JPS608426Y2 - 半導体ウエハ−の保持基板 - Google Patents

半導体ウエハ−の保持基板

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JPS608426Y2
JPS608426Y2 JP1976165080U JP16508076U JPS608426Y2 JP S608426 Y2 JPS608426 Y2 JP S608426Y2 JP 1976165080 U JP1976165080 U JP 1976165080U JP 16508076 U JP16508076 U JP 16508076U JP S608426 Y2 JPS608426 Y2 JP S608426Y2
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resin
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照夫 堀井
崇道 前田
政男 玖村
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置の製造工程中に利用されるウェハー
の保持基板に関するもので、特に半導体ウェハーを接着
保持して順次製造工程に円滑に供給するウェハー保持基
板に関する。
以下詳細を最近盛んに行なわれているテープキャリア方
式による半導体装置の組み立て工程を挙げ特にスクライ
ビング及びボンディングの工程を挙げて説明する。
選択拡散、エツチング等の従来公知の技術を経て所望の
パターンで回路素子及び配線が形成された半導体ウェハ
ーは、保持基板上に固定され、グイシングツ−等によっ
て各チップに分割された後、電極条件が形成された金属
箔と整合させて対向させボンディングツールを介して電
極条件とチップ電極との接続が行われる。
ここで半導体ウェハーは工程中における取り扱いを容易
にするため、保持基板にワックス等の接着剤を用いて接
着させる。
保持基板に支持されたウェハーはスクライブ工程でグイ
シングツ−等により各チップに分割される。
この分割作業で形成される切り溝は、上記ボンデインク
ツールによって加熱圧着する除熱が隣接のチップに塗布
されたワックスを溶解しないように保持基板に達する深
さに設けられ、ワックスもまたチップ単位に分割される
。
ところで従来から保持基板としてガラス、プラスチック
、或いはセラミックが用いられている。
しかしこれ等の保持基板においては夫々次に述べるよう
な欠点がある。
即ち、ガラス基板の場合には、切り溝を上記の如く充分
深く形成しているにも拘わらず熱伝導率が大きいためボ
ンディングツールで加熱する際基板を介して隣接するチ
ップを接着したワックスをも溶解する惧れがあり、また
大きい熱伝導率のために基板に熱が逃げ易く高いボンデ
ィング温度を必要とし、チップにかかる熱のストレスが
大きくなる等の欠点がある。
プラスチックの保持基板では耐熱性に乏しいため熱によ
る変形が生じ易く、そのためボンディング工程にとって
重要な基板面の平坦度が損われる。
更にセラミック製の保持基板では、材質が緻密なものは
ガラスと同様な欠点を有し、多孔質なものはワックス等
の接着剤が基板内部にしみ込む等の欠点を有していた。
本考案は上記従来基板の問題点に鑑みてなされたもので
、多孔質なセラミック板に比較的熱心導度の小さい樹脂
を介在させることによって従来装置の欠点を除去するも
のである。
次に実施例を挙げて本考案を詳細に説明する。
図に於いて１は半導体ウェハーで、該ウェハー１には所
望の繰り返しパターンで回路素子が不純物拡散、エツチ
ング等の従来公知の技術を適用して組み込まれ、更に配
線及び電極端子が設けられて複数の半導体チップＩＡ、
ＩＡ・・・・・・・・・が形成されている。
上記半導体ウェハー１はワックス等の接着剤２を介して
保持基板３に支持されて、半導体装置製造のための工程
に供給される。
ここで保持基板３は平坦な面に仕上げられた多孔質なセ
ラミック材料に樹脂、例えばエポキシ、シリコーン、ポ
リイミドワニス等が含浸或いは表面塗装されている。
樹脂を含浸させる方法としては多孔質なセラミック板を
耐熱性があり、且つ粘度の低いエポキシ樹脂の中に浸漬
して含浸させ、加熱硬化させた後ラッピングして均一な
厚さの平坦な基板に仕上げる。
また表面塗装する方法としてはポリイミドワニスを表面
に塗布したり或いは静電塗装によって樹脂をコーティン
グする方法など、更にバラキシレン系樹脂を蒸着したり
、或いはスピナー等を利用してフォトレジストを塗布す
る方法も適用することができる。
保持基板３上に支持された半導体ウエノ１−１は、各チ
ップＩＡ、ＩＡ・・・・・・・・・に夫々分割するため
にスクライブ線４，４・・・・・・・・・が罫書かれて
、繰返しパターンを夫々のチップに独立させられている
。
ここでスクライブ線４，４・・・・・・・・・は、単に
半導体ウェハー１をチップ状に分割するだけではなく接
着層２を通過して更に保持基板にまで達する状態に罫書
かれている。
分割された半導体ウェハー１は、各チップの電極端子に
外部接続用リード線をボンディングするため、ポリイミ
ドフィルム等の可撓性フィルム５の表面に所望のパター
ンで銅箔によってリード線６を形成したテープ体と図示
の如く対向して配置され、リード線６とチップ側電極を
整合させた状態でボンディングツール７によって両者の
整合部が加熱されボンディングが行われる。
該ボンディング作業の際、樹脂を含浸或いは塗装したセ
ラミック製保持基板３においては熱伝導率が小さいため
基板を通して伝わる熱量が少なく、従って隣接するチッ
プを接着しているワックスを溶融する惧れがなく、チッ
プの位置ずれ等を生じない。
テープ体のリード線にボンディングされた各チップは、
ボンディングツールで加熱圧着する際フィルムに張力が
付勢されているが、圧着力を解除した状態でフィルムが
復元し、この復元時にリード線にボンディングされたチ
ップＩＡは接着剤の溶融によって保持基板３から離れ、
テープ側に支持される。
以上本考案のように、多孔質セラミック板を利用してこ
の多孔質セラミック板に特に熱伝導率の小さい樹脂を含
浸或いは塗布してウェハー保持基板とすることにより、
保持基板の熱伝導率が従来装置に比べて小さく、ボンデ
ィング作業時に基板を通して隣接チップを接着している
接着剤を溶融させる惧れが著しく減少し、ボンディング
作業が非常に行い易くなる。
また保持基板を介して損失する熱が少なくなるためボン
ディング時の設定温度を低くすることができ、ボンディ
ングツールに対する負担が軽減され、耐久性を増すこと
ができる。
更に樹脂が含浸或いは塗布されているため接着剤が基板
内部にまで侵入することがなく作業性の良好な保持基板
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図は本考案による保持基板をボンディング工程に適用し
た場合の概略側面図である。 １・・・・・・半導体ウェハー、ＩＡ・・・・・・半導
体チップ、２・・・・・・接着剤、３・・・・・・保持
基板、４・・・・・・スクライブ線、５・・・・・・フ
ィルム、６・・・・・・リード線、７・・・・・・ボン
ディングツール。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. チップ状に分割する充分な深さのスクライブ線が刻設さ
    れたウェハーを支持する基板に於て、熱伝導率の小さい
    樹脂を含浸或いは塗布して隣接チップ接合領域への熱伝
    導を阻止した多孔質セラミック板と、該多孔質セラミッ
    ク板のチップ接合面に塗布した接着層とを備えてなる半
    導体ウェハーの保持基板。
JP1976165080U 1976-12-08 1976-12-08 半導体ウエハ−の保持基板 Expired JPS608426Y2 (ja)

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JP1976165080U JPS608426Y2 (ja) 1976-12-08 1976-12-08 半導体ウエハ−の保持基板
US05/858,636 US4247590A (en) 1976-12-08 1977-12-08 Ceramic plate for supporting a semiconductor wafer

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JPS5381567U JPS5381567U (ja) 1978-07-06
JPS608426Y2 true JPS608426Y2 (ja) 1985-03-25

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JPS5381567U (ja) 1978-07-06

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