JP3068332B2 - 半導体部品製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体レ−ザ
装置等の半導体部品を製造する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体レ−ザ装置には図６に示
すような構造のものがある。すなわち、図６中の半導体
レ−ザ装置１は、ステム２、ヒ−トシンク３、レ−ザダ
イオ−ド（レ−ザチップ）４、及び、キャップ５により
構成されている。ステム２からは二本の端子２ａ、２ａ
が導出されており、ステム２は環状のヒ−トシンク３に
同軸的に組合わされる。そして、ステム２とヒ−トシン
ク３とが抵抗溶接等の方法によって一体化され、半導体
部品本体としてのステム・アッセンブリ６が構成され
る。

【０００３】ヒ−トシンク３には、径方向に対して垂直
な面（以下、ボンディング面７と称する）を有する突部
８が形成されており、レ−ザダイオ−ド４は、図７に示
すように、突部８のボンディング面７にボンディングさ
れている。さらに、ヒ−トシンク３にキャップ５が同軸
的に組合わされる。そして、キャップ５が突部８を覆う
とともに、ヒ−トシンク３の周縁部がキャップ５の外側
に鍔状に突出する。また、近年、上述のような半導体レ
−ザ装置１を組立てるための装置が開発されており、こ
の種の装置においては幾つかの工程が自動化されてい
る。

【０００４】半導体レ−ザ装置１の製造装置において、
ステム・アッセンブリ６は、ヒ−トシンク３を略真上に
向けた状態で自動的に搬送される。そして、ステム・ア
ッセンブリ６は、レ−ザダイオ−ド４のボンディングの
ために、図８（ａ）及び（ｂ）に示すようなボンディン
グ部９へ移し換えられる。ステム・アッセンブリ６をボ
ンディング部９へ供給する際、ヒ−トシンク３のボンデ
ィング面７にレ−ザダイオ−ド４を載置できるように、
ステム・アッセンブリ６は略９０°倒される。

【０００５】ステム・アッセンブリ６のボンディングス
テ−ジ９への供給は手作業により行われる。つまり、作
業者は、搬送ライン上に保持されたステム・アッセンブ
リ６をピンセットを用いて取出し、ステム・アッセンブ
リ６の姿勢を縦向きから横向きに変更する。そして、作
業者はステム・アッセンブリ６を、ボンディング面７を
上方に向けてボンディング部９上に載せ、位置決めす
る。

【０００６】前記ボンディング部９は、ヒ−タブロック
１０の上にステム・アッセンブリ６を保持し、ヒ−タブ
ロック１０を抵抗加熱する。ステム・アッセンブリ６の
ボンディング面７には接合金属１１が蒸着されており、
ヒ−タブロック１０の熱がステム・アッセンブリ６に伝
わって接合金属１１が溶ける。そして、レ−ザダイオ−
ド４が、ステム・アッセンブリ６に対して位置合せされ
るとともに接合金属１１の上に載せられ、ボンディング
される。ここで、接合金属１１として、例えばＩn とＡ
u の化合物等が用いられている。

【０００７】ボンディング部９は設置台１２上に設けら
れており、ヒ−タブロック１０は、給電体であるブ−ス
バ−１３、１３上に固定されている。そして、ブ−スバ
−１３、１３の下には、ブ−スバ−１３、１３と設置台
１２との間を絶縁する絶縁ブロック１４、１４が設けら
れている。

【０００８】ヒ−タブロック１０の形状は、ステム・ア
ッセンブリ６の下の部分で抵抗が最も高くなるよう設定
されている。つまり、ヒ−タブロック１０には切欠き１
５が設けられており、ヒ−タブロック１０はＵ字形に成
形されている。そして、ヒ−タブロック１０は両端をブ
−スバ−１３、１３に連結され、中間部を上方に向け
る。そして、このヒ−タブロック１０の中間部にステム
・アッセンブリ６が載置される。

【０００９】また、この種の製造装置においては、例え
ば図９に示すようなチップトレイ保持部１６が備えられ
ている。このチップトレイ保持部１６はＸＹ駆動機構部
１７とθ駆動機構部１８とを有している。ＸＹ駆動機構
部１７には直交する二軸方向に直線変位するＸテ−ブル
１９及びＹテ−ブル２０が備えられており、各テ−ブル
１９、２０はそれぞれアクチュエ−タ２１、２２によっ
て駆動される。

【００１０】θ駆動機構部１８はＸＹ駆動機構部１７に
連結されており、先端にトレイステ−ジ２３を有してい
る。トレイステ−ジ２３は、複数のレ−ザダイオ−ド４
…が載せられたチップトレイ２４を保持しており、チッ
プトレイ２４は、機械的なクランプや真空吸着等の方法
によってトレイステ−ジ２３に固定されている。チップ
トレイ２４において、レ−ザダイオ−ド４…は略等間隔
で規則的に並べられている。

【００１１】θ駆動機構部１８の基端側にθ駆動用のア
クチュエ−タ２５が備えられており、このアクチュエ−
タ２５とトレイステ−ジ２３とが、プ−リ２６、２７及
びタイミングベルト２８を介して連結されている。そし
て、アクチュエ−タ２５の駆動力がトレイステ−ジ２３
へ伝達され、トレイステ−ジ２３はθ方向に回動変位す
る。

【００１２】チップトレイ２４上のレ−ザダイオ−ド４
…が照明され、レ−ザダイオ−ド４…が画像認識され
る。そして、コレット等のような吸着ノズル（図示しな
い）がレ−ザダイオ−ド４…の上面に接してレ−ザダイ
オ−ド４…を吸着し、ボンディング部９へ搬送する。

【００１３】以上はレ−ザダイオ−ド４…の場合の説明
であるが、この他に、例えばＩＣチップ等の場合には、
ＩＣチップをウエハ−シ−トに貼り付けたまま保持し、
ＩＣチップをウエハシ−トから直接摘出してボンディン
グ部へ供給する方法が採用されることもある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な製造装置には、以下のような不具合がある。

【００１５】すなわち、ステム・アッセンブリ６を搬送
ラインから取出す際に、接合金属１１がピンセットによ
って傷付けられ、レ−ザダイオ−ド４とステム・アッセ
ンブリ６とのボンディング接合性が悪化する。そして、
歩留り及び製品の信頼性が低下する。

【００１６】ステム・アッセンブリ６をボンディング部
９への移し換える作業が手動により行われていたため、
ステム・アッセンブリ６の姿勢の変更の際に持ち換えが
必要であり、移し換えに多くの時間を要し、生産性が悪
かった。

【００１７】ステム・アッセンブリ６をボンディング部
９への移し換える作業が手動により行われていたため、
ボンディング部９において、ステム・アッセンブリ６の
位置決め精度が悪く、ボンディング精度を向上させるこ
とが困難だった。

【００１８】また、図８（ａ）、（ｂ）に示すようなヒ
−タブロック１０の熱容量は大きく、このため、ヒ−タ
ブロック１１自身の昇熱・降熱に多くの時間を要し、ボ
ンディング時間が長かった。そして、サイクルタイムが
長く、生産性が悪かった。

【００１９】ヒ−タブロック１０の熱容量が大きいた
め、周辺の部材への熱的影響が大であり、ねじ等の締結
部材が緩み易かった。そして、短い周期の保守が必要で
あり、稼働率が低かった。

【００２０】ヒ−タブロック１０に切欠き１５が形成さ
れていたので、ヒ−タブロック１０の中間部に熱的応力
が集中し、ヒ−タブロック１０が割れることがあった。
つまり、高価なヒ−タブロック１０の寿命が短いため、
多くの維持費が必要だった。

【００２１】レ−ザダイオ−ド４はサ−ジ電圧等の電気
的外乱に対して弱いが、ヒ−タブロック１０に直接に電
流が流れる場合には、レ−ザダイ−ドがサ−ジ電圧によ
って破壊されることがあるため、歩留りが低かった。

【００２２】また、レ−ザダイオ−ド４やＣＭＯＳのよ
うな極小なチップが取扱われる場合、チップトレイ２４
が傾いていると、チップの上面からの光量が傾きにより
大きく影響を受けるため、正確な認識を行うことが困難
である。したがって、チップトレイ２４の傾きを原因と
して、ボンディング精度が悪化したり、製造装置の全体
としての稼働率が低下したりする。

【００２３】さらに、チップトレイ２４が傾いている
と、吸着ノズルとレ−ザダイオ−ド４…との間に高い平
行度を得ることが難しい。このため、吸着ミスが起きた
り、レ−ザダイオ−ドに吸着ノズルの圧痕が残ったりし
て、製品の信頼性が低下することがあった。本発明の目
的とするところは、半導体チップのボンディングを自動
的に且つ連続的に行うことが可能な半導体部品の製造装
置を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、半導体部品本体を搬送ライン上
で搬送し、半導体チップを載置したチップトレイをチッ
プトレイ保持部上で保持し、半導体部品本体と半導体チ
ップとをボンディング部へ供給し、半導体部品本体に半
導体チップを載せ、半導体部品本体を加熱して半導体チ
ップを半導体部品本体にボンディングする半導体部品製
造装置において、搬送ラインから半導体部品を取出して
保持し、半導体部品を円弧状に移動させて半導体部品本
体の姿勢を変更し、半導体部品本体をボンディング部に
置換える置換え部を設けた。そして、本発明によれば、
半導体部品本体の置換えを自動的に且つ連続的に行うこ
とが可能になる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１〜図４に基づ
いて説明する。なお、従来の技術の項で説明したものと
重複するものについては同一番号を付し、その説明は省
略する。

【００２６】図１は本発明の第１の実施例を示してお
り、図中の符号３１は半導体部品としての半導体レ−ザ
装置のための製造装置である。この製造装置３１には、
半導体レ−ザ装置１を置換えるための置換え部３２、ボ
ンディング部３３、及び、チップトレイ保持部３４が備
えられている。さらに、製造装置３１には直線状の搬送
ライン３５が配設されており、搬送ライン３５の両側に
は供給側マガジン３６と回収側マガジン３７とが設けら
れている。

【００２７】供給側マガジン３６内では、矩形板状に成
形された複数のキャリア３８…が上下に並べられてお
り、各キャリア３８には複数の半導体部品本体としての
ステム・アッセンブリ６…が、キャリア３８の長手方向
に沿って一列に並べられている。ステム・アッセンブリ
６…は、キャリア３８に形成された差込み孔３９…に差
込まれており、ステム２を略真上に向けている。そし
て、キャリア３８…は供給側マガジン３６から一枚ずつ
取出され、搬送ライン３５上に載せられる。

【００２８】キャリア３８は、図示しないキャリア搬送
部により搬送ライン３５に沿ってピッチ送りされ、搬送
ライン３５の中間部に達する。図２中に示すようにキャ
リア３８の両側縁部には一定の間隔でパイロット孔４０
…が設けられており、図示しないキャリア位置決め部が
このパイロット孔４０…を利用してキャリア３８を位置
決めする。

【００２９】後述する置換え部３２によりステム・アッ
センブリ６…がキャリア３８から順に取出される。１つ
のステム・アッセンブリ６の取出しが終る度に、キャリ
ア３８がピッチ送りされ、次のステムアッセンブリ６が
所定位置に位置決めされる。そして、全ステム・アッセ
ンブリ６…の取出しが完了したのち、キャリア３８は回
収側マガジン３７へ向けて送られ、回収側マガジンに回
収される。

【００３０】前記置換え部３２は、搬送ライン３５の途
中の部位の下側に配置されている。この置換え部３２に
は、図２に示すように置換えノズル（以下、ノズルと称
する）４１、パルスモ−タ（以下、モ−タと称する）４
２、及び、駆動力伝達機構部４３が備えられており、こ
れらは支持体４４によって支持されている。

【００３１】ノズル４１は円管状に成形されるととも
に、一端から他端に亘り円弧状に湾曲している。さら
に、ノズル４１は一端側をノズル保持ア−ム４５の先端
部に連結されている。ノズル保持ア−ム４５の先端部に
は負圧管４６が接続されており、置換えノズル４１はこ
の負圧管４６と連通している。そして、置換えノズル４
１は負圧管４６を介して負圧源（図示しない）に連通し
ている。

【００３２】前記駆動力伝達機構部４３には、第１及び
第２の２つのカム４７、４８、カム側レバ−４９、セク
タギア５０、及び、ピニオンギア５１が備えられてい
る。第１のカム４７はモ−タ４２の出力軸に連結されて
おり、第１のカム４７のカム面には、支持体４４に固定
された第１のカムフォロア５２が接している。第１のカ
ム４７には連動板５３が取り付けられており、カム側レ
バ−４９、セクタギア５０、及び、ピニオンギア５１等
はこの連動板５３によって保持されている。

【００３３】第２のカム４８には第２のカムフォロア５
４が接しており、この第２のカムフォロア５４はカム側
レバ−４９の端部に取付けられている。カム側レバ−４
９は第２のカム４８の側の端部を自由ながらセクタギア
５０と連結されている。セクタギア５０は、カム側レバ
−４９に連結された部分に対して逆側の部分に歯５５を
有しており、この歯５５をピニオンギア５１の歯５６に
噛合わせている。さらに、ピニオンギア５１はノズル保
持ア−ム４５の基端部と連結されている。

【００３４】前記ボンディング部３３は、図３（ａ）及
び（ｂ）に示すように、ヒ−タブロック５７、主ヒ−タ
５８、ブ−スバ−５９、５９、絶縁ブロック６０、６
０、及び、断熱材６１により構成されている。設置台１
２上に２つの絶縁ブロック６０、６０が互いに離間して
載置されており、絶縁ブロック６０、６０の上にブ−ス
バ−５９、５９が重ねられている。ブ−スバ−５９、５
９の外側部には略水平に導かれた給電線６２、６２が接
続されている。

【００３５】主ヒ−タ５８は矩形な板状体からなるもの
で、両ブ−スバ−５９、５９に跨っている。さらに、主
ヒ−タ５８は長手方向両端部をブ−スバ−５９、５９に
載せており、固定ねじ６３、６３を介してブ−スバ−５
９、５９に結合している。

【００３６】ヒ−タブロック５７は、例えば銅等からな
るもので、主ヒ−タ５８の上に載せられている。そし
て、ヒ−タブロック５７は、固定ねじ６４、６４を介し
て主ヒ−タ５８の長手方向中間部に固定されている。さ
らに、ヒ−タブロック５７は熱容量が可能な限り小さく
なるよう設計されている。

【００３７】つまり、ヒ−タブロック５７は、ベ−ス部
６５とステム保持部６６とを有しており、ベ−ス部６５
の下面６７を主ヒ−タ５８の上面６８に全面的に接触さ
せている。ステム保持部６６はベ−ス部６５の正面縁部
に沿って垂設されており、上側へいくほど狭まる台形状
に成形されている。そして、ステム保持部６６はステム
・アッセンブリ６の形状に合せて段付に成形されてい
る。

【００３８】両ブ−スバ−５９、５９の間に断熱材６１
が位置しており、この断熱材６１は主ヒ−タ５８に下面
側から接している。断熱材６１の下面の一側縁部に沿っ
て固定プレ−ト６９が添えられており、ヒ−タブロック
５７に螺合した固定ねじ６４、６４が断熱材６１を貫通
して固定プレ−ト６９に達している。そして、断熱材６
１は固定ねじ６４、６４と固定プレ−ト６９とによって
主ヒ−タ５８に保持されている。

【００３９】また、ヒ−タブロック５７と主ヒ−タ５８
とは、例えばＴi Ｎなどの電気絶縁材料をコ−ティング
されており、図４中に示すように電気絶縁膜（以下、絶
縁膜と称する）７０が形成されている。絶縁膜７０は、
ヒ−タブロック５７のベ−ス部６５の下面６７を除く略
全体に形成されている。また、絶縁膜７０は、主ヒ−タ
５８の上面６８に形成されている。さらに、主ヒ−タ５
８の上面においてベ−ス部６５の下面６７と接触する部
分の絶縁膜は取除かれている。

【００４０】前記チップトレイ保持部３４は、図５に示
すように、チップトレイ７１を保持するトレイステ−ジ
７２、下中央部に球座７３を有する球座テ−ブル７４、
及び、中央に受孔７５を有する球座受台７６を備えてい
る。

【００４１】これらのうち球座テ−ブル７４は球座受台
７６に嵌合されており、球座７３を受孔７５に入込ませ
ている。そして、球座テ−ブル７４は球座７３の曲面を
球座受台７６のテ−パ面７７に当接させるとともに、そ
の周縁部と球座受台７６の周縁部との間に間隙７８を形
成している。

【００４２】さらに、球座テ−ブル７４の周縁部には例
えば三本以上の取付ねじ７９…が螺合しており、球座テ
−ブル７４と球座受台７３とは取付ねじ７９…を介して
連結されている。そして、取付ねじ７９…を選択的に締
緩することにより、球座テ−ブル７４と球座受台７３と
の間の間隙７８が変化し、球座テ−ブル７４が球座受台
７３に対して傾く。そして、これら球座テ−ブル７４、
球座受台７３、及び、取付ねじ７９…等によって傾斜調
整機構８０が構成されている。

【００４３】球座テ−ブル７４には貫通孔８１が形成さ
れており、この貫通孔８１に段付な回転軸８２が差込ま
れている。回転軸８２はベアリング８３を介して球座テ
−ブル７４に連結されるとともに、前記トレイステ−ジ
７２に下中央部に結合している。回転軸８２の下端には
プ−リ８４が取付けられており、プ−リ８４にはタイミ
ングベルト８５が掛けられている。そして、アクチュエ
−タ（図示しない）の動力がタイミングベルト８５とプ
−リ８４とを介して回転軸８２に伝達され、トレイステ
−ジ７２がθ方向に回動変位する。

【００４４】トレイステ−ジ７２は、チップトレイ７１
の周縁部を係合させながら、チップトレイ７１を上向き
に載置する。さらに、トレイステ−ジ７２はその底面８
６とチップトレイ７１の下面との間に吸着用の空間８７
を形成している。また、トレイステ−ジ７２内には負圧
吸引路８８が形成されており、この負圧吸引路８８の一
端は底面８６の中央部に開口している。

【００４５】トレイステ−ジ７２の側面には、連結具８
９を介して負圧管９０が連結されており、この負圧管９
０は負圧吸引路８８と連通している。負圧管９０は図示
しない負圧源からトレイステ−ジ７２へ導かれている。
そして、この負圧管９０及び負圧吸引路８８を介して吸
着用の空間８７が真空吸引され、チップトレイ７１がト
レイステ−ジ７２に吸着保持される。ここで、チップト
レイ保持部３４はＸＹテ−ブルに載置されており、チッ
プトレイ７１はＸＹθ方向に位置決めされる。つぎに、
上述の製造装置３１の作用を説明する。

【００４６】まず、キャリア３８が搬送ライン３５の中
間部で停止すると、置換え部３２が駆動され、パルスモ
−タ４２の出力が駆動力伝達機構部４３を介して置換え
ノズル４１に伝達される。この置換えノズル４１は上昇
・下降及び略９０°の正逆方向への回動を行う。そし
て、置換えノズル４１は、図２中に矢印Ａ、Ｂで示すよ
うに、上昇、正方向への回動、停止、逆方向への回動、
及び、下降の各動作を順に行う。

【００４７】つまり、置換えノズル４１は上昇して搬送
ライン３５に下側から近付き、キャリア３８に保持され
た１つのステム・アッセンブリ６に達する。置換えノズ
ル４１の先端にステム・アッセンブリ６の端子２ａ、２
ａが入込み、置換えノズル４１の開放端がヒ−トシンク
３によって閉じられる。置換えノズル４１の中は負圧管
４６を介して真空吸引されており、ステムアッセンブリ
６は置換えノズル４１に吸着保持される。

【００４８】さらに、置換えノズル４１はステム・アッ
センブリ６が差込まれた差込み孔３９に入込んだのち、
ノズル保持ア−ム４５とともに回動しながら、ステム・
アッセンブリ６を持上げる。さらに、図２に示すよう
に、置換えノズル４１は先端を略水平方向に向ける。こ
の際、ステム・アッセンブリ６の姿勢が縦向きから横向
きに変更される。そして、置換えノズル４１はステム・
アッセンブリ６を、円弧状に移動させ、姿勢変更しなが
らボンディング部３３へ送る。そして、ステム・アッセ
ンブリ６がボンディング部３３のヒ−タブロック５７上
に置換えられる。

【００４９】ボンディング部３３においては、主ヒ−タ
５８がブ−スバ−５９、５９から給電され、ヒ−タブロ
ック５７は主ヒ−タ５８を介して通電される。そして、
主ヒ−タ５８とヒ−タブロック５７とがジュ−ル熱を生
じ、ヒ−タブロック５７上のステム・アッセンブリ６が
抵抗加熱される。そして、例えば、加熱温度は約２５０
℃である。

【００５０】また、チップトレイ保持部３４において
は、傾斜調整機構８０によってチップトレイ７１の姿勢
が水平に保たれている。チップトレイ７１上に並んだ半
導体チップとしてのレ−ザダイオ−ド（レ−ザチップ）
４は照明されながら画像認識される。ここで、図１中の
符号９２は画像認識用の光学系を示している。

【００５１】コレット等の吸着ノズル９１が所望のレ−
ザダイオ−ド４に当接し、このレ−ザダイオ−ドを吸着
してボンディング部３３へ搬送する。そして、搬送され
たレ−ザダイオ−ド４は、ステム・アッセンブリ６のボ
ンディング面７に載置される。ここで、図１中の符号９
３は画像認識用の光学系を示している。

【００５２】ステム・アッセンブリ６のボンディング７
には予め接合金属１１が供給されており、この接合金属
１１はヒ−タブロック５７からステム・アッセンブリ６
へ伝わった熱によって溶かされる。そして、レ−ザダイ
オ−ド４が接合金属１１を介して、ステム・アッセンン
ブリ６に接合される。

【００５３】レ−ザダイオ−ド４の接合が終ったのちに
は、置換えノズル４１がステム・アッセンブリ６を保持
したまま下降する。ステム・アッセンブリ６は、置換え
ノズル４１によって搬送ライン３５へ戻され、キャリア
３８の差込み孔３９に上向きに差込まれる。

【００５４】上述のような製造装置３１においては、置
換え部３２に置換えノズル４１が備えられており、置換
えノズル４１が上昇・下降、及び、正逆方向への回動を
行う。そして、ステム・アッセンブリ６は、置換えノズ
ル４１により保持された後には、円弧状に搬送されてボ
ンディング部３３に載せられる。

【００５５】したがって、ステム・アッセンブリ６を途
中で持ち換えたり、或いは、置換えノズル４１を途中で
停止させたりすることなく、ステム・アッセンブリ６を
姿勢変更できる。そして、ステム・アッセンブリ６を自
動的に且つ連続的に置換えることができる。

【００５６】また、ステム・アッセンブリ６の置換えを
人手に頼ることなく行うことが可能であるので、ピンセ
ット等によって接合金属１１を傷付けたりすることがな
く、歩留り及び製品の信頼性が高い。

【００５７】また、ステム・アッセンブリ６の置換えを
人手に頼ることなく行えるので、ステム・アッセンブリ
６の移し換えを容易に短時間で行うことができ、生産性
が高い。

【００５８】さらに、置換え部４１がステム・アッセン
ブリ６をボンディング部３３へ自動的に置換えるので、
ステム・アッセンブリ６の位置決め精度が良く、ボンデ
ィング精度を容易に向上させることができる。

【００５９】また、ボンディング部３３においては、ヒ
−タブロック５７と主ヒ−タ５８とが備えられており、
ヒ−タブロック５７は主ヒ−タ５８を介して給電され
る。つまり、発熱する部分がヒ−タブロック５７と主ヒ
−タ５８とに分割されているので、ヒ−タブロック５７
の形状に制限が少なく、ヒ−タブロック５７の設計が自
由である。そして、ボンディング部３３のヒ−タブロッ
ク５７が、熱容量が小さくなるよう設計されているの
で、ヒ−タブロック５７自身の昇熱・降熱に要する時間
が短い。したがって、ボンディング時間を短縮化でき、
サイクルタイムが短くなり、生産性が向上する。

【００６０】ヒ−タブロック５７の熱容量が小さいの
で、周辺の部材への熱的影響が小さく、固定ねじ６３、
６４等の締結部材が緩みにくい。そして、保守作業の周
期が短く、稼働率が高い。

【００６１】また、ヒ−タブロック５７と主ヒ−タ５８
を用いて二重加熱が行われるため、低い温度（例えば、
従来の約６０％の温度）でステムアッセンブリ６を加熱
できるようになった。このため、ヒ−タブロック５７及
び主ヒ−タ５８が熱的に消耗しにくくなり、ヒ−タブロ
ック５７及び主ヒ−タ５８の交換頻度が著しく減った。

【００６２】ヒ−タブロック５７が主ヒ−タ５８を介し
てブ−スバ−５９、５９に連結されており、ヒ−タブロ
ック５７の中央に切欠きが無いので、ヒ−タブロック１
０に熱的応力が集中しにくく、ヒ−タブロック５７の割
れを防止することができる。したがって、ヒ−タブロッ
ク５７を長寿命化でき、維持費を低減できる。

【００６３】さらに、ヒ−タブロック５７が主ヒ−タ５
８を介してブ−スバ−５９、５９に連結されるので、ヒ
−タブロック５７の形状を簡単な板状に設定することが
でき、ヒ−タブロック５７を消耗品として扱っても維持
費は安い。

【００６４】また、ヒ−タブロック５７に絶縁膜７０が
形成されているので、レ−ザダイオ−ド４にサ−ジ電圧
等の電気的外乱が加わることを防止できる。したがっ
て、レ−ザダイオ−ド４が電気的外乱によって破壊され
ることを防止でき、歩留りを向上できる。なお、絶縁膜
７０を対象となる半導体部品（この場合は、半導体レ−
ザ装置１の特性に応じて省略してもよい。

【００６５】さらに、チップトレイ保持部３４において
は、傾斜調整機構８０が設けられているので、チップト
レイ７１の姿勢を水平に保つことができる。したがっ
て、レ−ザダイオ−ド４…の認識のための光量が安定
し、認識対象物の大きさに関わらずに、正確な認識が可
能になる。そして、ボンディング精度及び稼働率を向上
させることができる。

【００６６】また、チップトレイ保持部３４に傾斜調整
機構８０が設けられているので、吸着ノズル９１とレ−
ザダイオ−ド４…との平行度を容易に調節することがで
きる。したがって、吸着ミスが起きたり、レ−ザダイオ
−ド４…に吸着ノズルの圧痕が残ったりすることを防止
でき、製品の信頼性が向上する。

【００６７】特に、対象物が微小な場合、チップトレイ
７１が傾いていると、チップトレイ７１上に吸着ノズル
が達しない領域が発生し、その領域内のレ−ザダイオ−
ド４…が吸着されずに残ることがあった。しかし、傾斜
調整機構８０を利用してチップトレイ７１の傾きを調整
すれば、レ−ザダイオ−ド４…を偏りなく吸着でき、レ
−ザダイオ−ド４…がチップトレイ７１上に残ることを
防止できる。また、チップトレイ７１の傾斜調整に球座
７３とテ−パ面７７を利用しているので、加工が容易で
ある。なお、本発明は、要旨を逸脱しない範囲で種々に
変形することが可能である。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体部
品本体を搬送ライン上で搬送し、半導体チップを載置し
たチップトレイをチップトレイ保持部上で保持し、半導
体部品本体と半導体チップとをボンディング部へ供給
し、半導体部品本体に半導体チップを載せ、半導体部品
本体を加熱して半導体チップを半導体部品本体にボンデ
ィングする半導体部品製造装置において、搬送ラインか
ら半導体部品を取出して保持し、半導体部品を円弧状に
移動させて半導体部品本体の姿勢を変更し、半導体部品
本体をボンディング部に置換える置換え部を設けた。し
たがって本発明は、半導体部品本体の置換えを自動的に
且つ連続的に行うことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の要部を一部透視して示す斜
視図。

【図２】置換え部を一部透視して示す斜視図。

【図３】（ａ）及び（ｂ）はボンディング部を示すもの
で、（ａ）は一部切断して示す側面図、（ｂ）は正面
図。

【図４】ボンディング部の絶縁膜を示す説明図。

【図５】チップトレイ保持部を示す断面図。

【図６】一般の半導体レ−ザを分解して示す斜視図。

【図７】レ−ザダイオ−ドのボンディング状態を示す説
明図。

【図８】従来の製造装置のボンディング部を示すもの
で、（ａ）は一部切断して示す側面図、（ｂ）は正面
図。

【図９】従来のチップトレイ保持部を一部透視して示す
斜視図。

【符号の説明】

１…半導体レ−ザ装置（半導体部品）、４…レ−ザダイ
オ−ド（半導体レ−ザチップ）、６…ステム・アッセン
ブリ（半導体部品本体）、３１…半導体部品製造装置、
３２…置換え部、３３…ボンディング部、３４…チップ
トレイ保持部、３５…搬送ライン、５７…ヒ−タブロッ
ク、５８…主ヒ−タ、５９、５９…ブ−スバ−、６０、
６０…絶縁ブロック、７１…チップトレイ、８０…傾斜
調整機構。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−67793（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−65429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−42924（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−220785（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52442（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−163838（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−67428（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/022 H01L 21/52 H01L 21/68 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体部品本体を搬送ライン上で搬送
   し、半導体チップを載置したチップトレイをチップトレ
   イ保持部上で保持し、上記半導体部品本体と上記半導体
   チップとをボンディング部へ供給し、上記半導体部品本
   体に上記半導体チップを載せ、上記半導体部品本体を加
   熱して上記半導体チップを上記半導体部品本体にボンデ
   ィングする半導体部品製造装置において、上記搬送ライ
   ンから上記半導体部品を取出して保持し、上記半導体部
   品を円弧状に移動させて上記半導体部品本体の姿勢を変
   更し、上記半導体部品本体を上記ボンディング部に置換
   える置換え部を設けたことを特徴とする半導体部品製造
   装置。
2. 【請求項２】 上記ボンディング部が、上記半導体部品
   本体を加熱するヒ−タブロックと、上記ヒ−タブロック
   を加熱する主ヒ−タと、この主ヒ−タに給電するブ−ス
   バ−と、このブ−スバ−を支持する絶縁ブロックとから
   なることを特徴とする［請求項１］記載の半導体部品製
   造装置。
3. 【請求項３】 上記チップトレイ保持装置が傾斜調整機
   構を有することを特徴とする［請求項１］もしくは［請
   求項２］記載の半導体部品製造装置。