JPH0480948A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0480948A JPH0480948A JP19542290A JP19542290A JPH0480948A JP H0480948 A JPH0480948 A JP H0480948A JP 19542290 A JP19542290 A JP 19542290A JP 19542290 A JP19542290 A JP 19542290A JP H0480948 A JPH0480948 A JP H0480948A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 16
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造技術、特に、リードフレーム
をベース上に位置決めした状態でキャップをベースにガ
ラス封止で接合するために用いて効果のある技術に関す
るものである。
をベース上に位置決めした状態でキャップをベースにガ
ラス封止で接合するために用いて効果のある技術に関す
るものである。
例えば、株式会社日立製作所のカタログ「日立ICパッ
ケージJ (ADJ−310−001E)74頁、7
5頁に示されるような40ピン〜80ビンのフラットパ
ッケージ形のICにあっては、リードフレームを片面に
固定したセラミックベースに対し、キャップを低融点ガ
ラスを用いて溶着固定する工程を経て製造される。
ケージJ (ADJ−310−001E)74頁、7
5頁に示されるような40ピン〜80ビンのフラットパ
ッケージ形のICにあっては、リードフレームを片面に
固定したセラミックベースに対し、キャップを低融点ガ
ラスを用いて溶着固定する工程を経て製造される。
ところで、本発明者は、リードフレームが予め固着され
たセラミックベースにキャップを溶着固定する際のリー
ドフレームの位置ずれについて検討した。
たセラミックベースにキャップを溶着固定する際のリー
ドフレームの位置ずれについて検討した。
以下は、本発明者によって検討された技術であリ、その
概要は次の通りである。
概要は次の通りである。
第3図は従来の半導体装置の製造工程を説明するための
断面図である。
断面図である。
セラミックベース1の片面には、予めリードフレーム3
が低融点ガラス2の溶融によって固定されている。また
、セラミックベース1の中央部には不図示の半導体素子
(半導体チップ)が装着され、この半導体素子の電極部
とリードフレーム3のインナーリードとがワイヤボンデ
ィングによって接続されている。
が低融点ガラス2の溶融によって固定されている。また
、セラミックベース1の中央部には不図示の半導体素子
(半導体チップ)が装着され、この半導体素子の電極部
とリードフレーム3のインナーリードとがワイヤボンデ
ィングによって接続されている。
このような半製品にキャップ4を固着し、この後リード
フレーム3の不要部分を切断除去し、さらに残されたリ
ードの先端部を所定の形状に折り曲げ加工することによ
り半導体装置が完成する。
フレーム3の不要部分を切断除去し、さらに残されたリ
ードの先端部を所定の形状に折り曲げ加工することによ
り半導体装置が完成する。
キャップ4のセラミックベース1への接合に際しては、
低融点ガラス5を用いて行うが、この低融点ガラス5は
キャップ4の表面に予め薄く溶融形成されている。
低融点ガラス5を用いて行うが、この低融点ガラス5は
キャップ4の表面に予め薄く溶融形成されている。
キャップ4をセラミックベース1−に低融点ガラス5を
用いて固着するに際しては、耐熱性及び温度膨張/収縮
の少ない材料で加工された治具6及び治具7を用いて行
う。治具6は、キャップ4の所定深さ部分が嵌入する凹
部を有し、更にリードフレーム3の位置決め用の基準穴
(不図示)に挿入される複数のピン6aを備えている。
用いて固着するに際しては、耐熱性及び温度膨張/収縮
の少ない材料で加工された治具6及び治具7を用いて行
う。治具6は、キャップ4の所定深さ部分が嵌入する凹
部を有し、更にリードフレーム3の位置決め用の基準穴
(不図示)に挿入される複数のピン6aを備えている。
また、治具7は“コ”の字形の断面形状を有し、その中
央部には、重り8が嵌入可能な開口が設けられている。
央部には、重り8が嵌入可能な開口が設けられている。
この治具7は、治具6を覆うように重ね合わされる。重
り8は、セラミックベース1をキャップ4を押圧し、セ
ラミックベース1とキャップ4が密着できるように、セ
ラミックベース1に荷重を付与するために設けられる。
り8は、セラミックベース1をキャップ4を押圧し、セ
ラミックベース1とキャップ4が密着できるように、セ
ラミックベース1に荷重を付与するために設けられる。
封止処理を行う場合、まず、治具6上の凹部内にキャッ
プ4を低融点ガラス5の形成面を上にして嵌入する。つ
いでセラミックベース1をリードフレーム3が下になる
ようにしてキャップ4に重ね合わせ、ピン6aにリード
フレーム3の位置決め用の基準穴を嵌入させる。この状
態のまま治具7を治具6に重ね合わせ、重り8を治具7
の開口に嵌入させる。
プ4を低融点ガラス5の形成面を上にして嵌入する。つ
いでセラミックベース1をリードフレーム3が下になる
ようにしてキャップ4に重ね合わせ、ピン6aにリード
フレーム3の位置決め用の基準穴を嵌入させる。この状
態のまま治具7を治具6に重ね合わせ、重り8を治具7
の開口に嵌入させる。
ついで、加熱雰囲気中に送り込み、低融点ガラス5を溶
融させ、キャップ4をセラミックベース1及びリードフ
レーム3に固着させる。これにより、半導体素子及びボ
ンディングワイヤの部分が気密状態に保護され、封止さ
れる。さらに、リード加工が行われてガルウィング形状
に成形され、ついで選別工程を経て所定のマーキングが
行われ、製品となる。
融させ、キャップ4をセラミックベース1及びリードフ
レーム3に固着させる。これにより、半導体素子及びボ
ンディングワイヤの部分が気密状態に保護され、封止さ
れる。さらに、リード加工が行われてガルウィング形状
に成形され、ついで選別工程を経て所定のマーキングが
行われ、製品となる。
ところが、前記の如くリードフレームをピンのみによっ
て位置決めを行って封止する構成においては、ピンとリ
ードフレームの基準穴の係合が不完全であると、リード
フレームに不均一な応力が加わり、各リードのばらつき
(高さの不揃いなど)を生じたまま低融点ガラスに溶融
固定され、次のような問題を生じることが本発明者によ
って見出された。
て位置決めを行って封止する構成においては、ピンとリ
ードフレームの基準穴の係合が不完全であると、リード
フレームに不均一な応力が加わり、各リードのばらつき
(高さの不揃いなど)を生じたまま低融点ガラスに溶融
固定され、次のような問題を生じることが本発明者によ
って見出された。
すなわち、封止後にリード成形を実施する場合、成形金
型がリードをクランプする際、封止ガラスがクラックし
、気密不良を生じさせる。また、成形後のリード先端の
位置精度を悪くする。つまり、平面方向では位置精度が
低下(間隔不揃いの発生)し、高さ方向では高さ位置精
度が劣化(上下変動差の発生)し、基板への実装性を低
下させる。
型がリードをクランプする際、封止ガラスがクラックし
、気密不良を生じさせる。また、成形後のリード先端の
位置精度を悪くする。つまり、平面方向では位置精度が
低下(間隔不揃いの発生)し、高さ方向では高さ位置精
度が劣化(上下変動差の発生)し、基板への実装性を低
下させる。
そこで、本発明の目的は、封止時のリードのばらつきを
低減することのできる技術を提供することにある。
低減することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述およ
び添付図面から明らかになるであろう。
び添付図面から明らかになるであろう。
不順において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、半導体素子を搭載したセラミックベースにリ
ードフレームの装着された半製品に対し、低融点ガラス
を用いてキャップを気密封止するための半導体製造装置
であって、前記キャップを位置決めする第1の治具と、
前記半製品を位置決めする凹部を有し、封止時に前記第
1の治具に重ね合わせられる第20治具と、前記各治具
の対向する部位に設けられて少なくともパッケージ本体
近傍のリードを保持するリードフレーム押圧手段とを設
けるようにしたものである。
ードフレームの装着された半製品に対し、低融点ガラス
を用いてキャップを気密封止するための半導体製造装置
であって、前記キャップを位置決めする第1の治具と、
前記半製品を位置決めする凹部を有し、封止時に前記第
1の治具に重ね合わせられる第20治具と、前記各治具
の対向する部位に設けられて少なくともパッケージ本体
近傍のリードを保持するリードフレーム押圧手段とを設
けるようにしたものである。
上記した手段によれば、リードフレーム押圧手段が半製
品及びキャップのセット時に少なくともパッケージ本体
近傍のリードに当接して移動が固定され、隣接リード間
の浮き変動や間隔ずれを防止する。したがって、封止時
にリードの上下が押さえ込まれ、リードばらつきを低減
することができる。
品及びキャップのセット時に少なくともパッケージ本体
近傍のリードに当接して移動が固定され、隣接リード間
の浮き変動や間隔ずれを防止する。したがって、封止時
にリードの上下が押さえ込まれ、リードばらつきを低減
することができる。
第1図は本発明による半導体製造装置の一実施例を示す
断面図である。なお、第1図においては、第3図に示し
たと同一であるものには同一引用数字を用いたので、以
下においては重複する説明を省略する。
断面図である。なお、第1図においては、第3図に示し
たと同一であるものには同一引用数字を用いたので、以
下においては重複する説明を省略する。
本実施例においては、第3図の治具6及び治具7に代え
て、重り8を嵌入可能な開口を有し、その開口に連接し
て設けられるキャップ4を嵌入させるだめの凹部が設け
られた治具9 (第1の治具)、及びセラミックベース
1が嵌入される凹部を有して治具9に重ね合わせられる
治具10(第2の治具)が設けられる。
て、重り8を嵌入可能な開口を有し、その開口に連接し
て設けられるキャップ4を嵌入させるだめの凹部が設け
られた治具9 (第1の治具)、及びセラミックベース
1が嵌入される凹部を有して治具9に重ね合わせられる
治具10(第2の治具)が設けられる。
治具9は、上記したピン6aと同一の機能を有する複数
のピン9aを有し、キャップ4の外周に隣接する部位に
はリードフレームの中心寄りを押さえるリードフレーム
押圧部9b(リードフレーム押圧手段)が形成されてい
る。治具10はピン9aに嵌合する凹部10a1及びリ
ードフレーム押圧部9bと同一用途のリードフレーム押
圧部10b(リードフレーム押圧手段)がリードフレー
ム押圧部9bに対向するように形成されている。
のピン9aを有し、キャップ4の外周に隣接する部位に
はリードフレームの中心寄りを押さえるリードフレーム
押圧部9b(リードフレーム押圧手段)が形成されてい
る。治具10はピン9aに嵌合する凹部10a1及びリ
ードフレーム押圧部9bと同一用途のリードフレーム押
圧部10b(リードフレーム押圧手段)がリードフレー
ム押圧部9bに対向するように形成されている。
封止処理を行う場合、まず、治具9を第1図の状態から
裏返し、治具9の凹部内にキャップ4を嵌入させる。引
き続いて、予めリードフレーム3が低融点ガラス2によ
って固着されたセラミックベース1を、キャップ4に重
なるようにして蓋くと共に、リードフレーム3の基準穴
をピン9aに嵌入させる。ついで、治具10を、ピン9
aと凹B10aを嵌入することにより重ねる。この重ね
合わせにより、半完成品の周辺のリードがリードフレー
ム押圧部9bとリードフレーム押圧部10bとによって
上下から押さえ込まれ、固定される。
裏返し、治具9の凹部内にキャップ4を嵌入させる。引
き続いて、予めリードフレーム3が低融点ガラス2によ
って固着されたセラミックベース1を、キャップ4に重
なるようにして蓋くと共に、リードフレーム3の基準穴
をピン9aに嵌入させる。ついで、治具10を、ピン9
aと凹B10aを嵌入することにより重ねる。この重ね
合わせにより、半完成品の周辺のリードがリードフレー
ム押圧部9bとリードフレーム押圧部10bとによって
上下から押さえ込まれ、固定される。
この状態のままで全体を裏返し、治具9の開口に重り8
を嵌入してキャップ4を押圧し、接合面に浮きが生じな
いようにすると、第1図の状態となる。
を嵌入してキャップ4を押圧し、接合面に浮きが生じな
いようにすると、第1図の状態となる。
この状態のまま、加熱雰囲気中に送り込み、低融点ガラ
ス2.5を溶融させ、キャップ4をセラミックベース1
及びリードフレーム3に固着させる。これにより、半導
体素子及びボンディングワイヤの部分が気密状態に保護
される。
ス2.5を溶融させ、キャップ4をセラミックベース1
及びリードフレーム3に固着させる。これにより、半導
体素子及びボンディングワイヤの部分が気密状態に保護
される。
第2図は本発明の他の実施例を示す断面図である。本実
施例では第1図に示したと同一であるものには同一の引
用数字を用いたので、以下においては重複する説明を省
略する。
施例では第1図に示したと同一であるものには同一の引
用数字を用いたので、以下においては重複する説明を省
略する。
本実施例は、第1図の実施例の一対の治具の上下関係を
逆にし、セラミックベースlの側に重り8を載冒するよ
うにしたものである。このために、治具9に設けてあっ
た開口を治具10に設けている。
逆にし、セラミックベースlの側に重り8を載冒するよ
うにしたものである。このために、治具9に設けてあっ
た開口を治具10に設けている。
また、前記実施例では、セットした段階で既にリードフ
レーム押圧部9bとリードフレーム押圧部10bとによ
ってリードフレーム3を押圧保持する構成にしていたが
、本実施例ではセットした段階ではリードフレーム押圧
部10bによる片面押さえである。ただし、治具9及び
載置物(キャップ4.セラミックベースl及びリードフ
レーム3)が加熱雰囲気中に送り込まれ、低融点ガラス
2.5が溶融した段階で、リードフレーム3は治具10
1重り8.セラミックベース1及び自重による荷重で降
下し、リードフレーム押圧部9bとリードフレーム押圧
部10bに押圧保持される。
レーム押圧部9bとリードフレーム押圧部10bとによ
ってリードフレーム3を押圧保持する構成にしていたが
、本実施例ではセットした段階ではリードフレーム押圧
部10bによる片面押さえである。ただし、治具9及び
載置物(キャップ4.セラミックベースl及びリードフ
レーム3)が加熱雰囲気中に送り込まれ、低融点ガラス
2.5が溶融した段階で、リードフレーム3は治具10
1重り8.セラミックベース1及び自重による荷重で降
下し、リードフレーム押圧部9bとリードフレーム押圧
部10bに押圧保持される。
本実施例の特徴は、前記実施例の治具の裏返しをしない
ようにしていることにある。
ようにしていることにある。
なお、本実施例における封止処理は、前記実施例と同様
であるので、ここでは説明を省略する。
であるので、ここでは説明を省略する。
以上、本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
例えば、前記各実施例においては、半導体装置のリード
構造がガルウィング型の例を示したが、これに限定され
るものではなく、Jベントリード、バッドリードなどに
も適用可能である。
構造がガルウィング型の例を示したが、これに限定され
るものではなく、Jベントリード、バッドリードなどに
も適用可能である。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば下言己の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば下言己の通りであ
る。
すなわち、半導体素子を搭載したセラミックベースにリ
ードフレームの装着された半製品に対し、低融点ガラス
を用いてキャップを気密封止するための単導体製造装置
であって、前記キャップを位置決めする第1の治具と、
前記半製品を位置決めする凹部を有し、封止時に前記第
1の治具に重ね合わせられる第2の治具と、前記各治具
の対向する部位に設けられて少なくともパッケージ本体
近傍のリードを保持するリードフレーム押圧手段とを設
けるようにしたので、封止時にリードの上下を押さえ込
んでリードばらつきをなくすことができる結果、封止ガ
ラスのクラックによる気密不良をなくし、歩留り向上及
び製品の高品位化を図ることができる。
ードフレームの装着された半製品に対し、低融点ガラス
を用いてキャップを気密封止するための単導体製造装置
であって、前記キャップを位置決めする第1の治具と、
前記半製品を位置決めする凹部を有し、封止時に前記第
1の治具に重ね合わせられる第2の治具と、前記各治具
の対向する部位に設けられて少なくともパッケージ本体
近傍のリードを保持するリードフレーム押圧手段とを設
けるようにしたので、封止時にリードの上下を押さえ込
んでリードばらつきをなくすことができる結果、封止ガ
ラスのクラックによる気密不良をなくし、歩留り向上及
び製品の高品位化を図ることができる。
第1図は本発明による単導体製造装置の一実施例を示す
断面図、 第2図は本発明の他の実施例を示す断面図、第3図は従
来の半導体装置の製造工程を説明するための断面図であ
る。 1・・・セラミックベース、2,5・・・低融点ガラス
、3・・・リードフレーム、4・・・キャップ、6,7
.9.10・・・治具、6a、9a・・・ピン、8・・
・重り、9b、10b・ ・・リードフレーム押圧部、
10a・・・凹部。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第 図 第 図 7:治具 10a:凹部 第 図 4:キャノブ
断面図、 第2図は本発明の他の実施例を示す断面図、第3図は従
来の半導体装置の製造工程を説明するための断面図であ
る。 1・・・セラミックベース、2,5・・・低融点ガラス
、3・・・リードフレーム、4・・・キャップ、6,7
.9.10・・・治具、6a、9a・・・ピン、8・・
・重り、9b、10b・ ・・リードフレーム押圧部、
10a・・・凹部。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第 図 第 図 7:治具 10a:凹部 第 図 4:キャノブ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体素子を搭載したセラミックベースにリードフ
レームの装着された半製品に対し、低融点ガラスを用い
てキャップを気密封止するための半導体製造装置であっ
て、前記キャップを位置決めする第1の治具と、前記半
製品を位置決めする凹部を有し、封止時に前記第1の治
具に重ね合わせられる第2の治具と、前記各治具の対向
する部位に設けられて少なくともパッケージ本体近傍の
リードを保持するリードフレーム押圧手段とを具備する
ことを特徴とする半導体製造装置。 2、前記第1の治具側に前記リードフレームの位置決め
用の基準穴を嵌入するピンを設けたことを特徴とする請
求項1記載の半導体製造装置。 3、加熱処理時に上側に配設される治具に重り嵌入用の
開口を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19542290A JPH0480948A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19542290A JPH0480948A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0480948A true JPH0480948A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16340816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19542290A Pending JPH0480948A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0480948A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281456A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | トリスアゾ化合物 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19542290A patent/JPH0480948A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6281456A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | トリスアゾ化合物 |
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