JPH0476926A - 半導体製造装置 - Google Patents
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- JPH0476926A JPH0476926A JP2189485A JP18948590A JPH0476926A JP H0476926 A JPH0476926 A JP H0476926A JP 2189485 A JP2189485 A JP 2189485A JP 18948590 A JP18948590 A JP 18948590A JP H0476926 A JPH0476926 A JP H0476926A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、特に−個の半導体装置の中に複数個の半導体
素子を組み込んだ製品の自動組立に使用される半導体製
造装置に関する。
素子を組み込んだ製品の自動組立に使用される半導体製
造装置に関する。
(従来の技術)
一般的に、−個の半導体装置の中に複数個の半導体素子
を組み込んだ製品は、第5図に示すような構成をしてい
る。ここで、51はリードフレーム、52はICチップ
、53はトランジスタチップ、54は金属細線、55は
接着剤、56はモールド樹脂である。
を組み込んだ製品は、第5図に示すような構成をしてい
る。ここで、51はリードフレーム、52はICチップ
、53はトランジスタチップ、54は金属細線、55は
接着剤、56はモールド樹脂である。
即ち、この製品は、ハイブリッドICとは異なり、モノ
リシックICのリードフレーム51を基本とし、複数個
の異種又は同種の半導体素子、例えばICチップ52と
トランジスタチップ53とをリードフレーム51の一つ
のアイランド上に接合している。また、前記半導体素子
の電極とリードフレーム51の電極とを金属細線54に
より接続し、回路上、多機能を持たせたものである。こ
の製品は、自動化が容易であること、熱伝導性がよいこ
と、スペース効率がよいこと、パッケージのラインナツ
プが豊富であること等゛により、近年急速に拡充が図ら
れているものである。
リシックICのリードフレーム51を基本とし、複数個
の異種又は同種の半導体素子、例えばICチップ52と
トランジスタチップ53とをリードフレーム51の一つ
のアイランド上に接合している。また、前記半導体素子
の電極とリードフレーム51の電極とを金属細線54に
より接続し、回路上、多機能を持たせたものである。こ
の製品は、自動化が容易であること、熱伝導性がよいこ
と、スペース効率がよいこと、パッケージのラインナツ
プが豊富であること等゛により、近年急速に拡充が図ら
れているものである。
なお、前記半導体素子をリードフレーム51のアイラン
ド上に接合する場合には、主に接着剤55が用いられて
いる。接着剤55としては、導電性ペースト、半田、金
箔(一般的には半導体素子裏面に金メツキが施され、金
箔が用いられることは少ない。)等が知られている。
ド上に接合する場合には、主に接着剤55が用いられて
いる。接着剤55としては、導電性ペースト、半田、金
箔(一般的には半導体素子裏面に金メツキが施され、金
箔が用いられることは少ない。)等が知られている。
従来、上述したような一個の半導体装置の中に複数個の
半導体素子を組み込んだ製品の自動組立に使用される半
導体製造装置としては、第6図に示すようなものか知ら
れている。
半導体素子を組み込んだ製品の自動組立に使用される半
導体製造装置としては、第6図に示すようなものか知ら
れている。
リードフレーム供給部61では、リードフレームが、マ
ガジンに収納され又は段積みにされた状態でストックさ
れている。このマガジンに収納され又は段積みにされた
状態でストックされたりドフレームは、−枚ずつリード
フレーム予熱部62こ移送され、予め一定温度に熱せら
れる。この後、リードフレームは、XY子テーブル3上
に移送される。半導体素子供給部64からは半導体素子
が供給され、この半導体素子は、ゲージング部65にお
いて位置出しが行われた後、XY子テーブル3上のリド
フレームのアイランド上に接合される。ここで、接合前
に、接着剤供給部66から接着剤がリードフレームのア
イランド上の所定部分にセットされることは言うまでも
ない。なお、半導体素子供給部64からゲージング部6
5への半導体素子の搬送、ゲージング部65からアイラ
ンド上への半導体素子の搬送、及び接着剤供給部6Bか
らアイランド上への接着剤の供給は、それぞれY軸上を
可動するチャック移送部67により行われる。また、半
導体素子供給部64は、チップトレイ状又は半導体基板
(ウェーハ)状であり、異種又は複数の半導体素子が、
リクエストにより任意に選択され供給できるように構成
されている。半導体素子の接合順序としては、例えば全
てのアイランドに一個の素子をそれぞれ接合した後、繰
り返し作業により全てのアイランドに他の素子をそれぞ
れ接合するのがよい。−フレーム分の接合が終了すると
、XY子テーブル3は、リードフレーム冷却部88に接
近しく63′はXY子テーブル3の可動範囲を示す)、
リードフレームは、リードフレーム冷却部6εに移送さ
れる。リードフレームが一定温度に冷却された後、リー
ドフレームは、リードフレーム収納部(例えばマガジン
)69に納めされる。なお、これら一連の動作は、制御
部70によって制御されている。
ガジンに収納され又は段積みにされた状態でストックさ
れている。このマガジンに収納され又は段積みにされた
状態でストックされたりドフレームは、−枚ずつリード
フレーム予熱部62こ移送され、予め一定温度に熱せら
れる。この後、リードフレームは、XY子テーブル3上
に移送される。半導体素子供給部64からは半導体素子
が供給され、この半導体素子は、ゲージング部65にお
いて位置出しが行われた後、XY子テーブル3上のリド
フレームのアイランド上に接合される。ここで、接合前
に、接着剤供給部66から接着剤がリードフレームのア
イランド上の所定部分にセットされることは言うまでも
ない。なお、半導体素子供給部64からゲージング部6
5への半導体素子の搬送、ゲージング部65からアイラ
ンド上への半導体素子の搬送、及び接着剤供給部6Bか
らアイランド上への接着剤の供給は、それぞれY軸上を
可動するチャック移送部67により行われる。また、半
導体素子供給部64は、チップトレイ状又は半導体基板
(ウェーハ)状であり、異種又は複数の半導体素子が、
リクエストにより任意に選択され供給できるように構成
されている。半導体素子の接合順序としては、例えば全
てのアイランドに一個の素子をそれぞれ接合した後、繰
り返し作業により全てのアイランドに他の素子をそれぞ
れ接合するのがよい。−フレーム分の接合が終了すると
、XY子テーブル3は、リードフレーム冷却部88に接
近しく63′はXY子テーブル3の可動範囲を示す)、
リードフレームは、リードフレーム冷却部6εに移送さ
れる。リードフレームが一定温度に冷却された後、リー
ドフレームは、リードフレーム収納部(例えばマガジン
)69に納めされる。なお、これら一連の動作は、制御
部70によって制御されている。
しかしながら、一般に、半導体素子とアイランドとの接
合に使用する接着剤には、導電性ペーストや液状半田が
用いられている。また、接着剤に導電性ペーストを使用
する場合には、一般に、常温処理を行い、後工程で前記
導電性ペーストのキュア処理を行って接合強度を得るよ
うにしている。さらに、接着剤供給部6Gには、前記接
着剤がシャーレ状の容器に入れられており、チャック移
送部67の先端にあるチャックTIに転写されたものを
アイランド上に移し変える方法がとられている。
合に使用する接着剤には、導電性ペーストや液状半田が
用いられている。また、接着剤に導電性ペーストを使用
する場合には、一般に、常温処理を行い、後工程で前記
導電性ペーストのキュア処理を行って接合強度を得るよ
うにしている。さらに、接着剤供給部6Gには、前記接
着剤がシャーレ状の容器に入れられており、チャック移
送部67の先端にあるチャックTIに転写されたものを
アイランド上に移し変える方法がとられている。
このため、XY子テーブル3の可動範囲が広くなり、ス
ペース的に不利となる欠点がある。また、XY子テーブ
ル3上に載置されたリードフレーム用ステージでは、両
端距離が短く、製造条件に必要な環境又は非酸化の雰囲
気を満たすことができない。
ペース的に不利となる欠点がある。また、XY子テーブ
ル3上に載置されたリードフレーム用ステージでは、両
端距離が短く、製造条件に必要な環境又は非酸化の雰囲
気を満たすことができない。
よって、半田の表面酸化が進行し、半導体素子接合時に
濡れ不良となり、製品の歩留り低下の原因となる欠点が
ある。さらに、生産性については、半導体素子の接合が
完了した際、XY子テーブル3がリードフレーム冷却部
68の近傍に位置していない場合には、リードフレーム
冷却部68近傍までXY子テーブル3を移動させる無駄
な時間が生じる欠点がある。製品の特性についても、X
Y子テーブル3に一枚のリードフレームを搭載し、還元
又は非酸化の雰囲気を作る場合に、そのための空間が少
ないために装置自体が複雑化する欠点がある。
濡れ不良となり、製品の歩留り低下の原因となる欠点が
ある。さらに、生産性については、半導体素子の接合が
完了した際、XY子テーブル3がリードフレーム冷却部
68の近傍に位置していない場合には、リードフレーム
冷却部68近傍までXY子テーブル3を移動させる無駄
な時間が生じる欠点がある。製品の特性についても、X
Y子テーブル3に一枚のリードフレームを搭載し、還元
又は非酸化の雰囲気を作る場合に、そのための空間が少
ないために装置自体が複雑化する欠点がある。
なお、この雰囲気が維持できないと、前述したように半
田の濡れ不良による特性不良や、リードフレームが酸化
することにより、後工程での外装処理でこの表面の酸化
物を除去する工程が必要となる。一方、還元又は非酸化
の雰囲気を作った場合には、−フレーム分の接合が終了
するまでの間、半導体素子は、還元又は非酸化雰囲気と
して使用する混合ガス、例えば水素(H2)と窒素(N
2)とを1ニー9の割合で混合したガスにさらされるた
め、素子によっては水素の影響を受けて特性劣化を生じ
ることがある。
田の濡れ不良による特性不良や、リードフレームが酸化
することにより、後工程での外装処理でこの表面の酸化
物を除去する工程が必要となる。一方、還元又は非酸化
の雰囲気を作った場合には、−フレーム分の接合が終了
するまでの間、半導体素子は、還元又は非酸化雰囲気と
して使用する混合ガス、例えば水素(H2)と窒素(N
2)とを1ニー9の割合で混合したガスにさらされるた
め、素子によっては水素の影響を受けて特性劣化を生じ
ることがある。
第7図は、前記第6図に示す従来の半導体製造装置にお
ける半導体素子供給部64、ゲージング部65及びチャ
ック移送部67を詳細に示すものである。
ける半導体素子供給部64、ゲージング部65及びチャ
ック移送部67を詳細に示すものである。
チャック移送部87は、例えばボールスクリュー72に
よってY方向に移動することができ、移動量は、ボール
スクリュー72の回転数(角度)により制御されている
。チャック移送部67の先端には、チャック71が付加
されており、チャック71は真空ラインに繋がっている
。半導体素子供給部64では、所定のシート73上に所
定の半導体素子74、例えばICチップ又はトランジス
タチップが貼り付けられている。ここで、図示してない
が、ピックアップすべき半導体素子74は、上面のテレ
ビカメラにより検出され、又チャック71によりピック
アップできるように、XYテーブル75で位置補正が行
われ、る。この後、半導体素子突上げ部76のピン77
により一個の半導体素子を突き上げ、チャック71によ
り吸着した後、ゲージング部65へ搬送される。
よってY方向に移動することができ、移動量は、ボール
スクリュー72の回転数(角度)により制御されている
。チャック移送部67の先端には、チャック71が付加
されており、チャック71は真空ラインに繋がっている
。半導体素子供給部64では、所定のシート73上に所
定の半導体素子74、例えばICチップ又はトランジス
タチップが貼り付けられている。ここで、図示してない
が、ピックアップすべき半導体素子74は、上面のテレ
ビカメラにより検出され、又チャック71によりピック
アップできるように、XYテーブル75で位置補正が行
われ、る。この後、半導体素子突上げ部76のピン77
により一個の半導体素子を突き上げ、チャック71によ
り吸着した後、ゲージング部65へ搬送される。
ゲージング部65では、半導体素子74が位置決め台に
配置される。また、この半導体素子74をリードフレー
ムのアイランド位置に精度よく接合するため、位置決め
部品78により位置出しが行われる。
配置される。また、この半導体素子74をリードフレー
ムのアイランド位置に精度よく接合するため、位置決め
部品78により位置出しが行われる。
しかしながら、半導体装置の製造時にチャック71を取
り換えることは困難であるため、一種類のチャック71
で外形寸法の異なる複数の半導体素子を処理しなければ
ならない。このため、異種の半導体装置のうち小外形の
ものを基準とするチャック71では、大外形のものを保
持する真空力を確実に維持継続できない。即ち、チャッ
ク不良が起こり、大外形の半導体素子が組み込まれない
状態で半導体装置が出来上り、歩留りの低下の原因とな
る。ここで、半導体素子の有無を検出し、無いときには
装置を停止させる機能を持たせることも可能であるが、
稼働率を低下させ、生産性を悪化させるという欠点があ
る。また、チャック71の先端が半導体素子の電極配線
面に接しているため、その表面を汚してしまい、微細パ
ターンについては、この汚れによる歩留り低下を生じる
という欠点もある。なお、半導体素子の表面にチャック
71が接触しないようなりゲン状のチャックが用いられ
ることもあるが、この場合にも一種類のチャック71で
外形寸法の異なる複数の半導体素子を処理しなければな
らないことに変わりはない。
り換えることは困難であるため、一種類のチャック71
で外形寸法の異なる複数の半導体素子を処理しなければ
ならない。このため、異種の半導体装置のうち小外形の
ものを基準とするチャック71では、大外形のものを保
持する真空力を確実に維持継続できない。即ち、チャッ
ク不良が起こり、大外形の半導体素子が組み込まれない
状態で半導体装置が出来上り、歩留りの低下の原因とな
る。ここで、半導体素子の有無を検出し、無いときには
装置を停止させる機能を持たせることも可能であるが、
稼働率を低下させ、生産性を悪化させるという欠点があ
る。また、チャック71の先端が半導体素子の電極配線
面に接しているため、その表面を汚してしまい、微細パ
ターンについては、この汚れによる歩留り低下を生じる
という欠点もある。なお、半導体素子の表面にチャック
71が接触しないようなりゲン状のチャックが用いられ
ることもあるが、この場合にも一種類のチャック71で
外形寸法の異なる複数の半導体素子を処理しなければな
らないことに変わりはない。
(発明が解決しようとする課題)
このように、従来の半導体製造装置では、接着剤に導電
性ペーストや液状半田等が用いられ、この接着剤は、チ
ャックにより移送され、アイランド上に供給されていた
。また、XYテーブルの可動範囲が広く、スペース的に
不利となっていた。
性ペーストや液状半田等が用いられ、この接着剤は、チ
ャックにより移送され、アイランド上に供給されていた
。また、XYテーブルの可動範囲が広く、スペース的に
不利となっていた。
このため、還元又は非酸化の雰囲気を作れず、半導体素
子の接合時に濡れ不良を起こし、製品の歩留りを低下、
生産性、製品の品質等の悪化を招いていた。一方、還元
又は非酸化の雰囲気を作ると装置が複雑化するという欠
点があった。
子の接合時に濡れ不良を起こし、製品の歩留りを低下、
生産性、製品の品質等の悪化を招いていた。一方、還元
又は非酸化の雰囲気を作ると装置が複雑化するという欠
点があった。
また、従来は、一つの半導体製造装置に一種類のチャッ
クしか装備されていなかった。このため、小外形の半導
体素子を基準とすると、大外形のものを保持しかつ搬送
することが困難であった。
クしか装備されていなかった。このため、小外形の半導
体素子を基準とすると、大外形のものを保持しかつ搬送
することが困難であった。
また、素子の有無を検出する機能を持たせた場合には、
稼働率の低下、生産性を悪化等を招く欠点があった。
稼働率の低下、生産性を悪化等を招く欠点があった。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたものであり、
装置を複雑化することなく、還元又は非酸化の雰囲気を
作ることにより、製品の歩留り、生産性、品質等の向上
を図ること、及び異種の半導体素子を確実にチャックし
移送することにより、稼働率の向上、生産性を向上等を
図ることが可能な半導体製造装置の提供を目的とするも
のである。
装置を複雑化することなく、還元又は非酸化の雰囲気を
作ることにより、製品の歩留り、生産性、品質等の向上
を図ること、及び異種の半導体素子を確実にチャックし
移送することにより、稼働率の向上、生産性を向上等を
図ることが可能な半導体製造装置の提供を目的とするも
のである。
〔発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、本発明の半導体製造装置は
、複数のリードフレームが配置される第1の供給部と、
前記第1の供給部から供給されるリードフレームを還元
又は非酸化の雰囲気中において間欠的に搬送する搬送部
と、前記搬送部に付設され、前記リードフレーム上に接
着剤を供給する第2の供給部と、複数の半導体素子が配
置される第3の供給部と、前記第3の供給部から供給さ
れる半導体素子の位置決定を行なう位置決め部と、前記
搬送部に付設され、前記リードフレーム上に半導体素子
を接着する接着部と、半導体素子接着後のリードフレー
ムを収納する収納部と、前記第3の供給部と前記位置決
め部との間において、及び前記位置決め部と前記接着部
との間においてそれぞれ半導体素子の移送を行なう移送
部と、前記第1の供給部、前記搬送部、前記第2の供給
部、前記第3の供給部、前記位置決め部、前記接着部、
前記収納部及び前記移送部の各動作を自動制御させる制
御部とを有している。
、複数のリードフレームが配置される第1の供給部と、
前記第1の供給部から供給されるリードフレームを還元
又は非酸化の雰囲気中において間欠的に搬送する搬送部
と、前記搬送部に付設され、前記リードフレーム上に接
着剤を供給する第2の供給部と、複数の半導体素子が配
置される第3の供給部と、前記第3の供給部から供給さ
れる半導体素子の位置決定を行なう位置決め部と、前記
搬送部に付設され、前記リードフレーム上に半導体素子
を接着する接着部と、半導体素子接着後のリードフレー
ムを収納する収納部と、前記第3の供給部と前記位置決
め部との間において、及び前記位置決め部と前記接着部
との間においてそれぞれ半導体素子の移送を行なう移送
部と、前記第1の供給部、前記搬送部、前記第2の供給
部、前記第3の供給部、前記位置決め部、前記接着部、
前記収納部及び前記移送部の各動作を自動制御させる制
御部とを有している。
また、前記第2の供給部は、少なくとも二つ以上の供給
装置を有しており、かつ、互いの供給装置における接着
剤の供給ピッチは、リードフレームのアイランドのピッ
チの整数倍となっているものである。
装置を有しており、かつ、互いの供給装置における接着
剤の供給ピッチは、リードフレームのアイランドのピッ
チの整数倍となっているものである。
さらに、前記移送部は、半導体素子を保持するための保
持部を有しており、かつ、前記保持部には、少なくとも
二つ以上の保持具が装備されているものである。
持部を有しており、かつ、前記保持部には、少なくとも
二つ以上の保持具が装備されているものである。
(作用)
このような構成によれば、リードフレームの搬送系をア
イランドのピッチ毎の間欠送りにすることにより、XY
テーブル上において一枚毎に処理する場合の移動ロス時
間がなくなり、生産性が大幅に向上する。また、搬送部
は、装置を複雑化することなく、還元又は非酸化の雰囲
気を形成することができるため、製品の歩留り、生産性
、品質等の向上を図ることができる。さらに、一つのア
イランド毎に処理していくため、半導体素子が還元雰囲
気にさらされる時間が減り、製品の歩留り、信頼性等を
安定させかつ維持させることができる。
イランドのピッチ毎の間欠送りにすることにより、XY
テーブル上において一枚毎に処理する場合の移動ロス時
間がなくなり、生産性が大幅に向上する。また、搬送部
は、装置を複雑化することなく、還元又は非酸化の雰囲
気を形成することができるため、製品の歩留り、生産性
、品質等の向上を図ることができる。さらに、一つのア
イランド毎に処理していくため、半導体素子が還元雰囲
気にさらされる時間が減り、製品の歩留り、信頼性等を
安定させかつ維持させることができる。
また、第2の供給部に供給装置を少なくとも二つ以上設
けることにより、複数個の異なる外形寸法を持つ半導体
素子に対応させることができ、さらに生産性を向上させ
ることが可能である。
けることにより、複数個の異なる外形寸法を持つ半導体
素子に対応させることができ、さらに生産性を向上させ
ることが可能である。
さらに、外形寸法の異なる複数の半導体素子に対して、
そのピックアップ時に、ピックアップすべき半導体素子
の外形寸法に最適なチャックを選択し使用することが可
能である。このだぬ、チャックミスや素子表面に配置さ
れた電極パターン面へのダメージを防止することができ
、生産性の向上や、歩留り、品質の維持向上を図ること
ができる。
そのピックアップ時に、ピックアップすべき半導体素子
の外形寸法に最適なチャックを選択し使用することが可
能である。このだぬ、チャックミスや素子表面に配置さ
れた電極パターン面へのダメージを防止することができ
、生産性の向上や、歩留り、品質の維持向上を図ること
ができる。
(実施例)
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体製造装置を示
すものである。ここで、11はリードフレーム搬送部、
I2はリードフレーム供給部(第1の供給部)、I3は
リードフレーム、14は接着剤供給部(第2の供給部)
、15は半導体素子供給部(第3の供給部)、16はゲ
ージング部(位置決め部)、17はチャック移送部、1
8はチャックホルダー(保持部)、19はリードフレー
ム収納部、20は制御部、1吋はマウントヘッド部(接
合部)である。
すものである。ここで、11はリードフレーム搬送部、
I2はリードフレーム供給部(第1の供給部)、I3は
リードフレーム、14は接着剤供給部(第2の供給部)
、15は半導体素子供給部(第3の供給部)、16はゲ
ージング部(位置決め部)、17はチャック移送部、1
8はチャックホルダー(保持部)、19はリードフレー
ム収納部、20は制御部、1吋はマウントヘッド部(接
合部)である。
リードフレーム搬送部11では、リードフレーム供給部
I2から移送されたリードフレーム13が、リードフレ
ーム13のアイランドのピッチに応じて間欠送りされて
いる。このリードフレーム13の搬送路としては、例え
ば第2図に示すように、トンネル21が形成されており
、このトンネル21内には還元ガス又は非酸化性ガスが
注入されることにより外部の空気を遮断するようにして
いる。ここで、22はリードフレーム、23はrcチッ
プ、24はトランジスタチップ、25はトンネルカバー
、26はガイド、27はヒータブロック、28はヒータ
、29はガス流路である。なお、還元ガス又は非酸化性
ガスとしては、例えば不活性ガス(水素(N2)と酸素
(02)との混合ガス、窒素(N2)ガス等)が用いら
れている。接着剤供給部14は、チャック移送部17の
搬送路上(Y軸上)に設けず、リードフレーム搬送部1
1の搬送路上(X軸上)に付設されている。また、リー
ドフレーム搬送部11には、マウントヘッド部101が
付設されており、ここで半導体素子がリードフレーム1
3に接着される。なお、接着される半導体素子は、半導
体素子供給部15からチャック移送部17によって供給
される。また、リードフレーム搬送部11では、還元又
は非酸化の雰囲気が形成されると共に、その出口側には
冷却部が設けられており、接合後においては、リードフ
レーム13の温度を低下させることができる。例えば、
リードフレーム13が銅系の場合には、大気に触れた際
に表面酸化が進行しないような曹度まで下げるようにす
る。
I2から移送されたリードフレーム13が、リードフレ
ーム13のアイランドのピッチに応じて間欠送りされて
いる。このリードフレーム13の搬送路としては、例え
ば第2図に示すように、トンネル21が形成されており
、このトンネル21内には還元ガス又は非酸化性ガスが
注入されることにより外部の空気を遮断するようにして
いる。ここで、22はリードフレーム、23はrcチッ
プ、24はトランジスタチップ、25はトンネルカバー
、26はガイド、27はヒータブロック、28はヒータ
、29はガス流路である。なお、還元ガス又は非酸化性
ガスとしては、例えば不活性ガス(水素(N2)と酸素
(02)との混合ガス、窒素(N2)ガス等)が用いら
れている。接着剤供給部14は、チャック移送部17の
搬送路上(Y軸上)に設けず、リードフレーム搬送部1
1の搬送路上(X軸上)に付設されている。また、リー
ドフレーム搬送部11には、マウントヘッド部101が
付設されており、ここで半導体素子がリードフレーム1
3に接着される。なお、接着される半導体素子は、半導
体素子供給部15からチャック移送部17によって供給
される。また、リードフレーム搬送部11では、還元又
は非酸化の雰囲気が形成されると共に、その出口側には
冷却部が設けられており、接合後においては、リードフ
レーム13の温度を低下させることができる。例えば、
リードフレーム13が銅系の場合には、大気に触れた際
に表面酸化が進行しないような曹度まで下げるようにす
る。
このような構成によれば、リードフレーム13の搬送系
をアイランドのピッチ毎の間欠送りにすることにより、
XY子テーブル上おいて一枚毎に処理する場合の移動ロ
ス時間がなくなり、生産性が大幅に向上する。また、リ
ードフレーム搬送部11にはトンネル21が形成されて
いる。このため、装置を複雑化することな(、還元又は
非酸化の雰囲気を形成することができ、製品の歩留り、
生産性、品質等の向上を図ることができる。さらに、一
つつのアイラントム毎に処理していくため、半導体素子
が還元雰囲気にさらされる時間が減り、製品の歩留り、
信頼性等を安定させかつ維持させることができる。
をアイランドのピッチ毎の間欠送りにすることにより、
XY子テーブル上おいて一枚毎に処理する場合の移動ロ
ス時間がなくなり、生産性が大幅に向上する。また、リ
ードフレーム搬送部11にはトンネル21が形成されて
いる。このため、装置を複雑化することな(、還元又は
非酸化の雰囲気を形成することができ、製品の歩留り、
生産性、品質等の向上を図ることができる。さらに、一
つつのアイラントム毎に処理していくため、半導体素子
が還元雰囲気にさらされる時間が減り、製品の歩留り、
信頼性等を安定させかつ維持させることができる。
第3図は、上記第1図の半導体製造装置の接着剤供給部
14を詳細に示すものである。
14を詳細に示すものである。
Xテーブル31及びYテーブル32の上部には、複数、
例えば二つのワイヤ半田供給装置33a。
例えば二つのワイヤ半田供給装置33a。
33bが載置されている。このワイヤ半田供給装置33
a、 33bは、ワイヤスプール34、ワイヤ繰り出し
部、ワイヤ繰り出し量調整部、クランパ等から構成され
ている。なお、外形が同寸法の半導体素子を対象とした
場合には、ワイヤ半田供給装置33a、 33bの一つ
を停止差せておくのもよいし、又ダイボンディングのス
ピードに応じては二つのワイヤ半田供給装置 33a、
33bを連動して動作させ、生産性を向上させること
もできる。また、外形が異なる寸法の半導体素子を対象
とする場合には、ワイヤ半田供給装置33a、 33b
の互いのワイヤ半田径を変えることで対応が可能である
。ワイヤ半田供給装置33a、 33bの半田材供給ピ
ッチは、リードフレーム13のアイランドのピッチPの
整数倍(IP、2P・・・)にするのがよい。XY子テ
ーブル1.32は、アイランド上に接合される半導体素
子と同等の位置に半田が供給されるように、制御部によ
り指示させるため設けたものである。
a、 33bは、ワイヤスプール34、ワイヤ繰り出し
部、ワイヤ繰り出し量調整部、クランパ等から構成され
ている。なお、外形が同寸法の半導体素子を対象とした
場合には、ワイヤ半田供給装置33a、 33bの一つ
を停止差せておくのもよいし、又ダイボンディングのス
ピードに応じては二つのワイヤ半田供給装置 33a、
33bを連動して動作させ、生産性を向上させること
もできる。また、外形が異なる寸法の半導体素子を対象
とする場合には、ワイヤ半田供給装置33a、 33b
の互いのワイヤ半田径を変えることで対応が可能である
。ワイヤ半田供給装置33a、 33bの半田材供給ピ
ッチは、リードフレーム13のアイランドのピッチPの
整数倍(IP、2P・・・)にするのがよい。XY子テ
ーブル1.32は、アイランド上に接合される半導体素
子と同等の位置に半田が供給されるように、制御部によ
り指示させるため設けたものである。
このような構成によれば、接着剤供給部14をリードフ
レーム搬送部11の搬送路上(X軸上)に設け、ている
ため、チャックを必要とせずに半田材の供給ができ、自
動化による生産性の向上が達成できる。また、半田供給
装置を少なくとも二つ以上設けることにより、複数個の
異なる外形寸法を持つ半導体素子に対応させることがで
き、さらに生産性を向上させることが可能である。また
、接着剤供給部14において、ワイヤ半田材をリードフ
レーム13へ供給する雰囲気が製造条件に合致する構造
を有するため、歩留り、品質の維持向上を達成できる。
レーム搬送部11の搬送路上(X軸上)に設け、ている
ため、チャックを必要とせずに半田材の供給ができ、自
動化による生産性の向上が達成できる。また、半田供給
装置を少なくとも二つ以上設けることにより、複数個の
異なる外形寸法を持つ半導体素子に対応させることがで
き、さらに生産性を向上させることが可能である。また
、接着剤供給部14において、ワイヤ半田材をリードフ
レーム13へ供給する雰囲気が製造条件に合致する構造
を有するため、歩留り、品質の維持向上を達成できる。
第4図は、前記第1図に示す半導体製造装置におけるチ
ャック移送部17を詳細に示すものである。ここで、I
5は半導体素子供給部、16はゲージング部、18はチ
ャックホルダー 18a、 18bはチャック(保持
具)、41はボールスクリュー、42はシート、43は
半導体素子、44はXYテーブル、45は半導体素子突
上げ部、46はビン、47は位置決め部品である。
ャック移送部17を詳細に示すものである。ここで、I
5は半導体素子供給部、16はゲージング部、18はチ
ャックホルダー 18a、 18bはチャック(保持
具)、41はボールスクリュー、42はシート、43は
半導体素子、44はXYテーブル、45は半導体素子突
上げ部、46はビン、47は位置決め部品である。
チャック移送部17のチャックホルダー18には、複数
、例えば二つのチャック 1lla、 1llbが装備
されている。チャック 18a、 1llbは、それぞ
れ制御部からの制御信号によりその動作が制御されてい
る。チャック 18a、 18bには、それぞれ真空用
の穴が設けられており、互いの穴径は、保持すべき異種
の半導体素子のそれぞれの外形寸法により決定すること
ができる。なお、例えばチャック Igaが動作してい
るときには、チャック l1lbは、一連の動作で他の
部分と干渉しない位置に控えるように構成されている。
、例えば二つのチャック 1lla、 1llbが装備
されている。チャック 18a、 1llbは、それぞ
れ制御部からの制御信号によりその動作が制御されてい
る。チャック 18a、 18bには、それぞれ真空用
の穴が設けられており、互いの穴径は、保持すべき異種
の半導体素子のそれぞれの外形寸法により決定すること
ができる。なお、例えばチャック Igaが動作してい
るときには、チャック l1lbは、一連の動作で他の
部分と干渉しない位置に控えるように構成されている。
このような構成によれば、外形寸法の異なる複数の半導
体素子に対して、そのピックアップ時に、ピックアップ
すべき半導体素子の外形寸法に最適なチャックを選択し
使用することが可能である。このため、チャックミスや
素子表面に配置された電極パターン面へのダメージを防
止することができ、生産性の向上や、歩留り、品質の維
持向上を図ることができる。
体素子に対して、そのピックアップ時に、ピックアップ
すべき半導体素子の外形寸法に最適なチャックを選択し
使用することが可能である。このため、チャックミスや
素子表面に配置された電極パターン面へのダメージを防
止することができ、生産性の向上や、歩留り、品質の維
持向上を図ることができる。
[発明の効果]
以上、説明したように、本発明の半導体製造装置によれ
ば、次のような効果を奏する。
ば、次のような効果を奏する。
リードフレームの搬送系をアイランドのピッチ毎の間欠
送りにすることにより、XY子テーブル上おいて一枚毎
に処理する場合の移動ロス時間がなくなり、生産性が大
幅に向上する。また、搬送部は、装置を複雑化すること
なく、還元又は非酸化の雰囲気を形成することができる
ため、製品の歩留り、生産性、品質等の向上を図ること
ができる。さらに、一つのアイランド毎に処理していく
ため、半導体素子が還元又は非酸化の雰囲気にさらされ
る時間が減り、製品の歩留り、信頼性等を安定させかつ
維持させることができる。
送りにすることにより、XY子テーブル上おいて一枚毎
に処理する場合の移動ロス時間がなくなり、生産性が大
幅に向上する。また、搬送部は、装置を複雑化すること
なく、還元又は非酸化の雰囲気を形成することができる
ため、製品の歩留り、生産性、品質等の向上を図ること
ができる。さらに、一つのアイランド毎に処理していく
ため、半導体素子が還元又は非酸化の雰囲気にさらされ
る時間が減り、製品の歩留り、信頼性等を安定させかつ
維持させることができる。
また、接着剤供給部をリードフレーム搬送部の搬送路上
に設けている。このため、チャックを必要とせずに半田
材の供給ができ、自動化による生産性の向上が達成でき
る。また、半田供給装置を少なくとも二つ以上設けるこ
とにより、複数個の異なる外形寸法を持つ半導体素子に
対応させることができ、さらに生産性を向上させること
が可能である。また、接着剤供給部において、ワイヤ半
田材をリードフレームへ供給する雰囲気が製造条件に合
致する構造を有するため、歩留り、品質の維持向上を達
成できる。
に設けている。このため、チャックを必要とせずに半田
材の供給ができ、自動化による生産性の向上が達成でき
る。また、半田供給装置を少なくとも二つ以上設けるこ
とにより、複数個の異なる外形寸法を持つ半導体素子に
対応させることができ、さらに生産性を向上させること
が可能である。また、接着剤供給部において、ワイヤ半
田材をリードフレームへ供給する雰囲気が製造条件に合
致する構造を有するため、歩留り、品質の維持向上を達
成できる。
さらに、外形寸法の異なる複数の半導体素子に対して、
そのピックアップ時に、ピックアップすべき半導体素子
の外形寸法に最適なチャックを選択し使用することが可
能である。このため、チャックミスや素子表面に配置さ
れた電極パターン面へのダメージを防止することができ
、生産性の向上や、歩留り、品質の維持向上を図ること
ができる。
そのピックアップ時に、ピックアップすべき半導体素子
の外形寸法に最適なチャックを選択し使用することが可
能である。このため、チャックミスや素子表面に配置さ
れた電極パターン面へのダメージを防止することができ
、生産性の向上や、歩留り、品質の維持向上を図ること
ができる。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体製造装置を示
す平面図、第2図はリードフレームの搬送路を示す断面
図、第3図は前記第1図の半導体製造装置の接着剤供給
部J4を示す平面図、第4図は前記第1図の半導体製造
装置のチャック移送部17を示す側面図、第5図は一個
の半導体装置の中に複数個の半導体素子を組み込んだ製
品を示す断面図、第6図は従来の半導体製造装置を示す
平面図、第7図は前記第6図の半導体製造装置の半導体
素子供給部64、ゲージング部65及びチャック移送部
67を示す側面図である。 11・・・リードフレーム搬送部、12・・・リードフ
レーム供給部(第11の供給部)、13・・・リードフ
レーム、14・・・接着剤供給部(第2の供給部)、1
5・・・半導体素子供給部(第3の供給部)、16・・
・ゲージング部(位置決め部)、17・・・チャック移
送部、1B・・・チャックホルダー(保持部) 、18
a、 l1lb・・・チャック(保持具)、19・・・
リードフレーム収納部、20・・・制御部、21・・・
トンネル、22・・・リードフレーム、23・・・IC
チップ、24・・・トランジスタチップ、25・・。 トンネルカバー、26・・・ガイド、27・・・ヒータ
ブロック、28・・・ヒータ、29・・・ガス流路、3
1・・・Xテーブル、32・・・Yテーブル、33a、
33b・・・ワイヤ半田供給装置、34・・・ワイヤ
スプール、41・・・ボールスクリュー42・・・シー
ト、43・・・半導体素子、44・・・XYテーブル、
45・・・半導体素子突上げ部、46・・・ビン、47
・・・位置決め部品、101・・・マウントヘッド部(
接合部)。
す平面図、第2図はリードフレームの搬送路を示す断面
図、第3図は前記第1図の半導体製造装置の接着剤供給
部J4を示す平面図、第4図は前記第1図の半導体製造
装置のチャック移送部17を示す側面図、第5図は一個
の半導体装置の中に複数個の半導体素子を組み込んだ製
品を示す断面図、第6図は従来の半導体製造装置を示す
平面図、第7図は前記第6図の半導体製造装置の半導体
素子供給部64、ゲージング部65及びチャック移送部
67を示す側面図である。 11・・・リードフレーム搬送部、12・・・リードフ
レーム供給部(第11の供給部)、13・・・リードフ
レーム、14・・・接着剤供給部(第2の供給部)、1
5・・・半導体素子供給部(第3の供給部)、16・・
・ゲージング部(位置決め部)、17・・・チャック移
送部、1B・・・チャックホルダー(保持部) 、18
a、 l1lb・・・チャック(保持具)、19・・・
リードフレーム収納部、20・・・制御部、21・・・
トンネル、22・・・リードフレーム、23・・・IC
チップ、24・・・トランジスタチップ、25・・。 トンネルカバー、26・・・ガイド、27・・・ヒータ
ブロック、28・・・ヒータ、29・・・ガス流路、3
1・・・Xテーブル、32・・・Yテーブル、33a、
33b・・・ワイヤ半田供給装置、34・・・ワイヤ
スプール、41・・・ボールスクリュー42・・・シー
ト、43・・・半導体素子、44・・・XYテーブル、
45・・・半導体素子突上げ部、46・・・ビン、47
・・・位置決め部品、101・・・マウントヘッド部(
接合部)。
Claims (3)
- (1)a、複数のリードフレームが配置される第1の供
給部と、 b、前記第1の供給部から供給されるリードフレームを
還元又は非酸化の雰囲気中において間欠的に搬送する搬
送部と、 c、前記搬送部に付設され、前記リードフレーム上に接
着剤を供給する第2の供給部と、d、複数の半導体素子
が配置される第3の供給部と、 e、前記第3の供給部から供給される半導体素子の位置
決定を行なう位置決め部と、 f、前記搬送部に付設され、前記リードフレーム上に半
導体素子を接合する接合部と、 g、半導体素子接着後のリードフレームを収納する収納
部と、 h、前記第3の供給部と前記位置決め部との間において
、及び前記位置決め部と前記接合部との間においてそれ
ぞれ半導体素子の移送を行なう移送部と、 i、前記第1の供給部、前記搬送部、前記第2の供給部
、前記第3の供給部、前記位置決め部、前記接合部、前
記収納部及び前記移送部の各動作を自動制御する制御部
と を具備することを特徴とする半導体製造装置。 - (2)前記第2の供給部は、少なくとも二つ以上の供給
装置を有しており、かつ、互いの供給装置における接着
剤の供給ピッチは、リードフレームのアイランドのピッ
チの整数倍となっていることを特徴とする請求項1記載
の半導体製造装置。 - (3)前記移送部は、半導体素子を保持するための保持
部を有しており、かつ、前記保持部には、少なくとも二
つ以上の保持具が装備されていることを特徴とする請求
項1記載の半導体製造装置。
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