JPH0236541A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0236541A JPH0236541A JP18564688A JP18564688A JPH0236541A JP H0236541 A JPH0236541 A JP H0236541A JP 18564688 A JP18564688 A JP 18564688A JP 18564688 A JP18564688 A JP 18564688A JP H0236541 A JPH0236541 A JP H0236541A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に、当該装置組立の際の
ペレット付技術に関する。
ペレット付技術に関する。
パッケージベース上に半導体ペレット(以下、単にペレ
ットいう)を固着させて種付(ペレット付)するに、A
u−8i共晶を利用する方法やエポキシ樹脂にλg粉を
混入しペースト状としたAgペーストを利用する方法が
ある。
ットいう)を固着させて種付(ペレット付)するに、A
u−8i共晶を利用する方法やエポキシ樹脂にλg粉を
混入しペースト状としたAgペーストを利用する方法が
ある。
一方、金属粉を混入したポリイミド樹脂ペーストを利用
する方法もある(特開昭57−138145号公報)。
する方法もある(特開昭57−138145号公報)。
このポリイミド樹脂ペーストを用いる方法によれば、耐
熱温度が上昇し、低融点ガラスなどの封止材による気密
封止時に、高温条件下に曝されても当該ペーストの溶融
が回避され、しかも、ペレットの固着強度を高いものに
維持することができるなどの利点がある。
熱温度が上昇し、低融点ガラスなどの封止材による気密
封止時に、高温条件下に曝されても当該ペーストの溶融
が回避され、しかも、ペレットの固着強度を高いものに
維持することができるなどの利点がある。
しかし、当該樹脂ペーストを用いてぺL/−、)付を行
なう場合、加熱硬化時に、当該ペースト中に含まれてい
る溶媒が揮発して、ガスとなり、ペレットを持ち上げし
、ペレット付における位置精度を悪化させるという欠点
があった。
なう場合、加熱硬化時に、当該ペースト中に含まれてい
る溶媒が揮発して、ガスとなり、ペレットを持ち上げし
、ペレット付における位置精度を悪化させるという欠点
があった。
また、位置精度を向上させるために、ペレットをコレッ
トで押圧すると、ペーストがはみ出して当該コレットに
付着するということが起り、ペレット付の作業性を悪化
させるという欠点があった。
トで押圧すると、ペーストがはみ出して当該コレットに
付着するということが起り、ペレット付の作業性を悪化
させるという欠点があった。
さらに、ペースト内にガスによる気泡(ボイド)が含ま
れているときにはペレットの固着強度を劣化させる。
れているときにはペレットの固着強度を劣化させる。
そこで、本発明は、ガスによりペレットが持ち上げされ
たり、その位置がずれたりすることを防止して、ペレッ
ト付時の位置精度を向上させることのできる技術を提供
することを目的とする。
たり、その位置がずれたりすることを防止して、ペレッ
ト付時の位置精度を向上させることのできる技術を提供
することを目的とする。
本発明は、また、ペレットをコレクトにより押圧しても
、ペーストがはみ出ししてコレットに付着するというよ
うなことが起こらないようにする技術を提供することを
目的とする。
、ペーストがはみ出ししてコレットに付着するというよ
うなことが起こらないようにする技術を提供することを
目的とする。
本発明は、さらに、ボイドの混入を回避して、ペレット
の固着強度を向上させる技術を提供することを目的とす
る。
の固着強度を向上させる技術を提供することを目的とす
る。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明では、パッケージベースのペレット取
付部上に、例えば格子状のメタライズ層を設けることに
より凹凸を形成して、当該凹部なガス抜き用の溝となす
ようにする。
付部上に、例えば格子状のメタライズ層を設けることに
より凹凸を形成して、当該凹部なガス抜き用の溝となす
ようにする。
このように、凹凸を形成することにより、ペレット付時
にペーストからガスが発生しても、ガスは、当該凹部な
ガス抜き用の溝として逃げ、その為に、当該ペースト中
にボイドとして残存しないようにすることができる。
にペーストからガスが発生しても、ガスは、当該凹部な
ガス抜き用の溝として逃げ、その為に、当該ペースト中
にボイドとして残存しないようにすることができる。
ペレットを持ち上げしたり、その位置をずらしたりする
のはペースト中にボイドが含まれているためであり、ボ
イドが残存していないので、かかるペレットの浮きやず
れを防止することができる。
のはペースト中にボイドが含まれているためであり、ボ
イドが残存していないので、かかるペレットの浮きやず
れを防止することができる。
また、ボイドが残存していないので、コレットによりペ
レットを押圧してもペーストがペレット取付部外部にふ
き出しすることが回避される。従って、コレクトに当該
ふき出しによる付着がなく、作業性も良好になり、位置
精度も向上させることができる。さらに、ペースト中に
ボイドが含まれていないので、ペレットの固着強度も向
上させることができる。
レットを押圧してもペーストがペレット取付部外部にふ
き出しすることが回避される。従って、コレクトに当該
ふき出しによる付着がなく、作業性も良好になり、位置
精度も向上させることができる。さらに、ペースト中に
ボイドが含まれていないので、ペレットの固着強度も向
上させることができる。
次に、本発明の実施例を、図面に基づいて説明する。
第1図は、パッケージベース上のペレット取付部に凹凸
を形成してなる本発明の実施例を示す斜視図、第2図は
本発明の実施例を示す半導体装置の断面図である。
を形成してなる本発明の実施例を示す斜視図、第2図は
本発明の実施例を示す半導体装置の断面図である。
また、第3図は同装置の要部断面図で、コレットによる
ペレット付時の様子を示しである。これら図において、
1はキャップ、2はパッケージベース上の配線、3は封
止用ガラス、4はベース内配線、5はパッケージベース
、6はリード、7はペレット、8はペースト、9はコネ
クタ用ワイヤ、10は凹部、11は凸部、12はコレク
トである。
ペレット付時の様子を示しである。これら図において、
1はキャップ、2はパッケージベース上の配線、3は封
止用ガラス、4はベース内配線、5はパッケージベース
、6はリード、7はペレット、8はペースト、9はコネ
クタ用ワイヤ、10は凹部、11は凸部、12はコレク
トである。
第1図に示すように、パッケージベース5上のペレット
取付部に、格子状に四辺形の凸部11を複数適宜間隔を
置いて凹部10を介在させて配設する。
取付部に、格子状に四辺形の凸部11を複数適宜間隔を
置いて凹部10を介在させて配設する。
当該凹凸の形成は、例えば、配線2と同一材料を用いて
、当該配線2の形成と同時に行うことができる。
、当該配線2の形成と同時に行うことができる。
配線2の材料は、例えばW−りMOなどの高融点金属(
合金)より成り、凸部11も同様のメタライズ層により
形成することが製造工程も簡略化され好ましい。
合金)より成り、凸部11も同様のメタライズ層により
形成することが製造工程も簡略化され好ましい。
ペレット付に際しては、例えばボッティング技術により
、ペースト8を当該凹凸10.11の形成されたペレッ
ト取付部に塗布する。
、ペースト8を当該凹凸10.11の形成されたペレッ
ト取付部に塗布する。
第3図に示すように、当該ペレット取付部に、ペレット
7を載置し、加熱炉により、ペースト8を加熱硬化させ
る。
7を載置し、加熱炉により、ペースト8を加熱硬化させ
る。
ペースト8は、樹脂ペーストにより構成される。
Ag粉などの金属粉を混入して導電性をもたせるとよい
。
。
樹脂の例としては、PIQ樹脂(日立化成社製)が挙げ
られる。
られる。
ペーストにするために、N−メチルスピロリドン(NM
P)、ジメチルア七ドアミド(DMA)などの溶媒によ
り、ポリイミド樹脂は希釈される。
P)、ジメチルア七ドアミド(DMA)などの溶媒によ
り、ポリイミド樹脂は希釈される。
当該ポリイミド樹脂は、当該溶媒を揮発させ、熱硬化(
キュア)による重合を行させることにより、ペレット7
をパッケージベース5上に強固に接合させることができ
る。
キュア)による重合を行させることにより、ペレット7
をパッケージベース5上に強固に接合させることができ
る。
本発明では、当該加熱硬化時に、ペレット7を;レット
12により押圧しておくことができ、コレット12にペ
ースト8が吹き出しして、付着するということがない。
12により押圧しておくことができ、コレット12にペ
ースト8が吹き出しして、付着するということがない。
@2図や第3図に示すように、パッケージベース5上の
配線2は、ベース内配線4を介して、リード6と電気的
に接続される。
配線2は、ベース内配線4を介して、リード6と電気的
に接続される。
また、ペレット7と上記配線2とは、コネクタ用ワイヤ
9により電気的に接続されている。
9により電気的に接続されている。
パッケージベース5上には、封止用ガラス3により、キ
ャップ1が取付けられ、気密封止が行われている。
ャップ1が取付けられ、気密封止が行われている。
キャップ1は、例えばセラミック材により構成される。
封止用ガラス3には、例えば低融点ガラスが使用される
。
。
パッケージベース5は、例えばセラミック基板により構
成される。
成される。
リード6は、例えば金属により構成される。
ペレット(チップ)7は、例えばシリコン単結晶基板か
ら成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の回
路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている。
ら成り、周知の技術によってこのチップ内には多数の回
路素子が形成され、1つの回路機能が与えられている。
回路素子の具体例は、例えばMOSトジンジスタから成
り、これらの回路素子によって、例えば論理回路および
メモリの回路機能が形成されている。
り、これらの回路素子によって、例えば論理回路および
メモリの回路機能が形成されている。
本発明によれば、パッケージベース5・上に凹凸10.
11が設けられ、当該凹部10がガス抜き用の溝となり
、ペレット付時にペースト8中の揮発溶媒(ガス)を、
ペレット取付部外部に逃がすことができるので、ペレッ
ト7を持ち上げしたり、その位置をずらしたりすること
がなくなり、位置精度を向上させることができた。
11が設けられ、当該凹部10がガス抜き用の溝となり
、ペレット付時にペースト8中の揮発溶媒(ガス)を、
ペレット取付部外部に逃がすことができるので、ペレッ
ト7を持ち上げしたり、その位置をずらしたりすること
がなくなり、位置精度を向上させることができた。
また、コレット12によりペレット7を押圧しておくこ
とができるので、より一層位置精度を向上させることが
できるし、このようにペレット7を押圧していても、ペ
ースト8のコレット12への付着がないので、作業性を
従来に比して良好にすることができた。
とができるので、より一層位置精度を向上させることが
できるし、このようにペレット7を押圧していても、ペ
ースト8のコレット12への付着がないので、作業性を
従来に比して良好にすることができた。
さらに、ペースト8中へのボイドの混入が低減されるの
で、パッケージベース5とペレット7との接着強度を向
上させることができた。
で、パッケージベース5とペレット7との接着強度を向
上させることができた。
以上不発者によりてなされた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で徨々変更可能
であることはいうまでもなlvl。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で徨々変更可能
であることはいうまでもなlvl。
例えば、前記実施例では、凹凸を格子状に設けた例を示
したが、ガス抜き用の道を有するようにする限りは他の
形態であってもよい。
したが、ガス抜き用の道を有するようにする限りは他の
形態であってもよい。
以上の説明では主として不発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるガラス封止型半導体
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、他の半導体装置にも適用できる。
をその背景となった利用分野であるガラス封止型半導体
装置に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、他の半導体装置にも適用できる。
第1図は本発明の実施例を示す斜視図、第2図は本発明
の実施例を示す要部断面図、第3図は本発明の実施例を
示す半導体装置の断面図である。 1・・・キャップ、2・・・配線、3・・・封止用ガラ
ス、4・・・ペース内配線、5・・・パッケージベース
、6・・・IJ−1’、7・・・ペレット、8・・・ペ
ースト、9・・・コネクタ用ワイヤ、10・・・凹部、
11・・・凸部、12・・・コレット。
の実施例を示す要部断面図、第3図は本発明の実施例を
示す半導体装置の断面図である。 1・・・キャップ、2・・・配線、3・・・封止用ガラ
ス、4・・・ペース内配線、5・・・パッケージベース
、6・・・IJ−1’、7・・・ペレット、8・・・ペ
ースト、9・・・コネクタ用ワイヤ、10・・・凹部、
11・・・凸部、12・・・コレット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、パッケージベースの半導体ペレット取付部上に、溶
媒を含む樹脂ペーストを塗布し、半導体ペレットを当該
ペーストに押圧し、当該ペーストを加熱硬化させて、前
記パッケージベース上に当該半導体ペレットを取付して
成る半導体装置において、当該パッケージベースの半導
体ペレット取付部上に、凹凸を形成して、当該凹部を、
前記ペーストに含まれる溶媒が加熱硬化時にガスとなっ
て揮発する際の当該半導体ペレット取付部外部へのガス
抜け用の溝となしたことを特徴とする半導体装置。 2、凹凸をパッケージベース上の配線と同一材料のメタ
ライズにより格子状に形成して成ることを特徴とする請
求項1の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18564688A JPH0236541A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18564688A JPH0236541A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0236541A true JPH0236541A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16174412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18564688A Pending JPH0236541A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0236541A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04131931U (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
JP2013084960A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Led Engin Inc | はんだ接合のための溝付き板 |
JP2013229561A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Materials Corp | 接合体の製造方法、パワーモジュールの製造方法、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18564688A patent/JPH0236541A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04131931U (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
JP2013084960A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Led Engin Inc | はんだ接合のための溝付き板 |
JP2013229561A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | Mitsubishi Materials Corp | 接合体の製造方法、パワーモジュールの製造方法、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
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