JP2930112B1 - 樹脂封止型半導体装置のリード端子への半田被覆方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリード端子への半田被覆方法Info
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- JP2930112B1 JP2930112B1 JP13293898A JP13293898A JP2930112B1 JP 2930112 B1 JP2930112 B1 JP 2930112B1 JP 13293898 A JP13293898 A JP 13293898A JP 13293898 A JP13293898 A JP 13293898A JP 2930112 B1 JP2930112 B1 JP 2930112B1
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Abstract
【要約】
【課題】 樹脂封止型半導体装置のリード端子に半田を
被覆する際に樹脂封止体に欠けが発生することを防止す
る。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置（３）のリード端
子（４）に半田を被覆するに際し、コーティング用半田
（２）の溶融温度以下の温度にリード端子（４）を予め
加熱し、その後、溶融したコーティング用半田（２）中
にリード端子（４）を浸漬して、リード端子（４）をコ
ーティング用半田（２）から引き上げる。リード端子
（４）を予め加熱するため、熱膨張も段階的に緩やかに
生じ、樹脂封止体（５）の熱膨張がリード端子（４）の
熱膨張に追従して、樹脂封止体（５）のクラックを防止
することができる。
被覆する際に樹脂封止体に欠けが発生することを防止す
る。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置（３）のリード端
子（４）に半田を被覆するに際し、コーティング用半田
（２）の溶融温度以下の温度にリード端子（４）を予め
加熱し、その後、溶融したコーティング用半田（２）中
にリード端子（４）を浸漬して、リード端子（４）をコ
ーティング用半田（２）から引き上げる。リード端子
（４）を予め加熱するため、熱膨張も段階的に緩やかに
生じ、樹脂封止体（５）の熱膨張がリード端子（４）の
熱膨張に追従して、樹脂封止体（５）のクラックを防止
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置のリード端子に半田を被覆する方法、特に高温の溶
融半田中にリード端子を浸漬する際にリード端子が導出
される樹脂封止体に欠けが生じることを防止する半田被
覆方法に関する。
装置のリード端子に半田を被覆する方法、特に高温の溶
融半田中にリード端子を浸漬する際にリード端子が導出
される樹脂封止体に欠けが生じることを防止する半田被
覆方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止体から複数本の外部リード（リ
ード端子）が導出された公知の樹脂封止型半導体装置に
設けられた複数のリード端子に半田を被覆するとき、図
３に示すように、浴槽（１）内に収容された溶融したコ
ーティング用半田（２）内に樹脂封止型半導体装置
（３）の樹脂封止体（５）から導出される複数のリード
端子（４）を浸漬（ディッピング）して、リード端子
（４）の表面に溶融したコーティング用半田（２）を付
着させた後、リード端子（４）を溶融したコーティング
用半田（２）から引き上げる。溶融したコーティング用
半田（２）は図示しない半田加熱装置によって完全な液
状となるように約２８０℃の温度に加熱され、リード端
子（４）を浴槽（１）内に浸漬すると、溶融半田がリー
ド端子（４）に付着して、リード端子（４）は効率良く
半田被覆される。
ード端子）が導出された公知の樹脂封止型半導体装置に
設けられた複数のリード端子に半田を被覆するとき、図
３に示すように、浴槽（１）内に収容された溶融したコ
ーティング用半田（２）内に樹脂封止型半導体装置
（３）の樹脂封止体（５）から導出される複数のリード
端子（４）を浸漬（ディッピング）して、リード端子
（４）の表面に溶融したコーティング用半田（２）を付
着させた後、リード端子（４）を溶融したコーティング
用半田（２）から引き上げる。溶融したコーティング用
半田（２）は図示しない半田加熱装置によって完全な液
状となるように約２８０℃の温度に加熱され、リード端
子（４）を浴槽（１）内に浸漬すると、溶融半田がリー
ド端子（４）に付着して、リード端子（４）は効率良く
半田被覆される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リード端子
（４）が加熱されるとその温度変化が樹脂封止体（５）
にまで伝達され、樹脂封止体（５）のリード端子（４）
近傍の温度も上昇し、加熱の際に、リード端子（４）と
樹脂封止体（５）は熱膨張する。上記半田浸漬法では、
浴槽（１）中の溶融したコーティング用半田（２）は２
８０℃程度の高温に達するため、リード端子（４）をい
きなり溶融したコーティング用半田（２）中に浸漬する
と、リード端子（４）が急激に加熱されて熱膨張し、樹
脂封止体（５）はリード端子（４）の熱膨張に追従でき
ずに、リード端子（４）を導出する樹脂封止体（５）の
周辺部分に欠け（クラック）が生じることがあった。ま
た、厚みを均一にしてリード端子（４）に対して半田
（２）を被覆することが困難であった。そこで、本発明
では、樹脂封止体に欠けが発生せずに、リード端子に半
田を均一に被覆できる樹脂封止型半導体装置のリード端
子への半田被覆方法を提供することを目的とする。
（４）が加熱されるとその温度変化が樹脂封止体（５）
にまで伝達され、樹脂封止体（５）のリード端子（４）
近傍の温度も上昇し、加熱の際に、リード端子（４）と
樹脂封止体（５）は熱膨張する。上記半田浸漬法では、
浴槽（１）中の溶融したコーティング用半田（２）は２
８０℃程度の高温に達するため、リード端子（４）をい
きなり溶融したコーティング用半田（２）中に浸漬する
と、リード端子（４）が急激に加熱されて熱膨張し、樹
脂封止体（５）はリード端子（４）の熱膨張に追従でき
ずに、リード端子（４）を導出する樹脂封止体（５）の
周辺部分に欠け（クラック）が生じることがあった。ま
た、厚みを均一にしてリード端子（４）に対して半田
（２）を被覆することが困難であった。そこで、本発明
では、樹脂封止体に欠けが発生せずに、リード端子に半
田を均一に被覆できる樹脂封止型半導体装置のリード端
子への半田被覆方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止型
半導体装置のリード端子への半田被覆方法は、樹脂封止
型半導体装置（３）のリード端子（４）にコーティング
用半田（２）を被覆するに際し、コーティング用半田
（２）の溶融温度以下の温度にリード端子（４）を１分
当たり１０〜１５０℃の温度上昇速度で予め加熱し、そ
の後、溶融したコーティング用半田（２）中にリード端
子（４）を浸漬して、溶融したコーティング用半田
（２）からリード端子（４）を引き上げる。本発明で
は、リード端子（４）を段階的に加熱して、熱膨張も段
階的に緩やかに生じるため、樹脂封止体（５）の熱膨張
がリード端子（４）の熱膨張に追従でき、樹脂封止体
（５）のクラックを防止することができる。リード端子
（４）が段階的に加熱されて熱膨張が緩やかになれば、
樹脂封止体（５）に熱膨張が実質的に生じなくても、リ
ード端子（４）の温度上昇が及ぼす樹脂封止体（５）へ
の機械的応力を低減できる。
半導体装置のリード端子への半田被覆方法は、樹脂封止
型半導体装置（３）のリード端子（４）にコーティング
用半田（２）を被覆するに際し、コーティング用半田
（２）の溶融温度以下の温度にリード端子（４）を１分
当たり１０〜１５０℃の温度上昇速度で予め加熱し、そ
の後、溶融したコーティング用半田（２）中にリード端
子（４）を浸漬して、溶融したコーティング用半田
（２）からリード端子（４）を引き上げる。本発明で
は、リード端子（４）を段階的に加熱して、熱膨張も段
階的に緩やかに生じるため、樹脂封止体（５）の熱膨張
がリード端子（４）の熱膨張に追従でき、樹脂封止体
（５）のクラックを防止することができる。リード端子
（４）が段階的に加熱されて熱膨張が緩やかになれば、
樹脂封止体（５）に熱膨張が実質的に生じなくても、リ
ード端子（４）の温度上昇が及ぼす樹脂封止体（５）へ
の機械的応力を低減できる。
【０００５】また、本発明によるリード端子への半田被
覆方法は、接着用半田により半導体素子を固着した支持
板又は接着用半田により半導体素子を固着した回路基板
を固定した支持板を有する樹脂封止型半導体装置のリー
ド端子（４）にコーティング用半田（２）を被覆するに
際し、コーティング用半田（２）の溶融温度以下の温度
にリード端子（４）を１分当たり１０〜１５０℃の温度
上昇速度で予め加熱し、その後溶融したコーティング用
半田（２）中にリード端子（４）を浸漬して、リード端
子（４）を溶融したコーティング用半田（２）から引き
上げる。
覆方法は、接着用半田により半導体素子を固着した支持
板又は接着用半田により半導体素子を固着した回路基板
を固定した支持板を有する樹脂封止型半導体装置のリー
ド端子（４）にコーティング用半田（２）を被覆するに
際し、コーティング用半田（２）の溶融温度以下の温度
にリード端子（４）を１分当たり１０〜１５０℃の温度
上昇速度で予め加熱し、その後溶融したコーティング用
半田（２）中にリード端子（４）を浸漬して、リード端
子（４）を溶融したコーティング用半田（２）から引き
上げる。
【０００６】本発明の実施の形態では、接着用半田の溶
融温度はコーティング用半田（２）の溶融温度よりも低
く、接着用半田の溶融温度よりも低い温度でリード端子
（４）を予め加熱する。また、リード端子（４）を加熱
する際の温度上昇速度は１分当たり５０〜１００℃が好
ましい。リード端子（４）は熱風加熱装置、温度抵抗型
ヒータ又は赤外線加熱装置のいずれかにより２５０℃以
下、好ましくは１５０℃以下の温度に予め段階的に加熱
される。リード端子（４）を予め加熱する際に、溶融し
たコーティング用半田（２）の温度以下の温度に連続的
に又は段階的にリード端子（４）を加熱することができ
る。
融温度はコーティング用半田（２）の溶融温度よりも低
く、接着用半田の溶融温度よりも低い温度でリード端子
（４）を予め加熱する。また、リード端子（４）を加熱
する際の温度上昇速度は１分当たり５０〜１００℃が好
ましい。リード端子（４）は熱風加熱装置、温度抵抗型
ヒータ又は赤外線加熱装置のいずれかにより２５０℃以
下、好ましくは１５０℃以下の温度に予め段階的に加熱
される。リード端子（４）を予め加熱する際に、溶融し
たコーティング用半田（２）の温度以下の温度に連続的
に又は段階的にリード端子（４）を加熱することができ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明による樹脂封止型半
導体装置のリード端子への半田被覆方法の一実施の形態
について説明する。本実施の形態の半田被覆方法の従来
技術と異なる点は、半田ディップ工程の前にリード端子
を予め所定の温度に加熱する点にある。即ち、本実施の
形態では、図１に示すように樹脂封止型半導体装置
（３）のリード端子（４）はリード加熱装置（６）によ
って予め加熱される。図示を省略するが、樹脂封止型半
導体装置（３）はトランジスタチップ等の半導体素子を
接着用半田により固着した支持板又は接着用半田により
半導体素子を固着した回路基板を固定した支持板を備え
ている。接着用半田の溶融温度は例えば１７０℃程度で
ある。
導体装置のリード端子への半田被覆方法の一実施の形態
について説明する。本実施の形態の半田被覆方法の従来
技術と異なる点は、半田ディップ工程の前にリード端子
を予め所定の温度に加熱する点にある。即ち、本実施の
形態では、図１に示すように樹脂封止型半導体装置
（３）のリード端子（４）はリード加熱装置（６）によ
って予め加熱される。図示を省略するが、樹脂封止型半
導体装置（３）はトランジスタチップ等の半導体素子を
接着用半田により固着した支持板又は接着用半田により
半導体素子を固着した回路基板を固定した支持板を備え
ている。接着用半田の溶融温度は例えば１７０℃程度で
ある。
【０００８】リード加熱装置（６）は、図１に示すよう
にリード端子（４）に対してホットエアを噴き付ける熱
風加熱装置（７）を使用することができる。熱風加熱装
置（７）では、熱風の温度、風量及び方向を制御するこ
とによりリード端子（４）を介して樹脂封止体（５）を
所望の温度上昇速度で加熱することができる。例えば、
５０℃までを第１段階、１００℃までを第２段階、１５
０℃までを第３段階に加熱時間を分割して熱風の温度を
段階的に又は連続的に上昇することができる。予備加熱
工程によって接着用半田が溶融又は軟化して半導体素子
の支持板又は回路基板への接着力が低下することを防止
するため、リード端子（４）への予備加熱温度は、接着
用半田の溶融温度（約１７０℃）よりも低い温度とする
のが望ましい。リード端子（４）を加熱する温度上昇速
度は１分当たり１０〜１５０℃、特に１分当たり５０〜
１００℃の範囲が望ましい。浴槽（１）中のコーティン
グ用半田（２）の溶融温度は、接着用半田の融点より高
く、例えば２８０℃程度である。
にリード端子（４）に対してホットエアを噴き付ける熱
風加熱装置（７）を使用することができる。熱風加熱装
置（７）では、熱風の温度、風量及び方向を制御するこ
とによりリード端子（４）を介して樹脂封止体（５）を
所望の温度上昇速度で加熱することができる。例えば、
５０℃までを第１段階、１００℃までを第２段階、１５
０℃までを第３段階に加熱時間を分割して熱風の温度を
段階的に又は連続的に上昇することができる。予備加熱
工程によって接着用半田が溶融又は軟化して半導体素子
の支持板又は回路基板への接着力が低下することを防止
するため、リード端子（４）への予備加熱温度は、接着
用半田の溶融温度（約１７０℃）よりも低い温度とする
のが望ましい。リード端子（４）を加熱する温度上昇速
度は１分当たり１０〜１５０℃、特に１分当たり５０〜
１００℃の範囲が望ましい。浴槽（１）中のコーティン
グ用半田（２）の溶融温度は、接着用半田の融点より高
く、例えば２８０℃程度である。
【０００９】別法として、赤外線加熱装置等他の加熱装
置、例えば図２に示すようにリード端子（４）を直接加
熱する電気抵抗式ヒータ（８）を使用することができ
る。ヒータ（８）上でリード端子（４）を移動させて加
熱するとき、加熱温度が徐々に上昇するように、ヒータ
（８）を加熱ブロック（９ａ〜９ｃ）の複数個に分割
し、リード端子（４）の加熱温度を段階的に制御して上
昇すると、樹脂封止体（５）のクラック防止効果が増進
される。その後、加熱されたリード端子（４）を溶融し
たコーティング用半田（２）中に浸漬して、従来と同様
の半田ディップ方法によってリード端子（４）に半田を
被覆する。溶融したコーティング用半田（２）は予備加
熱温度より高い。
置、例えば図２に示すようにリード端子（４）を直接加
熱する電気抵抗式ヒータ（８）を使用することができ
る。ヒータ（８）上でリード端子（４）を移動させて加
熱するとき、加熱温度が徐々に上昇するように、ヒータ
（８）を加熱ブロック（９ａ〜９ｃ）の複数個に分割
し、リード端子（４）の加熱温度を段階的に制御して上
昇すると、樹脂封止体（５）のクラック防止効果が増進
される。その後、加熱されたリード端子（４）を溶融し
たコーティング用半田（２）中に浸漬して、従来と同様
の半田ディップ方法によってリード端子（４）に半田を
被覆する。溶融したコーティング用半田（２）は予備加
熱温度より高い。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、リード端子への半田被
覆の際にリード端子を予め加熱するので、半田ディップ
時にリード端子が急激に加熱されないため、樹脂封止体
の欠けを防止することができる。また、リード端子をデ
ィップしたときにリード端子の周囲の溶融半田が急激に
温度低下しないため、比較的短時間のディッピングによ
ってリード端子に均一に半田を被覆することができる。
この結果、リード端子に半田が良好に被覆された樹脂封
止型半導体装置を生産性良く且つ製造歩留まりを向上し
て得ることができる。
覆の際にリード端子を予め加熱するので、半田ディップ
時にリード端子が急激に加熱されないため、樹脂封止体
の欠けを防止することができる。また、リード端子をデ
ィップしたときにリード端子の周囲の溶融半田が急激に
温度低下しないため、比較的短時間のディッピングによ
ってリード端子に均一に半田を被覆することができる。
この結果、リード端子に半田が良好に被覆された樹脂封
止型半導体装置を生産性良く且つ製造歩留まりを向上し
て得ることができる。
【図１】 樹脂封止型半導体装置のリード端子を加熱す
る状態を示すブロック図
る状態を示すブロック図
【図２】 リード端子を加熱する他の方法を示すブロッ
ク図
ク図
【図３】 リード端子に半田を被覆する状態を示す浴槽
の断面図
の断面図
（１）・・浴槽、 （２）・・溶融半田（コーティング
用半田）、 （３）・・樹脂封止型半導体装置、
（４）・・リード端子、 （５）・・樹脂封止体、
用半田）、 （３）・・樹脂封止型半導体装置、
（４）・・リード端子、 （５）・・樹脂封止体、
Claims (6)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置のリード端子にコ
ーティング用半田を被覆するに際し、前記コーティング
用半田の溶融温度以下の温度に前記リード端子を１分当
たり１０〜１５０℃の温度上昇速度で予め加熱し、その
後、溶融した前記コーティング用半田中に前記リード端
子を浸漬して、溶融した前記コーティング用半田から前
記リード端子を引き上げることを特徴とするリード端子
への半田被覆方法。 - 【請求項２】 接着用半田により半導体素子を固着した
支持板又は接着用半田により半導体素子を固着した回路
基板を固定した支持板を有する樹脂封止型半導体装置の
リード端子にコーティング用半田を被覆するに際し、前
記コーティング用半田の溶融温度以下の温度に前記リー
ド端子を１分当たり１０〜１５０℃の温度上昇速度で予
め加熱し、その後溶融した前記コーティング用半田中に
前記リード端子を浸漬して、前記リード端子を溶融した
前記コーティング用半田から引き上げることを特徴とす
るリード端子への半田被覆方法。 - 【請求項３】 前記接着用半田の溶融温度は前記コーテ
ィング用半田の溶融温度よりも低く、前記接着用半田の
溶融温度よりも低い温度で前記リード端子を予め加熱す
る請求項２に記載の半田被覆方法。 - 【請求項４】 前記温度上昇速度は１分当たり５０〜１
００℃である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半田
被覆方法。 - 【請求項５】 熱風加熱装置、温度抵抗型ヒータ又は赤
外線加熱装置のいずれかにより前記リード端子を段階的
に加熱する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半田被
覆方法。 - 【請求項６】 前記リード端子を予め加熱する際に、溶
融した前記コーティング用半田の温度以下の温度に連続
的に又は段階的に前記リード端子を加熱する請求項１〜
５のいずれか１項に記載の半田被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13293898A JP2930112B1 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子への半田被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13293898A JP2930112B1 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子への半田被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2930112B1 true JP2930112B1 (ja) | 1999-08-03 |
| JPH11330342A JPH11330342A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15093019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13293898A Expired - Fee Related JP2930112B1 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子への半田被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2930112B1 (ja) |
-
1998
- 1998-05-15 JP JP13293898A patent/JP2930112B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11330342A (ja) | 1999-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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