JPS63257254A - ガラス封止型半導体装置 - Google Patents

ガラス封止型半導体装置

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Publication number
JPS63257254A
JPS63257254A JP9087287A JP9087287A JPS63257254A JP S63257254 A JPS63257254 A JP S63257254A JP 9087287 A JP9087287 A JP 9087287A JP 9087287 A JP9087287 A JP 9087287A JP S63257254 A JPS63257254 A JP S63257254A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
melting point
leads
lead
low melting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9087287A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiko Kasai
葛西 紀彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP9087287A priority Critical patent/JPS63257254A/ja
Publication of JPS63257254A publication Critical patent/JPS63257254A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス封止型の半導体装置を製造する技術に
関するものである。
〔従来の技術〕
ガラス封止型半導体装置については特開昭53−926
64号公報にペースとキャップの間にリードを介挿し、
低融点ガラスを用いて固定し密封するものが開示されて
いる。このガラス封止型半導体装置の製造手段について
は特し;1昭60−15954号公報にて明らかなよう
に、あらかじめ低融点ガラスを敷設したベースにリード
(フレーム状態)をボンディングして仮固定し、半導体
ペレットを取り付は後ワイヤボンディングによりリード
と半導体ペレットとを′RL気的に接続し、下面に低融
点ガラスを敷設したキャップを取り付けるようになって
いる。その後、ベースとキャップを例えばクリップにて
挾み、加熱炉内を通すことにより低融点ガラスを溶融さ
せ、完全に密封している。
〔問題点を解決するための手段〕
ところが、ペースの下面がそっているような場合には、
ペース表面の温度にバラツキが生じ、それに起因してベ
ース表面の低融点ガラスの溶は方にバラツキが生じてし
まう。そのため、あまり溶けていないガラス部分の粘着
力は非常に弱く、ワイヤボンディング工程に搬送するま
でKあるいはワイヤボンディング中にリードがはがれて
しまうという問題があった。
このような場合、ワイヤボンディング時リードに所定の
荷重が加えることができずリードとボンディングワイヤ
との接合強度が著しく悪くなり耐久性2品質に問題があ
った。
本発明の目的は品質の高いガラス封止型半導体装置を提
供するものである。
本発明の他の目的は耐湿性及びボンディング特性の向上
した半導体装置を提供するものである。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明丁tば、下記のとおりである。
すなわち、低融点ガラスと接触するリードの一部にスル
ーホールを形成するものである。
〔作 用〕
上記した手段によれば、リードが低融点ガラスと接触す
る面積を増大できるので、リードと低融点ガラスとの接
着強度の向上を達成できるものである。
〔実施例〕
第1図はガラス封止型半導体装置の一部断面図、第2図
は第1図のn−am断面図である。以下。
図面に従い詳細に説明する。1はセラミック等の絶縁性
基板であり、そのほぼ中央部には半導体ペレット2を収
納するための凹部3が形成されている。4は凹部3を除
く絶縁性基板1の主表面上に敷設されている低融点ガラ
スである。5は前記低融点ガラス4上にボンディングに
より仮固定されたリードであり、低融点ガラス4と接触
する部分にはスルーホール6が形成されている。7は各
リードを連結しているフレーム、8はベレット2とリー
ド7とを電気的に接続するボンディングワイヤ、9は前
記絶縁基板1に対応したキャップであり、前記基板1と
接合するキャップ9の下面には低融点ガラスが敷設され
ている。
次に本実施例について作用効果について説明する。
(1)低融点ガラスと接合するリードの一部にスルーホ
ールを形成することにより、たとえあまり溶けていない
ガラスであってもリードを低融点ガラスに押し付けた際
に、リードに設けたスルーホールとガラスとが噛み合う
ので、たとえ低融点ガラスが粘着性の低い状態であって
もリードをベース表面に確実に固定することができる。
従って、リードに所定の荷重が加えられるので適正なワ
イヤボンディングを行なうことができ、耐久性の高いガ
ラス封止型半導体装置が得られるという効果が得られる
(2)低融点ガラスと接合するリードの一部にスルール
ホールを形成し加熱炉内にて低融点ガラスを溶融せしめ
て前記スルーホール内に浸入せしめることにより、絶縁
基板上の低融点ガラスだけでなくキャップ下面の低融点
ガラスともリードが強固に密着するので、その境界に沿
って水がリークすることがな(、耐湿性の極めて高いガ
ラス封止型半導体装置が得られるという効果がある。
(31低融点ガラスと接合するリードの一部にスルール
ホールを形成することにより、スルーホールとガラスと
の噛み合いが良くなるので、リードを仮固定するのにベ
ースを加熱する温度を低温化することができ、従って温
度管理が容易となるという効果が得られる。
(41低融点ガラスと接するリードの一部にスルーホー
ルを形成することにより、溶融した低融点ガラスが冷え
て固化する際に生じる応力を前記スルーホールにて分散
できるので、低融点ガラスにクラックが生じて耐湿性が
劣化する問題が発生しにくいという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、スルーホー
ルの形状1位置はどのようにしても良いが、スルーホー
ルをボングイング側先端に近接して形成した場合には特
にボンディング不良を低減することができ、また、パッ
ケージ側面に近接してスルーホールを設けた場合には特
に耐温性を向上できろものである。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代衣的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれは、下記のとおりであ
る。すなわち、低融点ガラスに対するリードの密着性を
向上させることができるという効果が得られるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるガラス封止型半導体装
置の全体構成図、 第2図は第1図のガラス封止型半導体装置の部分拡大図
である。 1・・・絶縁基板、2・・・ベレット、3・・・凹部、
4・・・低融点ガラス、5・・・リード、6・・・スル
ーホール、7・・・フレーム、8・・・ボンディングワ
イヤ、9・・・キ第  1   図 第  2  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、絶縁性基板のほぼ中央部に形成された凹部と、前記
    凹部に収納された半導体ペレットと、前記凹部を除く絶
    縁性基板の主表面に敷設している低融点ガラスと、前記
    低融点ガラスで固定され前記凹部から絶縁性基板の外部
    に延在する複数のリードと、前記半導体ペレットの電極
    とリードとを接続するボンディングワイヤと、前記絶縁
    性基板に対応したキャップからなるガラス封止型半導体
    装置において、前記低融点ガラスと接触するリード部分
    にスルーホールを設けてなることを特徴とするガラス封
    止型半導体装置。
JP9087287A 1987-04-15 1987-04-15 ガラス封止型半導体装置 Pending JPS63257254A (ja)

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JP9087287A JPS63257254A (ja) 1987-04-15 1987-04-15 ガラス封止型半導体装置

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JPS63257254A true JPS63257254A (ja) 1988-10-25

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