JPS6129541B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6129541B2 JPS6129541B2 JP53138879A JP13887978A JPS6129541B2 JP S6129541 B2 JPS6129541 B2 JP S6129541B2 JP 53138879 A JP53138879 A JP 53138879A JP 13887978 A JP13887978 A JP 13887978A JP S6129541 B2 JPS6129541 B2 JP S6129541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- lid
- sealing
- ring
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミツク基板上の金属材と透明ガ
ラス等の絶縁材からなる蓋を封着する半導体装置
用のセラミツクパツケージの封着方法に関するも
のである。
ラス等の絶縁材からなる蓋を封着する半導体装置
用のセラミツクパツケージの封着方法に関するも
のである。
一旦記憶したメモリを紫外線の照射によつて消
去する構造の半導体メモリ装置は、第１図に示す
如く電極１およびメタライズ層２を設けた段付き
のセラミツク基板３のメタライズ層２上面にメモ
リ素子４をボンデイングし、該素子４の電極とセ
ラミツク基板３上の電極１を金およびアルミニウ
ムの細線５で接続し、該セラミツク基板３の封着
部６と紫外線を透過する材質でできた蓋７を接着
剤あるいはろう材８で封着し、セラミツク基板３
の外部の引出した電極１上にリードフレーム９を
取付けた構造である。
去する構造の半導体メモリ装置は、第１図に示す
如く電極１およびメタライズ層２を設けた段付き
のセラミツク基板３のメタライズ層２上面にメモ
リ素子４をボンデイングし、該素子４の電極とセ
ラミツク基板３上の電極１を金およびアルミニウ
ムの細線５で接続し、該セラミツク基板３の封着
部６と紫外線を透過する材質でできた蓋７を接着
剤あるいはろう材８で封着し、セラミツク基板３
の外部の引出した電極１上にリードフレーム９を
取付けた構造である。
このような構成において、蓋７には紫外線を十
分透過させ、かつ熱膨張係数をセラミツク基板の
値に近ずける必要性があり、サフアイア、透明セ
ラミツク等の板が使われる。封着用の接着剤８は
これらとなじみがよく、気密特性が良好な低融点
ガラスが多く使われている。またリードフレーム
９はコバールが多く使われている。このような装
置において、低融点ガラスを用いた封着は酸化雰
囲気中で行なうため、封着後のリードフレーム表
面に強固な酸化皮膜が生成し、後工程のはんだ付
を不完全なものにする。そこでこれらの皮膜を除
去し、はんだぬれ性を確保する目的でめつき処理
を行なつている。ところが封着用の低融点ガラス
は薬品に非常に弱いことから、めつき前処理およ
びめつき処理に使用する薬品によつて、気密不良
を起こすばかりでなく、モジユール内に水分を吸
込み、半導体素子電極やアルミニウム細線および
これらの接合部を腐食させ、長時間後には断線さ
せるという問題があつた。
分透過させ、かつ熱膨張係数をセラミツク基板の
値に近ずける必要性があり、サフアイア、透明セ
ラミツク等の板が使われる。封着用の接着剤８は
これらとなじみがよく、気密特性が良好な低融点
ガラスが多く使われている。またリードフレーム
９はコバールが多く使われている。このような装
置において、低融点ガラスを用いた封着は酸化雰
囲気中で行なうため、封着後のリードフレーム表
面に強固な酸化皮膜が生成し、後工程のはんだ付
を不完全なものにする。そこでこれらの皮膜を除
去し、はんだぬれ性を確保する目的でめつき処理
を行なつている。ところが封着用の低融点ガラス
は薬品に非常に弱いことから、めつき前処理およ
びめつき処理に使用する薬品によつて、気密不良
を起こすばかりでなく、モジユール内に水分を吸
込み、半導体素子電極やアルミニウム細線および
これらの接合部を腐食させ、長時間後には断線さ
せるという問題があつた。
また、蓋とセラミツク基板の熱膨張係数の差が
大きいと封着不良を起こすことから、蓋の材質と
してセラミツク基板の熱膨張係数に近い値のサフ
アイア、透明アルミナを用いていたが、これらは
高価であり、製品コストを上昇させるという欠点
があつた。
大きいと封着不良を起こすことから、蓋の材質と
してセラミツク基板の熱膨張係数に近い値のサフ
アイア、透明アルミナを用いていたが、これらは
高価であり、製品コストを上昇させるという欠点
があつた。
本発明は、上記した従来技術の欠点をなくし、
半導体装置の封着歩留りを向上させ、かつ生産工
程の合理化を考慮した半導体装置用セラミツクパ
ツケージの封着方法を提供するにある。
半導体装置の封着歩留りを向上させ、かつ生産工
程の合理化を考慮した半導体装置用セラミツクパ
ツケージの封着方法を提供するにある。
本発明は、上記の目的を達成するため、半導体
素子をその内部に搭載実装するセラミツク基板の
封着部に金属材を封着し、該金属材の上に該金属
材と熱膨張係数がほぼ等しい透明ガラス材蓋を気
密封着するようになした半導体装置用セラミツク
パツケージの封着方法であつて、上記金属材と上
記透明ガラス材蓋間に電圧を印加し、同時に上記
透明ガラス材蓋を加熱手段により加熱することに
よつて、上記金属材と上記透明ガラス材蓋とを気
密封着するようになしたことを特徴とする。
素子をその内部に搭載実装するセラミツク基板の
封着部に金属材を封着し、該金属材の上に該金属
材と熱膨張係数がほぼ等しい透明ガラス材蓋を気
密封着するようになした半導体装置用セラミツク
パツケージの封着方法であつて、上記金属材と上
記透明ガラス材蓋間に電圧を印加し、同時に上記
透明ガラス材蓋を加熱手段により加熱することに
よつて、上記金属材と上記透明ガラス材蓋とを気
密封着するようになしたことを特徴とする。
以下本発明の半導体装置用セラミツクパツケー
ジの実施例を図面を用いて説明する。
ジの実施例を図面を用いて説明する。
第２図は本発明の半導体装置用セラミツクパツ
ケージの一実施例を示すものである。同図におい
て、電極１、メタライズ層２、封着用セラミツク
体６を有するセラミツク基板３は、公知の方法に
よりそれぞれの形状に成形された未焼成のセラミ
ツクシートに金属ペーストを印刷し、積層し、焼
成して製作されるものである。メタライズ層２の
上面には半導体メモリ素子４が搭載され、半導体
メモリ素子４の電極（図示していない）とセラミ
ツク基板３の電極１とがアルミニウム細線５で接
続される。電極１は封着用セラミツク体６の下部
を通り外部に引出されており、リードフレーム９
が固定され外部接続用端子と連結されている。封
着用セラミツク体６の壁上面はメタライズ処理さ
れ、このメタライズ面に銀を主成分とする銀ろう
１０を用い、リング状に成形されたコバールリン
グ１１をろう付けする。ついで、このコバールリ
ング１１の上面に、紫外線を十分透過し、かつ熱
膨張係数がゴバールに近い硼珪酸ガラス蓋７を封
着する。
ケージの一実施例を示すものである。同図におい
て、電極１、メタライズ層２、封着用セラミツク
体６を有するセラミツク基板３は、公知の方法に
よりそれぞれの形状に成形された未焼成のセラミ
ツクシートに金属ペーストを印刷し、積層し、焼
成して製作されるものである。メタライズ層２の
上面には半導体メモリ素子４が搭載され、半導体
メモリ素子４の電極（図示していない）とセラミ
ツク基板３の電極１とがアルミニウム細線５で接
続される。電極１は封着用セラミツク体６の下部
を通り外部に引出されており、リードフレーム９
が固定され外部接続用端子と連結されている。封
着用セラミツク体６の壁上面はメタライズ処理さ
れ、このメタライズ面に銀を主成分とする銀ろう
１０を用い、リング状に成形されたコバールリン
グ１１をろう付けする。ついで、このコバールリ
ング１１の上面に、紫外線を十分透過し、かつ熱
膨張係数がゴバールに近い硼珪酸ガラス蓋７を封
着する。
第５図は本発明の半導体装置用セラミツクパツ
ケージの実施例の封着技術の説明図である。本図
において、熱盤１２には内部にヒーター（図示し
ていない）を埋込んだ銅板を用い、硼珪酸ガラス
蓋７の上面に接触させ、加熱熱源とする。陽極接
合電極１３′の一方はコバールリング１１に他方
の陽極接合電極１３を熱盤１２に接触させ、陽極
接合電極１３，１３′間には直流電源１４を同図
の如き極性を有して接続する。この状態におい
て、硼珪酸ガラス蓋７を300〜400℃に加熱し、陽
極接合電極１３，１３′に800〜1000ボルトの電圧
を印加する。コバールリンク１１と硼珪酸ガラス
蓋７は静電気力により引き合い、接合される。こ
の技術によれば、コバールリング１１と硼珪酸ガ
ラス蓋７の表面は数10Kg／cm2の吸引力で引き合い
完全な気密封着ができている。
ケージの実施例の封着技術の説明図である。本図
において、熱盤１２には内部にヒーター（図示し
ていない）を埋込んだ銅板を用い、硼珪酸ガラス
蓋７の上面に接触させ、加熱熱源とする。陽極接
合電極１３′の一方はコバールリング１１に他方
の陽極接合電極１３を熱盤１２に接触させ、陽極
接合電極１３，１３′間には直流電源１４を同図
の如き極性を有して接続する。この状態におい
て、硼珪酸ガラス蓋７を300〜400℃に加熱し、陽
極接合電極１３，１３′に800〜1000ボルトの電圧
を印加する。コバールリンク１１と硼珪酸ガラス
蓋７は静電気力により引き合い、接合される。こ
の技術によれば、コバールリング１１と硼珪酸ガ
ラス蓋７の表面は数10Kg／cm2の吸引力で引き合い
完全な気密封着ができている。
なお、以上は金属材としてコバール、透明ガラ
ス材として硼珪酸ガラスの場合を示したが、次の
ような組合せ、すなわち、 シリコン―パイレツクスガラス シリコン―石英 シリコン―ソフトガラス シリコン―サフアイア アルミシート硼珪酸ガラス 白金シート―硼珪酸ガラス チタンシート―ガラス ゲルマニウム―硼珪酸ガラス 砒化カリウム―ソフトガラス についても同様の効果を得ることを確認してい
る。
ス材として硼珪酸ガラスの場合を示したが、次の
ような組合せ、すなわち、 シリコン―パイレツクスガラス シリコン―石英 シリコン―ソフトガラス シリコン―サフアイア アルミシート硼珪酸ガラス 白金シート―硼珪酸ガラス チタンシート―ガラス ゲルマニウム―硼珪酸ガラス 砒化カリウム―ソフトガラス についても同様の効果を得ることを確認してい
る。
以上述べたように、封着する部材として基板側
にコバール材を用い、蓋にコバールと熱膨張係数
が非常に近く、かつ安価な硼珪酸ガラスを使用す
ることにより、初期の目的である紫外線を透過し
てパツケージ内素子のメモリーを容易に消去でき
る構造を有しつつ、封着歩留りの向上、封着コス
トの大巾な低減が可能になつた。また、コバール
リングと蓋を直接接合させる構造にしたことによ
り、めつきの前処理およびめつき処理等の薬品処
理に対し封着部が不完全になる等の問題点が解決
され、半導体メモリ装置の大幅な信頼性向上が図
れる。
にコバール材を用い、蓋にコバールと熱膨張係数
が非常に近く、かつ安価な硼珪酸ガラスを使用す
ることにより、初期の目的である紫外線を透過し
てパツケージ内素子のメモリーを容易に消去でき
る構造を有しつつ、封着歩留りの向上、封着コス
トの大巾な低減が可能になつた。また、コバール
リングと蓋を直接接合させる構造にしたことによ
り、めつきの前処理およびめつき処理等の薬品処
理に対し封着部が不完全になる等の問題点が解決
され、半導体メモリ装置の大幅な信頼性向上が図
れる。
第１図は従来の半導体メモリ装置パツケージの
構造を示す断面図、第２図は本発明によつて封着
された半導体装置用セラミツクパツケージの実施
例の断面説明図、第３図は本発明に係わる半導体
装置用セラミツクパツケージの封着方法の説明図
である。 ３……セラミツク基板、４……メモリ素子、７
……蓋、８……接着剤、１１……コバールリン
グ、１３……電極、１４……電源。
構造を示す断面図、第２図は本発明によつて封着
された半導体装置用セラミツクパツケージの実施
例の断面説明図、第３図は本発明に係わる半導体
装置用セラミツクパツケージの封着方法の説明図
である。 ３……セラミツク基板、４……メモリ素子、７
……蓋、８……接着剤、１１……コバールリン
グ、１３……電極、１４……電源。
Claims (1)
- １ 半導体素子をその内部に搭載実装するセラミ
ツク基板の封着部に金属材を封着し、該金属材の
上に該金属材と熱膨張係数がほぼ等しい透明ガラ
ス材蓋を気密封着するようになした半導体装置用
セラミツクパツケージの封着方法であつて、上記
金属材と上記透明ガラス材蓋間に電圧を印加し、
同時に上記透明ガラス材蓋を加熱手段により加熱
することによつて、上記金属材と上記透明ガラス
材蓋とを気密封着するようになしたことを特徴と
する半導体装置用セラミツクパツケージの封着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13887978A JPS5565448A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Ceramic package for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13887978A JPS5565448A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Ceramic package for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5565448A JPS5565448A (en) | 1980-05-16 |
| JPS6129541B2 true JPS6129541B2 (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=15232239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13887978A Granted JPS5565448A (en) | 1978-11-13 | 1978-11-13 | Ceramic package for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5565448A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0747870Y2 (ja) * | 1987-08-13 | 1995-11-01 | 日本電気株式会社 | 光学窓付き気密容器 |
| JP4499386B2 (ja) | 2003-07-29 | 2010-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型光検出素子の製造方法 |
| WO2005086229A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Neomax Materials Co., Ltd. | 光透過用窓部材、光透過用窓部材を備えた半導体パッケージおよび光透過用窓部材の製造方法 |
| JP4375186B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2009-12-02 | 株式会社日立製作所 | 陽極接合構造を用いた電子装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741102A (en) * | 1980-07-07 | 1982-03-08 | Sameka Sa | Guide apparatus for bar material of automatic lathe |
-
1978
- 1978-11-13 JP JP13887978A patent/JPS5565448A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741102A (en) * | 1980-07-07 | 1982-03-08 | Sameka Sa | Guide apparatus for bar material of automatic lathe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5565448A (en) | 1980-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4204721A (en) | Manufacture of gas filled envelopes | |
| EP0131996B1 (en) | Infra-red radiation detector | |
| CN104009726B (zh) | 电子装置及其玻璃封接方法 | |
| JPS6129541B2 (ja) | ||
| JPS598358Y2 (ja) | 半導体素子パツケ−ジ | |
| JPS6240859B2 (ja) | ||
| JPH0658619U (ja) | 電子部品 | |
| JP2003133452A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
| JP2624832B2 (ja) | 陽極接合装置 | |
| JP2685083B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JPS61174766A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| KR0137116B1 (ko) | 형광표시장치 | |
| JP2759300B2 (ja) | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2510571Y2 (ja) | ガラス封止型半導体素子収納用パッケ―ジ | |
| JPS6155778B2 (ja) | ||
| JP2818506B2 (ja) | 電子部品収納用パッケージの製造方法 | |
| JPH087640Y2 (ja) | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ | |
| JPS6214098B2 (ja) | ||
| JP2552554Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH03167843A (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH0629330A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0416497Y2 (ja) | ||
| JP2514901Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH036028Y2 (ja) | ||
| JPH0613829A (ja) | 圧電素子収納用パッケージ |