングの信頼性を高めるためには、ダイボ
ンド部Ａ及びワイヤボンド部Ｂを350℃前後の温
度に加熱することが望ましい。しかし上記のよう
にメツキが施こされたリードフレーム１では、リ
ード端子先端部分Ｃ，Ｄが融点の低い錫メツキさ
れているため、リードフレーム全体を上記のよう
な望ましい温度にもたらすことができず、低い温
度に制約されることになつてボンデイングの信頼
性を損う一因になつており、製品の歩留りを低下
させる惧れがあつた。
本考案は上記従来のリードフレームを用いた半
導体装置に生じる問題点に鑑みてなされたもの
で、リードフレームを局部的に加熱或いは冷却し
て半導体装置を作製することができるワイヤボン
デイング装置を提供するものである。次に図面を
用いて本考案を詳細に説明する。尚発光ダイオー
ドを製造する場合のワイヤボンデイング装置を実
施例に挙げて説明する。
導体装置に生じる問題点に鑑みてなされたもの
で、リードフレームを局部的に加熱或いは冷却し
て半導体装置を作製することができるワイヤボン
デイング装置を提供するものである。次に図面を
用いて本考案を詳細に説明する。尚発光ダイオー
ドを製造する場合のワイヤボンデイング装置を実
施例に挙げて説明する。
第２図において、１０はリードフレームを支持
すると共に加熱或いは冷却するための炉体であ
る。リードフレーム１は前述の従来装置と同様に
ダイボンド部及びワイヤボンド部は融点が高い銀
メツキが、外部との接続用リード端子先端部分は
融点の低い錫メツキが施こされている。
すると共に加熱或いは冷却するための炉体であ
る。リードフレーム１は前述の従来装置と同様に
ダイボンド部及びワイヤボンド部は融点が高い銀
メツキが、外部との接続用リード端子先端部分は
融点の低い錫メツキが施こされている。
上記炉体１０は、熱的に遮断された２ブロツク
１１及び１２から構成されている。第１ブロツク
１１は加熱部で、内部に交換自在のヒータ１３が
取付けられている。第１ブロツク１１の一方の平
面１１Ａはリードフレーム１の銀メツキされたダ
イボンド部及びワイヤボンド部Ｂを当接させる平
面で、ヒータ１３によつて350℃前後の所望温度
に加熱させる。平面１１Ａの温度はブロツク内部
に内蔵された熱電対１４によつて検知され、ヒー
タ１３の供給電力を制御して所望温度に保持され
るように制御する。間隙１５を隔てて熱的に遮断
された第２ブロツク１２側は冷却部で、該第２ブ
ロツク１２の上記第１ブロツクの平面１１Ａの延
長に相当する平面１２Ａは、リードフレーム１の
錫メツキ部分Ｃ，Ｄと当接して上記ダイボンド部
及びワイヤボンド部が加熱されているのに対し
て、錫メツキが溶融しない程度の温度に保持す
る。リードフレーム１は炉体１０の平面に当接さ
せて支持されるが、支持にあたつて位置決めする
ためクリツプ１６が用いられ、該クリツプ１６を
着脱自在に取付けるために炉体１０側にクリツプ
保持部が設けられている。位置決めされたリード
フレーム１について、ダイボンド部Ａ及びワイヤ
ボンド部Ｂがワイヤを供給するキヤピラリイとの
位置関係を確実にするため、リードフレーム１に
刻まれた切り欠き６，７に係合するクランプ１７
が装着される。
１１及び１２から構成されている。第１ブロツク
１１は加熱部で、内部に交換自在のヒータ１３が
取付けられている。第１ブロツク１１の一方の平
面１１Ａはリードフレーム１の銀メツキされたダ
イボンド部及びワイヤボンド部Ｂを当接させる平
面で、ヒータ１３によつて350℃前後の所望温度
に加熱させる。平面１１Ａの温度はブロツク内部
に内蔵された熱電対１４によつて検知され、ヒー
タ１３の供給電力を制御して所望温度に保持され
るように制御する。間隙１５を隔てて熱的に遮断
された第２ブロツク１２側は冷却部で、該第２ブ
ロツク１２の上記第１ブロツクの平面１１Ａの延
長に相当する平面１２Ａは、リードフレーム１の
錫メツキ部分Ｃ，Ｄと当接して上記ダイボンド部
及びワイヤボンド部が加熱されているのに対し
て、錫メツキが溶融しない程度の温度に保持す
る。リードフレーム１は炉体１０の平面に当接さ
せて支持されるが、支持にあたつて位置決めする
ためクリツプ１６が用いられ、該クリツプ１６を
着脱自在に取付けるために炉体１０側にクリツプ
保持部が設けられている。位置決めされたリード
フレーム１について、ダイボンド部Ａ及びワイヤ
ボンド部Ｂがワイヤを供給するキヤピラリイとの
位置関係を確実にするため、リードフレーム１に
刻まれた切り欠き６，７に係合するクランプ１７
が装着される。
炉体１０にセツトされたリードフレーム１は各
平面によつて局部的に加熱或いは冷却され、加熱
されたダイボンド部Ａに発光ダイオードチツプが
ダイボンドされ、続いてキヤピラリイから供給さ
れるワイヤがチツプ側電極及びリード端にワイヤ
ボンデイングされる。ワイヤボンデイング工程
中、外部接続用リード端子先端部は低温に保持さ
れているためメツキ層が損なわれる惧れはない。
平面によつて局部的に加熱或いは冷却され、加熱
されたダイボンド部Ａに発光ダイオードチツプが
ダイボンドされ、続いてキヤピラリイから供給さ
れるワイヤがチツプ側電極及びリード端にワイヤ
ボンデイングされる。ワイヤボンデイング工程
中、外部接続用リード端子先端部は低温に保持さ
れているためメツキ層が損なわれる惧れはない。
以上本考案のように加熱部及び冷却部を備えた
炉体を用いてリードフレームを支持することによ
り、メツキ層を損うことなく確実なダイボンド及
びワイヤボンドを行うことができ、半導体装置の
製造がやり易くなると共に歩留を高め、製品の信
頼性の向上を図ることができる。また、本考案で
は、加熱ブロツク、冷却ブロツクの平面に直接リ
ードフレームの各部が当接して熱伝達効率がよ
く、また加熱ブロツクの温度制御も直接的で簡単
に行える。さらにまた、冷却ブロツクには、リー
ドフレームの当接にあたつて、リードフレームを
位置決めかつ支持するクランプ手段を設けてお
り、当接とともに位置決めとブロツクに対する支
持が同時に行え、リードフレームの脱着が容易
で、生産性が高く連続生産を行える利点がある。
炉体を用いてリードフレームを支持することによ
り、メツキ層を損うことなく確実なダイボンド及
びワイヤボンドを行うことができ、半導体装置の
製造がやり易くなると共に歩留を高め、製品の信
頼性の向上を図ることができる。また、本考案で
は、加熱ブロツク、冷却ブロツクの平面に直接リ
ードフレームの各部が当接して熱伝達効率がよ
く、また加熱ブロツクの温度制御も直接的で簡単
に行える。さらにまた、冷却ブロツクには、リー
ドフレームの当接にあたつて、リードフレームを
位置決めかつ支持するクランプ手段を設けてお
り、当接とともに位置決めとブロツクに対する支
持が同時に行え、リードフレームの脱着が容易
で、生産性が高く連続生産を行える利点がある。
第１図はリードフレームの斜視図、第２図は本
考案の一実施例を示す斜視図である。 １：リードフレーム、Ａ：ダイボンド部、Ｂ：
ワイヤボンド部、Ｃ，Ｄ：外部回路接続用リード
端子部、１０：炉体、１１：加熱ブロツク、１
２：冷却ブロツク、１３：ヒータ。
考案の一実施例を示す斜視図である。 １：リードフレーム、Ａ：ダイボンド部、Ｂ：
ワイヤボンド部、Ｃ，Ｄ：外部回路接続用リード
端子部、１０：炉体、１１：加熱ブロツク、１
２：冷却ブロツク、１３：ヒータ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 多数のリード端子が繰返しパターンもつて一体
的に作製され、各リード端子におけるチツプのダ
イボンド部及び前記チツプとワイヤをもつて接続
されるワイヤボンド部に融点の高い銀メツキを施
こし、外部との接続用リード端子部に融点の低い
錫メツキを施した板状リードフレームの前記チツ
プダイボンド部及びワイヤボンド部に当接する平
面を有するヒータを備えた第１加熱ブロツクと、 前記第１加熱ブロツクと間隔を隔てて熱的に遮
断され、前記リードフレームの前記外部との接続
用リード端子部と当接する平面を有し、かつ前記
当接にあたつて前記リードフレームを位置決めし
て支持するクリツプ手段を設けた第２冷却ブロツ
クとからなる炉体を有してなることを特徴とする
ワイヤボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982021904U JPS58124948U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982021904U JPS58124948U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124948U JPS58124948U (ja) | 1983-08-25 |
| JPH019158Y2 true JPH019158Y2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=30034011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982021904U Granted JPS58124948U (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124948U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286832A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Nec Corp | Ｉｃリ−ドフレ−ム搬送装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5188185A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-08-02 |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP1982021904U patent/JPS58124948U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5188185A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-08-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58124948U (ja) | 1983-08-25 |
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