JPS62210633A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のワイヤボンディング技術に係り、
特にボンディングワイヤ(以下ワイヤと呼ぶ)と基板な
どの接触により発生する短絡を防止するのに好適なワイ
ヤボンディング装置に関する。
特にボンディングワイヤ(以下ワイヤと呼ぶ)と基板な
どの接触により発生する短絡を防止するのに好適なワイ
ヤボンディング装置に関する。
従来のワイヤの短絡を防止する技術としては、特開昭5
5−12167号、実開昭60−99536号などに記
載のように、パッケージの構造に対応してワイヤ径を選
定する方法が知られている。
5−12167号、実開昭60−99536号などに記
載のように、パッケージの構造に対応してワイヤ径を選
定する方法が知られている。
また前記とは異なるワイヤの短絡を防止する技術として
は、特開昭56−24958号、特開昭57−9353
8号などに記載のように短絡の生じる部分に絶縁物を設
ける方法がある6 さらに公知の技術としては、素子と外部リードの段差を
少なくして、ワイヤと素子の短絡を防止する方法もある
。
は、特開昭56−24958号、特開昭57−9353
8号などに記載のように短絡の生じる部分に絶縁物を設
ける方法がある6 さらに公知の技術としては、素子と外部リードの段差を
少なくして、ワイヤと素子の短絡を防止する方法もある
。
上記従来技術においては、ワイヤと他の構成部材とのシ
ョートは防止できるが、ワイヤ径に制約を加えたり、生
産工程数が増加したり、素子の大形化を妨げる等の問題
点があった。
ョートは防止できるが、ワイヤ径に制約を加えたり、生
産工程数が増加したり、素子の大形化を妨げる等の問題
点があった。
本発明の目的は、従来技術の欠点を解決してワイヤの短
絡を防止することにある。
絡を防止することにある。
上記目的は、ワイヤを一方から他方に配線する間、また
はボンディングが完了した後に、ワイヤの一部をボンデ
ィング操作時にワイヤ素材の再結晶開始温度以上に加熱
することにより達成される。
はボンディングが完了した後に、ワイヤの一部をボンデ
ィング操作時にワイヤ素材の再結晶開始温度以上に加熱
することにより達成される。
キャピラリにより半導体素子にボンディングされたワイ
ヤは、キャピラリの移動によりリード側のボンディング
近傍に運ばれる。このときワイヤーの一部分は加熱装置
により加熱される。このワイヤへの加熱によってワイヤ
は変形が可能になるので、ワイヤは半導体基板には接触
することなく短絡を防止できる。
ヤは、キャピラリの移動によりリード側のボンディング
近傍に運ばれる。このときワイヤーの一部分は加熱装置
により加熱される。このワイヤへの加熱によってワイヤ
は変形が可能になるので、ワイヤは半導体基板には接触
することなく短絡を防止できる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
以下の各図において、同一符号を付した部分は同一の構
成部分を示す。
成部分を示す。
第1図は本発明の一実施例を示すものである。
1は半導体基板で、この半導体基板1上には半導体素子
2と外部リード3が載置されており、これら素子2とリ
ード3はワイヤ(金属細り4により電気的に接続されて
いる。5はワイヤ4をボンディングするキャピラリで、
このキャピラリ5の内部にはワイヤ4が伸縮可能に挿入
されている。
2と外部リード3が載置されており、これら素子2とリ
ード3はワイヤ(金属細り4により電気的に接続されて
いる。5はワイヤ4をボンディングするキャピラリで、
このキャピラリ5の内部にはワイヤ4が伸縮可能に挿入
されている。
7はファイバホルダ8に保持される光ファイバで、この
光フアイバ7内にはレーザ光や赤外線などの加熱光線9
が通っており、この加熱光線9によってワイヤ4の一部
がボンディング作業時に加熱される。この光ファイバ7
はキャピラリ5にキャピラリホルダ6を介して支持され
ている。前記光ファイバ7および加熱光線を加熱装置と
する。
光フアイバ7内にはレーザ光や赤外線などの加熱光線9
が通っており、この加熱光線9によってワイヤ4の一部
がボンディング作業時に加熱される。この光ファイバ7
はキャピラリ5にキャピラリホルダ6を介して支持され
ている。前記光ファイバ7および加熱光線を加熱装置と
する。
次に本発明のボンディング装置の動作について説明する
。
。
半導体素子2の第1のボンディング点4aでボンディン
グされたワイヤ4は、キャピラリ5の移動によりリード
2の第2ボンディング点近傍まで運ばれる。このとき、
ワイヤ4の4dの部分が加熱装置の光ファイバ7を通っ
て来たレーザじ己などの加熱光線9により瞬時に加熱さ
れる。このため、後述する手段により、ワイヤの4dの
部分は曲がりやすくなるので、ワイヤ4は素子2に勉れ
ることはなく、ワイヤによる短絡が防げる。このとき加
熱光線9が照射される時間は、キャピラリ5の位置と同
期されであるので、ワイヤ4のボンディングの作業毎に
、ワイヤの一部の任意の位置に照射して加熱することが
できる。
グされたワイヤ4は、キャピラリ5の移動によりリード
2の第2ボンディング点近傍まで運ばれる。このとき、
ワイヤ4の4dの部分が加熱装置の光ファイバ7を通っ
て来たレーザじ己などの加熱光線9により瞬時に加熱さ
れる。このため、後述する手段により、ワイヤの4dの
部分は曲がりやすくなるので、ワイヤ4は素子2に勉れ
ることはなく、ワイヤによる短絡が防げる。このとき加
熱光線9が照射される時間は、キャピラリ5の位置と同
期されであるので、ワイヤ4のボンディングの作業毎に
、ワイヤの一部の任意の位置に照射して加熱することが
できる。
次にワイヤ4を変形しやすくするための手段について説
明する。
明する。
ボンディングワイヤ4をワイヤ素材の再結晶開始温度以
上(約250℃以上)融点以下の温度に加熱すると、ワ
イヤ4の線引き加工による微細な結晶が再結晶して疎大
化するので、降伏応力が低下する。
上(約250℃以上)融点以下の温度に加熱すると、ワ
イヤ4の線引き加工による微細な結晶が再結晶して疎大
化するので、降伏応力が低下する。
第4図は、Au材のワイヤを所定の温度に加熱した後に
、室温で引張試験を行い、降伏応力を測定した結果であ
る。この図かられかるように、250℃以以上に加熱す
ると、ワイヤ素材は再結晶するので、降伏応力が急激に
低下する。
、室温で引張試験を行い、降伏応力を測定した結果であ
る。この図かられかるように、250℃以以上に加熱す
ると、ワイヤ素材は再結晶するので、降伏応力が急激に
低下する。
従って、ボンディングワイヤの一部を加熱すると、加熱
した部分だけ降伏応力が低下するので変形しやすくなり
、ワイヤ形状を自由に変えることができる。
した部分だけ降伏応力が低下するので変形しやすくなり
、ワイヤ形状を自由に変えることができる。
第5VAに示すように、ワイヤの4dの部分を加熱して
曲がりやすくすると、ワイヤを素子に押し付けるモーメ
ントが小さくなるので、ワイヤ4は素子2に触れず、短
絡を防止することができる。
曲がりやすくすると、ワイヤを素子に押し付けるモーメ
ントが小さくなるので、ワイヤ4は素子2に触れず、短
絡を防止することができる。
ちなみに、従来技術の如くワイヤ4を加熱しない状態で
素子2からリード3にボンディングした状態を第6図に
示す。
素子2からリード3にボンディングした状態を第6図に
示す。
図のように、第1ボンディング点4aと第2ボンディン
グ点4bに段差がある場合、ワイヤ4は素子1のコーナ
4Cで短絡しやすい。この原因は。
グ点4bに段差がある場合、ワイヤ4は素子1のコーナ
4Cで短絡しやすい。この原因は。
第2ボンディング点4bの手順のワイヤ4dが曲がりに
くく、ワイヤ4を素子1に押し付けるモーメントが生じ
ることにある。
くく、ワイヤ4を素子1に押し付けるモーメントが生じ
ることにある。
ところで、ワイヤの熱容量が大きいかまたは加熱光線の
出力が小さく、ワイヤを瞬時に所定の温度まで加熱する
のが困芝な場合は、ボンディング作業を高温雰囲気で行
うか、または加熱光線の出力を加減して、ワイヤを常時
ある温度に保てばよい。例えば第4図に示した特性のワ
イヤを用いる場合は、ワイヤを200℃程度に加熱して
おき。
出力が小さく、ワイヤを瞬時に所定の温度まで加熱する
のが困芝な場合は、ボンディング作業を高温雰囲気で行
うか、または加熱光線の出力を加減して、ワイヤを常時
ある温度に保てばよい。例えば第4図に示した特性のワ
イヤを用いる場合は、ワイヤを200℃程度に加熱して
おき。
第1図の状態でワイヤ4dを250℃に加熱する。
また、加熱光線9の光束の直径がワイヤ径より大きい場
合には、光ファイバ7の先端を凸レンズ状に加工し、ワ
イヤの位置と加熱光ls9の焦点の位置を一致させるこ
とにより、加熱能力の向上と加熱光線9が他の部分に照
射することを防ぐことができる。
合には、光ファイバ7の先端を凸レンズ状に加工し、ワ
イヤの位置と加熱光ls9の焦点の位置を一致させるこ
とにより、加熱能力の向上と加熱光線9が他の部分に照
射することを防ぐことができる。
第2図は本発明の他の実施例を示すものである。
本実施例では、加熱光源1oをキャピラリ5から離して
設け、加熱光、iI9の照射方向と照射時間をキャピラ
リ5の位置と同期させる。加熱光線9はレンズで絞られ
、照点の位置はワイヤの4dの位置と一致させる。
設け、加熱光、iI9の照射方向と照射時間をキャピラ
リ5の位置と同期させる。加熱光線9はレンズで絞られ
、照点の位置はワイヤの4dの位置と一致させる。
前記各実施例では、ワイヤボンディング作業の第1ボン
デイングと第2ボンディング作業の間にワイヤを加熱し
ているが、従来技術でボンディング作業が完了した後に
、加熱光線9をワイヤの所定の位置に照射し、加熱して
もよい。
デイングと第2ボンディング作業の間にワイヤを加熱し
ているが、従来技術でボンディング作業が完了した後に
、加熱光線9をワイヤの所定の位置に照射し、加熱して
もよい。
第3図は、本発明のさらに他の実施例を示すものである
。本実施例では、キャピラリ5に取り付けたヒーター1
1でキャピラリ5を加熱し、キャピラリ5からワイヤ4
に熱を伝え、ワイヤ4を加熱するようにしたものである
。ヒーター11の加熱時間は、前記実施例の場合と同様
に、キャピラリ5の位置と同期させる。このときヒータ
ー11は、キャピラリ5に抵抗線等を巻き付けるか、ま
たはキャピラリ5に電極をとりつけてヒータ電線12に
より電流を流し、ヒーターとしてもよい。
。本実施例では、キャピラリ5に取り付けたヒーター1
1でキャピラリ5を加熱し、キャピラリ5からワイヤ4
に熱を伝え、ワイヤ4を加熱するようにしたものである
。ヒーター11の加熱時間は、前記実施例の場合と同様
に、キャピラリ5の位置と同期させる。このときヒータ
ー11は、キャピラリ5に抵抗線等を巻き付けるか、ま
たはキャピラリ5に電極をとりつけてヒータ電線12に
より電流を流し、ヒーターとしてもよい。
上記のように、ワイヤ4の一部分を再結晶開始温度以上
に加熱すると、ワイヤ4の形状はボンディング作業時に
変形可能になるので、ワイヤが基板に接触することによ
り発生する短絡を防止することができる。
に加熱すると、ワイヤ4の形状はボンディング作業時に
変形可能になるので、ワイヤが基板に接触することによ
り発生する短絡を防止することができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ワイヤの一部を再結晶開始温度以上に
加熱することにより、ボンディングワイヤの形状をボン
ディング作業時に自由に変形可能としたので、ワイヤの
短絡をワイヤ径に制約を加えたり、生産工数を増加させ
ることなく確実に防止することができる。
加熱することにより、ボンディングワイヤの形状をボン
ディング作業時に自由に変形可能としたので、ワイヤの
短絡をワイヤ径に制約を加えたり、生産工数を増加させ
ることなく確実に防止することができる。
第1図は本発明のワイヤボンディング装置の一実施例を
示す側面図、第2図は本発明の他の実施例を示す側面図
、第3図は本発明のさらに他の実施例を示す側面図、第
4図は本発明におけろワイヤの加熱温度と降伏応力の関
係を実験的に測定した結果を示す図、第5図は本発明の
ワイヤボンディング装置によりボンディングを行ったと
きのワイヤ形状を説明するための図、第6図は従来技術
によりワイヤボンディングを行ったときのワイヤ形状を
説明するための図である。 1・・・半導体素子、2・・・リード、3・・・半導体
基板、4・・・ワイヤ、4a・・・第1ボンディング点
、4b・・・第2ボンデイング点、4c・・・ワイヤの
短絡発生点、4d、4e・・・ワイヤの短絡を起こす曲
げモーメントを生じるワイヤの一部分、5・・・キャピ
ラリ、6第1図 q−一一加熱尤牒 Y Z 図 VJ j 図 /I−−−1ニーター IZ−−−ヒーター電
聯にfJ4図
示す側面図、第2図は本発明の他の実施例を示す側面図
、第3図は本発明のさらに他の実施例を示す側面図、第
4図は本発明におけろワイヤの加熱温度と降伏応力の関
係を実験的に測定した結果を示す図、第5図は本発明の
ワイヤボンディング装置によりボンディングを行ったと
きのワイヤ形状を説明するための図、第6図は従来技術
によりワイヤボンディングを行ったときのワイヤ形状を
説明するための図である。 1・・・半導体素子、2・・・リード、3・・・半導体
基板、4・・・ワイヤ、4a・・・第1ボンディング点
、4b・・・第2ボンデイング点、4c・・・ワイヤの
短絡発生点、4d、4e・・・ワイヤの短絡を起こす曲
げモーメントを生じるワイヤの一部分、5・・・キャピ
ラリ、6第1図 q−一一加熱尤牒 Y Z 図 VJ j 図 /I−−−1ニーター IZ−−−ヒーター電
聯にfJ4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体装置の半導体素子の電極と外部リードをキャ
ピラリにより金属細線で電気的に接続するワイヤボンデ
ィング装置において、前記キャピラリによりワイヤボン
ディング作業時に、ワイヤの一部を加熱するための加熱
装置を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装置
。 2、前記ワイヤへの加熱は、ワイヤを一方から他方へボ
ンディングする間に施すようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のワイヤボンディング装置。 3、前記キャピラリの位置と加熱装置の作動時間を同期
させ、所定の時間にワイヤが加熱されるようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイヤボンデ
ィング装置。 4、前記加熱装置は、光ファイバーとレーザ光から構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワイ
ヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052455A JPS62210633A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61052455A JPS62210633A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62210633A true JPS62210633A (ja) | 1987-09-16 |
Family
ID=12915191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61052455A Pending JPS62210633A (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62210633A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245535A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | 半導体素子のワイヤボンディング方法 |
US6501043B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-12-31 | Medtronic, Inc. | Apparatus and method for laser welding of ribbons |
JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
US20090223937A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61052455A patent/JPS62210633A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01245535A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Toshiba Corp | 半導体素子のワイヤボンディング方法 |
US6501043B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-12-31 | Medtronic, Inc. | Apparatus and method for laser welding of ribbons |
JP2009147185A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Fujitsu Ltd | ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置 |
US20090223937A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
US8444044B2 (en) * | 2008-03-10 | 2013-05-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for forming wire bonds |
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