JPH07183303A - バンプ電極の形成方法およびバンプ電極を含む半導体装置の製造方法 - Google Patents
バンプ電極の形成方法およびバンプ電極を含む半導体装置の製造方法Info
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- JPH07183303A JPH07183303A JP4246289A JP24628992A JPH07183303A JP H07183303 A JPH07183303 A JP H07183303A JP 4246289 A JP4246289 A JP 4246289A JP 24628992 A JP24628992 A JP 24628992A JP H07183303 A JPH07183303 A JP H07183303A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スタッドバンプの形成の際に、折り返しワイ
ヤーのテールが確実に圧着される形成方法を提供する。 【構成】 ワイヤー先端のボール３をパッド５に圧着し
てベース部１６を形成する際に、ベース部１６の上面に
凹部８を形成する。キャピラリー１１Ａのループ状の移
動によってワイヤー２を折り返し、そのテールを凹部８
に圧着し突起部を形成する。この圧着部からさらに延び
るワイヤーは切断される。
ヤーのテールが確実に圧着される形成方法を提供する。 【構成】 ワイヤー先端のボール３をパッド５に圧着し
てベース部１６を形成する際に、ベース部１６の上面に
凹部８を形成する。キャピラリー１１Ａのループ状の移
動によってワイヤー２を折り返し、そのテールを凹部８
に圧着し突起部を形成する。この圧着部からさらに延び
るワイヤーは切断される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の電極となる
バンプ電極の形成方法およびそのようなバンプ電極を含
む樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。
バンプ電極の形成方法およびそのようなバンプ電極を含
む樹脂封止型の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージ分野における多ピン
化、狭ピッチ化の要求に応えるため、半導体パッケージ
に搭載する素子の電極形成方法として「スタッドバンプ
法」と称される技術が知られている。同技術は、日本特
許出願公開公報昭和６３−３０４５８７号に詳しく開示
されている。以下にその概要を説明する。
化、狭ピッチ化の要求に応えるため、半導体パッケージ
に搭載する素子の電極形成方法として「スタッドバンプ
法」と称される技術が知られている。同技術は、日本特
許出願公開公報昭和６３−３０４５８７号に詳しく開示
されている。以下にその概要を説明する。
【０００３】図２２（ａ）〜（ｄ）はその従来技術によ
るバンプ電極形成プロセスを説明する工程断面図であ
る。
るバンプ電極形成プロセスを説明する工程断面図であ
る。
【０００４】キャピラリー１の先端から導出されたワイ
ヤー２の先端に、電気トーチ法でボール３を形成する
［（ａ）］。ボール３をキャピラリー１によってＬＳＩ
チップ４の電極パッド５に圧着し、ベース部６を形成す
る［（ｂ）］。続いて、ベース部６につながっているワ
イヤー２をキャピラリー１の孔に通した状態でキャピラ
リー１をループ状に動かし［（ｃ）〜（ｄ）］、ベース
部６の上に突起部７を形成する。ついで、ワイヤー２を
切断すればバンプ電極が完成する。
ヤー２の先端に、電気トーチ法でボール３を形成する
［（ａ）］。ボール３をキャピラリー１によってＬＳＩ
チップ４の電極パッド５に圧着し、ベース部６を形成す
る［（ｂ）］。続いて、ベース部６につながっているワ
イヤー２をキャピラリー１の孔に通した状態でキャピラ
リー１をループ状に動かし［（ｃ）〜（ｄ）］、ベース
部６の上に突起部７を形成する。ついで、ワイヤー２を
切断すればバンプ電極が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２３は上記方法で形
成されたバンプ電極の断面図である。ベース部６の上面
が平坦であるため、圧着されたワイヤーのテールを保持
する力が不十分となり、テールの圧着後、ワイヤーを切
断するためのキャピラリーの動きによって、ワイヤーの
テールがベース部６から離脱することがあった。この結
果得られるバンプ電極は所定の形状にはならず、形状の
修正は事実上不可能であるので、そのようなバンプ電極
が形成されたＬＳＩチップは不良品として廃棄せざるを
得なかった。
成されたバンプ電極の断面図である。ベース部６の上面
が平坦であるため、圧着されたワイヤーのテールを保持
する力が不十分となり、テールの圧着後、ワイヤーを切
断するためのキャピラリーの動きによって、ワイヤーの
テールがベース部６から離脱することがあった。この結
果得られるバンプ電極は所定の形状にはならず、形状の
修正は事実上不可能であるので、そのようなバンプ電極
が形成されたＬＳＩチップは不良品として廃棄せざるを
得なかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明のバンプ電極の形成方法は、次の工程よりな
っている。
めに本発明のバンプ電極の形成方法は、次の工程よりな
っている。
【０００７】キャピラリー先端から導出された金属ワイ
ヤーの先端に膨頭部を形成する工程、前記膨頭部を前記
キャピラリー先端部でパッド部に押し当てて、前記膨頭
部を押しつぶし前記膨頭部と前記パッド部の圧着し、前
記押しつぶされた膨頭部によりバンプ電極のベース部分
を形成するとともに前記ベース部分の上面に凹部を形成
する工程、前記キャピラリーを前記ベース部の上方でル
ープ状に動かして、前記ベース部から延びるワイヤーを
前記ベース部に向かって折り返す工程、前記折り返され
たワイヤーを前記キャピラリーの先端で前記凹部に押し
当てて圧着する工程、前記圧着部からさらに延びるワイ
ヤーを切断する工程。
ヤーの先端に膨頭部を形成する工程、前記膨頭部を前記
キャピラリー先端部でパッド部に押し当てて、前記膨頭
部を押しつぶし前記膨頭部と前記パッド部の圧着し、前
記押しつぶされた膨頭部によりバンプ電極のベース部分
を形成するとともに前記ベース部分の上面に凹部を形成
する工程、前記キャピラリーを前記ベース部の上方でル
ープ状に動かして、前記ベース部から延びるワイヤーを
前記ベース部に向かって折り返す工程、前記折り返され
たワイヤーを前記キャピラリーの先端で前記凹部に押し
当てて圧着する工程、前記圧着部からさらに延びるワイ
ヤーを切断する工程。
【０００８】さらに本発明のバンプ電極の形成方法は、
前記キャピラリーのループ状の動きが垂直上方、水平移
動、垂直下方の動きからなっている。
前記キャピラリーのループ状の動きが垂直上方、水平移
動、垂直下方の動きからなっている。
【０００９】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
はつぎの工程よりなっている。半導体チップの電極パッ
ド上に、ベース部分と前記ベース部分上の突起部とから
なるバンプ電極を形成する工程、前記バンプ電極の突起
部にリード部材の一端を圧着し電気的接合をおこなう工
程、樹脂により少なくとも前記半導体チップおよび前記
電気的接合部を覆うとともに、前記リード部材の他端が
導出された樹脂部を形成する工程。
はつぎの工程よりなっている。半導体チップの電極パッ
ド上に、ベース部分と前記ベース部分上の突起部とから
なるバンプ電極を形成する工程、前記バンプ電極の突起
部にリード部材の一端を圧着し電気的接合をおこなう工
程、樹脂により少なくとも前記半導体チップおよび前記
電気的接合部を覆うとともに、前記リード部材の他端が
導出された樹脂部を形成する工程。
【００１０】さらに本発明の半導体装置の製造方法では
つぎの工程よりなっている。半導体チップの電極パッド
上に、バンプ電極を形成する工程であって、前記キャピ
ラリーの動きのうち水平移動の方向は、バンプ電極に接
合されるべきリード部材の長手方向の軸方向一致してい
るもの、前記バンプ電極の突起部にリード部材の一端を
圧着し電気的接合をおこなう工程、樹脂により少なくと
も前記半導体チップおよび前記電気的接合部を覆うとと
もに、前記リード部材の他端が導出された樹脂部を形成
する工程。
つぎの工程よりなっている。半導体チップの電極パッド
上に、バンプ電極を形成する工程であって、前記キャピ
ラリーの動きのうち水平移動の方向は、バンプ電極に接
合されるべきリード部材の長手方向の軸方向一致してい
るもの、前記バンプ電極の突起部にリード部材の一端を
圧着し電気的接合をおこなう工程、樹脂により少なくと
も前記半導体チップおよび前記電気的接合部を覆うとと
もに、前記リード部材の他端が導出された樹脂部を形成
する工程。
【００１１】
【作用】以上の構成によれば、バンプ電極の突起部とな
る折り返しワイヤーのテールが凹部に圧着されるので、
接着強度が大きく、テール離脱のような不良が発生しな
い。
る折り返しワイヤーのテールが凹部に圧着されるので、
接着強度が大きく、テール離脱のような不良が発生しな
い。
【００１２】
【実施例】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例
によるバンプ電極の形成工程を示す工程断面図である。
バンプ電極がその上に形成されるべき下地の電極パッド
５は、アルミニウムを主成分とする合金で形成されてお
り、その厚みは０．８、大きさは９４×９４である。こ
の電極パッド５は通常、ＬＳＩチップの周縁部に配置さ
れている。この電極パッド５はシリコン基板または同基
板内の不純物拡散領域とはシリコン酸化膜（図示せず）
を介して設けられており、半導体チップとしてのＬＳＩ
チップに作り込まれた回路に接続されている。
によるバンプ電極の形成工程を示す工程断面図である。
バンプ電極がその上に形成されるべき下地の電極パッド
５は、アルミニウムを主成分とする合金で形成されてお
り、その厚みは０．８、大きさは９４×９４である。こ
の電極パッド５は通常、ＬＳＩチップの周縁部に配置さ
れている。この電極パッド５はシリコン基板または同基
板内の不純物拡散領域とはシリコン酸化膜（図示せず）
を介して設けられており、半導体チップとしてのＬＳＩ
チップに作り込まれた回路に接続されている。
【００１３】このような電極パッド上にバンプ電極を形
成するための装置は、従来いわゆるネールヘッドボンデ
ィングに用いてきたワイヤーボンダーであればよい。こ
の実施例では、米国Ｋ＆Ｓ社製のモデル１４８４を使用
した。
成するための装置は、従来いわゆるネールヘッドボンデ
ィングに用いてきたワイヤーボンダーであればよい。こ
の実施例では、米国Ｋ＆Ｓ社製のモデル１４８４を使用
した。
【００１４】一方、ボンディングキャピラリーも従来、
金ワイヤーによるネールヘッドボンディングに用いてい
るセラミック製のものを使用できる（たとえば巴工業社
製：製品型番41413-0010-330）。このキャピラリーの先
端の各部分の寸法は、次のとおりである。
金ワイヤーによるネールヘッドボンディングに用いてい
るセラミック製のものを使用できる（たとえば巴工業社
製：製品型番41413-0010-330）。このキャピラリーの先
端の各部分の寸法は、次のとおりである。
【００１５】チップ径（tip diameter）＝２０３μｍ 孔径 （hole diameter）＝３８μｍ アウターラディアス（outer radious）＝３８μｍ 金ワイヤーは直径３０のもの（金純度99.9999％）を使
用した（田中電子工業製 品番：MGHLP-101）。
用した（田中電子工業製 品番：MGHLP-101）。
【００１６】図１（ａ）に示すように、キャピラリー１
１Ａの先端のワイヤー導出口からワイヤー２を出し、ス
パークによってワイヤー先端を熔融し、ボール（膨頭
部）３を形成する。スパークの条件は、印加電圧３〜４
ｋＶ、ギャップは約３８０μｍである。このボールの直
径は約５０〜７０である。
１Ａの先端のワイヤー導出口からワイヤー２を出し、ス
パークによってワイヤー先端を熔融し、ボール（膨頭
部）３を形成する。スパークの条件は、印加電圧３〜４
ｋＶ、ギャップは約３８０μｍである。このボールの直
径は約５０〜７０である。
【００１７】図１（ｂ）に示すように、このボール３を
キャピラリーの先端で電極パッド５に押しつけて圧着す
る。このとき、その電極パッドを備えたＬＳＩチップは
加熱され、約１８０℃になっている。キャピラリー１１
Ａがボールを押さえる加重は約４５〜５０ｇであり、キ
ャピラリーには更に約６０ｋHzの超音波振動が重畳され
る。このような条件で圧着した場合、つぶされたボール
と電極パッドとの接合面は直径約６０〜８０の円形とな
る。この潰され、圧着されたボールはバンプ電極のベー
ス部分１６となる。ベース部分１６の上面はキャピラリ
ー先端の凸部が押し当てられた結果、ワイヤーとの接続
点を囲んで環状の凹部８が形成される。この凹部８の深
さは約５〜２０である。
キャピラリーの先端で電極パッド５に押しつけて圧着す
る。このとき、その電極パッドを備えたＬＳＩチップは
加熱され、約１８０℃になっている。キャピラリー１１
Ａがボールを押さえる加重は約４５〜５０ｇであり、キ
ャピラリーには更に約６０ｋHzの超音波振動が重畳され
る。このような条件で圧着した場合、つぶされたボール
と電極パッドとの接合面は直径約６０〜８０の円形とな
る。この潰され、圧着されたボールはバンプ電極のベー
ス部分１６となる。ベース部分１６の上面はキャピラリ
ー先端の凸部が押し当てられた結果、ワイヤーとの接続
点を囲んで環状の凹部８が形成される。この凹部８の深
さは約５〜２０である。
【００１８】次に図１（ｃ）に示すように、ベース部分
から延びるワイヤーをキャピラリーに通したままでキャ
ピラリー１１Ａをループ形状の軌跡を描くように動か
す。このときのキャピラリーの動きをより細かい動きに
分解すると、次のようになる。
から延びるワイヤーをキャピラリーに通したままでキャ
ピラリー１１Ａをループ形状の軌跡を描くように動か
す。このときのキャピラリーの動きをより細かい動きに
分解すると、次のようになる。
【００１９】Ｘ：垂直上方（２００〜５００μｍ） Ｙ：水平移動（１２０〜１５０μｍ） Ｚ：垂直下方（２００〜５００μｍ） 図１（ｄ）はキャピラリーの垂直下方への動き（Ｚ）が
終了する直前の状態を示す断面図である。上記の一連の
動きでループ状に折り返されたワイヤーのテールは、最
後の垂直下方への動きにより、ベース部分上面の凹部に
圧着される。テールを圧着するときの加重は約９０〜１
００ｇである。このようにして折り返されたワイヤーに
よってベース部分の上面に形成された部分がバンプ電極
の突起部となる。この突起部を含めたバンプ電極の高さ
は約６０〜９０である。
終了する直前の状態を示す断面図である。上記の一連の
動きでループ状に折り返されたワイヤーのテールは、最
後の垂直下方への動きにより、ベース部分上面の凹部に
圧着される。テールを圧着するときの加重は約９０〜１
００ｇである。このようにして折り返されたワイヤーに
よってベース部分の上面に形成された部分がバンプ電極
の突起部となる。この突起部を含めたバンプ電極の高さ
は約６０〜９０である。
【００２０】従来の形成方法で含まれていた、垂直上方
への動きの前の水平方向の動きを省略することによっ
て、折り返されたワイヤー（突起部）の形状の均一性が
向上する。
への動きの前の水平方向の動きを省略することによっ
て、折り返されたワイヤー（突起部）の形状の均一性が
向上する。
【００２１】続いて、ワイヤーをクランプしてキャピラ
リーをベース部分から遠ざけ、圧着されたテールからさ
らに延びるワイヤーを切断する。図２は以上の工程の結
果得られるバンプ電極の断面図である。潰されたボール
（膨頭部）がベース部分１６Ａとなり、折り返されたワ
イヤーが突起部４０Ａとなる。ワイヤーのテールは凹部
に圧着されているので接合強度が大きく、この工程にお
いてベース部分からワイヤーが離脱する不良がきわめて
少なくなる。
リーをベース部分から遠ざけ、圧着されたテールからさ
らに延びるワイヤーを切断する。図２は以上の工程の結
果得られるバンプ電極の断面図である。潰されたボール
（膨頭部）がベース部分１６Ａとなり、折り返されたワ
イヤーが突起部４０Ａとなる。ワイヤーのテールは凹部
に圧着されているので接合強度が大きく、この工程にお
いてベース部分からワイヤーが離脱する不良がきわめて
少なくなる。
【００２２】バンプ電極のベース部の上面に凹部を形成
することによる他の効果は、機械的衝撃に対する緩衝能
力の向上である。パッケージングのためにリード部材を
バンプ電極に圧着する際や、実装基板の配線パターンに
圧着する際の機械的衝撃または応力は、バンプ電極の突
起部によってもある程度は緩衝され得るが、その突起
部、すなわちベース部から延びたワイヤーの付け根の周
囲に凹部を設けることにより、突起部を支える部分の近
傍の塑性流動が容易になり、緩衝能力が向上する。
することによる他の効果は、機械的衝撃に対する緩衝能
力の向上である。パッケージングのためにリード部材を
バンプ電極に圧着する際や、実装基板の配線パターンに
圧着する際の機械的衝撃または応力は、バンプ電極の突
起部によってもある程度は緩衝され得るが、その突起
部、すなわちベース部から延びたワイヤーの付け根の周
囲に凹部を設けることにより、突起部を支える部分の近
傍の塑性流動が容易になり、緩衝能力が向上する。
【００２３】図３（ａ）〜（ｄ）は第２の実施例により
形成されたバンプ電極の断面図を示す。本実施例ではベ
ース部分１６Ｂ上面の一部のみに凹部８を形成し、そこ
に折り返されたワイヤーのテールを圧着したものであ
る。このような形状のバンプ電極は、ワイヤー導出口の
周囲の一部分のみに凸部を設けたキャピラリーを使用し
て上記実施例と同じ方法で形成できる。
形成されたバンプ電極の断面図を示す。本実施例ではベ
ース部分１６Ｂ上面の一部のみに凹部８を形成し、そこ
に折り返されたワイヤーのテールを圧着したものであ
る。このような形状のバンプ電極は、ワイヤー導出口の
周囲の一部分のみに凸部を設けたキャピラリーを使用し
て上記実施例と同じ方法で形成できる。
【００２４】図４は本発明の第２実施例により形成され
たバンプ電極の断面図である。ワイヤー２のテールはベ
ース部１６Ｂの上面の選択された部分につくられた凹部
に圧着されている。
たバンプ電極の断面図である。ワイヤー２のテールはベ
ース部１６Ｂの上面の選択された部分につくられた凹部
に圧着されている。
【００２５】図５は上記第２の実施例により作られたバ
ンプ電極の平面図である。この図面では、折り返された
ワイヤーは省略されている。ベース部１６Ｃの表面に一
つの凹部８Ｃが形成されている。番号２０を付した部分
は折り返されたワイヤーの付け根を示している。その折
り返されたワイヤーによって形成された突起部は表され
ていない。
ンプ電極の平面図である。この図面では、折り返された
ワイヤーは省略されている。ベース部１６Ｃの表面に一
つの凹部８Ｃが形成されている。番号２０を付した部分
は折り返されたワイヤーの付け根を示している。その折
り返されたワイヤーによって形成された突起部は表され
ていない。
【００２６】図６は２列のバンプ電極を付けたＬＳＩチ
ップの平面図である。２列のバンプ電極はそれぞれＬＳ
Ｉチップの向かい合う２つの辺２４、３４に沿って配置
されている。バンプ電極は本発明の第２の実施例のプロ
セスによって形成されている。個々のバンプ電極はひと
つの凹部８Ｃを有している。凹部はＬＳＩチップの辺の
うち最も近接した辺に面した位置に形成されている。た
とえば、右側の列に形成されたバンプ電極については、
凹部８Ｃはワイヤー付け根２０の右側に形成され、最も
近いチップの辺２４に面している。一方、左側の列に形
成されたバンプ電極については、凹部８Ｃはワイヤー付
け根２０の左側に形成され、最も近いチップの辺３４に
面している。凹部８Ｃは折り返されたワイヤーのテール
を保持するためのものである。その折り返されたワイヤ
ーによって形成された突起部は表されていない。
ップの平面図である。２列のバンプ電極はそれぞれＬＳ
Ｉチップの向かい合う２つの辺２４、３４に沿って配置
されている。バンプ電極は本発明の第２の実施例のプロ
セスによって形成されている。個々のバンプ電極はひと
つの凹部８Ｃを有している。凹部はＬＳＩチップの辺の
うち最も近接した辺に面した位置に形成されている。た
とえば、右側の列に形成されたバンプ電極については、
凹部８Ｃはワイヤー付け根２０の右側に形成され、最も
近いチップの辺２４に面している。一方、左側の列に形
成されたバンプ電極については、凹部８Ｃはワイヤー付
け根２０の左側に形成され、最も近いチップの辺３４に
面している。凹部８Ｃは折り返されたワイヤーのテール
を保持するためのものである。その折り返されたワイヤ
ーによって形成された突起部は表されていない。
【００２７】図７は２列のバンプ電極を付けたＬＳＩチ
ップの平面図である。矢印は、第１及び第２の実施例で
述べたバンプ電極形成の際のキャピラリーの水平移動の
方向を示している。移動方向は、バンプ電極が沿ってい
るチップの辺に対して垂直であり、キャピラリーはチッ
プの外側に向かって移動する。
ップの平面図である。矢印は、第１及び第２の実施例で
述べたバンプ電極形成の際のキャピラリーの水平移動の
方向を示している。移動方向は、バンプ電極が沿ってい
るチップの辺に対して垂直であり、キャピラリーはチッ
プの外側に向かって移動する。
【００２８】図６に示したような、１個の凹部を有する
バンプ電極をそなえたＬＳＩチップを製造するために
は、バンプ電極の列のそれぞれを形成する際に、凹部の
位置に応じて、先端に凸部を設けたキャピラリーを軸回
転させていかなければならない。この問題を克服するた
めに、ワイヤー導出口について対称な位置に２個または
４個の凸部を設けたものを利用することができる。
バンプ電極をそなえたＬＳＩチップを製造するために
は、バンプ電極の列のそれぞれを形成する際に、凹部の
位置に応じて、先端に凸部を設けたキャピラリーを軸回
転させていかなければならない。この問題を克服するた
めに、ワイヤー導出口について対称な位置に２個または
４個の凸部を設けたものを利用することができる。
【００２９】図８はその先端に２個の突起部を設けたキ
ャピラリーを使って作られたバンプ電極の平面図であ
る。ワイヤー付け根２０を中心として互い反対側に形成
された２個の凹部８Ｄを有している。
ャピラリーを使って作られたバンプ電極の平面図であ
る。ワイヤー付け根２０を中心として互い反対側に形成
された２個の凹部８Ｄを有している。
【００３０】図９は、２個の凹部を備えたバンプ電極が
２列に配置されたＬＳＩチップの平面図である。このＬ
ＳＩチップは長方形の表面を有し、その上にバンプ電極
が形成されている。それぞれのバンプ電極列はＬＳＩチ
ップの長辺の一つに沿い、かつ近接している。バンプ電
極は配置は図６に示した例と同一である。本実施例の特
徴はそれぞれのバンプ電極が２つの凹部８Ｄ（図８参
照）を有していることである。それぞれのバンプ電極に
おいて、１つの凹部はチップの辺のうち、最も近接した
ものに面しており、もう一つの凹部はチップの内側に面
している。本実施例では、キャピラリーを軸回転させる
ことなく、すべてのバンプ電極において、１つの凹部を
最近接のチップの辺に面して形成することができる。キ
ャピラリーの水平移動の方向は図７の矢印の方向と一致
しており、ワイヤーはその矢印の方向に折り返され、突
起部（図示せず）を形作る。
２列に配置されたＬＳＩチップの平面図である。このＬ
ＳＩチップは長方形の表面を有し、その上にバンプ電極
が形成されている。それぞれのバンプ電極列はＬＳＩチ
ップの長辺の一つに沿い、かつ近接している。バンプ電
極は配置は図６に示した例と同一である。本実施例の特
徴はそれぞれのバンプ電極が２つの凹部８Ｄ（図８参
照）を有していることである。それぞれのバンプ電極に
おいて、１つの凹部はチップの辺のうち、最も近接した
ものに面しており、もう一つの凹部はチップの内側に面
している。本実施例では、キャピラリーを軸回転させる
ことなく、すべてのバンプ電極において、１つの凹部を
最近接のチップの辺に面して形成することができる。キ
ャピラリーの水平移動の方向は図７の矢印の方向と一致
しており、ワイヤーはその矢印の方向に折り返され、突
起部（図示せず）を形作る。
【００３１】図１０は、それぞれの辺に沿って４列のバ
ンプ電極を設けたほぼ正方形のＬＳＩチップ４の平面図
である。個々のバンプ電極は１つの凹部８Ｃを有してい
る。それらの凹部はチップの最近接の辺に面した位置に
形成されている。上の列のバンプ電極では、凹部８Ｃは
最近接の辺４４に面するように、ワイヤーの付け根２０
の上側に形成されている。一方、左側、下側、右側の列
のバンプ電極では、それぞれ最近接の辺５４、６４、７
４に面するようにワイヤーの付け根２０の左側、下側、
右側に形成されている。ワイヤーは図１１の矢印の方向
に折り返されて突起部（図示せず）を形作る。
ンプ電極を設けたほぼ正方形のＬＳＩチップ４の平面図
である。個々のバンプ電極は１つの凹部８Ｃを有してい
る。それらの凹部はチップの最近接の辺に面した位置に
形成されている。上の列のバンプ電極では、凹部８Ｃは
最近接の辺４４に面するように、ワイヤーの付け根２０
の上側に形成されている。一方、左側、下側、右側の列
のバンプ電極では、それぞれ最近接の辺５４、６４、７
４に面するようにワイヤーの付け根２０の左側、下側、
右側に形成されている。ワイヤーは図１１の矢印の方向
に折り返されて突起部（図示せず）を形作る。
【００３２】図１１は４列のバンプ電極を配したＬＳＩ
チップの平面図である。矢印はバンプ電極形成の際のキ
ャピラリーの水平移動の方向を示している。移動方向
は、バンプ電極が沿っているチップの辺４４、５４、６
４、７４に対して垂直であり、キャピラリーはチップの
外側に向かって移動する。
チップの平面図である。矢印はバンプ電極形成の際のキ
ャピラリーの水平移動の方向を示している。移動方向
は、バンプ電極が沿っているチップの辺４４、５４、６
４、７４に対して垂直であり、キャピラリーはチップの
外側に向かって移動する。
【００３３】キャピラリーの水平移動の方向を上記のよ
うにした理由を、図１２を参照して説明する。図１２
は、バンプ電極を介してリード部材に接続されたＬＳＩ
チップの平面図である。キャピラリーの水平移動方向
（矢印で示されている）は接続すべきリード５０の長手
軸の方向５５（一点鎖線）と一致している。バンプ電極
の突起部とリードの接合部分は水平移動の方向に細長い
ため、同図に示したような方向にするのが好ましいので
ある。
うにした理由を、図１２を参照して説明する。図１２
は、バンプ電極を介してリード部材に接続されたＬＳＩ
チップの平面図である。キャピラリーの水平移動方向
（矢印で示されている）は接続すべきリード５０の長手
軸の方向５５（一点鎖線）と一致している。バンプ電極
の突起部とリードの接合部分は水平移動の方向に細長い
ため、同図に示したような方向にするのが好ましいので
ある。
【００３４】さらに、キャピラリーの水平移動の方向を
ＬＳＩチップの主表面の中心から延びる放射線のうち、
各バンプ電極の中心を通るものに合わせても、上記の態
様と同等の効果が得られる。
ＬＳＩチップの主表面の中心から延びる放射線のうち、
各バンプ電極の中心を通るものに合わせても、上記の態
様と同等の効果が得られる。
【００３５】ワイヤーの折り返しのためのキャピラリー
の水平移動の方向を上記のように選択することは、バン
プ電極を有するＬＳＩチップをプリント配線基板にいわ
ゆるフリップチップとして実装しようとする場合、プリ
ント配線基板の電極パターンとの関係においても適用す
ることができる。
の水平移動の方向を上記のように選択することは、バン
プ電極を有するＬＳＩチップをプリント配線基板にいわ
ゆるフリップチップとして実装しようとする場合、プリ
ント配線基板の電極パターンとの関係においても適用す
ることができる。
【００３６】図１３は、先端に４つの突起を有するキャ
ピラリーによって作られたバンプ電極の平面図である。
４個の凹部８Ｅがワイヤーの付け根を中心として互いに
９０度の角度をはさんでベース部１６Ｅの上面に形成さ
れている。この場合に用いるキャピラリーは、ワイヤー
導出口を中心として互いに９０度の角度を挟んだ四箇所
に突起を有するものである。
ピラリーによって作られたバンプ電極の平面図である。
４個の凹部８Ｅがワイヤーの付け根を中心として互いに
９０度の角度をはさんでベース部１６Ｅの上面に形成さ
れている。この場合に用いるキャピラリーは、ワイヤー
導出口を中心として互いに９０度の角度を挟んだ四箇所
に突起を有するものである。
【００３７】図１４は、４つの凹部を有するバンプ電極
を４列に配したＬＳＩチップの平面図である。ＬＳＩチ
ップには４つの辺がある。それぞれのバンプ電極列は４
つの辺のうちの一つに沿い、かつ近接している。バンプ
電極の配置は図１０の例と同一である。この実施例の特
徴は、個々のバンプ電極が４つの凹部を有していること
である（図１３参照）。個々のバンプ電極において、一
つの凹部は最近接のチップの辺に面している。本実施例
では、キャピラリーを軸回転させることなく、すべての
バンプ電極において、１つの凹部を最近接のチップの辺
に面して形成することができる。そして、折り返された
ワイヤーのテールはその凹部に圧着される。キャピラリ
ーの水平移動の方向は図１１の矢印の方向と一致してお
り、ワイヤーはその矢印の方向に折り返され、突起部
（図示せず）を形作る。
を４列に配したＬＳＩチップの平面図である。ＬＳＩチ
ップには４つの辺がある。それぞれのバンプ電極列は４
つの辺のうちの一つに沿い、かつ近接している。バンプ
電極の配置は図１０の例と同一である。この実施例の特
徴は、個々のバンプ電極が４つの凹部を有していること
である（図１３参照）。個々のバンプ電極において、一
つの凹部は最近接のチップの辺に面している。本実施例
では、キャピラリーを軸回転させることなく、すべての
バンプ電極において、１つの凹部を最近接のチップの辺
に面して形成することができる。そして、折り返された
ワイヤーのテールはその凹部に圧着される。キャピラリ
ーの水平移動の方向は図１１の矢印の方向と一致してお
り、ワイヤーはその矢印の方向に折り返され、突起部
（図示せず）を形作る。
【００３８】図１５（ａ）から図１５（ｄ）までは、突
起部を持ち、かつよりコンパクトなバンプ電極を形成す
るためのプロセスを示す工程断面図である。バンプ電極
を形成すべき基板４上の電極パッド５はアルミニウムを
主成分とする合金で作られている。電極パッド５の厚み
は０．８μｍであり、サイズは９４μｍ×９４μｍであ
る。この電極パッドは通常、ＬＳＩチップの周縁部に配
置されている。この電極パッドはシリコン基板または同
基板内の不純物拡散領域とはシリコン酸化膜（図示せ
ず）を介して設けられており、半導体チップとしてのＬ
ＳＩチップに作り込まれた回路に接続されている。
起部を持ち、かつよりコンパクトなバンプ電極を形成す
るためのプロセスを示す工程断面図である。バンプ電極
を形成すべき基板４上の電極パッド５はアルミニウムを
主成分とする合金で作られている。電極パッド５の厚み
は０．８μｍであり、サイズは９４μｍ×９４μｍであ
る。この電極パッドは通常、ＬＳＩチップの周縁部に配
置されている。この電極パッドはシリコン基板または同
基板内の不純物拡散領域とはシリコン酸化膜（図示せ
ず）を介して設けられており、半導体チップとしてのＬ
ＳＩチップに作り込まれた回路に接続されている。
【００３９】このような電極パッド上にバンプ電極を形
成するための装置、ワイヤー材料等は、上記の第１の実
施例で使用したものと同じものを用いる。また、キャピ
ラリーは従来、金線によるネールヘッドボンディングに
用いているセラミック製のものを使用できる（たとえば
巴工業社製：製品型番41413-0010-330）。金ワイヤーは
直径３０μｍのもの（金純度99.9999％）を使用した
（田中電子工業製：品番MGHLP-101）。
成するための装置、ワイヤー材料等は、上記の第１の実
施例で使用したものと同じものを用いる。また、キャピ
ラリーは従来、金線によるネールヘッドボンディングに
用いているセラミック製のものを使用できる（たとえば
巴工業社製：製品型番41413-0010-330）。金ワイヤーは
直径３０μｍのもの（金純度99.9999％）を使用した
（田中電子工業製：品番MGHLP-101）。
【００４０】図１５（ａ）に示すように、キャピラリー
１１Ｃの先端のワイヤー導出口からワイヤーを出し、ス
パークによってワイヤー先端を熔融し、ボール（膨頭
部）３を形成する。スパークの条件は、印加電圧３〜４
ｋＶ、ギャップは約３８０μｍである。このボールの直
径は約５０〜７０μｍである。
１１Ｃの先端のワイヤー導出口からワイヤーを出し、ス
パークによってワイヤー先端を熔融し、ボール（膨頭
部）３を形成する。スパークの条件は、印加電圧３〜４
ｋＶ、ギャップは約３８０μｍである。このボールの直
径は約５０〜７０μｍである。
【００４１】図１５（ｂ）に示すように、このボール３
をキャピラリーの先端で電極パッドに押しつけて圧着す
る。このとき、その電極パッドを備えたＬＳＩチップは
加熱され、約１８０℃になっている。キャピラリー１１
Ｃがボールを押さえる加重は約４５〜５０ｇであり、キ
ャピラリーには更に約６０ｋHzの超音波振動が重畳され
る。このような条件で圧着した場合、つぶされたボール
と電極パッドとの接合面は直径約６０〜８０μｍの円形
となる。この潰され、圧着されたボールはバンプ電極の
ベース部１６Ｃとなる。
をキャピラリーの先端で電極パッドに押しつけて圧着す
る。このとき、その電極パッドを備えたＬＳＩチップは
加熱され、約１８０℃になっている。キャピラリー１１
Ｃがボールを押さえる加重は約４５〜５０ｇであり、キ
ャピラリーには更に約６０ｋHzの超音波振動が重畳され
る。このような条件で圧着した場合、つぶされたボール
と電極パッドとの接合面は直径約６０〜８０μｍの円形
となる。この潰され、圧着されたボールはバンプ電極の
ベース部１６Ｃとなる。
【００４２】次に図１５（ｃ）に示すように、ベース部
分から延びるワイヤーをキャピラリーに通したままでキ
ャピラリーをループ形状の軌跡を描くように動かす。こ
のときのキャピラリーの動きをより細かい動きに分解す
ると、次のようになる。
分から延びるワイヤーをキャピラリーに通したままでキ
ャピラリーをループ形状の軌跡を描くように動かす。こ
のときのキャピラリーの動きをより細かい動きに分解す
ると、次のようになる。
【００４３】Ｐ：垂直上方（１００〜４００μｍ） Ｑ：水平移動（１００〜１２０μｍ） Ｒ：垂直下方（１００〜４００μｍ） 本実施例においては、キャピラリーの垂直方向の動きが
第１または第２の実施例に比べて小さい。これは、本実
施例ではバンプ電極のベース部上にワイヤーループを形
成しないためである。水平移動量も少なくなっている
が、これは、キャピラリーをワイヤーの付け根の近くに
着地させるためである。
第１または第２の実施例に比べて小さい。これは、本実
施例ではバンプ電極のベース部上にワイヤーループを形
成しないためである。水平移動量も少なくなっている
が、これは、キャピラリーをワイヤーの付け根の近くに
着地させるためである。
【００４４】図１５（ｄ）はキャピラリーの垂直下方へ
の動き（Ｒ）が終了する直前の状態を示す断面図であ
る。最後の垂直下方への動きにより、ベース部から延び
るワイヤーは付け根の近傍で切断され、小さい突起部が
残る。図１６（ａ）は以上の工程の結果得られるバンプ
電極の断面図である。本実施例によるバンプ電極は、ベ
ース部１６Ｃと小さい突起部４０Ｃとからなる。この製
造方法によるバンプ電極の高さは約４５〜６５μｍであ
る。本実施例で開示された方法によれば、比較的低い突
起部付きバンプ電極を高さの均一性を維持しつつ形成す
ることができる。また、突起部をキャピラリー等で押し
つぶすことによって、図１６（ｂ）に示すような、突起
部の無いバンプ電極を形成することもできる。
の動き（Ｒ）が終了する直前の状態を示す断面図であ
る。最後の垂直下方への動きにより、ベース部から延び
るワイヤーは付け根の近傍で切断され、小さい突起部が
残る。図１６（ａ）は以上の工程の結果得られるバンプ
電極の断面図である。本実施例によるバンプ電極は、ベ
ース部１６Ｃと小さい突起部４０Ｃとからなる。この製
造方法によるバンプ電極の高さは約４５〜６５μｍであ
る。本実施例で開示された方法によれば、比較的低い突
起部付きバンプ電極を高さの均一性を維持しつつ形成す
ることができる。また、突起部をキャピラリー等で押し
つぶすことによって、図１６（ｂ）に示すような、突起
部の無いバンプ電極を形成することもできる。
【００４５】図２１は上記実施例で形成したバンプ電極
を有するＬＳＩチップをモールド封止し、樹脂封止型半
導体装置とした状態を示す断面図である。ＬＳＩチップ
には、二段形状のバンプ電極が形成されている。二段形
状のバンプ電極は、基板のパッド電極に接続されたベー
ス部と、そのベース部の上面から上方に突き出た部分
（突起部）とからなる。各バンプ電極６０はリード５１
の内端に接続されている。リードの外端は樹脂部８０の
側面から導出され所望の形状に成形されている。リード
の材料は「４２アロイ」のような鉄−ニッケル合金を用
いる。リードの厚みは０．０７ｍｍ〜０．１０ｍｍが好
ましい。リードの内端のバンプ電極との接続部分は、好
ましくは本実施例に示すように、プレス加工またはエッ
チング処理によって他の部分よりも薄くされている（約
０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍ）。
を有するＬＳＩチップをモールド封止し、樹脂封止型半
導体装置とした状態を示す断面図である。ＬＳＩチップ
には、二段形状のバンプ電極が形成されている。二段形
状のバンプ電極は、基板のパッド電極に接続されたベー
ス部と、そのベース部の上面から上方に突き出た部分
（突起部）とからなる。各バンプ電極６０はリード５１
の内端に接続されている。リードの外端は樹脂部８０の
側面から導出され所望の形状に成形されている。リード
の材料は「４２アロイ」のような鉄−ニッケル合金を用
いる。リードの厚みは０．０７ｍｍ〜０．１０ｍｍが好
ましい。リードの内端のバンプ電極との接続部分は、好
ましくは本実施例に示すように、プレス加工またはエッ
チング処理によって他の部分よりも薄くされている（約
０．０４ｍｍ〜０．０６ｍｍ）。
【００４６】図１７〜図２０は、図２１に示した装置を
製造するための一連の工程を示す断面図である。図１７
は二段形状バンプ電極を備えたＬＳＩチップにリードフ
レームの各リード部材を位置合わせした状態を示してい
る。バンプ電極が金で形成されている場合、バンプ電極
と接合する部分のリードの表面は、金または錫で鍍金さ
れている。
製造するための一連の工程を示す断面図である。図１７
は二段形状バンプ電極を備えたＬＳＩチップにリードフ
レームの各リード部材を位置合わせした状態を示してい
る。バンプ電極が金で形成されている場合、バンプ電極
と接合する部分のリードの表面は、金または錫で鍍金さ
れている。
【００４７】次に図１８に示すように、熱圧着ツール７
０でリード５１をバンプ電極６０に押し付けてリード５
１とバンプ電極６０との接合を行う。このときのツール
の表面温度は約２００〜３００℃である。バンプ電極数
が１８０個の場合、これらを一括接合するための加重は
約８０〜１３０ｇである。チップステージも約２００℃
に加熱しておくと好ましい。超音波エネルギーを重畳し
てもよい。
０でリード５１をバンプ電極６０に押し付けてリード５
１とバンプ電極６０との接合を行う。このときのツール
の表面温度は約２００〜３００℃である。バンプ電極数
が１８０個の場合、これらを一括接合するための加重は
約８０〜１３０ｇである。チップステージも約２００℃
に加熱しておくと好ましい。超音波エネルギーを重畳し
てもよい。
【００４８】バンプ電極が二段形状をしているので、上
記接合工程における衝撃がバンプ電極の突起部で緩衝さ
れ、ＬＳＩチップへのダメージが少ない。また、二段形
状のバンプ電極の突起部においてリード部材との接合を
とる構造にしたため、従来よりも電極間隔およびリード
間隔を縮小でき、非常に多くの電極を有するＬＳＩチッ
プの実装にも対応できる。ここで述べたパッケージ構造
は、従来の方法で形成された二段形状のバンプ電極を備
えたＬＳＩチップのパッケージングにも応用できる。
記接合工程における衝撃がバンプ電極の突起部で緩衝さ
れ、ＬＳＩチップへのダメージが少ない。また、二段形
状のバンプ電極の突起部においてリード部材との接合を
とる構造にしたため、従来よりも電極間隔およびリード
間隔を縮小でき、非常に多くの電極を有するＬＳＩチッ
プの実装にも対応できる。ここで述べたパッケージ構造
は、従来の方法で形成された二段形状のバンプ電極を備
えたＬＳＩチップのパッケージングにも応用できる。
【００４９】上記の工程で作られた構体（assembly）
は、続いて公知のトランスファーモールド法により樹脂
封止され、図２０に示す構造となる。封止樹脂はたとえ
ば、信越化学製のＫＭＣ−１８４を使用する。成形時の
温度は約１７０℃である。樹脂部８０は少なくとも半導
体チップ４、およびバンプ電極６０とリード５１との電
気的接合部を覆う。リードの他端は樹脂部８０の外へ導
き出され、外部リードとなっている。樹脂部の厚みは従
来のパッケージでは約１．０ｍｍであったのに比べ、
０．５〜０．７ｍｍと薄くなっている。外部リードは強
度の点で可能であれば、図２１に示すように、ガルウィ
ング型（gull wing）に成形（forming）すればよいし、
そうでなければ、まっすぐのままにしておき、基板への
実装時にその先端を基板のターミナル電極に圧着すれば
よい。外部リードを相互に連結する部分、いわゆるダム
バー（dam bar）がある場合は、プレス加工またはレー
ザー加工でカットすればよい。
は、続いて公知のトランスファーモールド法により樹脂
封止され、図２０に示す構造となる。封止樹脂はたとえ
ば、信越化学製のＫＭＣ−１８４を使用する。成形時の
温度は約１７０℃である。樹脂部８０は少なくとも半導
体チップ４、およびバンプ電極６０とリード５１との電
気的接合部を覆う。リードの他端は樹脂部８０の外へ導
き出され、外部リードとなっている。樹脂部の厚みは従
来のパッケージでは約１．０ｍｍであったのに比べ、
０．５〜０．７ｍｍと薄くなっている。外部リードは強
度の点で可能であれば、図２１に示すように、ガルウィ
ング型（gull wing）に成形（forming）すればよいし、
そうでなければ、まっすぐのままにしておき、基板への
実装時にその先端を基板のターミナル電極に圧着すれば
よい。外部リードを相互に連結する部分、いわゆるダム
バー（dam bar）がある場合は、プレス加工またはレー
ザー加工でカットすればよい。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のバンプ電
極の形成方法によれば、バンプ電極の突起部となる折り
返しワイヤーのテールが凹部に圧着されるので、接着強
度が大きく、テール離脱のような不良が発生しない。
極の形成方法によれば、バンプ電極の突起部となる折り
返しワイヤーのテールが凹部に圧着されるので、接着強
度が大きく、テール離脱のような不良が発生しない。
【００５１】また、本発明によれば、きわめて薄型でか
つリード間隔の細かい樹脂封止型半導体装置を実現する
ことができ、高密度実装の要求を容易に満たすことがで
きる。
つリード間隔の細かい樹脂封止型半導体装置を実現する
ことができ、高密度実装の要求を容易に満たすことがで
きる。
【図１】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図２】本発明の形成方法により形成されたバンプ電極
の断面図
の断面図
【図３】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図４】本発明の形成方法により形成されたバンプ電極
の断面図
の断面図
【図５】本発明の形成方法により形成されたバンプ電極
の平面図
の平面図
【図６】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチップ
の平面図
の平面図
【図７】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチップ
の平面図
の平面図
【図８】本発明の形成方法により形成されたバンプ電極
の平面図
の平面図
【図９】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチップ
の平面図
の平面図
【図１０】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチッ
プの平面図
プの平面図
【図１１】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチッ
プの平面図
プの平面図
【図１２】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチッ
プの平面図
プの平面図
【図１３】本発明の形成方法により形成されたバンプ電
極の平面図
極の平面図
【図１４】本発明に係るバンプ電極を備えたＬＳＩチッ
プの平面図
プの平面図
【図１５】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図１６】本発明の形成方法により形成されたバンプ電
極の断面図
極の断面図
【図１７】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図１８】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図１９】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図２０】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図２１】本発明の形成方法に係る工程断面図
【図２２】従来の形成方法に係る工程断面図
【図２３】従来の方法で形成されたバンプ電極の断面図
２ ワイヤー ３ ボール（膨頭部） ４ 基板 ５ 電極パッド ８ 凹部 １１Ａ キャピラリー １６ ベース部
Claims (10)
- 【請求項１】次の工程よりなるバンプ電極の形成方法。
キャピラリー先端から導出された金属ワイヤーの先端に
膨頭部を形成する工程、 前記膨頭部を前記キャピラリー先端部でパッド部に押し
当てて、前記膨頭部を押しつぶし前記膨頭部と前記パッ
ド部の圧着し、前記押しつぶされた膨頭部によりバンプ
電極のベース部分を形成するとともに前記ベース部分の
上面に凹部を形成する工程、 前記キャピラリーを前記ベース部の上方でループ状に動
かして、前記ベース部から延びるワイヤーを前記ベース
部に向かって折り返す工程、 前記折り返されたワイヤーを前記キャピラリーの先端で
前記凹部に押し当てて圧着する工程、 前記圧着部からさらに延びるワイヤーを切断する工程。 - 【請求項２】請求項１のバンプ電極の形成方法であっ
て、前記キャピラリーのループ状の動きが次のステップ
からなるもの。 垂直上方 水平移動 垂直下方 - 【請求項３】請求項１または２に記載のバンプ電極の形
成方法において、前記凹部が前記突起部を囲んで環状に
形成される。 - 【請求項４】請求項１または２に記載のバンプ電極の形
成方法において、前記凹部が前記突起部周囲の一箇所の
みに形成される。 - 【請求項５】請求項１または２に記載のバンプ電極の形
成方法において、前記凹部が前記突起部を挟む二箇所に
形成される。 - 【請求項６】請求項１または２に記載のバンプ電極の形
成方法において、前記凹部が前記突起部を中心として互
いに９０度の角度を隔てた四箇所に形成される。 - 【請求項７】請求項４または５または６のバンプ電極の
形成方法において、各バンプ電極に形成される凹部のう
ち、いずれかが、各バンプ電極の突起部を基準として、
バンプ電極が形成された半導体チップの最近接の辺の側
に形成される。 - 【請求項８】次の工程よりなるバンプ電極の形成方法。
キャピラリー先端から導出された金属ワイヤーの先端に
膨頭部を形成する工程、 前記膨頭部を前記キャピラリー先端部でパッド部に押し
当てて、前記膨頭部を押しつぶし前記膨頭部と前記パッ
ド部の圧着を行い、前記押しつぶされた膨頭部によりバ
ンプ電極のベース部分を形成する工程、 前記キャピラリーを前記ベース部の上方でループ状に動
かして、前記ベース部から延びるワイヤーをその付け根
近傍で切断し突起部を形成する工程。 - 【請求項９】次の工程よりなる、バンプ電極を含む半導
体装置の製造方法。半導体チップの電極パッド上に、ベ
ース部分と前記ベース部分上の突起部とからなるバンプ
電極を形成する工程、 前記バンプ電極の突起部にリード部材の一端を圧着し電
気的接合をおこなう工程、 樹脂により少なくとも前記半導体チップおよび前記電気
的接合部を覆うとともに、前記リード部材の他端が導出
された樹脂部を形成する工程。 - 【請求項１０】次の工程よりなる、バンプ電極を含む半
導体装置の製造方法。半導体チップの電極パッド上に、
請求項２に記載の方法によってバンプ電極を形成する工
程であって、前記キャピラリーの動きのうち前記水平移
動の方向は、バンプ電極に接合されるべきリード部材の
長手方向の軸方向一致しているもの、 前記バンプ電極の突起部にリード部材の一端を圧着し電
気的接合をおこなう工程、 樹脂により少なくとも前記半導体チップおよび前記電気
的接合部を覆うとともに、前記リード部材の他端が導出
された樹脂部を形成する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246289A JP2733418B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4246289A JP2733418B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183303A true JPH07183303A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2733418B2 JP2733418B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17146336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4246289A Expired - Fee Related JP2733418B2 (ja) | 1992-09-16 | 1992-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2733418B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997048131A1 (fr) * | 1996-06-10 | 1997-12-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Structure de composant electronique |
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-
1992
- 1992-09-16 JP JP4246289A patent/JP2733418B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2733418B2 (ja) | 1998-03-30 |
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