JP2552554Y2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JP2552554Y2 JP2552554Y2 JP1991024425U JP2442591U JP2552554Y2 JP 2552554 Y2 JP2552554 Y2 JP 2552554Y2 JP 1991024425 U JP1991024425 U JP 1991024425U JP 2442591 U JP2442591 U JP 2442591U JP 2552554 Y2 JP2552554 Y2 JP 2552554Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- lid
- glass
- weight
- semiconductor element
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は半導体素子を収容するた
め半導体素子収納用パッケージの改良に関するものであ
る。
め半導体素子収納用パッケージの改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、特に半導体集積回路
素子を収容するためのパッケージは図２に示すように、
アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、中央
部に半導体素子を収容する空所を形成するための凹部を
有し、上面に封止用の低融点ガラス層12が被着された基
体11と、同じくアルミナセラミックス等の電気絶縁材料
から成り、中央部に半導体素子を収容する空所を形成す
るための凹部を有し、下面に封止用の低融点ガラス層14
が被着させた蓋体13と、内部に収容する半導体素子15を
外部の電気回路に電気的に接続するための外部リード端
子16とから構成されており、基体11の上面に外部リード
端子16を載置させるととも予め被着させておいた封止用
の低融点ガラス層12を溶融させることによって外部リー
ド端子16を基体11に仮止めし、次に前記基体11の凹部に
半導体素子15を取着するとともに該半導体素子15の各電
極（入出力電極）をボンディングワイヤ17を介して外部
リード端子16に接続し、しかる後、基体11と蓋体13とを
その相対向する各々の主面に被着させておいた封止用の
低融点ガラス層12、14を溶融一体化させ、基体11と蓋体
13とから成る容器を気密に封止することによって製品と
しての半導体装置となる。
素子を収容するためのパッケージは図２に示すように、
アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、中央
部に半導体素子を収容する空所を形成するための凹部を
有し、上面に封止用の低融点ガラス層12が被着された基
体11と、同じくアルミナセラミックス等の電気絶縁材料
から成り、中央部に半導体素子を収容する空所を形成す
るための凹部を有し、下面に封止用の低融点ガラス層14
が被着させた蓋体13と、内部に収容する半導体素子15を
外部の電気回路に電気的に接続するための外部リード端
子16とから構成されており、基体11の上面に外部リード
端子16を載置させるととも予め被着させておいた封止用
の低融点ガラス層12を溶融させることによって外部リー
ド端子16を基体11に仮止めし、次に前記基体11の凹部に
半導体素子15を取着するとともに該半導体素子15の各電
極（入出力電極）をボンディングワイヤ17を介して外部
リード端子16に接続し、しかる後、基体11と蓋体13とを
その相対向する各々の主面に被着させておいた封止用の
低融点ガラス層12、14を溶融一体化させ、基体11と蓋体
13とから成る容器を気密に封止することによって製品と
しての半導体装置となる。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
ＩＣカード等、情報処理装置は薄型化が急激に進み、該
情報処理装置に搭載される半導体装置もその厚みを薄く
したものが要求されるようになり、同時に半導体装置を
構成する半導体素子収納用パッケージも基体及び蓋体の
厚みを薄くしパッケージ全体の厚みを薄型化することが
要求されるようになってきた。
ＩＣカード等、情報処理装置は薄型化が急激に進み、該
情報処理装置に搭載される半導体装置もその厚みを薄く
したものが要求されるようになり、同時に半導体装置を
構成する半導体素子収納用パッケージも基体及び蓋体の
厚みを薄くしパッケージ全体の厚みを薄型化することが
要求されるようになってきた。
【０００４】そこで上述した従来の半導体素子収納用パ
ッケージの基体及び蓋体の厚みを薄くし、パッケージの
全体厚みの薄型化を図った場合、パッケージの基体及び
蓋体は通常、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料よ
り成り、該アルミナセラミックスは脆弱で機械的強度が
弱いことから基体及び蓋体の厚みを薄くすると基体及び
蓋体の機械的強度が大幅に低下してしまい、その結果、
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封
止し、半導体装置となした後、基体もしくは蓋体に外力
が印加されると該外力によって基体もしくは蓋体が容易
に破損し、容器内部の気密封止が破れて内部に収容する
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができなくなるという欠点を有していた。
ッケージの基体及び蓋体の厚みを薄くし、パッケージの
全体厚みの薄型化を図った場合、パッケージの基体及び
蓋体は通常、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料よ
り成り、該アルミナセラミックスは脆弱で機械的強度が
弱いことから基体及び蓋体の厚みを薄くすると基体及び
蓋体の機械的強度が大幅に低下してしまい、その結果、
基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封
止し、半導体装置となした後、基体もしくは蓋体に外力
が印加されると該外力によって基体もしくは蓋体が容易
に破損し、容器内部の気密封止が破れて内部に収容する
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることができなくなるという欠点を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案は基体と蓋体との
間に半導体素子及び該半導体素子の各電極がボンディン
グワイヤにより接続された外部リード端子とを挟持し、
ガラス溶着によって内部に半導体素子を気密に封止する
半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体及び蓋
体は熱膨張係数が実質的に同一の金属材から成り、且つ
その各々の表面に高融点ガラスが被覆されていることを
特徴とするものである。
間に半導体素子及び該半導体素子の各電極がボンディン
グワイヤにより接続された外部リード端子とを挟持し、
ガラス溶着によって内部に半導体素子を気密に封止する
半導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体及び蓋
体は熱膨張係数が実質的に同一の金属材から成り、且つ
その各々の表面に高融点ガラスが被覆されていることを
特徴とするものである。
【０００６】
【実施例】次に本考案を添付図面に基づき詳細に説明す
る。
る。
【０００７】図１は本考案の半導体素子収納用パッケー
ジの一実施例を示す断面図であり、1 は基体、2 は蓋体
である。この基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容す
るための容器が構成される。
ジの一実施例を示す断面図であり、1 は基体、2 は蓋体
である。この基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容す
るための容器が構成される。
【０００８】前記基体1 は、例えばコバール金属(Fe-Ni
-Co 合金) や４２アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属材から成
り、その上面中央部に半導体素子3 を収容するための凹
部1aが設けてあり、該凹部1a底面には半導体素子3 がガ
ラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して取着固定され
る。
-Co 合金) や４２アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属材から成
り、その上面中央部に半導体素子3 を収容するための凹
部1aが設けてあり、該凹部1a底面には半導体素子3 がガ
ラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して取着固定され
る。
【０００９】前記基体1 はコバール金属等のインゴット
( 塊) を従来周知のプレス成形法を採用し図１に示す基
体1 の形状に成形することによって製作される。
( 塊) を従来周知のプレス成形法を採用し図１に示す基
体1 の形状に成形することによって製作される。
【００１０】前記基体1 を構成するコバール金属等はセ
ラミックスのような脆性材料ではないためその厚みを、
例えば0.2mm 程度に薄くしても外力印加によって破損す
ることはない。従って、基体1 の厚みを0.2mm 程度とし
パッケージの全体厚みを薄型化しても容器内部の気密封
止を維持することができ容器内部に収容する半導体素子
3 を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが
可能となる。
ラミックスのような脆性材料ではないためその厚みを、
例えば0.2mm 程度に薄くしても外力印加によって破損す
ることはない。従って、基体1 の厚みを0.2mm 程度とし
パッケージの全体厚みを薄型化しても容器内部の気密封
止を維持することができ容器内部に収容する半導体素子
3 を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが
可能となる。
【００１１】前記基体1 はまたその表面が高融点ガラス
1bにより被覆されており、高融点ガラス1bは導電性であ
る金属製基体1 の電気的絶縁を図る作用を為す。
1bにより被覆されており、高融点ガラス1bは導電性であ
る金属製基体1 の電気的絶縁を図る作用を為す。
【００１２】前記高融点ガラス1bは、例えば酸化鉛(Pb
O)40.0 乃至 60.0 重量％、酸化ケイ素(SiO 2) 20.0乃
至40.0重量％、酸化ホウ素(B2 O 3 )5.0乃至10.0重量％
を含むガラス、或いは酸化ケイ素(SiO 2)40.0 乃至60.0
重量％、酸化バリウム(BaO)20.0 乃至35.0重量％、酸化
カルシウム(CaO)5.0乃至15.0重量％を含むガラスから成
り、該ガラス組成粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得たガラスペーストをスクリーン印刷法により基
体１表面に印刷塗布するとともに約1000℃の温度で焼成
することによって基体１の表面に被着される。
O)40.0 乃至 60.0 重量％、酸化ケイ素(SiO 2) 20.0乃
至40.0重量％、酸化ホウ素(B2 O 3 )5.0乃至10.0重量％
を含むガラス、或いは酸化ケイ素(SiO 2)40.0 乃至60.0
重量％、酸化バリウム(BaO)20.0 乃至35.0重量％、酸化
カルシウム(CaO)5.0乃至15.0重量％を含むガラスから成
り、該ガラス組成粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得たガラスペーストをスクリーン印刷法により基
体１表面に印刷塗布するとともに約1000℃の温度で焼成
することによって基体１の表面に被着される。
【００１３】尚、前記高融点ガラス1bはその軟化点が60
0 〜900 ℃と高いことから後述する基体1 と蓋体2 とを
封止用の低融点ガラス5 、7 を加熱溶融させて接合させ
る際、封止用低融点ガラス5 、7 を加熱溶融させるため
の熱が印加されたとしても溶融することはなく、基体1
の電気的絶縁を維持することが可能となる。
0 〜900 ℃と高いことから後述する基体1 と蓋体2 とを
封止用の低融点ガラス5 、7 を加熱溶融させて接合させ
る際、封止用低融点ガラス5 、7 を加熱溶融させるため
の熱が印加されたとしても溶融することはなく、基体1
の電気的絶縁を維持することが可能となる。
【００１４】また上述した組成の高融点ガラスはまたそ
の熱膨張係数が基体１の熱膨張係数に近似しており、基
体１の表面に被覆させた後、例えば蓋体2 を基体1 に接
合させる際等の熱が印加されても基体１と高融点ガラス
1bとの間には両者の熱膨張係数の相違に起因した大きな
熱応力が発生することは殆どなく、高融点ガラス1bを基
体1 の表面に強固に被覆させておくことが可能となる。
従って、基体１の表面に高融点ガラス1bを強固に被覆さ
せておくには高融点ガラス1bとして上述した組成のガラ
スを使用することが好ましい。
の熱膨張係数が基体１の熱膨張係数に近似しており、基
体１の表面に被覆させた後、例えば蓋体2 を基体1 に接
合させる際等の熱が印加されても基体１と高融点ガラス
1bとの間には両者の熱膨張係数の相違に起因した大きな
熱応力が発生することは殆どなく、高融点ガラス1bを基
体1 の表面に強固に被覆させておくことが可能となる。
従って、基体１の表面に高融点ガラス1bを強固に被覆さ
せておくには高融点ガラス1bとして上述した組成のガラ
スを使用することが好ましい。
【００１５】前記基体1 の上面にはまた外部リード端子
4 の一端が封止用の低融点ガラス5を介して仮止めされ
ており、該外部リード端子4 はコバール金属や４２アロ
イ等の金属から成り、コバール金属等のインゴット
（塊）を従来周知の圧延加工法及び打ち抜き加工法を採
用し所定の板状に形成することによって製作される。
4 の一端が封止用の低融点ガラス5を介して仮止めされ
ており、該外部リード端子4 はコバール金属や４２アロ
イ等の金属から成り、コバール金属等のインゴット
（塊）を従来周知の圧延加工法及び打ち抜き加工法を採
用し所定の板状に形成することによって製作される。
【００１６】前記外部リード端子4 は内部に収容する半
導体素子3 を外部電気回路に接続する作用を為し、その
一端には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6
を介して接続され、外部リード端子4 を外部電気回路に
接続することによって半導体素子3 は外部電気回路と電
気的に接続されることとなる。
導体素子3 を外部電気回路に接続する作用を為し、その
一端には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6
を介して接続され、外部リード端子4 を外部電気回路に
接続することによって半導体素子3 は外部電気回路と電
気的に接続されることとなる。
【００１７】尚、前記外部リード端子4 はその表面にニ
ッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れた
金属をメッキにより1.0 乃至20.0μm 厚みに層着させて
おくと外部リード端子4 の酸化腐食を有効に防止すると
ともに外部リード端子4 とボンディングワイヤ6 、外部
電気回路との電気的接続を良好となすことができる。そ
のため外部リード端子4 はその表面にニッケル、金等を
メッキにより1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておく
ことが好ましい。
ッケル、金等から成る良導電性で、且つ耐蝕性に優れた
金属をメッキにより1.0 乃至20.0μm 厚みに層着させて
おくと外部リード端子4 の酸化腐食を有効に防止すると
ともに外部リード端子4 とボンディングワイヤ6 、外部
電気回路との電気的接続を良好となすことができる。そ
のため外部リード端子4 はその表面にニッケル、金等を
メッキにより1.0 乃至20.0μm の厚みに層着させておく
ことが好ましい。
【００１８】また前記基体1 に外部リード端子4 を仮止
めする封止用の低融点ガラス5 は例えば、酸化鉛(PbO)7
5.0 重量％、酸化チタン(TiO2 )9.0重量％、酸化ホウ素
(B2O 3 )7.5重量％、酸化亜鉛(ZnO)2.0重量％から成
り、該ガラス組成粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得たガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷
法により基体1 の上面に所定厚みに印刷塗布し、しかる
後、これを約400 ℃の温度で焼成することによって基体
1 の上面所定位置に被着される。また低融点ガラス5 を
用いて外部リード端子4 を絶縁基体1 の上面に仮止めす
る方法としては、絶縁基体1 の上面に被着させた低融点
ガラス5 の上に外部リード端子4 の一端を載置し、しか
る後、これを約400 ℃の温度に加熱し、低融点ガラス5
を加熱溶融させることによって行われる。
めする封止用の低融点ガラス5 は例えば、酸化鉛(PbO)7
5.0 重量％、酸化チタン(TiO2 )9.0重量％、酸化ホウ素
(B2O 3 )7.5重量％、酸化亜鉛(ZnO)2.0重量％から成
り、該ガラス組成粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して得たガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷
法により基体1 の上面に所定厚みに印刷塗布し、しかる
後、これを約400 ℃の温度で焼成することによって基体
1 の上面所定位置に被着される。また低融点ガラス5 を
用いて外部リード端子4 を絶縁基体1 の上面に仮止めす
る方法としては、絶縁基体1 の上面に被着させた低融点
ガラス5 の上に外部リード端子4 の一端を載置し、しか
る後、これを約400 ℃の温度に加熱し、低融点ガラス5
を加熱溶融させることによって行われる。
【００１９】前記外部リード端子4 が仮止めされた絶縁
基体1 はまたその上面に蓋体2 が、該蓋体2 の下面に被
着させた封止用の低融点ガラス7 と基体1 の上面に被着
させた封止用の低融点ガラス5 とを溶融一体化させるこ
とよって接合され、これによって基体1 と蓋体2 とから
成る容器内部に半導体素子3 が気密に封止される。
基体1 はまたその上面に蓋体2 が、該蓋体2 の下面に被
着させた封止用の低融点ガラス7 と基体1 の上面に被着
させた封止用の低融点ガラス5 とを溶融一体化させるこ
とよって接合され、これによって基体1 と蓋体2 とから
成る容器内部に半導体素子3 が気密に封止される。
【００２０】前記蓋体2 は基体１と熱膨張係数が実質的
に同一の金属材、例えばコバール金属や４２アロイ等か
ら成り、基体１と蓋体2 とはその各々の熱膨張係数が実
質的に同一となしてあることから基体１上に蓋体２を接
合させた後、両者に熱が印加されても両者の熱膨張量は
実質的に同一となって両者の接合が極めて強固なものと
なる。
に同一の金属材、例えばコバール金属や４２アロイ等か
ら成り、基体１と蓋体2 とはその各々の熱膨張係数が実
質的に同一となしてあることから基体１上に蓋体２を接
合させた後、両者に熱が印加されても両者の熱膨張量は
実質的に同一となって両者の接合が極めて強固なものと
なる。
【００２１】また前記蓋体2 を構成するコバール金属等
はセラミックスのような脆性材料でないためその厚みを
0.2mm 程度としても外力印加によって破損することはな
い。従って、蓋体2 の厚みを0.2mm 程度としパッケージ
の全体厚みを更に薄型化しても容器内部の気密封止を維
持することができ容器内部に収容する半導体素子3 を長
期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能と
なる。
はセラミックスのような脆性材料でないためその厚みを
0.2mm 程度としても外力印加によって破損することはな
い。従って、蓋体2 の厚みを0.2mm 程度としパッケージ
の全体厚みを更に薄型化しても容器内部の気密封止を維
持することができ容器内部に収容する半導体素子3 を長
期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能と
なる。
【００２２】前記蓋体2 はまたその表面が高融点ガラス
2aで被覆されており、該高融点ガラス2aは導電性である
蓋体2 の電気的絶縁を図り、蓋体2 に半導体素子3 の電
極を外部リード端子4 に接続するボンディングワイヤ6
が接触し、半導体素子3 の電極間に短絡を生じたり、半
導体素子3 に外部から不要な電気が流れ、半導体素子3
の特性に変化が生じるのを有効に防止する作用を為す。
2aで被覆されており、該高融点ガラス2aは導電性である
蓋体2 の電気的絶縁を図り、蓋体2 に半導体素子3 の電
極を外部リード端子4 に接続するボンディングワイヤ6
が接触し、半導体素子3 の電極間に短絡を生じたり、半
導体素子3 に外部から不要な電気が流れ、半導体素子3
の特性に変化が生じるのを有効に防止する作用を為す。
【００２３】前記高融点ガラス2aは基体1 の表面を被覆
する高融点ガラス1bと同じガラス、具体的には例えば酸
化鉛(PbO)40.0 乃至60.0重量％、酸化ケイ素(SiO 2)20.
0 乃至40.0重量％、酸化ホウ素(B2 O 3 )5.0乃至10.0重
量％を含むガラス、或いは酸化ケイ素(SiO 2)40.0 乃至
60.0重量％、酸化バリウム(BaO)20.0 乃至35.0重量％、
酸化カルシウム(CaO)5.0乃至15.0重量％を含むガラスか
ら成り、これらのガラスは軟化点が600 〜900 ℃と高い
ことから基体1 と蓋体2 とを封止用の低融点ガラス5 、
7 を加熱溶融させて接合させる際、封止用低融点ガラス
5 、7 を加熱溶融させるための熱が印加されたとしても
溶融することはなく、蓋体2 の電気的絶縁を維持するこ
とが可能となる。
する高融点ガラス1bと同じガラス、具体的には例えば酸
化鉛(PbO)40.0 乃至60.0重量％、酸化ケイ素(SiO 2)20.
0 乃至40.0重量％、酸化ホウ素(B2 O 3 )5.0乃至10.0重
量％を含むガラス、或いは酸化ケイ素(SiO 2)40.0 乃至
60.0重量％、酸化バリウム(BaO)20.0 乃至35.0重量％、
酸化カルシウム(CaO)5.0乃至15.0重量％を含むガラスか
ら成り、これらのガラスは軟化点が600 〜900 ℃と高い
ことから基体1 と蓋体2 とを封止用の低融点ガラス5 、
7 を加熱溶融させて接合させる際、封止用低融点ガラス
5 、7 を加熱溶融させるための熱が印加されたとしても
溶融することはなく、蓋体2 の電気的絶縁を維持するこ
とが可能となる。
【００２４】尚、上述した組成の高融点ガラスはまたそ
の熱膨張係数が蓋体2 の熱膨張係数に近似しており、蓋
体2 の表面に被覆させた後、例えば蓋体2 を基体1 に接
合させる際等の熱が印加されても蓋体2 と高融点ガラス
2aとの間には両者の熱膨張係数の相違に起因した大きな
熱応力が発生することは殆どなく、高融点ガラス2aを蓋
体2 の表面に強固に被覆させておくことが可能となる。
従って、蓋体2 の表面に高融点ガラス2aを強固に被覆さ
せておくには高融点ガラス2aとして上述した組成のガラ
スを使用することが好ましい。
の熱膨張係数が蓋体2 の熱膨張係数に近似しており、蓋
体2 の表面に被覆させた後、例えば蓋体2 を基体1 に接
合させる際等の熱が印加されても蓋体2 と高融点ガラス
2aとの間には両者の熱膨張係数の相違に起因した大きな
熱応力が発生することは殆どなく、高融点ガラス2aを蓋
体2 の表面に強固に被覆させておくことが可能となる。
従って、蓋体2 の表面に高融点ガラス2aを強固に被覆さ
せておくには高融点ガラス2aとして上述した組成のガラ
スを使用することが好ましい。
【００２５】また前記蓋体2 の下面には予め封止用の低
融点ガラス7 が被着されており、該封止用の低融点ガラ
ス7 は基体1 の上面に被着させた封止用の低融点ガラス
5 とともに基体1 と蓋体2 とを接合させ、基体1 と蓋体
2 とから成る容器内部に半導体素子3 を気密に封止する
作用を為す。
融点ガラス7 が被着されており、該封止用の低融点ガラ
ス7 は基体1 の上面に被着させた封止用の低融点ガラス
5 とともに基体1 と蓋体2 とを接合させ、基体1 と蓋体
2 とから成る容器内部に半導体素子3 を気密に封止する
作用を為す。
【００２６】前記蓋体2 の下面に被着される封止用の低
融点ガラス7 は基体1 の上面に被着させた封止用の低融
点ガラス5 と同じガラスが使用され、基体1 の上面に封
止用の低融点ガラス5 を被着させる方法と同じ方法によ
って蓋体2 の下面に被着される。
融点ガラス7 は基体1 の上面に被着させた封止用の低融
点ガラス5 と同じガラスが使用され、基体1 の上面に封
止用の低融点ガラス5 を被着させる方法と同じ方法によ
って蓋体2 の下面に被着される。
【００２７】かくして本考案の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、基体1 の凹部1a底面に半導体素子3 を接
着材を介して取着固定するとともに該半導体素子3 の各
電極をボンディングワイヤ6 により外部リード端子4 に
接続させ、しかる後、基体1と蓋体2 とをその各々の相
対向する主面に予め被着させておいた封止用の低融点ガ
ラス5 、7 を加熱溶融させ、接合させることによって、
基体1 と蓋体2 とから成る容器内部に半導体素子3 を気
密に封止し、これによって製品としての半導体装置が完
成する。
ージによれば、基体1 の凹部1a底面に半導体素子3 を接
着材を介して取着固定するとともに該半導体素子3 の各
電極をボンディングワイヤ6 により外部リード端子4 に
接続させ、しかる後、基体1と蓋体2 とをその各々の相
対向する主面に予め被着させておいた封止用の低融点ガ
ラス5 、7 を加熱溶融させ、接合させることによって、
基体1 と蓋体2 とから成る容器内部に半導体素子3 を気
密に封止し、これによって製品としての半導体装置が完
成する。
【００２８】
【考案の効果】本考案の半導体素子収納用パッケージに
よれば、基体及び蓋体を熱膨張係数が実質的に同一の金
属材で形成するとともにその各々の表面を高融点ガラス
で被覆したことから基体及び蓋体の厚みを薄くしてもそ
の機械的強度を高いものに維持することができ、その結
果、基体もしくは蓋体が破損し、基体と蓋体とから成る
容器の気密封止が破れるのを極小として内部に収容する
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
よれば、基体及び蓋体を熱膨張係数が実質的に同一の金
属材で形成するとともにその各々の表面を高融点ガラス
で被覆したことから基体及び蓋体の厚みを薄くしてもそ
の機械的強度を高いものに維持することができ、その結
果、基体もしくは蓋体が破損し、基体と蓋体とから成る
容器の気密封止が破れるのを極小として内部に収容する
半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させ
ることが可能となる。
【００２９】また基体及び蓋体の厚みを薄くすることが
可能なことからパッケージの全体厚みも極めて薄型化で
き、近時の薄型化が進む情報処理装置に搭載される半導
体装置への適用も可能となる。
可能なことからパッケージの全体厚みも極めて薄型化で
き、近時の薄型化が進む情報処理装置に搭載される半導
体装置への適用も可能となる。
【図１】本考案の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】従来の半導体素子収納用パッケージの一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１・・・・基体 １ｂ・・・基体を被覆する高融点ガラス ２・・・・蓋体 ２ａ・・・蓋体を被覆する高融点ガラス ３・・・・半導体素子 ４・・・・外部リード端子 ５，７・・封止用の低融点ガラス
Claims (1)
- 【請求項１】基体と蓋体との間に半導体素子及び該半導
体素子の各電極がボンディングワイヤにより接続された
外部リード端子とを挟持し、ガラス溶着によって内部に
半導体素子を気密に封止する半導体素子収納用パッケー
ジにおいて、前記基体及び蓋体は熱膨張係数が実質的に
同一の金属材から成り、且つその各々の表面全面に酸化
鉛４０．０乃至６０．０重量％、酸化ケイ素２０．０乃
至４０．０重量％、酸化ホウ素５．０乃至１０．０重量
％を含む、または酸化ケイ素４０．０乃至６０．０重量
％、酸化バリウム２０．０乃至３５．０重量％、酸化カ
ルシウム５．０乃至１５．０重量％を含む軟化点が６０
０℃以上の高融点ガラスが被覆されていることを特徴と
する半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991024425U JP2552554Y2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991024425U JP2552554Y2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111752U JPH04111752U (ja) | 1992-09-29 |
| JP2552554Y2 true JP2552554Y2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=31909391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991024425U Expired - Fee Related JP2552554Y2 (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2552554Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190041U (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-16 | 関西日本電気株式会社 | フラツトパツケ−ジ |
| JPH02303052A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 半導体パッケージ |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP1991024425U patent/JP2552554Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04111752U (ja) | 1992-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |