JP2000150755A - 樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田ディップ法により樹脂封止型半導体装置
のリード端子に半田被覆する際に、樹脂封止体の損傷を
防止する。 【解決手段】 溶融半田（５）を収容する半田槽（４）
を用意し、樹脂封止体（２）及び樹脂封止体（２）から
導出されたリード端子（３）を有する樹脂封止型半導体
装置のリード端子（３）の先端部（３ａ）のみを一度溶
融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一定時間
予熱した後、リード端子（３）の樹脂封止体（２）側の
近傍を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に浸漬して半田
被覆を行う。リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを
一度溶融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一
定時間予熱すると、導出部（３ｂ）の熱がリード端子
（３）を通じて樹脂封止体（２）にも段階的に伝達さ
れ、リード端子（３）の導出部（３ｂ）近傍で樹脂封止
体（２）の樹脂欠けを防止することができる。
のリード端子に半田被覆する際に、樹脂封止体の損傷を
防止する。 【解決手段】 溶融半田（５）を収容する半田槽（４）
を用意し、樹脂封止体（２）及び樹脂封止体（２）から
導出されたリード端子（３）を有する樹脂封止型半導体
装置のリード端子（３）の先端部（３ａ）のみを一度溶
融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一定時間
予熱した後、リード端子（３）の樹脂封止体（２）側の
近傍を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に浸漬して半田
被覆を行う。リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを
一度溶融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一
定時間予熱すると、導出部（３ｂ）の熱がリード端子
（３）を通じて樹脂封止体（２）にも段階的に伝達さ
れ、リード端子（３）の導出部（３ｂ）近傍で樹脂封止
体（２）の樹脂欠けを防止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田被覆法、特に
樹脂封止体に亀裂が生じない樹脂封止型半導体装置のリ
ード端子半田被覆法に属する。
樹脂封止体に亀裂が生じない樹脂封止型半導体装置のリ
ード端子半田被覆法に属する。
【０００２】
【従来の技術】図６に示すように、樹脂封止体（２）
と、樹脂封止体（２）から導出された複数の外部リード
（リード端子）（３）とを有する樹脂封止型半導体装置
（１）は公知である。樹脂封止型半導体装置（１）の樹
脂封止体（２）から導出されたリード端子（３）に半田
被覆を施すとき、図７に示すように、半田槽（４）に収
容された溶融半田（５）内に樹脂封止型半導体装置
（１）のリード端子（３）を浸漬して溶融半田（５）を
リード端子（３）の表面に被覆する半田ディップ法が使
用される。
と、樹脂封止体（２）から導出された複数の外部リード
（リード端子）（３）とを有する樹脂封止型半導体装置
（１）は公知である。樹脂封止型半導体装置（１）の樹
脂封止体（２）から導出されたリード端子（３）に半田
被覆を施すとき、図７に示すように、半田槽（４）に収
容された溶融半田（５）内に樹脂封止型半導体装置
（１）のリード端子（３）を浸漬して溶融半田（５）を
リード端子（３）の表面に被覆する半田ディップ法が使
用される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記半田デ
ィップ法では、リード端子（３）を溶融半田（５）中に
浸漬したときに、リード端子（３）を通じて樹脂封止体
（２）が急激に加熱されるために、樹脂封止体（２）の
リード端子（３）の導出部分近傍に亀裂（クラック）又
は樹脂欠け等の損傷が生じることがあった。即ち、リー
ド端子（３）のほぼ全体を一気に溶融半田中に浸漬する
と、リード端子（３）の導出部（３ｂ）の温度が急激に
上昇するため、リード端子（３）の導出部（３ｂ）が熱
膨張するが、樹脂封止体（２）はリード端子（３）の導
出部（３ｂ）の急激な温度上昇に伴う熱膨張に追従して
瞬時に熱膨張しない。このため、樹脂封止体（２）のリ
ード端子（３）の近傍部分にある導出部（３ｂ）に樹脂
欠け又は亀裂が生ずる。これは例えば銅等の金属により
製造されるリード端子（３）と、エポキシ樹脂等の高分
子物質により製造される樹脂封止体（２）との熱伝達速
度の相違によって、瞬間的にリード端子（３）と樹脂封
止体（２）との熱膨張量が大きく相違するために発生す
る。そこで、本発明は、半田ディップ法によりリード端
子に半田被覆する際に、樹脂封止体に亀裂等の損傷が発
生しない樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法
を提供することを目的とする。
ィップ法では、リード端子（３）を溶融半田（５）中に
浸漬したときに、リード端子（３）を通じて樹脂封止体
（２）が急激に加熱されるために、樹脂封止体（２）の
リード端子（３）の導出部分近傍に亀裂（クラック）又
は樹脂欠け等の損傷が生じることがあった。即ち、リー
ド端子（３）のほぼ全体を一気に溶融半田中に浸漬する
と、リード端子（３）の導出部（３ｂ）の温度が急激に
上昇するため、リード端子（３）の導出部（３ｂ）が熱
膨張するが、樹脂封止体（２）はリード端子（３）の導
出部（３ｂ）の急激な温度上昇に伴う熱膨張に追従して
瞬時に熱膨張しない。このため、樹脂封止体（２）のリ
ード端子（３）の近傍部分にある導出部（３ｂ）に樹脂
欠け又は亀裂が生ずる。これは例えば銅等の金属により
製造されるリード端子（３）と、エポキシ樹脂等の高分
子物質により製造される樹脂封止体（２）との熱伝達速
度の相違によって、瞬間的にリード端子（３）と樹脂封
止体（２）との熱膨張量が大きく相違するために発生す
る。そこで、本発明は、半田ディップ法によりリード端
子に半田被覆する際に、樹脂封止体に亀裂等の損傷が発
生しない樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止型
半導体装置のリード端子半田被覆法は、溶融半田（５）
を収容する半田槽（４）を用意する工程と、樹脂封止体
（２）及び樹脂封止体（２）から導出されたリード端子
（３）を有する樹脂封止型半導体装置のリード端子
（３）の先端部（３ａ）のみを一度溶融半田（５）中に
浸漬してリード端子（３）を一定時間予熱する工程と、
その後、リード端子（３）の樹脂封止体（２）側の近傍
を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に浸漬して半田被覆
を行う工程とを含む。
半導体装置のリード端子半田被覆法は、溶融半田（５）
を収容する半田槽（４）を用意する工程と、樹脂封止体
（２）及び樹脂封止体（２）から導出されたリード端子
（３）を有する樹脂封止型半導体装置のリード端子
（３）の先端部（３ａ）のみを一度溶融半田（５）中に
浸漬してリード端子（３）を一定時間予熱する工程と、
その後、リード端子（３）の樹脂封止体（２）側の近傍
を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に浸漬して半田被覆
を行う工程とを含む。
【０００５】リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを
一度溶融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一
定時間予熱すると、リード端子（３）の導出部（３ｂ）
が段階的に温度上昇し、導出部（３ｂ）の熱がリード端
子（３）を通じて樹脂封止体（２）にも段階的に伝達さ
れ、樹脂封止体（２）がリード端子（３）の熱膨張にあ
る程度追従できる。このため、樹脂封止体（２）のリー
ド端子（３）の近傍部分で局部的な樹脂封止体（２）と
リード端子（３）との大きな温度差が緩和され、リード
端子（３）の導出部（３ｂ）近傍で樹脂封止体（２）の
樹脂欠け、亀裂（クラック）を防止することができる。
一度溶融半田（５）中に浸漬してリード端子（３）を一
定時間予熱すると、リード端子（３）の導出部（３ｂ）
が段階的に温度上昇し、導出部（３ｂ）の熱がリード端
子（３）を通じて樹脂封止体（２）にも段階的に伝達さ
れ、樹脂封止体（２）がリード端子（３）の熱膨張にあ
る程度追従できる。このため、樹脂封止体（２）のリー
ド端子（３）の近傍部分で局部的な樹脂封止体（２）と
リード端子（３）との大きな温度差が緩和され、リード
端子（３）の導出部（３ｂ）近傍で樹脂封止体（２）の
樹脂欠け、亀裂（クラック）を防止することができる。
【０００６】本発明の実施の形態では、溶融半田（５）
を１７０℃〜３１０℃の温度に保持する工程、リード端
子（３）の先端部（３ａ）を溶融半田（５）中に１〜１
０秒間浸漬して、リード端子（３）の樹脂封止体（２）
の導出部（３ｂ）の温度を第１の温度に加熱する工程、
樹脂封止型半導体装置（１）のリード端子（３）の導出
部（３ｂ）を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に約２秒
間浸漬させて、リード端子（３）の導出部分にある導出
部（３ｂ）を第１の温度より高い第２の温度に加熱し、
リード端子（３）の導出部（３ｂ）を除くほぼ全体に溶
融半田（５）を被覆する工程及びリード端子（３）を溶
融半田（５）から引き上げた後、リード端子（３）を十
分に浸漬する工程のいずれか又は２以上を含んでもよ
い。更に、リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを一
度溶融半田（５）中に浸漬する工程と、リード端子
（３）の樹脂封止体（２）側の近傍を除くほぼ全体を半
田槽（４）中に浸漬する工程とを複数回反復する工程を
含んでもよい。第１の温度は５０℃〜１８０℃であり、
第２の温度は１９０℃〜２６０℃である。
を１７０℃〜３１０℃の温度に保持する工程、リード端
子（３）の先端部（３ａ）を溶融半田（５）中に１〜１
０秒間浸漬して、リード端子（３）の樹脂封止体（２）
の導出部（３ｂ）の温度を第１の温度に加熱する工程、
樹脂封止型半導体装置（１）のリード端子（３）の導出
部（３ｂ）を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に約２秒
間浸漬させて、リード端子（３）の導出部分にある導出
部（３ｂ）を第１の温度より高い第２の温度に加熱し、
リード端子（３）の導出部（３ｂ）を除くほぼ全体に溶
融半田（５）を被覆する工程及びリード端子（３）を溶
融半田（５）から引き上げた後、リード端子（３）を十
分に浸漬する工程のいずれか又は２以上を含んでもよ
い。更に、リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを一
度溶融半田（５）中に浸漬する工程と、リード端子
（３）の樹脂封止体（２）側の近傍を除くほぼ全体を半
田槽（４）中に浸漬する工程とを複数回反復する工程を
含んでもよい。第１の温度は５０℃〜１８０℃であり、
第２の温度は１９０℃〜２６０℃である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置によるリード端子半田被覆法の実施の形態を図１〜
図５について説明する。本実施の形態のリード端子
（３）への半田被覆法の従来例と異なる点は、リード端
子（３）の先端部（３ａ）のみを一度半田浴槽中に浸漬
した後にリード端子（３）の樹脂封止体（２）側の近傍
を除くほぼ全体を半田槽（４）中に浸漬して半田被覆を
行う点にある。即ち、図３（ａ）に示すように、まず溶
融半田（５）を収容する半田槽（４）を用意して、樹脂
封止型半導体装置（１）のリード端子（３）の先端部
（３ａ）のみを溶融半田（５）中に浸漬させる。半田槽
（４）中の溶融半田（５）の温度は約２８０℃であり、
リード端子（３）の先端部（３ａ）を溶融半田（５）中
に約３秒間浸漬させる。浸漬させる時間は１〜１０秒か
ら選択できるが、１０秒以上浸漬させても実質上問題は
なく浸漬時間を短縮して生産性を向上するため、１０秒
以内がよい。これにより、樹脂封止体（２）の近傍部分
にあるリード端子（３）の導出部（３ｂ）の温度は第１
の温度である例えば９０℃に加熱される。
装置によるリード端子半田被覆法の実施の形態を図１〜
図５について説明する。本実施の形態のリード端子
（３）への半田被覆法の従来例と異なる点は、リード端
子（３）の先端部（３ａ）のみを一度半田浴槽中に浸漬
した後にリード端子（３）の樹脂封止体（２）側の近傍
を除くほぼ全体を半田槽（４）中に浸漬して半田被覆を
行う点にある。即ち、図３（ａ）に示すように、まず溶
融半田（５）を収容する半田槽（４）を用意して、樹脂
封止型半導体装置（１）のリード端子（３）の先端部
（３ａ）のみを溶融半田（５）中に浸漬させる。半田槽
（４）中の溶融半田（５）の温度は約２８０℃であり、
リード端子（３）の先端部（３ａ）を溶融半田（５）中
に約３秒間浸漬させる。浸漬させる時間は１〜１０秒か
ら選択できるが、１０秒以上浸漬させても実質上問題は
なく浸漬時間を短縮して生産性を向上するため、１０秒
以内がよい。これにより、樹脂封止体（２）の近傍部分
にあるリード端子（３）の導出部（３ｂ）の温度は第１
の温度である例えば９０℃に加熱される。
【０００８】次に、図３（ｂ）に示すように、樹脂封止
型半導体装置（１）のリード端子（３）の導出部（３
ａ）を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に約２秒間浸漬
させる。これにより、リード端子（３）の導出部（３
ｂ）は上記第１の温度よりも高い第２の温度である例え
ば２００℃に加熱されると共に、リード端子（３）の導
出部（３ｂ）を除くほぼ全体に溶融半田（５）が被覆さ
れる。このように、リード端子（３）の導出部（３ｂ）
の温度が段階的に上昇するため、樹脂封止体（２）がリ
ード端子（３）の熱膨張にある程度追従できる。この結
果、リード端子（３）の導出部（３ｂ）が段階的に温度
上昇するため、樹脂封止体（２）のリード端子（３）の
近傍部分での樹脂欠け又は亀裂（クラック）を防止する
ことができる。
型半導体装置（１）のリード端子（３）の導出部（３
ａ）を除くほぼ全体を溶融半田（５）中に約２秒間浸漬
させる。これにより、リード端子（３）の導出部（３
ｂ）は上記第１の温度よりも高い第２の温度である例え
ば２００℃に加熱されると共に、リード端子（３）の導
出部（３ｂ）を除くほぼ全体に溶融半田（５）が被覆さ
れる。このように、リード端子（３）の導出部（３ｂ）
の温度が段階的に上昇するため、樹脂封止体（２）がリ
ード端子（３）の熱膨張にある程度追従できる。この結
果、リード端子（３）の導出部（３ｂ）が段階的に温度
上昇するため、樹脂封止体（２）のリード端子（３）の
近傍部分での樹脂欠け又は亀裂（クラック）を防止する
ことができる。
【０００９】本発明の前記実施の形態は変更が可能であ
る。例えば、図３〜図５に示すように、リード端子
（３）の先端部（３ａ）を一度溶融半田（５）中に浸漬
させてから、リード端子（３）を引き上げてもよい。ま
た、図１と図２の工程とを複数回繰り返して行ってもよ
い。
る。例えば、図３〜図５に示すように、リード端子
（３）の先端部（３ａ）を一度溶融半田（５）中に浸漬
させてから、リード端子（３）を引き上げてもよい。ま
た、図１と図２の工程とを複数回繰り返して行ってもよ
い。
【００１０】
【発明の効果】前記のように、本発明では半田ディップ
法によりリード端子に半田被覆する際に、樹脂封止体に
亀裂等の損傷を防止できるので、樹脂封止型半導体装置
の製造歩留まりを向上できると共に、信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を製造することができる。
法によりリード端子に半田被覆する際に、樹脂封止体に
亀裂等の損傷を防止できるので、樹脂封止型半導体装置
の製造歩留まりを向上できると共に、信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を製造することができる。
【図１】 リード端子の先端部のみを溶融半田内に浸漬
した状態を示す断面図
した状態を示す断面図
【図２】 リード端子のほぼ全体を溶融半田内に浸漬し
た状態を示す断面図
た状態を示す断面図
【図３】 リード端子の先端部のみを溶融半田内に浸漬
した状態を示す断面図
した状態を示す断面図
【図４】 リード端子を溶融半田から引き上げた状態を
示す断面図
示す断面図
【図５】 リード端子のほぼ全体を溶融半田内に浸漬し
た状態を示す断面図
た状態を示す断面図
【図６】 樹脂封止型半導体装置の正面図
【図７】 樹脂封止型半導体装置のリード端子を溶融半
田内に浸漬した状態を示す断面図
田内に浸漬した状態を示す断面図
（１）・・樹脂封止型半導体装置、 （２）・・樹脂封
止体、 （３）・・リード端子、 （３ａ）・・先端
部、 （３ｂ）・・導出部、 （４）・・半田槽、
（５）・・溶融半田、
止体、 （３）・・リード端子、 （３ａ）・・先端
部、 （３ｂ）・・導出部、 （４）・・半田槽、
（５）・・溶融半田、
Claims (7)
- 【請求項１】 溶融半田（５）を収容する半田槽（４）
を用意する工程と、 樹脂封止体（２）及び該樹脂封止体（２）から導出され
たリード端子（３）を有する樹脂封止型半導体装置の前
記リード端子（３）の先端部（３ａ）のみを一度前記溶
融半田（５）中に浸漬して前記リード端子（３）を一定
時間予熱する工程と、 その後、前記リード端子（３）の樹脂封止体（２）側の
近傍を除くほぼ全体を前記溶融半田（５）中に浸漬して
半田被覆を行う工程とを含むことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置のリード端子半田被覆法。 - 【請求項２】 前記溶融半田（５）を１７０℃〜３１０
℃の温度に保持する工程を含む請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置のリード端子半田被覆法。 - 【請求項３】 前記リード端子（３）の先端部（３ａ）
を前記溶融半田（５）中に１〜１０秒間浸漬して、前記
リード端子（３）の前記樹脂封止体（２）の導出部（３
ｂ）を第１の温度に加熱する工程を含む請求項１に記載
の樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法。 - 【請求項４】 樹脂封止型半導体装置（１）のリード端
子（３）の導出部（３ｂ）を除くほぼ全体を溶融半田
（５）中に約２秒間浸漬させて、リード端子（３）の導
出部（３ｂ）を前記第１の温度より高い第２の温度に加
熱し、リード端子（３）の導出部（３ｂ）を除くほぼ全
体に溶融半田（５）を被覆する工程を含む請求項１〜３
のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置のリード
端子半田被覆法。 - 【請求項５】 リード端子（３）を溶融半田（５）から
引き上げた後、リード端子（３）を十分に浸漬する工程
を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂封止型
半導体装置のリード端子半田被覆法。 - 【請求項６】 リード端子（３）の先端部（３ａ）のみ
を一度溶融半田（５）中に浸漬する工程と、リード端子
（３）の樹脂封止体（２）側の近傍を除くほぼ全体を半
田槽（４）中に浸漬する工程とを複数回反復する工程を
含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂封止型半
導体装置のリード端子半田被覆法。 - 【請求項７】 前記第１の温度は５０℃〜１８０℃であ
り、前記第２の温度は１９０℃〜２６０℃である請求項
４に記載の樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319072A JP2000150755A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10319072A JP2000150755A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150755A true JP2000150755A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18106196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10319072A Pending JP2000150755A (ja) | 1998-11-10 | 1998-11-10 | 樹脂封止型半導体装置のリード端子半田被覆法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150755A (ja) |
-
1998
- 1998-11-10 JP JP10319072A patent/JP2000150755A/ja active Pending
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